環(huán)繞式svg功率單元結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及高壓靜止性無(wú)功發(fā)生器補(bǔ)償領(lǐng)域，尤其涉及一種SVG功率單元結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，高壓無(wú)功補(bǔ)償SVG的基本組成單元功率單元按照左右順序依次排列，雖然排列簡(jiǎn)單，但造成相互之間連線長(zhǎng)、交錯(cuò)復(fù)雜，不便于裝配維修；觸發(fā)線之間相互交叉連接，不利于干擾的降低；直流電壓支撐母排采用普通銅板連接，直流側(cè)雜散電感較高。功率單元?dú)んw內(nèi)空間利用不充分，造成成本及功率柜體體積增加，生產(chǎn)成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種布局緊湊、內(nèi)部各器件安裝、檢修方便的功率單元結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0004]包括殼體、以及分別設(shè)于殼體內(nèi)的IGBT、IGBT用散熱器、薄膜電容器和驅(qū)動(dòng)大板，IGBT用散熱器位于殼體內(nèi)的中間位置，IGBT和薄膜電容器分別位于IGBT用散熱器的前后兩側(cè)，驅(qū)動(dòng)大板位于IGBT用散熱器的上部，IGBT和薄膜電容器之間通過(guò)復(fù)合母排連接。
[0005]該功率單元內(nèi)部為環(huán)繞式緊湊結(jié)構(gòu)，各器件圍繞IGBT用散熱器進(jìn)行環(huán)繞式布置，每個(gè)器件之間的距離合理選擇匹配，減小了功率單元的整體體積，便于功率單元的生產(chǎn)、儲(chǔ)備、安裝、擴(kuò)展和維修等。
【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1為本實(shí)用新型的外部結(jié)構(gòu)主視圖；
[0007]圖2為圖1中的內(nèi)部結(jié)構(gòu)側(cè)視立體圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0009]如圖1和圖2所示，IGBT用散熱器4位于殼體I內(nèi)的中間位置，IGBT3和薄膜電容器6分別位于IGBT用散熱器4的前后兩側(cè)，驅(qū)動(dòng)大板2位于IGBT用散熱器4的上部，IGBT3和薄膜電容器6之間通過(guò)復(fù)合母排5連接。薄膜電容器6的數(shù)量根據(jù)設(shè)備容量進(jìn)行調(diào)節(jié)，每一部分檢修時(shí)，其余部分均不需要拆除。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種環(huán)繞式SVG功率單元結(jié)構(gòu)，包括殼體(I )、以及分別設(shè)于殼體(I)內(nèi)的IGBT(3)、IGBT用散熱器(4)、薄膜電容器(6)和驅(qū)動(dòng)大板(2)，其特征在于:IGBT用散熱器(4)位于殼體(I)內(nèi)的中間位置，IGBT (3)和薄膜電容器(6)分別位于IGBT用散熱器(4)的前后兩偵牝驅(qū)動(dòng)大板(2)位于IGBT用散熱器(4)的上部，IGBT (3)和薄膜電容器(6)之間通過(guò)復(fù)合母排(5 )連接。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種環(huán)繞式SVG功率單元結(jié)構(gòu)，包括殼體、以及分別設(shè)于殼體內(nèi)的IGBT、IGBT用散熱器、薄膜電容器和驅(qū)動(dòng)大板，IGBT用散熱器位于殼體內(nèi)的中間位置，IGBT和薄膜電容器分別位于IGBT用散熱器的前后兩側(cè)，驅(qū)動(dòng)大板位于IGBT用散熱器的上部，IGBT和薄膜電容器之間通過(guò)復(fù)合母排連接。該功率單元內(nèi)部為環(huán)繞式緊湊結(jié)構(gòu)，各器件圍繞散熱器進(jìn)行環(huán)繞式布置，每個(gè)器件之間的距離合理選擇匹配，減小了功率單元的整體體積，便于功率單元的生產(chǎn)、儲(chǔ)備、安裝、擴(kuò)展和維修等。
【IPC分類】H02J3-18, H02M7-00
【公開(kāi)號(hào)】CN204425195
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520155776
【發(fā)明人】樊得平, 劉繼新, 王開(kāi)青
【申請(qǐng)人】山東泰開(kāi)電力電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月24日
【申請(qǐng)日】2015年3月19日