專利名稱：一種振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種振蕩器技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電子電路領(lǐng)域，特別涉及高精度的低壓低功耗的振蕩器電路。背景技術(shù)：
振蕩器是電子電路中的一種基本電路，其可以將直流電能轉(zhuǎn)換為具有一定頻率的 交流電能。振蕩器通常用來產(chǎn)生正弦波、鋸齒波和方波信號等。在現(xiàn)有技術(shù)中，振蕩器被廣 泛應(yīng)用于如DC-DC開關(guān)電源、鋰電池保護(hù)電路、鋰電池充電電路、復(fù)位器等系統(tǒng)中。在申請?zhí)枮?00812605. 4的中國專利《一種低壓低功耗振蕩器》中揭露了一種產(chǎn) 生鋸齒波的振蕩器電路。雖然該振蕩器電路具有工作電壓較低、功耗低以及精度高的優(yōu)點， 但是該振蕩器電路需要特定類型的基于AVgs/! 的電流源產(chǎn)生電路來提供電流。在實際運(yùn) 用中，該電流源產(chǎn)生電路需要的器件較多，占用芯片面積大，如果能夠進(jìn)一步優(yōu)化，顯然是 非常有利的。因此，有必要提出一種新的技術(shù)方案來解決上述缺點。
實用新型內(nèi)容本部分的目的在于概述本實用新型的實施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳 實施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和實用新型名稱中可能會做些簡化或省略以避 免使本部分、說明書摘要和實用新型名稱的目的模糊，而這種簡化或省略不能用于限制本 實用新型的范圍。本實用新型的目的在于提供一種振蕩器，其具有結(jié)構(gòu)簡單、高精度、低工作電壓和 低功耗的特點。為了達(dá)到本實用新型的目的，本實用新型提供了 一種振蕩器，所述振蕩器包括電 流源電路，包括產(chǎn)生第一電流的第一支路和產(chǎn)生第二電流的第二支路，所述第一電流和第 二電流成預(yù)定比例；比較電路，包括與所述第一支路相連的第一偏置端、與所述第二支路相連的第二 偏置端、第一輸入端、第二輸入端及輸出端；電流電壓轉(zhuǎn)換電路，將所述第一電流轉(zhuǎn)換成閾值電壓并將所述閾值電壓提供給所 述比較電路的第一輸入端；充電器件，接收所述第二電流的充電以得到充電電壓并將所述充電電壓提供給所 述比較電路的第二輸入端，其中所述比較電路在充電電壓大于或等于所述閾值電壓時通過 輸出端輸出有效的控制信號，在充電電壓小于所述閾值電壓時通過輸出端輸出無效的控制
信號；放電控制電路，在所述控制信號有效時對所述充電器件進(jìn)行放電，在所述控制信 號無效時禁止對所述充電器件進(jìn)行放電。進(jìn)一步地，所述電流源電路中的第一電流和第二電流由同一電流源產(chǎn)生的電流經(jīng) 電流鏡電路復(fù)制產(chǎn)生。進(jìn)一步地，所述比較電路包括第一晶體管和第二晶體管；所述第一晶體管柵極與第二晶體管柵極相連且該第一晶體管柵極和漏極相連，并將所述第一晶體管的漏極作為所述比較電路的第一偏置端，將所述第一晶體管源極作為所 述比較電路的第一輸入端；所述第二晶體管漏極作為所述比較電路的第二偏置端，將該第二晶體管源極作為 所述比較電路的第二輸入端，所述第二偏置端與第二支路相連的點作為所述比較電流的輸 出端。進(jìn)一步地，所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路包括第一電阻，和/或所述充電器件包括第一 電容。進(jìn)一步地，所述放電控制電路包括第三晶體管或者第三三極管，所述第三晶體管 的柵極為所述放電控制電路的控制信號接收端，所述第三晶體管的源極和漏極分別與所述 充電器件的兩端相連。進(jìn)一步地，所述比較電路的輸出端與所述放電控制電路的控制信號接收端之間還 連接有延時電路，所述延時電路將控制信號延時輸出給所述放電控制電路。進(jìn)一步地，所述延時電路包括互相串聯(lián)的兩個或者兩個以上反相器，所述反相器 的個數(shù)為偶數(shù)個。進(jìn)一步地，所述電流鏡采用級聯(lián)結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述電流源電路包括產(chǎn)生預(yù)定值的供電電流的第三支路、成比例復(fù)制 供電電流以產(chǎn)生第一電流的第一支路和成比例復(fù)制供電電流以產(chǎn)生第二電流的第二支路。所述供電支路包括依次串聯(lián)的第四晶體管、第二電阻，其中第四晶體管的源極接 電源電壓，第二電阻不與第四晶體管連接的一端接地；其中第一支路包括與所述第四晶體 管共柵共源的第五晶體管，其中第二支路包括與所述第四晶體管共柵共源的第六晶體管， 所述第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管形成電流鏡，并且所述第五晶體管和第六晶體 管成預(yù)定比例。進(jìn)一步地，所述振蕩器還包括高增益共源放大級，所述高增益共源放大級由第十 晶體管、第十一晶體管及第三反相器組成，所述第十晶體管與所述第四晶體管共柵共源；所 述第十晶體管的漏極與所述第十一晶體管的漏極及第三反相器輸入端相連；所述第十一晶 體管的柵極與所述比較電路的輸出端相連且源極接地，所述第三反相器的輸出端與所述放 電控制電路的控制信號接收端相連。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型通過對原有設(shè)計改良而不再需要特定類型的基于 △Vgs/R的電流源產(chǎn)生電路來提供電流，使得本實用新型可以使用任何類型的電流源產(chǎn)生 電路結(jié)合電流鏡來提供電流。也就是簡化了現(xiàn)有結(jié)構(gòu)、使得所述振蕩器電路更易于實現(xiàn)。
結(jié)合參考附圖及接下來的詳細(xì)描述，本實用新型將更容易理解，其中同樣的附圖 標(biāo)記對應(yīng)同樣的結(jié)構(gòu)部件，其中圖1為本實用新型的一個實施例中的振蕩器的電路原理圖；圖2為本實用新型的一個實施例中的輸出鋸齒波RAMP以及對應(yīng)的CLK信號的波 形示意圖；圖3為本實用新型的另一個實施例中的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖4為本實用新型的再一個實施例中的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖5為本實用新型的一個實施例中的采用所述延時電路前后的輸出信號RAMP對比波形圖；圖6為本實用新型的再一個實施例中的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)圖；和圖7為本實用新型中利用POMS管實施的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
請參考圖1，其示出了本實用新型的一個實施例中的振蕩器100的電路原理圖。所 述振蕩器100包括電流源電路、比較電路、電流電壓轉(zhuǎn)換電路、充電器件、延時電路和放電 控制電路。所述電流源電路用于產(chǎn)生呈預(yù)定比例的第一電流Il和第二電流12。所述電流源 電路包括產(chǎn)生第一電流Il的第一支路和產(chǎn)生第二電流12的第二支路。所述第一電流Il 和第二電流12可以由同一電流源產(chǎn)生的電流經(jīng)電流鏡電路復(fù)制產(chǎn)生。通常所述同一電流 源的電流值是不變化的。此處所述的電流源無需為基于AVgs/! 的特定電流源產(chǎn)生電路產(chǎn) 生，可以為任何類型的電流源。所述比較電路用于比較振蕩器輸出端RAMP與B點電位。所述比較電路包括第一 晶體管麗1和第二晶體管麗2，其中第一晶體管麗1、第二晶體管麗2柵極相連且第一晶體 管麗1自身的柵極和漏極相連，并且第一晶體管麗1的漏極接收第一電流II，第二晶體管 麗2的漏極接收第二電流12。所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路用于將第一電流Il轉(zhuǎn)換成電壓提供給所述比較電路的一 個輸入端。所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路包括第一電阻R1，其中第一電阻Rl的一端接地，另一端 接所述第一晶體管MNl的源極，所述第一電阻Rl將第一電流Il轉(zhuǎn)換成B點的電壓提供給 所述第一晶體管麗1的源極。所述充電器件用于接收電流12進(jìn)而得到充電電壓并將該充電電壓提供給比較電 路的一個輸入端。所述充電器件包括第一電容Cl，其中第一電容Cl的一端接地，另一端接 所述第二晶體管MN2的源極，所述第一電容Cl接收第二電流12的充電進(jìn)而獲得充電電壓， 也即RAMP，提供給所述第二晶體管MN2的源極。所述延時電路用于將比較電路的輸出端輸出的比較結(jié)果延時輸出給所述放電控 制電路。所述延時電路包括互相串聯(lián)的第一反相器INVl和第二反相器INV2，其中第一反相 器INVl的輸入端與所述第二晶體管麗2的漏極相連，其中第二反相器INV2的輸出端與所 述放電控制電路的控制端相連，所述第二反相器INV2輸出控制信號CLK。所述放電控制電路用于控制充電器件進(jìn)行充電或放電。所述放電控制電路包括第 三晶體管MN3，在一個實施例中，所述第三晶體管MN3也可以為等效電子開關(guān)器件，比如NPN 三極管。所述充電器件Cl的兩端分別與放電控制電路的第三晶體管MN3的源極和漏極相 連，且第三晶體管MN3的漏極與第二晶體管MN2的源極連接，并將該連接點作為該振蕩器的 輸出端(RAMP)。所述電流源電路、比較電路、電流電壓轉(zhuǎn)換電路、充電器件、延時電路和放電 控制器件及其連接方式，實現(xiàn)了對第一電容Cl的充放電功能，并在輸出端RAMP得到相應(yīng)鋸 齒波形。具體地講，所述比較電路的工作原理為比較第一晶體管MNl源極(B點)與第二晶 體管麗2源極(RAMP)電位進(jìn)而決定輸出(C點)結(jié)果。在RAMP低于B點電位情況下，C點為 低電位并經(jīng)第一反相器INVl和第二反相器INV2延時后變?yōu)镃LK點的無效控制信號；反之 在RAMP高于B點電位情況下，C點為高電位并經(jīng)第一反相器INVl和第二反相器INV2延時后變?yōu)镃LK點的有效控制信號。比較電路一個輸入端與充電器件Cl及振蕩器輸出端(RAMP) 相連，另一個輸入端與電流電壓轉(zhuǎn)換電路Rl相連，也即比較第一電容Cl兩端電壓與第一電 阻Rl電壓之間的關(guān)系。下面詳細(xì)闡述圖1所示振蕩器的工作過程。圖1中，初始狀態(tài)下，第一電容Cl的電壓為零。因為第一電容Cl的一端接地，且 第一電容Cl的電壓等于RAMP電壓，因此初始狀態(tài)RAMP電壓為零。第一電流Il和第二電流12可以由同一電流源產(chǎn)生的電流經(jīng)匹配的電流鏡電路復(fù) 制產(chǎn)生。所述第一電流Il和第二電流12都不為零。第一電阻Rl的電壓等于第一電流Il 與第一電阻Rl的電阻之積，第一電流Il不為零，則第一電阻Rl的電壓不為零。又因為第一 電阻Rl的一端接地，則第一電阻Rl的另一端電壓就等于B點電位，因此B點電位不為零。比較電路比較RAMP、B點電位，初始狀態(tài)RAMP電位為零，B點電位不為零，因此比 較電路輸出(C點)為低電平。所述C點的低電平經(jīng)過延時電路延時后傳輸給變?yōu)闊o效控制信號CLK。所述CLK 信號傳輸給所述第三晶體管MN3的柵極，因此第三晶體管MN3的柵極電位為低電位，第三晶 體管MN3處于截止?fàn)顟B(tài)。在第三晶體管MN3截止且第一電容Cl的電壓為零情況下，電流源 電路對第一電容Cl充電。該充電電流為第二電流。 根據(jù)公式Q=CV可知，在電容一定情況下充電電量與電壓成正比，其中Q為充電電 量，C為電容，V為電壓。因此隨著第一電容Cl逐漸充電，RAMP電位逐漸升高。當(dāng)RAMP電 位超過B點電位時，也就是RAMP電壓超過Rl電壓時，比較電路輸出電位(C點)變?yōu)楦唠娢?。由此可知，第一電容Cl 一直充電，RAMP電位逐漸升高，直到RAMP電位高于B點電 位時刻，C點變?yōu)楦唠娢?；C點電位經(jīng)延時電路延時后即為第三晶體管麗3的柵極電位，因此 此時第三晶體管麗3柵極為高電位，所述第三晶體管麗3導(dǎo)通。當(dāng)所述第三晶體管麗3處 于導(dǎo)通狀態(tài)下，與所述第三晶體管MN3串聯(lián)的第一電容Cl迅速被放電。由于MOS管對電容 放電速度非?？?，因此第一電容Cl放電時間遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于充電時間。如上所述，周而復(fù)始，第一電容Cl反復(fù)被充電和放電，致使該振蕩器的輸出端 (RAMP)電壓逐漸升高，再迅速降低……，進(jìn)而在RAMP端形成鋸齒波的振蕩波形。圖2是本實 用新型的振蕩器100輸出鋸齒波RAMP以及對應(yīng)的CLK信號的示意圖，該圖橫坐標(biāo)為時間， 縱坐標(biāo)為電壓，其中鋸齒波RAMP的上升階段即為第一電容Cl的充電時間，下降階段即為第 一電容Cl的放電時間。并且由上分析容易得知所述鋸齒波RAMP的峰值為第一電流Il與 所述第一電阻Rl的乘積。則該振蕩器100的充電時間為T= (I1*R1)*C1/I2，其中Cl為第 一電容Cl的電容值，如果第一電流Il與第二電流12的商等于常數(shù)K，且因為R1*C1為器件 的物理參數(shù)所決定，由公式可以容易得知，所述振蕩器100的充電時間依賴于所述常數(shù)K。 如果所述第一電容Cl的放電時間設(shè)計的相對于充電時間很小，則所述振蕩器100的振蕩周 期近似等于K*R1*C1。只要選擇合理的第一電阻和第一電容以及使第一電流和第二電流成 預(yù)定比例即可。在優(yōu)選實施例中，所述第一晶體管麗1和第二晶體管麗2為寬長比相等的 NMOS管，所述第一電流Il等于所述第二電流12。由于本實用新型所述振蕩器100中的第一晶體管麗1自身的柵極和漏極相連，并 不需要其他器件來提供所述柵極電壓，故不需要需要特定類型的基于AVgs/! 的電流源產(chǎn) 生電路來產(chǎn)生電流。[0055]在本實用新型的一個優(yōu)選實施例中，所述電流源電路可以有圖3所示的簡單電流 鏡電路實現(xiàn)。所述電流源電路包括第四晶體管MP1、第五晶體管MP2、第六晶體管MP3和第 二電阻R2。所述第四晶體管MP1、第五晶體管MP2和第六晶體管MP3的源極相連并接電源 電壓VDD，且所述第四晶體管MPl、第五晶體管MP2和第六晶體管MP3的柵極相連，因此所述 第四晶體管MP1、第五晶體管MP2和第六晶體管MP3構(gòu)成電流鏡。所述第四晶體管MPl與第 二電阻R2串聯(lián)生成供電電流13，所述供電電流13可以視為一個電流源，所述第五晶體管 MP2成比例復(fù)制所述供電電流13產(chǎn)生第一電流II，所述第六晶體管MP3成比例復(fù)制所述供 電電流13產(chǎn)生第二電流12。由于電流鏡中MOS管的電流正比于相應(yīng)MOS管的寬長比，因此 第四晶體管MP1、第五晶體管MP2和第六晶體管MP3內(nèi)的電流比等于它們的寬長比。在一 個實施例中，為了獲得相等的第一電流Il和第二電流12，所述第五晶體管MP2和第六晶體 管MP3的寬長比相同。鑒于電流鏡電路技術(shù)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的內(nèi)容，此處不做太 多詳細(xì)解釋。但是本實用新型所述電流源電路具體采用何種電流鏡并不固定，只要能夠獲 得具有預(yù)定比例的第一電流Il和第二電流12即可。比如在本實用新型的另一個優(yōu)選實施例中，所述電流鏡可以采用級聯(lián)結(jié)構(gòu)，原因 是級聯(lián)結(jié)構(gòu)的電流鏡能夠提高電流復(fù)制精度。圖4是具有級聯(lián)結(jié)構(gòu)電流鏡的振蕩器原理 圖，圖4相對于圖3新增由第七晶體管MP11、第八晶體管MP12和第九晶體管MP13構(gòu)成的電 流鏡，進(jìn)而大大提高了電流鏡復(fù)制電流的精度。在本實用新型的再一個優(yōu)選實施例中，所述延時電路可以由若干反相器組成的延 時處理器實現(xiàn)，目的是延長放電時間，進(jìn)而提高振蕩器頻率精度。該延時處理器中的反相 器數(shù)量為偶數(shù)個且大于等于兩個，原因是該延時處理器只具有延時功能而不能改變翻轉(zhuǎn)方 向。圖5采用所述延時電路前后的輸出信號RAMP對比波形圖。振蕩器在振蕩過程中，需要 第一電容Cl的充電電量被完全放電至零后再充電。因此振蕩器需要放電時間足夠長，以便 第一電容Cl上的電量能夠被完全放電完。通常加入延遲處理器能夠延長放電時間，進(jìn)而 提高振蕩器頻率精度。圖5中，RAMPl是電容被放電到零后才繼續(xù)充電的輸出波形示意圖， RAMP2是電容沒有放電完就又繼續(xù)充電則會導(dǎo)致振蕩器頻率存在一定誤差。對于不同的實 施例中，延時處理器中反相器數(shù)量不同，具體數(shù)量可以通過仿真獲得。在本實用新型的再一個優(yōu)選實施例中，在比較電路的第二偏置端接入高增益共源 放大級，目的是提高振蕩器的頻率精度。高增益放大級工作原理是將其輸入端信號進(jìn)行放大處理并輸出。圖6是具有高增 益共源放大級的振蕩器原理圖。在圖6中，高增益共源放大級由第十晶體管MP8、第十一晶 體管MN6、第三反相器INV3組成。該高增益共源放大器連接在比較電路的第二偏置端，所述 比較電路的輸出端連接在第一反相器INVl輸入端。從圖6可以看出，高增益共源放大級的 作用是將比較電路的輸出放大，并將放大結(jié)果輸入到第一反相器INV1。比較電路比較RAMP與B點電位，在RAMP電位剛剛高于B點電位一點點時刻，該高 出很小的電位并不足以使第一反相器INVl產(chǎn)生翻轉(zhuǎn)。因此在比較電路輸出端增加高增益 共源放大級，使得RAMP電位剛剛高于B點電位一點時，將該很小的高電位經(jīng)過高增益共源 放大級放大處理后變成較大的高電位，進(jìn)而使第一反相器INVl產(chǎn)生翻轉(zhuǎn)。因此圖6所示振 蕩器相對于圖3所示振蕩器，能夠在RAMP電位更接近B點電位時就開始放電，進(jìn)而減小了 放電時間，提高振蕩器頻率精度。[0061]本實用新型同時還提供所述振蕩器100采用PMOS管實施的實現(xiàn)方式。所述采用 PMOS管實施的實現(xiàn)方式具體可以參考圖7，由于其實質(zhì)內(nèi)容與圖1相同，故不再累述介紹。上述說明已經(jīng)充分揭露了本實用新型的具體實施方式
。需要指出的是，熟悉該領(lǐng) 域的技術(shù)人員對本實用新型的具體實施方式
所做的任何改動均不脫離本實用新型的權(quán)利 要求書的范圍。相應(yīng)地，本實用新型的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于所述具體實施方 式。
權(quán)利要求1.一種振蕩器，其特征在于，其包括電流源電路，包括產(chǎn)生第一電流的第一支路和產(chǎn)生第二電流的第二支路，所述第一電 流和第二電流成預(yù)定比例；比較電路，包括與所述第一支路相連的第一偏置端、與所述第二支路相連的第二偏置 端、第一輸入端、第二輸入端及輸出端；電流電壓轉(zhuǎn)換電路，將所述第一電流轉(zhuǎn)換成閾值電壓并將所述閾值電壓提供給所述比 較電路的第一輸入端；充電器件，接收所述第二電流的充電以得到充電電壓并將所述充電電壓提供給所述 比較電路的第二輸入端，其中所述比較電路在充電電壓大于或等于所述閾值電壓時通過輸 出端輸出有效的控制信號，在充電電壓小于所述閾值電壓時通過輸出端輸出無效的控制信 號；放電控制電路，在所述控制信號有效時對所述充電器件進(jìn)行放電，在所述控制信號無 效時禁止對所述充電器件進(jìn)行放電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述電流源電路中的第一電流和第二 電流由同一電流源產(chǎn)生的電流經(jīng)電流鏡電路復(fù)制產(chǎn)生。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述比較電路包括第一晶體管和第二 晶體管；所述第一晶體管柵極與第二晶體管柵極相連且該第一晶體管柵極和漏極相連，并將所 述第一晶體管的漏極作為所述比較電路的第一偏置端，將所述第一晶體管源極作為所述比 較電路的第一輸入端；所述第二晶體管漏極作為所述比較電路的第二偏置端，將該第二晶體管源極作為所 述比較電路的第二輸入端，所述第二偏置端與第二支路相連的點作為所述比較電流的輸出 端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路包括第一電阻， 和/或所述充電器件包括第一電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述放電控制電路包括第三晶體管或 者第三三極管，所述第三晶體管的柵極為所述放電控制電路的控制信號接收端，所述第三 晶體管的源極和漏極分別與所述充電器件的兩端相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述比較電路的輸出端與所述放電控 制電路的控制信號接收端之間還連接有延時電路，所述延時電路將控制信號延時輸出給所 述放電控制電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的振蕩器，其特征在于，所述延時電路包括互相串聯(lián)的兩個或 者兩個以上反相器，所述反相器的個數(shù)為偶數(shù)個。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩器，其特征在于，所述電流鏡采用級聯(lián)結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于，所述電流源電路包括產(chǎn)生預(yù)定值的供 電電流的第三支路、成比例復(fù)制供電電流以產(chǎn)生第一電流的第一支路和成比例復(fù)制供電電 流以產(chǎn)生第二電流的第二支路，所述供電支路包括依次串聯(lián)的第四晶體管、第二電阻，其中第四晶體管的源極接電源 電壓，第二電阻不與第四晶體管連接的一端接地；其中第一支路包括與所述第四晶體管共柵共源的第五晶體管，其中第二支路包括與所述第四晶體管共柵共源的第六晶體管，所述 第四晶體管、第五晶體管和第六晶體管形成電流鏡，并且所述第五晶體管和第六晶體管成 預(yù)定比例。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩器，其特征在于，所述振蕩器還包括高增益共源放大 級，所述高增益共源放大級由第十晶體管、第十一晶體管及第三反相器組成，所述第十晶體 管與所述第四晶體管共柵共源；所述第十晶體管的漏極與所述第十一晶體管的漏極及第三 反相器輸入端相連；所述第十一晶體管的柵極與所述比較電路的輸出端相連且源極接地， 所述第三反相器的輸出端與所述放電控制電路的控制信號接收端相連。
專利摘要本實用新型揭露了一種振蕩器，所述振蕩器包括電流源電路，包括產(chǎn)生第一電流和第二電流；比較電路，包括第一偏置端、第二偏置端、第一輸入端、第二輸入端及輸出端；電流電壓轉(zhuǎn)換電路，將所述第一電流轉(zhuǎn)換成閾值電壓并將所述閾值電壓提供給所述比較電路的第一輸入端；充電器件，接收所述第二電流的充電以得到充電電壓并將所述充電電壓提供給所述比較電路的第二輸入端，其中所述比較電路在充電電壓大于或等于所述閾值電壓時通過輸出端輸出有效的控制信號，在充電電壓小于所述閾值電壓時通過輸出端輸出無效的控制信號；放電控制電路，在所述控制信號有效時對所述充電器件進(jìn)行放電，在所述控制信號無效時禁止對所述充電器件進(jìn)行放電。
文檔編號H03K3/03GK201854256SQ20102061081
公開日2011年6月1日 申請日期2010年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月17日
發(fā)明者王釗 申請人:無錫中星微電子有限公司