專利名稱：電路布置和晶體管控制方法
技術領域：
本發(fā)明主要涉及電氣或電子電路布置的技術領域，具體地，涉及調(diào)節(jié)至少一個晶體管，特別是調(diào)節(jié)至少一個沒有直流調(diào)制的MOS晶體管的電阻值的電路布置和方法。
在專利文獻EP0957635A2中描述了一種借助于參考頻率和參考濾波器的濾波器的調(diào)節(jié)。該專利文獻EP0957635A2具體公開了一種濾波器電路，該濾波器電路通過至少一個信號濾波器至少對合成視頻信號中的音頻載波進行濾波，其中上述信號濾波器至少具有可作為控制信號的函數(shù)而進行調(diào)整的濾波器頻率。
根據(jù)該專利文獻EP0957635A2，該濾波器電路包括其濾波器頻率可以作為控制信號的函數(shù)而進行調(diào)整的參考濾波器，當濾波器頻率被調(diào)諧到提供給它的參考信號的頻率時，參考濾波器繞規(guī)定值相對于其相位旋轉該參考信號；此外，提供了相位比較器，將參考濾波器的輸出信號和參考信號提供到該相位比較器。
由相位比較器的輸出信號導出功率控制信號，使得參考濾波器被調(diào)諧到參考信號的頻率；鎖相環(huán)中受控振蕩器的輸出信號被用作為參考信號，該鎖相環(huán)被用來解調(diào)已調(diào)制成音頻載波的音頻信號，并且當鎖相環(huán)處于鎖定狀態(tài)時，其受控振蕩器產(chǎn)生具有音頻載波頻率的輸出信號。
此外，帶有外部電阻器并帶有直流電壓的現(xiàn)有調(diào)節(jié)技術是公知的。然后兩個相同的電流被引導流過外部電阻器以及流過集成的參考MOS金屬氧化物半導體晶體管。由比較器元件與外部電阻器上以及集成的參考MOS晶體管上的電壓降相比較，該比較器元件的輸出電壓被存儲在電容器元件中，并作為控制電壓被提供給參考MOS晶體管的柵極。
利用這種帶有外部電阻器和直流電壓的調(diào)節(jié)，如果MOS晶體管具有與參考晶體管相同的電阻值，使得外部電阻器上和內(nèi)部MOS晶體管上的電壓降相等，則可達到穩(wěn)定的狀態(tài)以及穩(wěn)定的工作點。控制電壓可同時提供給要進行控制的所有其它的結構相同的MOS晶體管。
如果要共同進行控制的MOS晶體管的實際工作條件偏離了已調(diào)節(jié)的參考MOS晶體管的工作條件，例如僅在這些MOS晶體管中的一個上出現(xiàn)了零直流電壓的情況，則將導致出現(xiàn)不希望有的且不利的控制偏差。
從前述的缺點和不足出發(fā)，并考慮到現(xiàn)有技術的主要情況，本發(fā)明的目的是進一步改進在開頭段落中所述類型的電路布置，以及與在開頭段落中所述類型的電路布置有關的方法，使得在對于MOS晶體管在直流電流很小也就是說直流電流為零的條件下工作的情況而不出現(xiàn)控制偏差，并且確實不需要借助于參考頻率的條件下也可以進行電阻值變化的調(diào)整。
通過具有權利要求1中所給出特征的電氣或電子電路布置以及通過具有權利要求6中所給出特征的方法實現(xiàn)了該目的。在對應的從屬權利要求中反映出了本發(fā)明有利的實施例以及有效的其它實施例。
因此，根據(jù)本發(fā)明的教導，可以實現(xiàn)一種全新的用于至少一個其直流調(diào)制等于零的MOS晶體管的改進了的電阻控制方法。關于這一點，本發(fā)明取決于通過相應地插入兩個參考晶體管而再次建立參考元件，其中該兩個參考晶體管的每個都具有正存儲工作點偏移以及大小相等的負存儲工作點偏移，并且通過對這些偏移進行平均而實現(xiàn)逼近所希望的工作點，換句話說，本發(fā)明的原理對應于用割線代替彎曲圖形的切線。
根據(jù)本發(fā)明的電路布置以及根據(jù)本發(fā)明的方法遵循調(diào)節(jié)至少一個MOS晶體管的電阻值的原理，其中該至少一個MOS晶體管的直流電壓降為零，也就是說，沒有直流電壓，這意味著，例如，只有交流信號(交流電流)被提供給該要進行控制的至少一個MOS晶體管。
為了調(diào)節(jié)至少一個MOS晶體管的電阻值，根據(jù)本發(fā)明，對直流電流而不是交流電流進行模擬，為此目的，在對應的至少兩個參考MOS晶體管上產(chǎn)生正的直流電壓降和負的直流電壓降。然后，計算(絕對)算術平均值，并將其與由至少一個外部電阻器元件所產(chǎn)生的直流電壓降比較。由這次比較所產(chǎn)生的比較器元件的電壓被用來控制該MOS晶體管或這些MOS晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的電路布置以及根據(jù)本發(fā)明的方法有多個優(yōu)點，因為本發(fā)明使得可以在沒有借助參考頻率的情況下補償電阻變化，而不會在一個MOS晶體管或多個MOS晶體管在沒有直流電壓時工作的情況下出現(xiàn)控制偏差。因此，采用對于本發(fā)明來說重要的方式，可以實現(xiàn)陡翼濾波器(steep-flank filter)的集成，而這種集成在不能補償變化并具有高的規(guī)定要求的情況下是不能實現(xiàn)的。
除了上面描述的在沒有直流電壓的條件下工作的MOS晶體管的控制偏差的減小，以及上面描述的調(diào)節(jié)的濾波器偏差范圍的減小以外，還實現(xiàn)了通過取消參考濾波器以及頻率產(chǎn)生而導致的成本的減少，使得根據(jù)本發(fā)明的產(chǎn)品由于與其它制造商的產(chǎn)品相比具有更高精度的頻率以及更低的成本而更具有競爭力。
此外，本發(fā)明涉及一種濾波器電路，其包括至少一個上述類型的電路布置和/或借助于上述類型的方法進行工作。
此外，本發(fā)明涉及一種電纜驅動器，其被提供用于數(shù)據(jù)和信號的交互式互換，特別是具有至少一個上述類型的集成濾波器電路，并包括至少一個上述類型的電路布置和/或借助于上述類型方法進行工作。
例如，這種類型的電纜驅動器被用在用于電纜調(diào)制解調(diào)器或機頂盒的產(chǎn)品系列中，并被使用于例如-一方面，用于抑制高頻信號(→電纜驅動器的低通功能)，可以抑制由上游的芯片帶來的模擬信號中的諧波或鏡像信號，和-另一方面，用于將具有更大幅值的信號提供給總站(→電纜驅動器的放大功能)。
此外，本發(fā)明還涉及將至少一個如上所述的電路布置和/或如上所述的方法和/或至少一個如上所述的濾波器電路和/或至少一個如上所述的電纜驅動器中應用在-至少一個電纜調(diào)制解調(diào)器中，和/或-至少一個機頂盒中，和/或-經(jīng)TV電纜的因特網(wǎng)上。
功能上，電纜調(diào)制解調(diào)器是用于電纜配電網(wǎng)的調(diào)制解調(diào)器，其向終端用戶提供對相應服務提供者的雙向高速的訪問；這樣，電纜調(diào)制解調(diào)器形成其它寬帶技術如DSL(數(shù)字預訂線路)的替代物。
為了保證雙向性，電纜調(diào)制解調(diào)器的結構具有輸入通道和到達下游的返回通道，即，從首端到參與者，帶寬例如為6兆赫；在64正交幅度調(diào)制(即所謂的64QAM)中，在這樣的帶寬上可以實現(xiàn)每秒大約10兆位直到每秒大約30兆位的傳輸速度。在上游，返回通道可以實現(xiàn)每秒高達大約10兆位的傳輸速度，其中，通常采用正交相位調(diào)制(所謂的QPSK(正交相移鍵控))。
這些電纜調(diào)制解調(diào)器對于輸入通道和返回通道具有對稱傳輸特性，而其它電纜調(diào)制解調(diào)器具有非對稱傳輸特性。為了直接支持局域網(wǎng)(LAN)應用，傳輸協(xié)議與本地網(wǎng)絡中的相一致。
機頂盒是所有類型的數(shù)字圖像、數(shù)字數(shù)據(jù)和/或數(shù)字音頻的接收設備。對于非編碼通道存在機頂盒，也稱作用于跳轉盒，而且對于編碼通道附加地具有公用接口(CI)。
機頂盒連接到電視接收機，并將電視機不能接收的編碼的TV信號解碼成對應的標準信號。此外，機頂盒還可以承擔各種附加功能，如解擾、個人計算機(PC)應用如使用在線服務中的分辯率或信號分離以及交互分配服務，如付費觀看、遠程購物、視頻點播或類似的功能。
最后，本發(fā)明涉及至少使用如上所述的電路布置和/或如上所述的方法來調(diào)節(jié)至少一個沒有參考頻率的集成濾波器，特別是調(diào)節(jié)至少一個晶體管，更具體的是控制至少一個沒有直流調(diào)制的MOS晶體管的電阻值。
如上面提到的，有各種以有利的方式實現(xiàn)本發(fā)明的教導的可能性。對此，一方面，如從屬于權利要求1的各權利要求所記載，另一方面，如下面用

圖1A、1B和2中所說明的詳細實施例非常詳細的說明本發(fā)明的其它實施例、特征和優(yōu)點。
從下文描述的實施例中會使本發(fā)明的這些和其它方面更明顯，并且將參考下文描述的實施例說明本發(fā)明的這些和其它方面。
在附圖中圖1A用圖解法示出了三個晶體管的特征曲線(標繪漏-源極電流Ids與漏-源極電壓Uds相對)，其中相應的柵-源極電壓Ugs是恒定的；圖1B用圖解法示出了三個晶體管的特征曲線(標繪漏-源極電流Ids與柵-源極電壓Ugs相對)，其中對應的漏-源極電壓Uds是恒定的；和圖2用圖解法示出了根據(jù)本發(fā)明的方法工作的根據(jù)本發(fā)明的電氣或電子電路布置的實施例，為了使各個設計更清晰并容易辨認，沒有按比例繪制各個元件和特征。
圖1A、1B和2中相同或相近的設計、元件或特征都給出了相同的附圖標記。
針對本發(fā)明的技術背景，首先說明MOS晶體管的溝道電阻(＝Uds(Ud(rain)s(ource))除以Ids(Id(rain)s(ource)))一方面取決于柵-源極電壓Ugs，另一方面也取決于漏-源極電壓Uds，其可以從圖1A的表示(＝3個晶體管的特征曲線，其中相應的柵-源極電壓Ugs是恒定的)以及從圖1B的表示(＝3個晶體管的特征曲線，其中相應的漏-源極電壓Uds是恒定的)中推出。
如果現(xiàn)在濾波器中的MOS晶體管在其上的直流電壓為零的情況下工作，即，沒有直流電流流過該MOS晶體管(只有交流調(diào)制)，則不能進行沒有控制偏差的傳統(tǒng)控制，這是因為傳統(tǒng)的控制依賴于不為零的直流電流(工作點存在于彎曲的特性曲線上；在直流調(diào)制的情況下工作點發(fā)生位移)。
根據(jù)該理論上的介紹，圖2中示出了電路布置100的實施例，通過該實施例可以控制直流調(diào)制等于零的P-MOSFET(P-金屬氧化物半導體場效應晶體管)10、12、14...18各自的電阻值。
該電路布置100的功能對應于根據(jù)本發(fā)明的方法，由此除了包括有內(nèi)部第一參考MOSFET 10的第一參考元件10、20、70外，還提供了包括有內(nèi)部第二參考MOSFET 12的第二參考元件12、30、40、72、76，其中，內(nèi)部第一參考MOSFET 10具有相對于工作點的第一偏移，內(nèi)部第二參考MOSFET 12具有相對于工作點的第二偏移，該第二偏移與第一偏移的值相等但符號相反；為了逼近并得到如下面所描述的最佳工作點，取第一偏移和第二偏移的算術平均值。
更詳細地，從可饋送到內(nèi)部第一參考MOSFET 10的源極連接點10s和內(nèi)部第二參考MOSFET 12的源極連接點12s的參考電壓Uref開始，參考電流Iref借助外部電阻器78產(chǎn)生電壓Ur；為此目的，外部電阻器78連接到內(nèi)部第一參考MOSFET 10的源極連接點10s以及內(nèi)部第二參考MOSFET 12的源極連接點12s。
與內(nèi)部第一參考MOSFET 10結合的等于參考電流的第一電流I1在內(nèi)部第一參考MOSFET 10的漏極連接點10d處產(chǎn)生比參考電壓Uref低的第一電壓U1。與內(nèi)部第二參考MOSFET 12結合的與第一電流I1相等但為負值的第二電流I2產(chǎn)生與第一電壓U1相等但相反或反相的電壓降，并因此，在內(nèi)部第二參考MOSFET 12的漏極連接點12d處產(chǎn)生比參考電壓Uref高的第二電壓U2。
關于這一點，通過圖中Iref、I1和I2旁邊的箭頭的方向使第二電流I2與參考電流Iref以及第一電流I1相等但方向相反這一事實變得清楚，其中，圖中Iref、I1和I2旁邊的箭頭指示技術上電流的流動方向(從正到負)。
現(xiàn)在將第一電壓U1提供到第一緩沖元件20的輸入連接點20i，并通過該緩沖元件20進行緩沖。相對地，將第二電壓U2提供到第二緩沖元件30的輸入連接點30i，并通過該第二緩沖元件30進行緩沖。隨后，通過運算放大器40，第二電壓U2相對于參考電壓Uref被反相，該運算放大器40作為增益系數(shù)為-1的反相放大器被連接到反相第二電壓U2inv。
為此目的，第二緩沖元件30的輸出連接點30o經(jīng)由電阻器74連接到運算放大器40的第一即負輸入連接點40i1；運算放大器40的第二即正輸入連接點40i2連接到內(nèi)部第一參考MOSFET 10的源極連接點10s、內(nèi)部第二參考MOSFET 12的源極連接點12s以及外部電阻器78，并用參考電壓Uref對其進行充電。
此外，另一個電阻器76并聯(lián)連接到運算放大器40的第一即負輸入連接點40i1和運算放大器40的輸出連接點40o。
然后將緩沖后的第一電阻器70上的第一電壓U1和第二電阻器72上的反相第二電壓U2inv進行平均并提供到比較器50的正輸入端50i1，其中該第一電阻器70連接到第一緩沖元件20的輸出連接點20o，該第二電阻器72連接到運算放大器40的輸出連接點40o，通過外部電阻器78產(chǎn)生的電壓Ur被提供到比較器50的另一個負輸入端50i2。為此目的，外部電阻器78連接到比較器50的第二即負輸入端50i2。
比較器50將平均值Um與由外部電阻器78產(chǎn)生的電壓Ur相比較，并在其輸出端50o對電容器60進行充電或放電，該電容器60不僅連接到比較器50的輸出連接點50o，還連接到內(nèi)部第一參考MOSFET 10的柵極10g、內(nèi)部第二參考MOSFET 12的柵極12g以及要被共同控制的所有其它MOSFET14、...、18的相應柵極14g、...、18g。
電容器電壓Uc作為兩個參考MOSFET 10、12的控制電壓，并被提供給它們的柵極10g、12g以及所有其它要進行控制的MOSFET 14、...、18的柵極14g、...、18g。只要平均值Um等于由外部電阻器78產(chǎn)生的電壓Ur，控制電壓Uc就保持不變。
在討論上面所說明的電路布置100以及與這種電路布置相關并說明的方法的應用范圍之前，由本發(fā)明來看，可以補充一點，即在MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)中，漏極連接點和源極連接點原則上來說在物理上是可以互換的；在上面所說明的電路布置100的情況下，這意味著漏極連接點和源極連接點在物理上是“等同的”，即，在本發(fā)明中可任選，-在物理上互換內(nèi)部第一參考MOSFET 10的漏極連接點10d和源極連接點10s和/或-在物理上互換內(nèi)部第二參考MOSFET 12的漏極連接點12d和源極連接點12s，它們都落在本發(fā)明所公開的內(nèi)容中以及本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
前述電路布置100和前述與這種電路布置100相關并說明的方法的應用范圍例如可擴展到?jīng)]有參考頻率的集成濾波器的調(diào)節(jié)；因此，本發(fā)明例如可應用到用于交互式數(shù)據(jù)和信號互換的電纜驅動器中。其中這種電纜驅動器的應用領域包括電纜調(diào)制解調(diào)器、機頂盒或經(jīng)TV電纜的因特網(wǎng)，其中采用了這種集成電路(IC)。
附圖注釋100電路布置10第一參考晶體管，特別是沒有直流調(diào)制的第一MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)10d第一參考晶體管10的漏極連接點10g第一參考晶體管10的柵極連接點10s第一參考晶體管10的源極連接點12第二參考晶體管，特別是沒有直流調(diào)制的第MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)12d第二參考晶體管12的漏極連接點12g第二參考晶體管12的柵極連接點12s第二參考晶體管12的源極連接點
14第三晶體管14g第三晶體管14的柵極連接點18第四晶體管18g第四晶體管18的柵極連接點20第一緩沖元件20i第一緩沖元件20的輸入連接點20o第一緩沖元件20的輸出連接點30第二緩沖元件30i第二緩沖元件30的輸入連接點30o第二緩沖元件30的輸出連接點40運算放大器，特別是放大系數(shù)為-1的反相放大器40i1運算放大器40的第一即負輸入連接點40i2運算放大器40的第二即正輸入連接點40o運算放大器40的輸出連接點50比較器元件50i1比較器元件50的第一即正輸入連接點50i2比較器元件50的第二即負輸入連接點50o比較器元件50的輸出連接點60電容器元件70第一電阻器72第二電阻器74第三電阻器76第四電阻器78外部電阻器I1第一電流I2第二電流Ids漏-源極電流Iref參考電流U1第一電壓或第一電壓降，特別是正(直流)電壓降U2第二電壓或第二電壓降，特別是負(直流)電壓降U2inv反相第二電壓或反相第二電壓降，特別是反相直流電壓降Uc電容器元件60的電壓，特別是控制電壓
Uds漏-源極電壓Ugs柵-源極電壓Um平均電壓值，特別是算術平均電壓值Ur外部電壓或外部電壓降，特別是外部直流電壓降Uref參考電壓
權利要求
1.一種電路布置(100)，用于控制至少一個晶體管(10、12、14、...、18)，特別是用于控制沒有直流調(diào)制的至少一個MOS晶體管的電阻值，其特征在于，除了包括有至少一個第一參考晶體管(10)的至少一個第一參考元件(10、20、70)外，還提供了包括有至少一個第二參考晶體管(12)的至少一個第二參考元件(12、30、40、72、74、76)，其中，第一參考晶體管具有相對于工作點的第一偏移，第二參考晶體管具有相對于工作點的第二偏移，該第二偏移與第一偏移的值相等但符號相反，其中特別是，為了逼近并達到最佳工作點，可以取第一偏移和第二偏移的算術平均值。
2.如權利要求1所述的電路布置，其特征在于，-至少一個外部電阻器(78)，通過該至少一個外部電阻器(78)參考電流(Iref)基于參考電壓(Uref)產(chǎn)生電壓(Ur)，-第一參考晶體管(10)，通過該第一參考晶體管(10)，與參考電流(Iref)的值和符號都對應的第一電流(I1)產(chǎn)生第一電壓(U1)，-至少一個第一緩沖元件(20)直接連接到第一參考晶體管(10)的漏極連接點(10d)或第一參考晶體管(10)的源極連接點(10s)，-至少一個第一電阻器(70)直接連接到第一緩沖元件(20)的輸出連接點(20o)，-至少一個第二參考晶體管(12)，通過該至少一個第二參考晶體管(12)，與第一電流(I1)相等但反相的第二電流(I2)產(chǎn)生第二電壓(U2)，-至少一個第二緩沖元件(30)連接到第二參考晶體管(12)的漏極連接點(12d)或第二參考晶體管(12)的源極連接點(12s)，-至少一個運算放大器(40)，特別是放大系數(shù)為-1的反相放大器，-該運算放大器的第一即負輸入連接點(40i1)直接連接到第二緩沖元件(30)的輸出連接點(30o)，并且-用參考電壓(Uref)對該運算放大器的第二即正輸入連接點(40i2)進行充電，其中第二電壓(U2)能夠相對于參考電壓(Uref)被反相成反相第二電壓(U2inv)，-至少一個第二電阻器(72)直接連接到運算放大器(40)的輸出連接點(40o)，-至少一個比較器元件(50)，-該比較器元件的第一即正輸入連接點(50i1)直接連接到第一電阻器(70)和第二電阻器(72)，以便用第一電阻器(70)和第二電阻器(72)上平均后的平均電壓(Um)對比較器元件(50)的該第一輸入連接點(50i1)進行充電，并且-用通過外部電阻器(78)產(chǎn)生的電壓(Ur)對比較器元件的第二即負輸入連接點(50i2)進行充電，-至少一個電容器元件(60)直接連接到比較器元件(50)的輸出連接點(50o)，可以根據(jù)平均電壓值(Um)和由外部電阻器(78)產(chǎn)生的電壓(Ur)之間比較的結果來通過比較器元件(50)對該電容器元件進行充電和放電，其中，第一參考晶體管(10)、第二參考晶體管(12)以及可適用的所有其它要控制的晶體管(14、...、18)的各自的柵極(10g、12g、14g、...、18g)都可以被饋送作為控制電壓的電容器元件(60)的電壓(Uc)，和/或其中，在平均電壓值(Um)對應于由外部電阻器(78)產(chǎn)生的電壓(Ur)的時刻達到對應于控制電壓(Uc)的最佳工作點。
3.如權利要求2所述的電路布置，其特征在于，第一參考晶體管(10)的源極連接點(10s)或第一參考晶體管(10)的漏極連接點(10d)以及-第二參考晶體管(12)的源極連接點(12s)或第二參考晶體管(12)的漏極連接點(12d)可用參考電壓(Uref)進行充電。
4.如權利要求2或3所述的電路布置，其特征在于，-第一電壓(U1)比參考電壓(Uref)低，和/或-第二電壓(U2)比參考電壓(Uref)高。
5.如權利要求2到4中任一個所述的電路布置，其特征在于，-至少一個第三電阻器(74)連接在第二緩沖元件(30)的輸出連接點(30o)和運算放大器(40)的第一即負輸入連接點(40i1)之間，和/或-至少一個第四電阻器(76)并聯(lián)連接到運算放大器(40)的第一即負輸入連接點(40i1)以及運算放大器(40)的輸出連接點(40o)。
6.一種控制至少一個晶體管(10、12、14、...、18)，特別是控制沒有直流調(diào)制的至少一個MOS晶體管的電阻值的方法，其特征在于，-第一參考晶體管(10)產(chǎn)生正電壓降(U1)，特別是正的直流電壓降，-第二參考晶體管(12)產(chǎn)生負電壓降(U2)，特別是負的直流電壓降，-負電壓降(U2)被反相成反相電壓降(U2inv)，-由正電壓降(U1)和反相電壓降(U2inv)形成算術平均電壓值(Um)，并將該算術平均電壓值(Um)與外部產(chǎn)生的電壓降(Ur)特別是外部產(chǎn)生的直流電壓降進行比較，以及-通過由平均電壓值(Um)和外部產(chǎn)生的電壓降(Ur)相比較而形成的控制電壓(Uc)來調(diào)節(jié)第一參考晶體管(10)、第二參考晶體管(12)以及可適用的任何附加的要控制的晶體管(14、...、18)。
7.一種濾波器電路，其包括至少一個如權利要求1到5中任一個所述的電路布置(100)，和/或用如權利要求6中所述的方法工作。
8.一種用于數(shù)據(jù)和信號的交互式交換的電纜驅動器，具體包括至少一個如權利要求7中所述的集成濾波器電路，其具有至少一個如權利要求1到5中任一個所述的電路布置(100)，和/或用如權利要求6中所述的方法工作。
9.將至少一個如權利要求1到5中任一個所述的電路布置(100)，和/或如權利要求6中所述的方法，和/或至少一個如權利要求7中所述的濾波器電路，和/或至少一個如權利要求8中所述的電纜驅動器使用在-至少一個電纜調(diào)制解調(diào)器中，和/或-至少一個機頂盒中，和/或-經(jīng)TV電纜的因特網(wǎng)上。
10.使用至少一個如權利要求1到5中任一個所述的電路布置(100)和/或如權利要求6中所述的方法來控制至少一個無參考頻率的集成濾波器，特別是用于控制至少一個晶體管(10、12、14、...、18)，特別是用于控制至少一個沒有直流調(diào)制的MOS晶體管的電阻值。
全文摘要
為了在對于晶體管(10、12、14、…、18)在沒有直流電壓，即具有零直流電壓且確實不需要參考頻率的幫助的條件下工作的情況下還可以沒有控制偏差地進行電阻變化補償?shù)那闆r下，改進控制至少一個晶體管(10、12、14、…、18)，特別是控制至少一個沒有直流調(diào)制的MOS晶體管的電阻值的電路布置(100)和方法，提出除了包括有至少一個第一參考晶體管(10)的至少一個第一參考元件(10、20、70)外，還提供包括有至少一個第二參考晶體管(12)的至少一個第二參考元件(12、30、40、72、74、76)，其中，第一參考晶體管具有相對于工作點的第一偏移，第二參考晶體管具有相對于工作點的第二偏移，該第二偏移與第一緩沖存儲的值相等但符號相反，其中特別是，為了逼近并達到最佳工作點，可以由第一偏移和第二偏移形成算術平均值。
文檔編號H03H11/24GK1762093SQ200480007355
公開日2006年4月19日 申請日期2004年3月16日 優(yōu)先權日2003年3月20日
發(fā)明者J·布里爾卡, A·卡特納, E·－P·拉戈施 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司