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縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的制作方法

文檔序號:7539584閱讀:223來源:國知局
專利名稱:縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,特別涉及具有三個或更多交指換能器(IDT)的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
通常,表面聲波濾波器已廣泛用作移動電話的RF級帶通濾波器。對于帶通濾波器,要求有低插入損耗、大的衰減、寬帶和其它此類特性,為此對表面聲波濾波器提出了各種建議。
在日本待審專利申請出版號5-267990中,揭示了一例獲得縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器更寬的頻帶的方法。在此出版物中,電板指配置成在相互鄰近的IDT間間歇地對齊,并揭示了一種最佳地提供諧振模的工藝,即使得相互鄰近的兩IDT沿表面聲波傳播方向的相鄰電極指間的中心距離,偏離電極指周期確定的波長的約0.5倍。
然而,當如上所述將相互鄰近的IDT相鄰電板指間的中心距離偏離電極間周期確定的波長的約0.5倍時,在相應部分中破壞了表面聲波傳播路徑的間歇的連續(xù)性。特別在使用利用弱表面聲波(弱波)的壓電基片(如36°切割的x傳播LiTaO3或64°切割的x傳播LiNbO3)時,增大了至波輻射造成的損耗。因此,雖然實現(xiàn)更寬的頻帶,卻存在插入損耗增大的問題。
為解決上述問題,本發(fā)明諸較佳實施例提出一種解決前述問題的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,不僅實現(xiàn)了更寬的頻帶,還明顯減小了通帶內(nèi)的插入損耗。
在本發(fā)明一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器中,由于在至少三個IDT間構成至少一個IDT,使鄰近另一IDT邊沿的第一部分沿表面聲波傳播方向的電極指周期不同于第二部分(即IDT剩余部分)的電極指周期,因而不僅能擴展通帶寬度。還可大大減小通帶內(nèi)的插入損耗。
因此,可制得通帶內(nèi)具有更寬頻帶與低損耗的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
第一部分的電極指周期短于第二部分的電極指周期時,可大大減小表面波傳播損耗,使通帶內(nèi)的插入損耗甚至更小。
特別當?shù)谝徊糠值碾姌O指周期約為第二部分電極指周期約0.82~0.99倍時,甚至可進一步減小表面波傳播損耗。
當一對相鄰IDT的相鄰電極指間的中心距約等于0.5λI1時,大大減少了作為至波輻射的損耗,由此更減小了插入損耗。
當只把一對相鄰IDT中的一個IDT構成包含第一與第二部分時,而且使該對相鄰IDT的相鄰極指間的中心距基本上等于0.25λI1+0.25λI2時,以同樣方式大大減小了作為重波輻射的損耗,使通帶內(nèi)的插入損耗減少更大的量。
當在第一與第二部分的電極指互鄰近的部分中的電極指距離基本上等于0.25λI1+0.25λI2時,能以同樣方式減少作為重波輻射的損耗,進一步減小了通帶內(nèi)的插入損耗。
當包括第一與第二部分的IDT相互鄰近電極指的極性與鄰近該IDT的IDT電極指的極性不同時,還在相鄰IDT間的間隔內(nèi)將表面聲波轉換成電信號,提供了電珠轉換效率。進一步減小了通帶內(nèi)的插入損耗,還擴展了通帶寬度。
在第一部分電極指總數(shù)在一對相互鄰近的IDT相鄰部分兩面不大于18時,阻抗?jié)舛缺鹊玫教岣?,使縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的VSWR很小。
當一對相鄰IDT具有不同周期的電極指間的中心距為(0.08+0.5n)λI2~(0.24+0.5n)λI2時,更佳地為(0.13+0.5n)λI2~(0.23+0.5n)λI2時,可按各種用法(如EGSM法、DCS法與PCS法等)得到必要的帶寬,并可積極地減小VSWR。
當沿表面聲波濾波器傳播方向相鄰的一對IDT都包括第一與第二部分且這兩個IDT第一部分的電極指數(shù)不同時,雖然阻抗?jié)舛缺群蚔SWR劣化了,卻能更容易擴展通帶寬度。
根據(jù)本發(fā)明各種較佳實施例,當相對于X軸沿Y軸方向使LiTAO3單晶旋轉約36~44°而用作壓電基片時,可容易地得到在通帶內(nèi)具有寬通帶寬度和小插入損耗的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
當?shù)谝慌c第二部分的電極指膜厚不同時,調(diào)節(jié)電極膜存可大大減小重波輻射造成的損耗。特別在使第一部分的電極指膜厚比第二部分的電極指膜厚更薄時,由于能在IDT間最容易產(chǎn)生重波的間隔內(nèi)減少重波輻射造成的損耗,所以能在保持寬寬帶寬的同時進一步減小插入損耗。
在級聯(lián)了多級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的結構中,當縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器至少一級的第1部分的電極指周期與其另一級的第一部分的電極指周期不同時,可以不劣化VSWR而進一步擴展通帶寬度。
當?shù)谝徊糠值碾姌O指周期在多級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的每一級中都不同時,可有效地擴展通帶寬度。
根據(jù)本發(fā)明的各種較佳實施例,當把至少一個串接的諧振器和/或并聯(lián)的諧振器接至某一輸入邊和/或輸出邊時,不僅能減少通帶內(nèi)的插入損耗,還能擴展通帶外的衰減量。
根據(jù)本發(fā)明各種較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,可以構成具有平衡-不平衡的輸入/輸出或平衡-平衡的輸入/輸出。
即能容易地按各種用途提供各種輸入/輸出型縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
由于根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的通信設備配備了作為帶通濾波器的按本發(fā)明各種較佳實施例構利的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,因此可構成具有更寬帶寬與低損耗的通信設備。
為了說明本發(fā)明,附圖中示出了當前較佳的若干形式,但應理解,本發(fā)明并不限于所示的精確的配置與手段。
通過下面參照附圖對本發(fā)明較佳實施例的詳細,更更清楚地了解本發(fā)明的其它要素、特性、特征和優(yōu)點。


圖1是本發(fā)明第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的示意平面圖。
圖2是指明常規(guī)縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的模型平面圖。
圖3示出第一較佳實施例與常規(guī)例子的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
圖4示出常規(guī)縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
圖5是說明常規(guī)三IDT型縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構與諧振模之間關系的模型圖。
圖6指出第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器中第一與第二部分電極指指距之比同傳播損耗間的關系。
圖7(a)與7(b)表示在第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器中窄指距電極指數(shù)為8和12時的反射特性。
圖8表示在第一較佳實施例中改變窄指距電極指數(shù)時的VSWR變化。
圖9是表明第一較佳實施例修正例的一級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的模型平面圖。
圖10是表明第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器另一修正例的電極結構的模型平面圖。
圖11是表明本發(fā)明第二較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的模型平面圖。
圖12表示第二與第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的諧振模的差異。
圖13表示第二與第一較佳鶴的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
圖14是表明本發(fā)明第三較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電板結構的模型平面圖。
圖15(a)~15(c)各表示第一、第三較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器及通過改變第三較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器中窄指距電極指數(shù)平衡而獲得的結構的反射特性。
圖16(a)與16(b)表明第三與第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性與VSWR特性。
圖17(a)與17(b)表明圖15(c)中修正例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性和VSWR特性。
圖18(a)與18(b)是模型平面圖,表示第四較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的電板結構及其沿與電極指相交方向截取的基本剖面圖。
圖19表示第四與第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
圖20是表明本發(fā)明第五較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的模型平面圖。
圖21表示第五較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器與常規(guī)縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
圖22表示第六與第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
圖23是表明本發(fā)明第七較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的模型平面圖。
圖24是表明本發(fā)明第八較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的模型平面圖。
圖25是表明第八較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器修正例的模型平面圖。
圖26是表明第八較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的另一修正例的模型平面圖。
圖27是表明第作較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器再一個修正例的模型平面圖。
圖28是表明第八較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器另一修正例的模型平面圖。
圖29是表明第八較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器再一個修正例的模型平面圖。
圖30是表明第八較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器還有一個修正例的模型平面圖。
圖31是表明本發(fā)明第九較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電板結構的模型平面圖。
圖32表示窄指距電極指數(shù)與通寬寬度的關系。
圖33表示IDT中心距變化量與傳播損耗的關系。
圖34表示指距不減小的電極指間距的較佳范圍,其中示出了指距不減小的電極指間距與窄指距電極指數(shù)為獲得較佳濾波特性的關系。
圖35是一通信設備的框圖,該設備配備的根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器作為帶通濾波器。
下面參照附圖詳細說明本發(fā)明諸較佳實施例。
本發(fā)明通過示明本發(fā)明實用的諸較佳實施例來詳細描述。
圖1是表明本發(fā)明第一較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的平面圖。該例與后面的諸實施例都用應于EGSM型移動電話的接收帶通濾波器。除了該移動電話外,還可在另一類移動電話和另一種通信設備中將本發(fā)明各種實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器用作帶通濾波器。
本發(fā)明各種實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器1,最好在壓電基片2上通過形成用圖1的平面圖表示的電極結構而制成。壓電基片2用36°Y切割X傳播的LiTaO3基片構成,也可用另一種晶向的LiTaO3基片構成,或者用LiTaO3基片以外的另一種壓電材料(如LiNbO3基片或石英晶體等壓電單晶)或壓電陶瓷或其它合適的材料構成。另外,壓電基片2可通過在絕緣基片上形成ZnO薄膜等壓電薄膜而構成。
在本實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器1中,下面要詳述的電極結構是在壓電基片2上最好用Al形成的。Al以外的金屬或合金地可用作電極材料。
本例中,第一與第二縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11和12垂直連接,即這兩個縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11與12建成兩級垂直連接。
表面聲波濾波器11與12最好各自具有沿表面聲波傳播方向設置的三根IDT,即這些表面聲波濾波器11與12為三IDT型縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。表面聲波濾波器11與12的電極設計最好基本上相同。
表面聲波濾波器11有IDT13~15。在沿表面波傳播方向在其上形成IDT13~15的部分的兩端,設置不柵型反射器16與17。同樣地,表面聲波濾波器12與有三根IDT18~20和光柵型反射器21與22,反射器位于某一區(qū)域的兩端,該區(qū)域上形成的IDT18-20沿表面?zhèn)鞑シ较蜓由臁?br> 本例中,設置在表面聲波濾波器11中間的IDT14的一端是輸入端,表面聲波濾波器12中間的IDT19是輸出端。IDT13與15各端接至IDT18與20相應的各端。從圖1可知,IDT-13和18-20的其它各端(與接至輸入/輸出端或互連至其它IDT的相應端相對)均接地電位。
本例縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的特征在于,在表面聲波濾波器11和12中,IDT某一部分的電板指距比其相鄰IDT兩側上其余部分的電極指指距窄,這種情況以IDT13與14間的間距為例予以詳述。
IDT13與14沿表面波傳播方向相鄰。電極指13a與13b(從IDT14一側IDT13邊沿部分起的幾根電極指)間的電極指指距比其余電極指13c、13d、13e、13f和13g間的電極指指距窄。同樣在IDT14中,電極指14a與14b(從IDT13一側上IDT14邊沿部分起的幾根電極指)間的電極指指距比14c、14d、14e、14f和14g間的電極指指距窄。在IDT13中,如上所述,電極指13a與13b(從IDT14邊沿部分起的多根電極指)間的電極指指距被減窄的部分是第一部分,而設置了電極指13c~13g的其余部分的部分為第二部分。這樣,在本例的表面聲波濾波器1中,每根IDT使得其從其相鄰IDT邊沿起的多根電極指的電極指指距比其余電極指指距更窄。
在位于中間的IDT14中,第一部分設置在表面波傳播方向的兩側,即不僅減窄了設置有上述電極指14a與14b的部分的電極指指距,也減窄了將多根電極指14h與14i設置在IDT15一側IDT14邊沿部分的部分的電極指指距。因此,設置了電極指14h與14i的部分也是第一部分。
在IDT15中,最好以在IDT13中同樣的方法在IDT14一側構成第一部分,除該第一部分外,其余部分構成第二部分??v向耦合的諧振器型表面聲波濾波器12的IDT18-20最好以IDT13-15同樣的方法構成。
在圖1和代表后續(xù)修正例與其它實施例的電極結構的其它圖中,為簡便起見,示出的電極指的指數(shù)均少于其實際數(shù)。
下面更具體地描述本例表面聲波濾波器1的詳細電極結構。
由第一和第二部分電極指指距確定的表面波波長分別為λI1和λI2。
電極指IDT13-18每一根的相交寬度最好約35.8λI2,電極膜厚最好約0.08λI2。
IDT13-15的電極指數(shù)如下。
IDR13--電極指數(shù)為29,其中第一部分的電極指數(shù)為4,第二部分電極拽數(shù)為25。
IDT14--電極指數(shù)為33,其中兩側第一部分電極指數(shù)各為4,第二部分電極指數(shù)為33-8-25。
IDT15--電極指數(shù)為29,其中第一部分電極指數(shù)為4,第二部分電極指數(shù)25。
上面代表IDT波長的λI1最好約3.90μm,λI2最好約4.19μm。
如取圖1的IDT13為例,第一與第二部分之間的距離是電極指13c的中心與電極指13b的中心距離,約為0.25λI1+0.25λI2。其它IDT的第一與第二部分的距離最好按上述同樣的方法設置。此外,相鄰IDT間的距離,如相鄰的IDT14的電極指14i與IDT15和15a間的中心距最好約為0.50λI1。
此外,IDT13與15和相應反射器16與17間的距離,即IDT外沿部分與反射器內(nèi)沿間的相互的電極指中心距最好約為0.50λR。
IDT13-15每根的能率最好為約0.73,而反射器的能量最好為約0.55。能率是電極指寬度與(電極指寬度……電極指間隔距離)之比。
最好分別以IDT13-15和反射器16與17同樣的方法構制表面聲波濾波器12的IDT18-20和反射器21與22。
本例的特征在于,第一與第二部分間的距離和相鄰IDT間的距離是按上述方法設計的。如下面詳述的那樣,這些距離最好約為相鄰IDT波長的0.50倍。當間距兩側的波長不一時,為保持IDT的連續(xù)性,最好通過增加這些波長的約0.25倍得到該距離。
為作比較,提供一種常規(guī)的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其電極結構如圖2所示??梢钥闯觯v向耦合的諧振器型表面聲波濾波器201并不設置像縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器1設置的兩類間隔。它們以同樣方法構制,但是各電極指間隔部分的距離相同。因此,考慮到相同的部件,省略對其作詳細說明,只是對同樣的部件指定標號,其中將200加給指示上述實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器諸部件的標號。下面詳述為比較而提供的表面聲波濾波器201的電極結構。
即,IDT213-215與218-220的相交寬度W約為43.2λI。IDT的電極拽數(shù)如下IDT213,215,218與220為25;IDT214與219為31。
IDT的波長λI最好約4.17μm,反射器波長λR最好約4.29μm。反射器的電極指數(shù)各為100。
相鄰IDT與IDT電極指中心距離為0.32λI,反射器與同其相鄰的IDT間的電極指中心距離為0.50λR。此外,IDT與反射器的能率與該實施例相同,電極膜厚為0.08λI。
對本實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器和按上述方法制備的常規(guī)例中的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器作了幅值特性測量,結果示于圖3。圖3中的實線代表本實施例的結果,虛線代表常規(guī)例的結果。此外,垂直軸右側還示出了對用實線和虛線代表的各幅值特性重要部分按比例放大而得到的特性。
如圖3所示,與常規(guī)例相比,本實施例縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器1的通帶內(nèi)插入損耗減小得多多。例如,常規(guī)例中通帶內(nèi)的最小插入損耗約2.3dB,而本例中約為1.7dB,說明改善了約0.6dB。
常規(guī)例中,從通過電平起衰減量為4.5dB的帶寬約為44MHz,而在本實施例中可獲得從通過電平起衰減量為3.9dB的同一帶寬。即在相對于整個通帶作比較時,本實施例比常規(guī)例使插入損耗改善了約0.6dB。
本例中,能以上述方法改善插入損耗的理由如下。
在常規(guī)三IDT型縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器設計中,相鄰IDT間的電極指中心距離約為0.25λI,這是因為通帶是利用三個諧振膜形成的,通過將阻抗從50Ω變?yōu)?00Ω,可以分清在圖4所示的常規(guī)表面聲波濾波器頻率特性中用三個箭頭A-C指示的諧振模峰值。即在圖5的電極結構中,通帶是利用某個諧振膜(圖4的箭頭C)而不是用下面的第零次膜(圖4的箭頭B)和二次模(圖4的箭頭A)形成的,該諧振膜在IDT-IDT間隔部分內(nèi)有一表面聲波的強度分布峰值。
然而,IDT與IDT間隔的距離約為0.25λI,在表面聲波傳播路徑中造成斷續(xù)部分,由于在該斷續(xù)部分增大了作為重波輻射的分量,因而產(chǎn)生了傳播損耗增大的問題。
因此,為了減小上述的傳播損耗量,要求通過將IDT與IDT間隔距離置成約0.50λI來消除該斷續(xù)部分。然而,當IDT與IDT間隔距離約為0.50λI時,由于得不到上述三種模式,會產(chǎn)生無法實現(xiàn)更寬頻帶的問題。
在實施例的特征在于,為解決上述兩個問題,在相鄰的IDT間設置了上述的第一與第二部分。即通過部分改變IDT中的電極指指距,同時利用三個諧振模形成通帶,將IDT與IDT間隔距離置成約為間隔兩側IDT波長的0.50倍,可減小作為重波輻射的損耗量。
通常,當電極指周期小于通過傳播路徑傳播的表面波長時,可減小表面聲波本身的傳播損耗。因此,如上所述,由于第一部分的電極指指距比第二部分的小,所以也減小了表面聲波的傳播損耗。
因此,如圖3所示,雖然本例中可得到像常規(guī)例中一樣的通帶寬度(其中實現(xiàn)了更寬的頻帶),但比常規(guī)例大大減小了通帶內(nèi)的插入損耗。
與第二部分的電極指指距相比,發(fā)明者已確定應該對第一部分構制多么小的電極指指距來獲得較佳的結果。
即為了查明由此是如何改變傳播損耗的,可在圖1所示的本實施例中以各種方式改變縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器中第一部分的電極指指距。結果如圖6所示。
圖6中,水平軸代表第一部分與第二部分的電極指指距之比(稱為窄指距電極指的指距比),垂直軸代表傳播損耗。從通帶內(nèi)插入損耗中減去阻抗失配造成的損耗和電極指電阻分量造成的歐姆損耗,得到的值即是圖6的傳播損耗。
得到了圖6結果后,在示出的某種情況的結果中,具有窄電極指指距的電極指數(shù)為8、12和18。這里以IDT13-15為例,具有窄電極指指距的電極指數(shù),表示IDT13第一部分的電極指數(shù)(圖1示出兩根指)和IDT13一側IDT14第一部分的窄指距電極指數(shù)(圖1示出兩根指)的總和。此時,圖1示出了四根指。然而,如上所述,可設置8指、12指或18指。
同樣地,在IDT15與IDT14之間相鄰部分中,窄電極指指距的電極指總數(shù)也是8、12和18,盡管圖1示出的是4指。即圖1示出的一種設計,窄電極指指距的電極指數(shù)為4。在下面的描述中,“窄指距電極指數(shù)”表示按上棕方法定義的值。
圖6清楚地示出,當窄指距電極指的指距比接近0.95時,無論窄指距電極指數(shù)是多少,均可將傳播損耗減至最小。對應于這一傳播損耗改進的量,被認為是對應于作為重波輻射的損耗減少的量與對應于通過減小電極指指距而使表面聲波傳播耗減少的量之和。
即為了減小帶內(nèi)插入損耗,發(fā)現(xiàn)最好將上述窄指距電極指的指距比置成這一量級的值。
接著,確定傳播減少比常規(guī)例小的范圍。用常規(guī)方法設計時,傳播損耗約1.9dB。如下所述,本例中的窄指距電極指數(shù)最好是18或更少。
圖6明白地指出,能看到傳播損耗減小作用的范圍在窄指距電極指的指距比約為0.83-0.99的范圍內(nèi)。窄指距電極指的指跑比約為0.83-0.99的范圍內(nèi)。窄指距電極指的指距比即使小于約0.83,傳播損耗在適當條件下仍然很小。然而,考慮到電極制造精度的限制,發(fā)現(xiàn)指距比最好接近的0.83-0.99。
然后,確認較佳的窄指距電極指數(shù)范圍。圖7示出的反射特性是在將窄指距電極指數(shù)設成8和12時對每種指數(shù)調(diào)節(jié)設計參數(shù)的情況,從而在相應通帶內(nèi)實現(xiàn)阻抗匹配。圖7(a)表示窄指距電極指數(shù)為8的情況,圖7(b)表示指數(shù)為12的情況。
當增大窄指距電極指數(shù)時,容易劣化阻抗聚集比,由此劣化VSWR或琮內(nèi)偏移。此外,由于通帶內(nèi)偏移被劣化,通帶寬度容易減窄。因此,在改變窄指距電極指數(shù)的情況下,用上述實施例設計作為基線,測量VSWR和通帶寬度的變化,結果示于圖8和32。
圖8的VSWR值和圖32的通帶寬度值是在這樣一種場合中的值,即改變相交寬度、窄指距電極指的指距等,按窄指距電極指數(shù)實現(xiàn)通帶內(nèi)的阻抗匹配。通常在考慮到特性因溫度而變化、特征變化或其它特性的EGSM方法中,VSWR值最好為2.5或更小,通帶寬度最好約42MHz或更大。
圖8中,在VSWR約為2.5或更小的范圍內(nèi),窄指距電極指數(shù)為18或更少。從圖32可知,窄指距電極指數(shù)也是18或更少,其中通帶約為42MHz或更大,即窄指距電極指數(shù)最好是18或更多。這樣就增大了阻抗聚集比,減少了VSWR及帶內(nèi)偏移。此外,發(fā)現(xiàn)這樣能得到通帶寬度足夠大的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
接著在改變相鄰IDT間的距離(從本例采用的距離開始)的情況下,檢查傳播損耗的變化,結果示于圖33。相鄰IDT間的距離,例如圖1中IDT14和IDT15相鄰的電極指14i與15a間的中心距,最好分別約為0.50λI1。圖33中,相對于從把值0.50λI1置為0的地方開始的中心距離化,繪制傳播損耗變化。圖33中,傳播損耗隨著相鄰IDT間的中心距變化而劣化,即已經(jīng)證實,為制得低損耗濾波器,相鄰IDT間的中心距最好約為0.50λI1。同樣的,為制得損耗濾波器,最好像本例那樣,指距不同的第一與第二部分間的距離約為0.25λI1+0.25λI2。
接著,檢查指距未減小的電極指間的中心距,如圖1中電極指13c與14c間的中心距,以便研究電極指13c與14c間的中心距離希望有多長,結果示于圖34。圖34的結果是在下述情況下通過檢查指距未減小的電極指間的中心距而得到的設計出本發(fā)明諸實施例的結構,使濾波器對各種應用場合(如不僅是EGSM法,還有DCS法與PCS法)都具有最佳的特性。在所有這些設計中,設計成可對每種方法獲得所需的帶寬,且VSWR約為2.5或更小。水平軸的值表示電極指間的中心距,這些電極指的指距未應用其指距不減小的電極指的波長比減小。在每種情況下,通過從相應的中心中減去值0.5n(n=1,2,3,……),使每一個這種值處于約0.0~0.5范圍內(nèi)。如當波長比約為4.73時,在圖34中畫成約0.23。
圖34中,其指距未減小的電極指間的中心距集中在約0.13~0.23范圍內(nèi)。再者,在所有場合中,它們均在約0.08~0.24范圍內(nèi)。在圖2的相關技術中,這些中心距最好在約0.25~0.30范圍內(nèi)。在本發(fā)明諸實施例中,中心距應在約0.08~0.24范圍內(nèi),最好在約0.13~0.23范圍內(nèi)。
本例中雖然使用了36°Y切割X傳播的LiTaO3基片,但是也可使用另一種晶向的LiTaO3基片、LiNbO3基片或其它合適的基片。例如,在應用弱波的壓電基片中,如36~44°Y切割X傳播的LiTaO3基基片。64~72°Y切割X傳播的LiNbO3基片或41°Y切割X傳播的LiNbO3基片中,都可得到特別大的效果。
本例中,三IDT型縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器建立了兩級垂直連接。如圖9所示,在一級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器31中應用與本例相同的結構,可獲得本發(fā)明諸實施例的優(yōu)點。再者,本發(fā)明不限于三IDT的濾波器。例如,將本發(fā)明應用于圖10所示有5根IDT33~37的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器32,可實現(xiàn)本發(fā)明的諸優(yōu)點。
即在本發(fā)明各種實施例中,縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的IDT數(shù)不限于3,它可以是5或更大。此外,縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器不一定限定多級結構的濾波器。
圖11是表示本發(fā)明第二較佳實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的電極結構的平面圖。第二例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器41完全以縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器1相同的方法構成,只是將沿表面聲波傳播方向設置在中間的IDT14與19倒了過來。
即相鄰IDT的相鄰電極指在第一實施例中接地時,將IDT14與19最外側電極指接至相應的輸入與輸出端面不接地電位。因此,作為信號電極的電極指和接至外層IDT地電位的電極指在相鄰IDT之間鄰近。
具體而言,將對應于IDT14一側IDT13與15邊沿部分的電極指13a與15a接地位,而把與對應的電極指13a與15a相鄰的IDT14的電極指14a與14i接輸入端。即相鄰電極指的極級在相鄰IDT之間相反。表面聲波濾波器12也以同樣方式構制。
因此,第二實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器具有這樣的結構,其中將相鄰IDT之間極性相反的相鄰電極指作兩級垂直連接。
圖12示出第二與第一實施例中表面聲波濾波器41與表面聲波濾波器1的諧振模的差異,這里示出了通過將輸入/輸出阻抗從50Ω改成500Ω并確認諧振模而得到的結構。
圖12中,實線為第二實施例的結果,虛線為第一實施例的結果。
圖12中的參照符D表示在IDT與IDT間隔中具有表面聲波強度分布峰值的駐波的諧振膜,E指第零次模,G指二次模,F(xiàn)指兩級垂直連接產(chǎn)生的模。
第一與第二實施例的主要差異是在第二實施例中,箭頭D指示的諧振膜的電平更大。
在第一實施例中,由于把相鄰IDT的相鄰電板指接地電位,因此無法將IDT與IDT間隔中的表面聲波轉換成電信號。結果,對在IDT與IDT間隔內(nèi)具有強度峰值的諧振模D的電信號而言,降低了轉換效率。
另一方面,在第二實施例中,由于相鄰電極IDT的相鄰電極指的極性相反,即使在IDT-IDT間隔內(nèi)也能把表面聲波轉換成電信號,因此提高了對具有上述諧振模D的電信號的轉換效率。
圖13示出第二與第一實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性以及在軸線右側按比例放大垂直軸插入損耗得到的相應幅值特性。圖13中第二實施例的幅值特性(實線),是通過在第一實施例中按設計條件將相交寬度變?yōu)榧s33.4λI2并將窄指距電極指的波長變?yōu)榧s3.88μm以便調(diào)節(jié)阻抗偏移(由該模的頻率與電平變化造成)而得到的。
如圖13指出的那樣,根據(jù)第二實施例,通帶內(nèi)插入損耗的改善比第一實施例(虛線)還好,而且通帶寬度更寬。因此,相鄰IDT的相鄰電極指的極性最好相反,這樣可提供插入損耗更小、通帶更寬的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
第二實施例的諸優(yōu)點還可以這樣獲得,即只要在建立兩級垂直連接的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11和12之一中,以上述方法使IDT間相鄰電極指的極性相反。
圖14是表示本發(fā)明第三實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的平面圖。
構制第三實施例的表面聲波濾波器51,使得窄指距電極指數(shù)與第一實施例的一樣,而IDT13第一部分的窄指距電極指數(shù)與IDT13一側IDT14第一部分的窄指距電極指數(shù)不同。此外,最好使IDT15第一部分與IDT15一側IDT14第一部分的窄指距電極指數(shù)不一樣。另外,由于構成方法與第一實施例相同,所以通過對相應的元件指定第一實施例中用過的同一標號,可應用第一實施例中相應單元的說明。與第一實施例不同的那些單元則描述得更具體些。本例中,表面聲波濾波器12中IDT13-15的電極指數(shù)如下UDT13……30,其中第一與第二部分的電極指數(shù)各為5和25。
IDT14……電極指數(shù)為33,其中第一部分的兩側各有3根窄指距電極指,位于中間的第二部分有27根電極指。
IDT15……30,其中第一與第二部分的電極指數(shù)各為5和25。
本例中,表面聲波濾波器11和12最好也以同樣方式構制。圖14中,為簡便起見,以減少電極指數(shù)的方式示出電極指,即圖14中示出了設置在IDT14左右側的窄指距電極指,但是IDT13和15第一部分的窄指距電極指數(shù)是3。
本例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器51的反射特性示于圖15(b)。為作比較,圖15(c)示出了第一實施例中表面聲波濾波器的反射特性。
構制第三實施例,使相鄰的兩個IDT第一部分的窄指距電極指數(shù)不一樣。此外,為使阻抗匹配至50Ω,電極指相交寬度約為47.7λI2。
如圖15指出的那樣,第三實施例的阻抗聚集比要差于第一實施例。
與之相反,圖15(a)示出的反射特性是一種增加IDT14的窄指距電極指數(shù)的情況。這種情況的變化是在第三實施例中,IDT13、15、18和20的電極指總數(shù)為28,第一部分的電極指數(shù)是3,第二部分的電極指數(shù)25,IDT14和19(位于中間)的電極指總數(shù)為37,其中第一部分兩側的電極指數(shù)各為5,中間第二部分的電極指數(shù)為27,而相交寬度約為28.6λI2。如圖15(a)所示,此時與第一實施例相比,雖然整個阻抗為容性,但是阻抗聚集比增大了。
第三實施例和具有圖15(b)所示的反射特性的修正例都不是EGSM型接收級帶通濾波器最佳的實施例,然而它們卻適用于其它應用場合。如圖15(b)所示,當阻抗聚集比劣化后,雖然觀察到VSWR的劣化趨向,但是通常寬度容易擴展。
即圖16(a)與(b)中的實線指明了第三實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性與VSWR特性。為作比較,圖16(a)與(b)中用虛線指明第一實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11的幅值特性與VSWR特性。
如圖16所示,根據(jù)第三實施例,與第一實施例經(jīng)比較發(fā)現(xiàn),盡管VSWR劣化了約0.2,但是距通過電平4dB的通帶寬度約展寬了1.5MHz。此時發(fā)現(xiàn),由于通帶內(nèi)插入損耗電平幾乎不變,所以能實現(xiàn)更寬的頻帶而保持低損耗。
即第三實施例證明,即使VSWR有些劣化,但是仍能提供適用于要求減少通帶內(nèi)損耗并擴展通帶寬度的應用場合的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
接下來如圖15(a)所示,描述一個適用于阻抗為容性(盡管最好是阻抗聚焦比)的場合的例子。
圖17(a)與(b)用實線示出上述修正例是縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性的VSWR特性。為作比較,用虛線示出第一實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性和VSWR特性。在產(chǎn)生圖17所示結果的修正例中,電極相交寬度約31.0λI2,IDT13、15、18和20的電極指總數(shù)為28,第一部分的電極指數(shù)是3,第二部分的電極指數(shù)是25。中心IDT14和19的電極指總數(shù)為47,其中第一部分兩側的電極指數(shù)各為5,中心第二部分的電極指數(shù)各為37。該IDT的波長λI1約3.88μm。另外,該修正例基本上與第一實施例相同。
由圖17可知,在上述修正例中,與第一實施例的表面聲波濾波器11相比,雖然距通過電平4dB的通帶寬度減窄約3.5MHa,但是VSWR僅改善約0.7。此時由于插入損耗電平在通帶中幾乎不變,所以可改變VSWR且保持低損耗。即發(fā)現(xiàn),即便通帶寬度很窄,仍能提供適用于要求減少通帶內(nèi)損耗和減小VSWR的場合的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
如上所述,如在第三實施例中一樣,通過改變第一部分電極指的平衡(換言之,改變窄指距電極指數(shù)),在減小通帶內(nèi)插入損耗的同時,能方便地提供適合各種應用的帶通濾波器。
圖18(a)和(b)是表示第四實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的平面圖和沿同電極指相交的方向截取的剖面圖。圖18(b)是圖18(a)中交替長短虛線x和x之間的剖面圖。圖18(a)的電極結構與圖1中第一實施例的電極結構完全相同。因此,對于同等的單元指定相應的標號。本例的特性清楚地示出圖18(b),即如將設置有IDT19與20及反射器22的部分示作范例,則窄指距電極指的膜厚小于其它電極指的膜厚或反射器電極的膜厚。即如圖18(b)所示,IDT20一側IDT19第一部分電極指19f與19g的膜厚和IDT19一側IDT20第一部分電極指20A與20b的膜厚,均小于其它電極指的膜厚和反射器22電極的膜厚。同樣地,在圖18(a)所示的相鄰IDT之間的一部分中,該部分兩側窄指距電極指的膜厚小于該部分其余電極指的膜存。具體地說,本例中,窄指距電極指的膜厚最好約為0.06λI2,其余電極指的膜厚最好約為0.08λI2。
本例中,由于減小了窄指距電極指的膜厚,設計與第一實施例的設計不同,使電極指相交寬度約為38.2λI2,而λI1=3.93μm。此外,本例與第一實施例基本上相同。
第四實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性在圖19中用實線表示。為作比較,第一實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11的幅值特性用虛線表示。
從圖19可知,與第一實施例相比,第四實施例證明可進一步減少通帶內(nèi)插入損耗。通常在應用弱波的表面聲波濾波器中,減小包括Al在內(nèi)的電極的膜厚,易于減小至波幅射造成的損耗。然而,減小電極膜厚,會減小機電耦合系數(shù),且使反射器的阻帶寬度減窄。這種配置導致產(chǎn)生無法實現(xiàn)更寬的頻帶的問題。
在第四實施例中,為解決此問題,電極指的膜存在最容易產(chǎn)生重波輻射的IDT與IDT間隔內(nèi)變薄,換言之,使之在設置窄指距電極指的部分中變薄,這樣能減小重波輻射造成的損耗,且可得到較佳的特性。
圖20是表示本發(fā)明第五實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的平面圖。
本例的特征在于用一種分裂電極(以分裂電極指13f1與13f2為代表)構成窄指距電極指。此外,本例與第一實施例完全相同。下面僅說明修正的單元。
即在第五實施例中,電極指相交寬度約為35.7λI2,IDT的波長λI2約為4.20μm,λI1約為4.04μm。
圖21中,第五實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性用實線表示,虛線表示第一實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
如圖21所示,在第五實施例中,與常規(guī)縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器相比,大大改善了通帶內(nèi)插入損耗。
因此而確定,在本發(fā)明各種實施例中,窄指距電極指可用多根(一般為兩根分裂電極指)分裂電極指構成。
第六實施例的電路結構最好與第一實施例完全相同,因而可應用對第一實施例的說明,省略詳細描述。
第六與第一實施例的差異在于表面聲波濾波器12的IDT18~20第一部分電極指的波長(即窄指距電極指的波長)約為3.88μm。此外,第六與第一實施例相同。
即在第六實施例中,縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11與12(圖1中示出為兩級垂直連接)中窄指距電極指的波長不同。
圖22中,實線表示第六實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性,虛線表示第一實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的幅值特性。
由圖22可知,按第六實施例,通帶寬度比第一實施例擴展了。此時,第一與第六實施例的VSWR值均約為2.0。因此,第六實施例能擴展通帶寬度而不劣化VSWR。
這樣,在多個表面聲波濾波器級聯(lián)時,通過使表面聲波濾波器各級的窄指距電極指結構有所差異,換言之,通過使表面聲波濾波器至少一級的窄指距電極指結構與該表面聲波濾波器其余各級的電極指結構有所不同,可展寬通帶寬度。
圖23是表示本發(fā)明第七實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器61電極結構的平面圖。本例對應于圖9所示縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器31的修正例,即表面聲波諧振器62作為串級諧振器串聯(lián)在一級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器31的中央IDT14與輸入端之間。
在本發(fā)明各實施例中,表面聲波諧振器可與縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器串接,像本例中那樣。
一般知道,將表面聲波諧振器與縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器串接起來,可擴展通帶外衰減量。然而問題在于,盡管通帶外衰減量增大了,通帶內(nèi)插入損耗卻變大了。
另一方面,本例中由于應用了本發(fā)明各種實施例中上述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,減少了插入損耗的劣化。即通過將表面聲波諧振器62與縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器31串接,在減少通帶內(nèi)插入損耗的同時,能擴展通帶外衰減量,從而獲得較佳的濾波特性。
同樣地,在本發(fā)明各種實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器中,由于大大減小了通帶內(nèi)插入損耗,可將表面聲波諧振器與按本發(fā)明各實施例構制的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器并聯(lián)。此時可減小通帶內(nèi)插入損耗,并且擴展通帶外衰減量。
或者,縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器可以包括串并聯(lián)的表面聲波諧振器。
圖24是表示第八實施例中縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的平面圖。第八實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器71具有與圖9所示縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器同樣的電極結構,不同之處在于圖9的表面聲波濾波器中設置了不平衡輸入一不平衡輸出,而在本例中,中央IDT的一個端子接到輸入端,還設置了端子72,故能從中央IDT的另一端子獲取信號。
近年來,一直希望縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器具有平衡一不平衡變換功能。在圖24的第八實施例中,令端子74為輸入端,端子72與73為輸出端,就能構成不平衡輸入一平衡輸出型濾波器。反之,令端子72與73為輸入端,端子74為輸出端,則可構成平衡輸入一不平衡輸出型濾波器。因此,可提供通常內(nèi)插入損耗小且具有平衡一不平衡變換功能的表面聲波濾波器。圖25~30示出了具有這種平衡一不平衡變換功能的表面聲波濾波器的諸修正例。
構制如圖25所示的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器81,從而能從外側的IDT13和15得到平衡輸入/輸出,并將中央IDT14接至不平衡輸入/輸出端82。
在圖26的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器85中,IDT13與15同IDT14的相位相反,由此實現(xiàn)平衡一不平衡變換功能。
再者,在縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器86中,兩級垂直連接的表面聲波濾波器11與12的IDT18與20的相位相反。將端子87與88接至IDT19,可從IDT19獲得平衡信號。
在圖28的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器91的兩級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11與12中,將得到平衡端一側的表面聲波濾波器12分成兩個表面聲波濾波器92與93,其相交寬度約為表面聲波濾波器11相交寬度的一半。此外,表面聲波濾波器92與93的相位相反。
另外如圖29所示,通過將第二表面聲波濾波器12分為縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器96與97并使IDT13與15的相位同第一表面聲波濾波器1的IDT14相反,可提供在結構上具有兩級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11與12的平衡一不平衡變換功能。
在圖30的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器101中,兩級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器以這樣一種方式并聯(lián),使兩級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器每一個的相交寬度減半,即把縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11分為兩個縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器11A與11B,把縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器12分為縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器12A與12B。
通過在表面聲波濾波器中間將一對表面聲波濾波器的相位反置,可提供平衡一不平衡變換功能。
即如圖25-30所示,以第八實施例同樣的方法可提供具有平衡一不平衡變換功能的表面聲波濾波器,而各種結構可減小插入損耗。
圖31是表示本發(fā)明第九實施例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器電極結構的平面圖。本例的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器111具有與圖8所示縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器同樣的電極結構,不同之處在于設置了端子112~115,以便從所有的IDT13~15獲取信號。
這里由于端子112與115反端子113與114都能獲取信號,故能形成平衡輸入一平衡輸出的表面聲波濾波器。本例中,由于縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器是按本發(fā)明諸實施例構制的,所以也能提供通帶內(nèi)插入損耗小的平衡輸入/輸出型表面聲波濾波器。
圖35是表示通信設備160的框圖,該設備應用了本發(fā)明另一實施例的表面聲波裝置。
圖35中,將基用天線162接至天線161,在共用天線164與放大器165之間接有構成RF級的表面聲波濾波器164與放大器165。此外,把IF級表面聲波濾波器169接至混頻器163。在發(fā)送一側的共用天線162與混頻器166之間,接有構成RF級的放大器167與表面聲波濾波器168。
在上述通信設備160中,可將按本發(fā)明諸實施例構制的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器用作RF級表面波濾波器164、168和169。
上面揭示了本發(fā)明諸實施例,執(zhí)行這里揭示的原理的各種模式都在下述權項范圍內(nèi),因此本發(fā)明的范圍只受到所附權項的限制。
權利要求
1.一種縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于包括壓電基片;及至少三根沿表面聲波傳播方向安置在所述壓電基片上的IDT,每根IDT有多根電極指;其中,在至少三根IDT的至少一根中,在表面聲波傳播方向上與另一IDT邊沿相鄰的第一的電極指周期,與所述至少一根IDT其余部分的第二部分的電極指周期不同,由所述第一與第二部分電極指周期確定的表面聲波波長分別為λI1與λI2。
2.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于所述第一部分的電極指周期短于所述第二部分的電極指周期。
3.如權利要求2所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于所述第一部分的電極指周期約是所述第二部分電極指周期的0.82~0.99倍。
4.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于安置相鄰的一對IDT,使所述第一部分的電極指周期不同于所述第二部分的電極指周期,而所述對的相鄰IDT相鄰電極指間的中心距基本上等于0.5λI1。
5.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于只安置成對相鄰IDT中的一根IDT,使所述第一與第二部分的電極指周期不同,而所述對相鄰的IDT相鄰電極指間的中心距基本上等于0.25λI1+0.25λI2。
6.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于在所述第一與第二部分的電極指周期不同的IDT中,所述第一與第二部分電極指間的中心距在所述第一與第二部分的電極指相鄰的部分中基本上等于0.25λI+0.25λI2。
7.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于包括包括第一與第二部分的IDT相鄰電極指的極性與所述IDT相鄰的IDT的電極指極性不同。
8.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于所述第一部分的電極指總數(shù)在一對相鄰IDT相鄰部分兩側不大于18。
9.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于一對相鄰IDT具有不同周期的電極指間的中心距為(0.08+0.5n)λI2~(0.24+0.5n)λI2(n=1,2,3,……)。
10.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于一對相鄰IDT具有不同周期的電極指間的中心距為(0.13+0.5n)λI2~(0.23+0.5n)λI2(民1,2,3,……)。
11.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于,沿表面聲波濾波器傳播方向相鄰的兩根成對的IDT包括第一與第二部分,兩根IDT第一部分的電極指數(shù)不同。
12.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于,所述壓電基片是相對于X軸沿Y軸方向將LiTaO3單晶旋轉的36~44度得到的。
13.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于所述第一與第二部分電極指的膜厚不同。
14.如權利要求13所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于所述第一部分電極指的膜厚比所述第二部分電極指的膜厚薄。
15.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于所述第一部分的電極指包括一種分裂電極。
16.一種縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于包括安置成限定至少一種兩級連接的權項1的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
17.如權利要求16所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于多級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器中至少一級的所述第一部分的電極指周期與其另一級的所述第一部分的電極指周期不同。
18.如權利要求17所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于所述第一部分的電極指周期在多級縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器的每一級中是不同的。
19.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于將至少一個串接的諧振器和/或并聯(lián)的諧振器接至輸入側和/或輸出側。
20.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于的濾波器被構成具有平衡-不平衡的輸入/輸出。
21.如權利要求1所述的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,其特征在于的濾波器被構成具有平衡-平衡的輸入/輸出。
22.一種通信設備,其特征在于包括用于限定一帶通濾波器的權項1的縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器。
全文摘要
一種縱向耦合的諧振器型表面聲波濾波器,它包括壓電基片和至少三根沿表面聲波傳播方向設置在該壓電基片上的IDT,且每根IDT有多根電極指。在至少一根IDT中,沿表面聲波的傳播方向鄰近另一根IDT邊沿的第一部分的電極指周期,與該IDT其余部分的第二部分的電極指周期不同。
文檔編號H03H9/72GK1325184SQ0111669
公開日2001年12月5日 申請日期2001年4月18日 優(yōu)先權日2000年4月18日
發(fā)明者高峰裕一 申請人:株式會社村田制作所
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