一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，用以對交流電源進行欠壓保護，該保護電路包括阻容降壓模塊、全波整流模塊、半波整流模塊、電壓檢測驅(qū)動模塊和脫扣電路模塊，所述的交流電源、阻容降壓模塊、全波整流模塊和脫扣電路模塊依次連接，所述的交流電源、半波整流模塊、電壓檢測驅(qū)動模塊和脫扣電路模塊依次連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有簡單、可靠、安全、低成本等優(yōu)點。
【專利說明】
一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種欠壓保護電路，尤其是涉及一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有欠壓保護電路很多，而目前很多欠壓脫扣保護電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，元器件成本太尚O
[0003]如圖2所示，中國專利201020588404.4公開了一種欠壓保護電路，該設(shè)計采用控制電路通斷的控制芯片U2，當電源電壓正常時，U2正常工作，電路有輸出，后續(xù)設(shè)備可以正常運轉(zhuǎn)，當電源欠壓時，U2停止工作，此時沒有輸出，負載端的設(shè)備就停止工作。此電路雖然實現(xiàn)了功能，但采用的控制芯片價格較高，電壓檢測電路相對復(fù)雜，使用元器件比較多，電路的整體成本比較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種簡單、可靠、安全、低成本的阻容降壓式欠壓脫扣保護電路。
[0005]本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0006]一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，用以對交流電源進行欠壓保護，該保護電路包括阻容降壓模塊、全波整流模塊、半波整流模塊、電壓檢測驅(qū)動模塊和脫扣電路模塊，所述的交流電源、阻容降壓模塊、全波整流模塊和脫扣電路模塊依次連接，所述的交流電源、半波整流模塊、電壓檢測驅(qū)動模塊和脫扣電路模塊依次連接。
[0007]所述的阻容降壓模塊包括第一電容、第一電阻和第七電阻，所述的第一電阻和第七電阻串聯(lián)后再與第一電容并聯(lián)，所述的第一電容的設(shè)置在交流電源的第一進線端與全波整流模塊之間。
[0008]所述的全波整流模塊為一由第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管構(gòu)成的整流橋。
[0009]所述的半波整流模塊包括第五二極管，所述的第五二極管正極與交流電源的第一進線端連接，負極與電壓檢測驅(qū)動模塊連接。
[0010]所述的電壓檢測驅(qū)動模塊包括第一分壓支路、第二分壓支路和電壓檢測芯片，所述的第一分壓支路包括第三電阻、第四電阻和第六電阻，所述的第五二極管的負極、第三電阻、第四電阻和地依次連接，所述的第三電阻通過第六電阻與電壓檢測芯片的輸出端連接，所述的第二分壓支路包括第二電阻和第五電阻，所述的第五二極管的負極、第二電阻、第五電阻和地依次連接，所述的電壓檢測芯片的輸入端連接到第二電阻與第五電阻之間，所述的電壓檢測芯片的輸出端與脫扣電路模塊連接。
[0011]所述的脫扣電路模塊包括脫扣線圈、MOSFET管和第六二極管，所述的第六二極管的負極與全波整流模塊連接，正極與MOSFET管的漏極連接，所述的MOSFET管的柵極與電壓檢測芯片的輸出端連接，源極接地，所述的脫扣線圈并聯(lián)在第六二極管兩端。
[0012]所述的保護電路還包括第一壓敏電阻，所述的第一壓敏電阻設(shè)置在交流電源的第一進線端和第二進線端之間，用以防止交流電源電壓過大，保護電路。
[0013]所述的電壓檢測驅(qū)動模塊還包括穩(wěn)壓二極管，所述的穩(wěn)壓二極管負極與電壓檢測芯片的輸出端連接，正極接地。
[0014]所述的脫扣電路模塊還包括第二壓敏電阻，所述的第二壓敏電阻一端與MOSFET管的漏極連接，另一端接地，用以防止MOSFET管漏極和源極兩端電壓過大。
[0015]所述的電壓檢測芯片的型號為HT7050。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0017]本發(fā)明電路采用阻容降壓的方式，使加到脫扣線圈L3上的電壓降低，避免流過線圈的電流過大引起線圈發(fā)熱，同時保護MOSFET管，讓其免受過壓引起的損壞，另外，本發(fā)明電路采用電壓檢測芯片檢測輸入的電壓信號，相比于控制芯片成本低，可靠性和穩(wěn)定性更好，保證了脫扣線圈動作的一致性，是一種簡單可靠的欠壓保護電路。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明的電路原理圖。
[0019]圖2為現(xiàn)有欠壓保護電路的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。
[0021 ] 實施例:
[0022]如圖1所示，本發(fā)明電路是一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，電路包括:阻容降壓模塊、全波整流模塊、半波整流模塊、電壓檢測驅(qū)動模塊和脫扣電路模塊，阻容降壓模塊由第一電阻R1、第七電阻R7和第一電容Cl組成，其中第一電阻Rl和第七電阻R7串聯(lián)，第一電阻Rl的一端連接到第一電容Cl的一端，第七電阻R7—端連接到第一電容Cl另一端，全波整流電路模塊由二極管D1、D2、D3和D4組成，半波整流電路包括第五二極管D5，其中第五二極管D5的陽極連接到電源一端，陰極連接到第二電阻R2和第三電阻R3的公共端；電壓檢測驅(qū)動模塊包括分壓電阻第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5和第六電阻R6，濾波電容C2和C3，電壓檢測芯片U1，穩(wěn)壓二極管Z2，其中第二電阻R2、第五電阻R5和第二電容C2的公共端連接到電壓檢測芯片Ul的2號引腳，R6和Z2的公共端連接到電壓檢測芯片Ul的I號引腳，電壓檢測芯片Ul的3號引腳接地;脫扣電路模塊包括第六二極管D6，脫扣線圈L3，MOSFET管Ql，第二壓敏電阻TV2，其中第六二極管D6陽極連接MOSFET管Ql的漏極，接MOSFET管Ql的電壓檢測芯片Ul的I號引腳，接MOSFET管Ql的源極接地。
[0023]本發(fā)明電路的原理為:380V交流電經(jīng)過第一電阻Rl、第七電阻R7和第一電容Cl阻容降壓后，再通過整流橋Dl，D2，D3，D4整流，連接到MOSFET管Ql上。同時，380V交流電經(jīng)過第五二極管D5進行半波整流后，一路通過電阻第二電阻R2和第五電阻R5進行分壓，連接到電壓檢測芯片Ul的輸入端2腳，另一路電壓信號通過第三電阻R3、第四電阻R4和第六電阻R6分壓后，連接到電壓檢測芯片Ul的輸出端I腳，電壓檢測芯片Ul的I腳連接到MOSFET管Ql的柵極，穩(wěn)壓二極管Z2陰極連接到MOSFET管Ql的柵極，防止MOSFET管Ql柵極電壓過高。當電源電壓正常時，電壓檢測芯片Ul的輸入端電壓大于等于電壓檢測芯片Ul的檢測電壓，電壓檢測芯片Ul輸出高電平，MOSFET管Ql導通，脫扣線圈L3吸合，斷路器正常供電；當交流電源的輸入端的輸入電壓低于欠壓保護電路的欠壓保護設(shè)定值時，電壓檢測芯片Ul的2腳電壓值沒有達到電壓檢測芯片Ul檢測值，電壓檢測芯片Ul輸出低電平，MOSFET管Ql截止，脫扣線圈L3釋放，斷路器就會脫扣，保護設(shè)備免受欠壓帶來的損害。
[0024]本發(fā)明電路成本低，采用普通的電壓檢測芯片就可以實現(xiàn)，且本發(fā)明電路采用阻容降壓方式，對負載和電子元器件都有保護作用，延長了產(chǎn)品的使用壽命。
【主權(quán)項】
1.一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，用以對交流電源進行欠壓保護，其特征在于，該保護電路包括阻容降壓模塊、全波整流模塊、半波整流模塊、電壓檢測驅(qū)動模塊和脫扣電路模塊，所述的交流電源、阻容降壓模塊、全波整流模塊和脫扣電路模塊依次連接，所述的交流電源、半波整流模塊、電壓檢測驅(qū)動模塊和脫扣電路模塊依次連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的阻容降壓模塊包括第一電容(Cl)、第一電阻(Rl)和第七電阻(R7)，所述的第一電阻(Rl)和第七電阻(R7)串聯(lián)后再與第一電容(Cl)并聯(lián)，所述的第一電容(Cl)的設(shè)置在交流電源的第一進線端(LI)與全波整流模塊之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的全波整流模塊為一由第一二極管(Dl)、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)和第四二極管(D4)構(gòu)成的整流橋。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的半波整流模塊包括第五二極管(D5)，所述的第五二極管(D5)正極與交流電源的第一進線端(LI)連接，負極與電壓檢測驅(qū)動模塊連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的電壓檢測驅(qū)動模塊包括第一分壓支路、第二分壓支路和電壓檢測芯片(Ul)，所述的第一分壓支路包括第三電阻(R3)、第四電阻(R4)和第六電阻(R6)，所述的第五二極管(D5)的負極、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)和地依次連接，所述的第三電阻(R3)通過第六電阻(R6)與電壓檢測芯片(Ul)的輸出端連接，所述的第二分壓支路包括第二電阻(R2)和第五電阻(R5)，所述的第五二極管(D5)的負極、第二電阻(R2)、第五電阻(R5)和地依次連接，所述的電壓檢測芯片(Ul)的輸入端連接到第二電阻(R2)與第五電阻(R5)之間，所述的電壓檢測芯片(Ul)的輸出端與脫扣電路模塊連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的脫扣電路模塊包括脫扣線圈(L3)、M0SFET管(Ql)和第六二極管(D6)，所述的第六二極管(D6)的負極與全波整流模塊連接，正極與MOSFET管(Ql)的漏極連接，所述的MOSFET管(Ql)的柵極與電壓檢測芯片(Ul)的輸出端連接，源極接地，所述的脫扣線圈(L3)并聯(lián)在第六二極管(D6)兩端。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的保護電路還包括第一壓敏電阻(TVl)，所述的第一壓敏電阻(TVl)設(shè)置在交流電源的第一進線端(LI)和第二進線端(L2)之間。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的電壓檢測驅(qū)動模塊還包括穩(wěn)壓二極管(Z2)，所述的穩(wěn)壓二極管(Z2)負極與電壓檢測芯片(Ul)的輸出端連接，正極接地。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的脫扣電路模塊還包括第二壓敏電阻(TV2)，所述的第二壓敏電阻(TV2)一端與MOSFET管(Ql)的漏極連接，另一端接地。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種阻容降壓式欠壓脫扣保護電路，其特征在于，所述的電壓檢測芯片(Ul)的型號為HT7050。
【文檔編號】H02H3/24GK106026016SQ201610612818
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月28日
【發(fā)明人】潘秀菊, 李建模, 丁小偉
【申請人】德力西電氣有限公司