專利名稱：帶阻濾波器、濾波器裝置、天線共用器和通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用在例如蜂窩電話和汽車電話的通信設(shè)備中的一個(gè)帶阻濾波器(band elimination filter)。
背景技術(shù)：
通常，在通信設(shè)備中使用聲表面波濾波器或壓電效應(yīng)濾波器作為RF濾波器。主要使用的聲表面波濾波器包括具有在傳播方向上緊密排列的多個(gè)叉指式變換器電極(IDT電極)的縱向耦合模式濾波器，和具有以梯樣方案互連的聲表面波諧振器的梯形濾波器。另一方面，使用一個(gè)體波濾波器作為壓電效應(yīng)濾波器。這些濾波器被期望增加性能而減小尺寸。
下面參照附圖描述一個(gè)傳統(tǒng)的帶阻濾波器。


圖19(a)示出一個(gè)聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)。在該圖中，聲表面波諧振器包括形成在壓電基片1701、反射器電極1703和1704上的一個(gè)IDT電極1702。
圖19(b)示出一個(gè)壓電諧振器的結(jié)構(gòu)。圖中的壓電諧振器包括一個(gè)壓電層3011、形成在該壓電層3011的上主平面上的上電極3012、形成在該壓電層3011的下主平面上的下電極3013以及一個(gè)基片3014。在與下電極3013接觸的基片3014的表面形成一個(gè)凹進(jìn)(depression)，該凹進(jìn)構(gòu)成一個(gè)空腔3015。此結(jié)構(gòu)中的上電極3012、下電極3013、夾在上電極3012和下電極3013之間的壓電層3011、以及形成空腔3015的基片3014的一部分構(gòu)成了該壓電諧振器。
圖19(c)中把聲表面波諧振器和壓電諧振器都由等效電路表示，其分別具有提供串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振的電特性。
在一個(gè)梯形設(shè)計(jì)中連接多個(gè)這種聲表面波諧振器能提供一個(gè)梯形聲表面波濾波器(例如在日本專利3152418中所見，該日本專利全部公開內(nèi)容結(jié)合在此作為參考)。
現(xiàn)在通過把聲表面波諧振器作為一個(gè)實(shí)例來描述一個(gè)通常的聲諧振器。
圖20(a)示出作為傳統(tǒng)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)的實(shí)例1，由三個(gè)聲表面波諧振器1801、1802和1803的π連接形成。如圖20(a)所示，聲表面波諧振器1801和1802的每一個(gè)都有一個(gè)接地端，它們另一端以預(yù)定間隔與傳輸線耦合，該傳輸線1804具有信號(hào)輸入和輸出終端。聲表面波諧振器1803被放置在該傳輸線1804上的該預(yù)定間隔中。
在此結(jié)構(gòu)中，就通過特性而言，濾波器的傳輸頻帶和衰減頻帶取決于與串聯(lián)聲表面波諧振器1801平行放置的并聯(lián)聲表面波諧振器1802和1803的諧振和反諧振頻率，如圖20(b)所示。但是，這種結(jié)構(gòu)不能提供寬頻帶上的低損耗帶阻濾波器。
圖21(a)示出作為帶阻濾波器電路的一個(gè)傳統(tǒng)實(shí)例2，由并行連接的兩個(gè)聲表面波諧振器1901和1902形成。如圖21(a)所示，聲表面波諧振器1901和1902的每一個(gè)都有一個(gè)接地端，它們另一端以預(yù)定間隔與傳輸線1903耦合，該傳輸線1903具有信號(hào)輸入和輸出終端。如圖21(b)所示，雖然該濾波器在比阻帶(衰減極點(diǎn))高的頻率有一個(gè)低損耗，但是其在比阻帶(衰減極點(diǎn))低的頻率有高損耗。
如上所述，使用在通信設(shè)備中的由例如聲表面波諧振器的多個(gè)聲諧振器組成的聲表面波濾波器難于提供在一個(gè)期望頻率范圍內(nèi)的高衰減、以及在低于和高于阻帶的寬頻帶上的一個(gè)低損耗特性。
本發(fā)明的設(shè)計(jì)旨在解決上述問題。本發(fā)明的目的是提供一個(gè)帶阻濾波器，該帶阻濾波器提供在一個(gè)期望頻帶內(nèi)的高衰減和在低于及高于阻帶的頻帶上的低損耗特性。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明的第一方面，一個(gè)帶阻濾波器，構(gòu)成多個(gè)聲諧振器，每一個(gè)都具有一個(gè)接地端；和一個(gè)傳輸線，與所述多個(gè)聲諧振器的每一個(gè)的另一端連接，其中所述的另一端的至少某些以預(yù)定間隔與該傳輸線耦合，并且至少一個(gè)電抗元件被提供在所述的預(yù)定間隔的全部或部分傳輸線上。
本發(fā)明的第二方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中所述的聲諧振器是形成在一個(gè)壓電基片的一個(gè)主表面上的一個(gè)聲表面波諧振器。
本發(fā)明的第三方面是按照本發(fā)明的第二方面的帶阻濾波器，其中通過利用一個(gè)特性阻抗歸一化所述的電抗元件的阻抗而獲得的一個(gè)歸一化阻抗高于1。
本發(fā)明的第四方面是按照本發(fā)明的第三方面的帶阻濾波器，其中所述的歸一化阻抗低于1.5。
本發(fā)明的第五方面是按照本發(fā)明的第一到第三方面之一的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件是一個(gè)電感器。
本發(fā)明的第六方面是按照本發(fā)明的第五方面的帶阻濾波器，其中所述的電感器包括在接線安裝使用的一個(gè)接線。
本發(fā)明的第七方面是按照本發(fā)明的第一或第二方面的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件是一個(gè)電容器。
本發(fā)明的第八方面是按照本發(fā)明的第一或第二方面的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件包括一個(gè)電容器和一電感器。
本發(fā)明的第九方面是按照本發(fā)明的第八方面的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件包括一個(gè)電容器和一電感器的并聯(lián)電路。
本發(fā)明的第十方面是按照本發(fā)明的第八方面的帶阻濾波器，其中，所述的電抗元件包括一個(gè)電容器和一電感器的串聯(lián)電路。
本發(fā)明的第十一方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件是一個(gè)芯片元件。
本發(fā)明的第十二方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中，所述的電抗元件形成在一個(gè)壓電基片上。
本發(fā)明的第十三方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件被形成在其上安裝有所述的帶阻濾波器的一個(gè)安裝基片中。
本發(fā)明的第十四方面是按照本發(fā)明的第十三方面的帶阻濾波器，其中所述的安裝基片是具有一個(gè)電介層的一個(gè)層壓體。
本發(fā)明的第十五方面是按照本發(fā)明的第十三方面的帶阻濾波器，其中所述的聲諧振器是面朝下安裝在所述的安裝基片上。
本發(fā)明的第十六方面是按照本發(fā)明的第二方面的帶阻濾波器，其中所述的被接地的聲表面波諧振器的電極墊在所述的壓電基片上彼此分離。
本發(fā)明的第十七方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中所述的聲諧振器是一個(gè)壓電諧振器。
本發(fā)明的第十八方面是按照本發(fā)明的第十七方面的帶阻濾波器，其中所述的壓電諧振器是一個(gè)體波諧振器，具有一個(gè)上電極、一個(gè)下電極和在夾層所述的上電極和所述的下電極之間的一個(gè)壓電層。
本發(fā)明的第十九方面是按照本發(fā)明的第十八方面的帶阻濾波器，其中，所述的壓電層由一個(gè)壓電體薄膜(piezoelectric thin film)組成。
本發(fā)明的第二十方面是按照本發(fā)明的第十八方面的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件使用所述的體波諧振器的所述的電極形成。
本發(fā)明的第二十一方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中其中所述的聲表面波諧振器有不同的諧振頻率。
本發(fā)明的第二十二方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中所述的聲諧振器的每一個(gè)末端都通過在基片上的一個(gè)獨(dú)立布線而接地。
本發(fā)明的第二十三方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中所述的電抗元件是一個(gè)聲諧振器，具有與所述的聲諧振器的諧振頻率一個(gè)預(yù)定量的諧振頻率差。
本發(fā)明的第二十四方面是按照本發(fā)明的第一方面的帶阻濾波器，其中一個(gè)濾波器裝置，包括按照本發(fā)明第一方面的一個(gè)帶阻濾波器。
按照本發(fā)明的第二十五方面，一個(gè)天線共用器，包括一個(gè)發(fā)送濾波器；和一個(gè)接收濾波器其中按照本發(fā)明第二十四方面的一個(gè)帶阻濾波器被用作所述的發(fā)送濾波器或所述的接收濾波器。
按照本發(fā)明的第二十六方面，一個(gè)通信設(shè)備，包括發(fā)送一個(gè)信號(hào)的發(fā)送裝置；接收一個(gè)信號(hào)的接收裝置，和根據(jù)本發(fā)明第一方面的一個(gè)帶阻濾波器被使用在所述的發(fā)送裝置和/或所述的接收裝置中。
附圖描述圖1(a)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖1(b)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的聲表面波濾波器的通過特性。
圖2(a)示出相對(duì)于歸一化阻抗的最大衰減。
圖2(b)所示相對(duì)于歸一化阻抗的帶外損耗。
圖3(a)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的一個(gè)聲表面波濾波器的通過特性。
圖3(b)示出在聲表面波諧振器有不同諧振頻率情況中的傳統(tǒng)實(shí)例2的通過特性。
圖4示出根據(jù)在一個(gè)壓電基片上的本發(fā)明實(shí)施例3的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖5(a)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖5(b)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的該聲表面波濾波器的通過特性。
圖6示出在一個(gè)壓電基片上的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)，用于與實(shí)施例3比較。
圖7(a)示出用于與實(shí)施例3比較的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖7(b)示出用于與實(shí)施例3比較的聲表面波濾波器的通過特性。
圖8示出一個(gè)接線安裝的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖9示出一個(gè)面朝下安裝的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖10(a)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖10(b)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的該聲表面波濾波器的通過特性。
圖11(a)示出相對(duì)于歸一化阻抗的最大衰減。
圖11(b)示出相對(duì)于歸一化阻抗的帶外損耗。
圖12(a)示出使用電容器和電感器的并聯(lián)電路作為電抗元件的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖12(b)示出使用電容器和電感器的串聯(lián)電路作為電抗元件的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖13示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的在一個(gè)壓電基片上的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖14示出安裝在一個(gè)安裝基片上的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖15是根據(jù)實(shí)施例6的帶阻濾波器的等效電路圖。
圖16(a)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的帶阻濾波器的一個(gè)具體結(jié)構(gòu)。
圖16(b)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的帶阻濾波器的另一具體結(jié)構(gòu)。
圖17(a)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的帶阻濾波器的一個(gè)具體結(jié)構(gòu)。
圖17(b)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的帶阻濾波器的另一具體結(jié)構(gòu)。
圖17(c)示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的帶阻濾波器的另一具體結(jié)構(gòu)。
圖18(a)是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7的通信設(shè)備的框圖。
圖18(b)是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7的使用雙工器的一個(gè)通信設(shè)備的框圖。
圖19(a)示出一個(gè)聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)。
圖19(b)示出一個(gè)壓電諧振器的結(jié)構(gòu)。
圖19(c)是該聲表面波諧振器和該壓電諧振器的等效電路圖。
圖20(a)示出傳統(tǒng)的實(shí)例1中的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖20(b)示出該傳統(tǒng)的實(shí)例1中的該聲表面波濾波器的通過特性。
圖21(a)示出傳統(tǒng)的實(shí)例2中的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。
圖21(b)示出該傳統(tǒng)的實(shí)例2中的該聲表面波濾波器的通過特性。
本發(fā)明的最佳實(shí)施例隨后將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。
(實(shí)施例1)現(xiàn)參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的一個(gè)聲表面波濾波器。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)和通過(passing)特性。圖1中，圖1(a)示出聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)而圖1(b)示出該通過特性。如圖1(a)所示，聲表面波濾波器有作為本發(fā)明的聲諧振器的第一和第二聲表面波諧振器101和102，和作為本發(fā)明電抗元件的電感器103，它與諧振器互相耦合。如圖19(a)所示，聲表面波諧振器101、102的每一個(gè)都有形成在一個(gè)壓電基片上的IDT電極和放置在壓電基片兩側(cè)的反射器電極，IDT電極所在壓電基片就是根據(jù)本發(fā)明的壓電基片。
更具體地說，聲表面波諧振器101和102的每一個(gè)都有一個(gè)接地端，它們的另一端以預(yù)定間隔連接到傳輸線104，該傳輸線104具有信號(hào)輸入和輸出終端。電感器103耦合在連接到傳輸線104的末端之間的預(yù)定間隔中。
圖1(b)示出在圖1(a)示出構(gòu)形中的電感器103的感應(yīng)系數(shù)設(shè)置為8nH時(shí)，在900MHz頻率附近的通過特性。最大化衰減大約是38dB，并且能夠在低于和高于阻帶的頻帶上實(shí)現(xiàn)低損耗。
圖2(a)示出相對(duì)于歸一化阻抗(ωL/Zo)的最大衰減。其中，參考符號(hào)Zo表示特性阻抗，參考字符ω表示角頻率，而參考符號(hào)L表示電感。特性阻抗Zo設(shè)置在50Ω。實(shí)線、虛線和點(diǎn)線分別表示相對(duì)于根據(jù)本實(shí)施例裝置的阻抗的最大衰減、根據(jù)圖20所示的傳統(tǒng)實(shí)例1的裝置的最大衰減和根據(jù)圖21所示的傳統(tǒng)實(shí)例2的裝置的最大衰減。圖2(b)示出相對(duì)于歸一化阻抗的帶外損耗。實(shí)線、虛線和點(diǎn)線分別表示相對(duì)于根據(jù)本實(shí)施例裝置實(shí)現(xiàn)的歸一化阻抗的帶外損耗、根據(jù)圖20(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例1的裝置的帶外損耗和根據(jù)圖21(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例2的裝置的帶外損耗。在傳統(tǒng)實(shí)例1中，雖然帶內(nèi)衰減高于傳統(tǒng)實(shí)例2中的帶內(nèi)衰減，但是帶外損耗也高于傳統(tǒng)的實(shí)例2中的帶外損耗。在傳統(tǒng)實(shí)例2中，雖然帶外損耗低于傳統(tǒng)實(shí)例1中的帶外損耗，但是帶內(nèi)衰減也低于傳統(tǒng)實(shí)例1中的帶內(nèi)衰減。
換言之，不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)在衰減頻帶中的高衰減特性和低頻帶外損耗的特性。
就根據(jù)本實(shí)施例的衰減特性而言，該衰減在Z/Zo的整個(gè)范圍上高于圖21(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例2的衰減，并且在滿足關(guān)系Z/Zo＞1的一個(gè)范圍內(nèi)高于圖20(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例1的衰減，并且高于40dB。就根據(jù)本實(shí)施例的損耗特性而言，與例如圖20(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例1比較，在Z/Zo整個(gè)范圍上改進(jìn)了該損耗情況，并且與例如圖21(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例1比較，在滿足關(guān)系Z/Zo＜1.5的整個(gè)范圍內(nèi)改進(jìn)了該損耗情況，并且等于或小于1dB。即，在Zo和1.5Zo之間的范圍Z內(nèi)，與傳統(tǒng)實(shí)例相比較，衰減和損耗都有改進(jìn)。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過由用作電抗元件的電感器把兩個(gè)聲表面波諧振器互相耦合，能夠提供具有高衰減和低損耗的帶阻特性的一個(gè)聲表面波濾波器。
雖然在本實(shí)施例中使用了兩個(gè)聲表面波諧振器，但是可以使用三個(gè)或多個(gè)聲表面波諧振器。在此情況中，耦合在該聲表面波諧振器的終端之間的傳輸線的所有部分都可以有分別的電感器，或它們的一部分可以沒有電感器。重要的只是在終端之間提供至少一個(gè)電感器，而不是至少兩個(gè)聲表面波諧振器的那些接地端。此外，在進(jìn)行安裝中，可以使用多個(gè)電感器的串聯(lián)電路、多個(gè)電感器的并聯(lián)電路或串、并聯(lián)電路的組合。而且，該聲表面波諧振器本身的結(jié)構(gòu)并不局限于上述情況。
在本實(shí)施例中的壓電基片可以是一個(gè)單晶基片、其中形成有壓電體薄膜的基片、具有壓電體基片上的電介體薄膜的基片。就構(gòu)成具有提供串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振特性的該聲表面波濾波器的聲表面波諧振器而言，能夠提供與本實(shí)施例相同的效果。
(實(shí)施例2)現(xiàn)參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的一個(gè)聲表面波濾波器。
除了構(gòu)成該聲表面波濾波器的聲表面波諧振器101和102具有不同的諧振頻率之外，根據(jù)實(shí)施例2的聲表面波濾波器與實(shí)施例1的聲表面波濾波器具有相同的結(jié)構(gòu)。即，聲表面波諧振器101和102具有不同的IDT電極的間距，結(jié)果是它們具有不同的諧振頻率和反諧振頻率。
圖3(a)示出在電感器的感應(yīng)系數(shù)值為8nH時(shí)提供在900MHz頻率附近的一個(gè)通過特性。為了比較起見，圖3(b)示出提供在傳統(tǒng)實(shí)例2中的電路中的兩個(gè)聲表面波諧振器1901和1902具有不同諧振頻率情況中的在900MHz頻率附近的一個(gè)通過特性。在本實(shí)施例中2中，由于不同的諧振頻率而擴(kuò)展了阻帶。而且，與圖3(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例2中的通過特性相比，在該衰減頻帶的兩側(cè)的衰減被增加而損耗被減小。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過由用作電抗元件的電感器把具有不同諧振頻率的兩個(gè)聲表面波諧振器互相耦合，能夠提供具有高衰減、高的寬阻帶和低損耗的帶阻特性的一個(gè)聲表面波濾波器。
雖然在本實(shí)施例中使用了兩個(gè)聲表面波諧振器，但是可以使用三個(gè)或多個(gè)聲表面波諧振器。在此情況中，電感器能夠以實(shí)施例1的同樣方式排列。而且，該聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)并不局限于上述情況。
在本實(shí)施例中的壓電基片可以是一個(gè)單晶基片、其中形成有壓電體薄膜的基片、具有其中形成有壓電體基片和電介體薄膜的基片。就構(gòu)成具有提供串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振特性的該聲表面波濾波器的聲表面波諧振器而言，能夠提供與本實(shí)施例相同的效果。
(實(shí)施例3)隨后參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的一個(gè)聲表面波濾波器。
圖4示出在壓電基片上形成的根據(jù)實(shí)施例3的聲表面波濾波器的一部分的結(jié)構(gòu)。圖4中，形成在壓電基片上的聲表面波濾波器的一部分包括在壓電基片401形成的第一和第二聲表面波諧振器402和403，其對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的壓電基片。第一聲表面波諧振器402的IDT電極帶有電極墊(electrode pad)404和405，而第二聲表面波諧振器403的IDT電極帶有電極墊406和407。
圖5(a)示出根據(jù)本實(shí)施例的該聲表面波濾波器的整體結(jié)構(gòu)。在圖5(a)示出的聲表面波濾波器中，第一聲表面波諧振器402的電極墊404與輸入端501耦合，而第二聲表面波諧振器403的電極墊406與輸出端502耦合。此外，在第一和第二聲表面波諧振器402和403之間放置一個(gè)電感器503。該第一聲表面波諧振器402的電極墊405通過電感元件504接地，該電感元件504被認(rèn)為是一個(gè)寄生元件，例如一個(gè)接線或在安裝基片上的布線。該第二聲表面波諧振器403的電極墊407通過電感元件505接地，該電感元件505被認(rèn)為是一個(gè)寄生元件，例如一個(gè)接線或在安裝基片上的布線。即，壓電基片401上的聲表面波諧振器的接地被分別和單獨(dú)提供。即，當(dāng)從壓電基片401形成接地時(shí)，防止聲表面波諧振器具有共同阻抗，例如在該安裝基片上的接線或布線的共同阻抗。其中，僅考慮形成接地時(shí)的寄生元件。
圖5(b)示出根據(jù)本實(shí)施例的通過特性。在圖5(a)中，電感器503有10nH的電感，而用作寄生元件的電感器504、505有1nH的電感。
圖6示出一個(gè)用于比較的實(shí)例，其中一個(gè)共用電極墊601與第一和第二聲表面波諧振器402、403的接地耦合。即如圖7(a)所示，一個(gè)共用電極墊與該壓電基片上的聲表面波諧振器的接地耦合，并且通過被認(rèn)為是一個(gè)寄生元件的電感器701接地。圖7(b)示出根據(jù)本實(shí)施例的特性。其中，假設(shè)電感器701有1nH的電感。從圖5(b)和7(b)的比較關(guān)系可見，在本實(shí)施例的通過特性中，帶內(nèi)衰減急劇增加。換言之，通過提供與接地耦合的分別的電極墊，即通過至少在該壓電基片上的分別的部線而接地該聲表面波諧振器，可能實(shí)現(xiàn)根據(jù)實(shí)施例1和2的聲表面波濾波器而不降低其特征。
安裝中，可以使用接線安裝，即正面向下的安裝。例如，圖8示出接線安裝的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)，其中四個(gè)電極墊404、406、405和407分別經(jīng)過接線802a、802b、802c和802d獨(dú)立地與封裝中的終端801a、801b、801c和801d耦合。放置在聲表面波諧振器之間的電感器被耦合在終端801a和801b之間。此外，終端801a和801b在封裝內(nèi)或封裝外接地。
圖9示出面朝下安裝在安裝基片上的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)，在其上形成有兩個(gè)聲表面波諧振器901的一個(gè)壓電基片401上的電極墊404和406經(jīng)過減振器(bump)902a和902b以面朝下的方式分別與一個(gè)安裝基片906上的墊903a和903b耦合。安裝基片906上的墊903a和903b分別通過通路孔904a和904b電耦合到該基片下表面上的外部終端905a和905b。另外，雖然沒示出，但是電極墊405和407還與安裝基片906耦合并且以同樣方式接地。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過提供用于在壓電基片上的兩個(gè)聲表面波諧振器被接地的分別的電極墊，能夠提供具有高衰減和低損耗的帶阻特性的一個(gè)聲表面波濾波器。
雖然在本實(shí)施例中使用了兩個(gè)聲表面波諧振器，但是可以象實(shí)施例1中那樣使用三個(gè)或多個(gè)聲表面波諧振器。而且，該聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)并不局限于上述情況。
在本實(shí)施例中的壓電基片可以是一個(gè)單晶基片、其中形成有壓電體薄膜的基片，以及其中形成有壓電體基片和電介體薄膜的基片。就構(gòu)成具有提供串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振特性的該聲表面波濾波器的聲表面波諧振器而言，能夠提供與本實(shí)施例相同的效果。
(實(shí)施例4)隨后參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的一個(gè)聲表面波濾波器。
圖10示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)和通過特性。圖10中，圖10(a)示出聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)而圖10(b)示出該通過特性。如圖10(a)所示，該聲表面波濾波器具有第一和第二聲表面波諧振器1001和1002，以及互相耦合該諧振器的用作一個(gè)電抗元件的一個(gè)電容器1003。
更具體地說，聲表面波諧振器1001和1002的每一個(gè)都有一個(gè)接地端，它們另一端以預(yù)定間隔連接到傳輸線1004，該傳輸線1004具有信號(hào)輸入和輸出終端。電容器1003耦合在連接到傳輸線1004的末端之間的預(yù)定間隔中。如圖19(a)所示，聲表面波諧振器1001和1002的每一個(gè)都有形成在一個(gè)壓電基片上的IDT電極和放置在壓電基片兩側(cè)上的反射器電極。
圖10(b)示出在電容器1003的電容值為8pF時(shí)提供在900MHz頻率附近的一個(gè)通過特性。與圖21(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例2中的通過特性比較，該衰減被增強(qiáng)。
圖11(a)示出相對(duì)于一個(gè)歸一化阻抗(Z＝1/ωoCZo)的最大衰減。其中，參考符號(hào)Zo表示特性阻抗，參考字符ω表示角頻率，而參考符號(hào)C表示一個(gè)電容。特性阻抗Zo設(shè)置在50Ω。實(shí)線、虛線和點(diǎn)線分別表示相對(duì)于根據(jù)本實(shí)施例裝置的歸一化阻抗的最大衰減、根據(jù)圖20(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例1的裝置的最大衰減和根據(jù)圖21(b)所示的傳統(tǒng)實(shí)例2的裝置的最大衰減。就根據(jù)本實(shí)施例的衰減特性而言，與圖20(b)示出的傳統(tǒng)實(shí)例1相比，在滿足關(guān)系Z/Zo＞1的范圍之內(nèi)的衰減被提高，而與圖21(b)示出的傳統(tǒng)實(shí)例2相比，在Z/Zo的整個(gè)范圍上的衰減被提高。圖11(b)示出相對(duì)于歸一化阻抗的帶外損耗。與與圖20(b)示出的傳統(tǒng)實(shí)例1相比，在滿足關(guān)系Z/Zo＜1.5的范圍之內(nèi)的損耗被提高。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過由用作電抗元件的電容器把兩個(gè)聲表面波諧振器互相耦合，能夠提供具有高衰減和低損耗的帶阻特性的一個(gè)聲表面波濾波器。
雖然在本實(shí)施例中使用了兩個(gè)聲表面波諧振器，但是可以使用三個(gè)或多個(gè)聲表面波諧振器。在此情況中，電容器能夠以實(shí)施例1的電感器的同樣方式排列。此外，在進(jìn)行安裝中，可被使用多個(gè)電容器的串聯(lián)電路、多個(gè)電容器的并聯(lián)電路或串、并聯(lián)電路的組合。而且，該聲表面波諧振器本身的結(jié)構(gòu)并不局限于上述情況。
在本實(shí)施例中的壓電基片可以是一個(gè)單晶基片、其中形成有壓電體薄膜的基片、具有壓電體基片上的電介體薄膜的基片。就構(gòu)成具有提供串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振特性的該聲表面波濾波器的聲表面波諧振器而言，能夠提供與本實(shí)施例相同的效果。
在上述實(shí)施例1至4的情況中，電感器或電容器被用作電抗元件來把兩個(gè)聲表面波諧振器互相耦合。但是，如12中所示，可以使用電感器和電容器的并聯(lián)電路或電感器和電容器的串聯(lián)電路。圖12(a)和12(b)分別示出電感器和電容器的并聯(lián)電路以及電感器和電容器的串聯(lián)電路。在圖12(a)中，聲表面波諧振器1201和1202通過電容器1204和電感器1203的并聯(lián)電路彼此耦合。在圖12(b)中，聲表面波諧振器1201和1202通過電容器1206和電感器1205的一個(gè)串聯(lián)電路彼此耦合。當(dāng)然，可以安裝多個(gè)電容器或電感器。
雖然在本實(shí)施例中使用了兩個(gè)聲表面波諧振器，但是可以使用三個(gè)或多個(gè)聲表面波諧振器。在此情況中，該串聯(lián)電路或并聯(lián)電路能夠以實(shí)施例1的電感器的同樣方式放置。
(實(shí)施例5)隨后參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的一個(gè)聲表面波濾波器。
圖13示出安裝在一個(gè)壓電基片上的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)。在圖13中，聲表面波濾波器包括形成在一個(gè)壓電基片401上的第一和第二聲表面波諧振器402和403，該壓電基片401對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的壓電基片。第一聲表面波諧振器402的IDT電極帶有電極墊404和405，而第二聲表面波諧振器403的IDT電極帶有電極墊406和407。此外，形成在該壓電基片上的一個(gè)電感器1301耦合在電極墊404和406之間。在此情況中，該電感器1301能夠與該聲表面波諧振器的薄膜沉淀和構(gòu)圖同時(shí)形成。此外，電極墊404、406與輸入和輸出終端耦合，而電極墊405、407被接地。這樣一個(gè)方案能夠免除對(duì)該封裝之外的電感器的連接的需要，由此實(shí)現(xiàn)尺寸的減小。
此外，耦合兩個(gè)聲表面波諧振器的電感器可在安裝基片中形成，該基片通過層壓電介體層而預(yù)先形成，然后，在其上形成有聲表面波諧振器的該壓電基片可被面朝下地安裝在該安裝基片上。圖14示出面朝下安裝在安裝基片上的一個(gè)聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)，在其上形成有兩個(gè)聲表面波諧振器901的一個(gè)壓電基片401上的電極墊404和406經(jīng)過減振器902a和902b以面朝下的方式分別耦合到一個(gè)安裝基片906上的墊903a和903b。安裝基片906上的墊903a和903b分別通過通路孔904a和904b電耦合到該基片下表面上的外部終端905a和905b。另外，雖然沒示出，但是電極墊405和407還與安裝基片耦合，并且以同樣方式接地。由安裝基片906的內(nèi)層圖案形成一個(gè)電感器1401，并且電耦合在該濾波器的輸入和輸出終端之間，即電連接在聲表面波諧振器之間。在此情況中，該電感器1401能夠被形成在一個(gè)較大的區(qū)域上，并因此能夠提供較高的電感。另外，電感器1401可被形成在該安裝基片的表面上。
如上所述，在根據(jù)本實(shí)施例的該聲表面波濾波器中，耦合兩個(gè)聲表面波諧振器的該電感器被形成在該壓電基片上或形成在該安裝基片中，因此能夠獲得聲表面波濾波器的尺寸下降。
雖然在本實(shí)施例中使用了兩個(gè)聲表面波諧振器，但是如在實(shí)施例1至4中那樣，可以使用三個(gè)或多個(gè)聲表面波諧振器。而且，該聲表面波諧振器的結(jié)構(gòu)并不局限于上述情況。
在本實(shí)施例中的壓電基片可以是一個(gè)單晶基片、其中形成有壓電體薄膜的基片、具有壓電體基片上的電介體薄膜的基片。就構(gòu)成具有提供串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振特性的該聲表面波濾波器的聲表面波諧振器而言，能夠提供與本實(shí)施例相同的效果。
另外，在上述的本實(shí)施例中，該電感器被形成在該安裝基片的內(nèi)層中。然而，其可被形成在該封裝中。
此外，雖然該電感器被形成在該壓電基片上或形成在該安裝基片中，但是使用在接線安裝中的接線可被用作一個(gè)電感元件。
在本實(shí)施例中，雖然已經(jīng)描述了使用電感器作為電抗元件來形成該聲表面波濾波器的一種方法，但是電容器或電感器與電容器的組合可被用作電抗元件。
(實(shí)施例6)隨后參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的一個(gè)帶阻濾波器。
圖15示出根據(jù)實(shí)施例6的帶阻濾波器的等效電路圖。在上述實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的帶阻濾波器是具有作為聲諧振器的聲表面波諧振器的一個(gè)聲表面波濾波器。然而在本實(shí)施例中，兩個(gè)聲諧振器是體波型的壓電諧振器，而不是聲表面波型的諧振器。
在圖15中，帶阻濾波器包括第一和第二壓電諧振器1501和1502以及用作一個(gè)電抗元件的電感器1503。第一和第二壓電諧振器1501和1502具有提供串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振的特性，并且該壓電諧振器的等效電路與聲表面波諧振器的等效電路相同。即，考慮諧振器的操作，壓電諧振器與聲表面波諧振器相同，并且使用該電感器耦合這種壓電諧振器將能夠提供具有低損耗和高衰減的帶阻濾波器。例如，具有這種特性的壓電諧振器包括使用壓電薄膜的體波諧振器以及使用單一晶體的體波諧振器。在這種體波諧振器中，能夠提供的頻率范圍是有限的。但是，能夠通過正確地選擇壓電材料而提高諧振器的Q值，并且該諧振器能夠有比聲表面波諧振器低的損耗和高的衰減。此外，該電抗元件的歸一化阻抗以及等效電路的特性阻抗被設(shè)置，從而該體波諧振器能夠以與聲表面波諧振器同樣的方式優(yōu)化。
圖16(a)示出使用體波型壓電諧振器的帶阻濾波器的一個(gè)具體結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，該帶阻濾波器包括一個(gè)基片2001和一個(gè)壓電層2002，該壓電層具有在兩個(gè)主平面上的諧振器電極，該壓電層提供在基片2001上，并且對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的壓電層。
此外，上電極2003a和下電極2003b以預(yù)定的間隔提供在該壓電層2002的上主平面上。下電極2004a和下電極2004b以分別與上電極2003a和上電極2003b相對(duì)的位置提供在該壓電層的下主平面上。下電極2004a和2004b被獨(dú)立接地，并且上電極2003a和2003b與信號(hào)輸入和輸出端耦合。此外，把上電極2003a和2003b彼此連接的電感器2006被提供在該上電極2003a和2003b之間的預(yù)定間隔上。該上、下電極可通過構(gòu)圖(patterning)例如鉬、鋁和白金的材料而形成。
另一方面，在與下電極2004a和2004b接觸的基片2001的表面形成凹進(jìn)處，，并且該凹進(jìn)處構(gòu)成空腔2007a和2007b。
在此結(jié)構(gòu)中，上電極2003a、下電極2004a、夾在上電極2003a和下電極2004a之間的壓電層2002的一部分，以及構(gòu)成空腔2007a的基片2001的部分構(gòu)成對(duì)應(yīng)于壓電諧振器1501的第一諧振器2008。此外，上電極2003b、下電極2004b、夾在上電極2003b和下電極2004b之間的壓電層2002的一部分，以及構(gòu)成空腔2007b的基片2001的部分構(gòu)成對(duì)應(yīng)于壓電諧振器1 502的第二諧振器2009。電感器2006對(duì)應(yīng)于電感器1503，由例如構(gòu)圖該電極形成。
圖16(b)示出使用體波型壓電諧振器的一個(gè)帶阻濾波器的具體配置的另一實(shí)例。與圖16(a)完全相同或?qū)?yīng)的部件被指定相同的參考數(shù)字，由此省略詳細(xì)的說明。在圖16(b)所示的實(shí)例中，電介層2014直接形成在電感器下面，而不是在壓電層2002下面。這將能夠改進(jìn)諧振器之間的絕緣。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過由用作電抗元件的電感器把兩個(gè)壓電諧振器互相耦合，能夠提供具有高衰減和低損耗的帶阻特性的一個(gè)聲表面波濾波器。
雖然在本實(shí)施例中使用了兩個(gè)壓電諧振器，但是可以使用三個(gè)或多個(gè)壓電諧振器。在此情況中，連接在上電極之間的所有部分都可以有分別的電感器，或它們的一部分可以沒有電感器。重要的只是在電極之間提供至少一個(gè)電感器，而不是那些至少兩個(gè)壓電體諧振器的接地端。此外，在進(jìn)行安裝中，可被使用多個(gè)電感器的串聯(lián)電路、多個(gè)電感器的并聯(lián)電路或串、并聯(lián)電路的組合。而且，該壓電諧振器本身的結(jié)構(gòu)并不局限于上述情況。
雖然上述把電感器用作一種電抗元件，但是可以使用電容器。
圖17(a)至17(c)示出使用將電容器用作電抗元件的壓電諧振器的一個(gè)帶阻濾波器的具體構(gòu)形。與示出圖16(a)和16(b)完全相同或?qū)?yīng)的部件被指定相同的參考數(shù)字，由此省略詳細(xì)的說明。
如圖17(a)所示，在該帶阻濾波器中，在圖中的橫向上的上電極2010a和上電極2010b具有不同的長度，并且上電極2010a比下電極2011b長。另一方面，下電極2011a和下電極2011b具有不同的長度，并且下電極2011b比上電極2010b長。而且，下電極2011a接地，而下電極2011b不接地。相反，上電極2010b接地。
在這種結(jié)構(gòu)中，形成三個(gè)部分，每一個(gè)都具有一個(gè)中間壓電層2002，即(A)部分，具有彼此相對(duì)的上電極2010a和下電極2011a，(B)部件，具有彼此相對(duì)的上電極2010b和下電極2011b，以及(C)部件，具有彼此相對(duì)的上電極2010a和下電極2011b。部件(A)構(gòu)成第一諧振器2008，部件(B)構(gòu)成第二諧振器2009，以及相當(dāng)于實(shí)施例4中的電容器1003的部分(C)構(gòu)成電容器2012。
在圖17(b)所示的實(shí)例中，在上述部分(C)中的壓電層2002比其它部分(A)和(B)中的壓電層薄。這將能夠增加電容器2012的電容。
在圖17(c)所示的實(shí)例中，在上述部分(C)中，電介體2013插入在上電極2010a和下電極2011b而不是壓電層2002之間。這將使得電容器2012的電容被設(shè)置為一個(gè)期望值，并且提高諧振器之間的絕緣。
在同樣使用電容器的情況下，可以使用三個(gè)或更多的壓電諧振器。在此情況中，鄰接的壓電諧振器的電極之間的所有的部分都可以有該上電極和該下電極的重疊部分，并且因此有它們各自的電容器。另外，鄰接的壓電諧振器的電極之間的某些部分可以沒有該上電極和該下電極的重疊部分，并且因此沒有電容器。重要的只是至少一個(gè)電容器被提供在至少兩個(gè)壓電諧振器之間。此外，在進(jìn)行安裝中，可被使用多個(gè)電容器的串聯(lián)電路、多個(gè)電容器的并聯(lián)電路或串、并聯(lián)電路的組合。而且，該壓電諧振器本身的結(jié)構(gòu)并不局限于上述情況。
如在實(shí)施例2中那樣，每一個(gè)壓電諧振器的諧振頻率都能夠改變，以便提供一個(gè)寬的阻帶。如在該實(shí)施例4中那樣，一個(gè)電容器、電感器和電容器的并聯(lián)電路或電感器和電容器的串聯(lián)電路可以用作一個(gè)電抗元件。如在實(shí)施例5中那樣，該電抗元件能夠在封裝或安裝基片中形成，從而實(shí)現(xiàn)尺寸減小。
此外，根據(jù)本發(fā)明的聲表面波濾波器或帶阻濾波器可以與具有其它結(jié)構(gòu)的濾波器組合使用。
在上面的描述中，壓電諧振器具有通過在該基片2001上形成凹進(jìn)而形成空腔2007a和2007b。但是，該空腔可以通過從該基片的底部形成通孔而形成，或可以使用聲反射器(acoustic mirror)而不形成該空腔。此外，在上面的描述中，該第一諧振器2008和該第二諧振器2009的每一個(gè)都具有形成在該壓電層的兩個(gè)主平面上的電極。但是，只要它們具有諧振和反諧振特性，該諧振器可以具有任何結(jié)構(gòu)而不局限于此構(gòu)形。
在上面的描述中，電感器2006和電容器2012都形成在該基片2001上。但是，它們可以提供在基片2001之外而通過焊接線等與諧振器耦合。
在上述各實(shí)施例中，電抗元件是一個(gè)電感器、電容器或電感器與電容器的組合。但是，在本發(fā)明中的電抗元件可以利用上述的聲表面波諧振器或壓電諧振器實(shí)現(xiàn)。在此情況中，該帶阻濾波器的構(gòu)形類似于圖20(a)所示的π連接帶通濾波器。但是，如果該諧振頻率被從其它聲諧振器的諧振頻率偏移一個(gè)預(yù)定量，則該聲表面波諧振器或壓電諧振器能夠被實(shí)現(xiàn)起到一個(gè)容抗元件的作用。其中，該預(yù)定量是這樣一個(gè)量用作主諧振器的聲諧振器的諧振和反諧振頻率等于或低于用作電抗元件的該聲諧振器的諧振頻率，或等于或高于該反諧振頻率。在滿足此條件的頻率，用作電抗元件的聲諧振器具有一個(gè)電容特性，因此能夠獲得與上述實(shí)施例中的相同效果。
(實(shí)施例7)隨后參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7的一個(gè)通信設(shè)備。
圖18(a)是表示根據(jù)本發(fā)明的通信設(shè)備的框圖。在圖18(a)中，從發(fā)射電路輸出的發(fā)送信號(hào)經(jīng)過發(fā)送放大器1602、傳輸濾波器1603和開關(guān)1604從天線1605發(fā)送。在該天線1605接收的接收信號(hào)被通過開關(guān)1604、接收濾波器1606和接收放大器1607輸入到接收機(jī)電路。該發(fā)送放大器1602和發(fā)送濾波器1603對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的發(fā)送裝置，而接收濾波器1606和接收放大器1607對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的接收裝置。
通過把根據(jù)本發(fā)明的帶阻濾波器應(yīng)用到該通信設(shè)備1601的發(fā)送濾波器1603的一部分或接收濾波器1603的一部分，則能夠分別提高發(fā)送效率或接收靈敏度。因此該通信設(shè)備能夠具有更高的性能。
在上述的通信設(shè)備1601中，開關(guān)1604被用作在發(fā)送和接收之間切換的裝置。但是，如圖18(b)中所示，其可以用一個(gè)天線共用器1608代替。如果根據(jù)本發(fā)明的帶阻濾波器被用于天線共用器1608的發(fā)送濾波器的一部分或接收濾波器的一部分，則能夠保證在阻帶中的足夠量的衰減，以及能夠保證在發(fā)送和接收之間的充分隔離。其中，該發(fā)送濾波器和本接收濾波器的每一個(gè)都對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)濾波器裝置。而且，天線共用器1608對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)天線共用器。根據(jù)本發(fā)明的濾波器裝置可以實(shí)現(xiàn)為根據(jù)本發(fā)明的帶阻濾波器和另一濾波器的組合，作為在本實(shí)施例中的該發(fā)送濾波器和該接收濾波器，或只由根據(jù)本發(fā)明的帶阻濾波器實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在一個(gè)期望頻帶之內(nèi)具有高衰減、而在低于和高于該阻帶的頻率具有低損耗的一個(gè)帶阻濾波器，并且提供具有同一個(gè)帶阻濾波器的一個(gè)通信設(shè)備。
符號(hào)的描述101聲表面波諧振器102聲表面波諧振器103電感器401壓電基片402第一聲表面波諧振器403第二聲表面波諧振器404電極墊405電極墊406電極墊407電極墊501輸入端502輸出端503電感器504電感器部件505電感器部件601電極墊701電感器部件801a，801b，801c，801d終端802a，802b，802c，802d接線901聲表面波諧振器902a，902b 減振器903a，903b 墊904a，904b 通孔905a，905b 外部終端906 安裝基片1001聲表面波諧振器1002聲表面波諧振器1003電容器1201聲表面波諧振器
1202 聲表面波諧振器1203 電容器1204 電感器1205 電容器1206 電感器1301 電感器1401 電感器1501 壓電諧振器1502 壓電諧振器1503 電感器1601 通信設(shè)備1602 發(fā)送放大器1603 發(fā)送濾波器1604 開關(guān)1605 天線1606 接收濾波器1607 接收放大器1608 天線共用器1701 壓電基片1702 IDT電極1703 反射器電極1704 反射器電極1801 聲表面波諧振器1802 聲表面波諧振器1803 聲表面波諧振器1901 聲表面波諧振器1902 聲表面波諧振器
權(quán)利要求
1.一個(gè)帶阻濾波器，構(gòu)成多個(gè)聲諧振器，每一個(gè)都具有一個(gè)接地端；和一個(gè)傳輸線，與所述多個(gè)聲諧振器的每一個(gè)的另一端連接，其中所述的另一端的至少某些以預(yù)定間隔與該傳輸線耦合，并且至少一個(gè)電抗元件被提供在所述的預(yù)定間隔的全部或部分傳輸線上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的聲諧振器是形成在一個(gè)壓電基片的一個(gè)主表面上的一個(gè)聲表面波諧振器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的帶阻濾波器，其特征在于通過利用一個(gè)特性阻抗歸一化所述的電抗元件的阻抗而獲得的一個(gè)歸一化阻抗高于1。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的帶阻濾波器，其特征在于所述的歸一化阻抗低于1.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到3之一的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件是一個(gè)電感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的帶阻濾波器，其特征在于所述的電感器包括在接線安裝使用的一個(gè)接線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件是一個(gè)電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件包括一個(gè)電容器和一電感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件包括一個(gè)電容器和一電感器的并聯(lián)電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件包括一個(gè)電容器和一電感器的串聯(lián)電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件是一個(gè)芯片元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件形成在一個(gè)壓電基片上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件被形成在其上安裝有所述的帶阻濾波器的一個(gè)安裝基片中。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的帶阻濾波器，其特征在于所述的安裝基片是具有一個(gè)電介層的一個(gè)層壓體。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的帶阻濾波器，其特征在于所述的聲諧振器是面朝下安裝在所述的安裝基片上。
16.根據(jù)權(quán)利要求2的帶阻濾波器，其特征在于所述的被接地的聲表面波諧振器的電極墊在所述的壓電基片上彼此分離。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的聲諧振器是一個(gè)壓電諧振器。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的帶阻濾波器，其特征在于所述的壓電諧振器是一個(gè)體波諧振器，具有一個(gè)上電極、一個(gè)下電極和在夾層所述的上電極和所述的下電極之間的一個(gè)壓電層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的帶阻濾波器，其特征在于所述的壓電層由一個(gè)壓電體薄膜組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件使用所述的體波諧振器的所述的電極形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的聲表面波諧振器有不同的諧振頻率。
22.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的聲諧振器的每一個(gè)末端都通過在基片上的一個(gè)獨(dú)立布線而接地。
23.根據(jù)權(quán)利要求1的帶阻濾波器，其特征在于所述的電抗元件是一個(gè)聲諧振器，具有與所述的聲諧振器的諧振頻率一個(gè)預(yù)定量的諧振頻率差。
24.一個(gè)濾波器裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1的一個(gè)帶阻濾波器。
25.一個(gè)天線共用器，包括一個(gè)發(fā)送濾波器；和一個(gè)接收濾波器其中根據(jù)權(quán)利要求24的一個(gè)帶阻濾波器被用作所述的發(fā)送濾波器或所述的接收濾波器。
26.一個(gè)通信設(shè)備，包括發(fā)送一個(gè)信號(hào)的發(fā)送裝置；接收一個(gè)信號(hào)的接收裝置，和根據(jù)權(quán)利要求1的一個(gè)帶阻濾波器被使用在所述的發(fā)送裝置和/或所述的接收裝置中。
全文摘要
已經(jīng)難于提供具有在期望阻帶內(nèi)的高衰減和在高于和低于該阻帶的寬頻帶上的低損耗的特性的帶阻濾波器。一個(gè)帶阻濾波器包括多個(gè)作為聲諧振器的聲波諧振器，每一個(gè)都具有一個(gè)接地端；和一個(gè)傳輸線，連接作為聲諧振器多個(gè)聲波諧振器的每一個(gè)的另一末端，其中另一末端的至少某些以預(yù)定的間隔與該傳輸線耦合，并且在全部或某些該預(yù)定的間隔中把至少一個(gè)電感器提供在傳輸線上。
文檔編號(hào)H03H9/05GK1529410SQ0315683
公開日2004年9月15日 申請(qǐng)日期2003年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月10日
發(fā)明者中村弘幸, 關(guān)俊一, 大西慶治, 治 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社