同步磁阻電機的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種同步磁阻電機，包括定子和轉(zhuǎn)子，轉(zhuǎn)子具有多個磁通屏障組，多個磁通屏障組中的磁通屏障組兩兩一對沿轉(zhuǎn)子的徑向?qū)ΨQ設置，每個磁通屏障組具有多個磁通屏障，多個磁通屏障沿轉(zhuǎn)子的徑向間隔排列設置，同組內(nèi)的相鄰兩個磁通屏障之間形成導磁通道；同組內(nèi)的相鄰兩個導磁通道的極弧角度的差值與另一對相鄰兩個導磁通道的極弧角度的差值不相等，位于轉(zhuǎn)子的邊緣處的導磁通道的極弧角度與位于轉(zhuǎn)子的邊緣處的磁通屏障的極弧角度的數(shù)值之和小于2倍的且位于轉(zhuǎn)子的邊緣處的導磁通道的極弧角度數(shù)值大于1.5倍的其中，Ns為定子的定子槽數(shù)。本發(fā)明的同步磁阻電機有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中同步磁阻電機存在轉(zhuǎn)矩脈動大的問題。
【專利說明】
同步磁阻電機
技術(shù)領域
[0001] 本發(fā)明設及電機技術(shù)領域，具體而言，設及一種同步磁阻電機。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)W及公開的專利中，為了優(yōu)化同步磁阻電機，均在同步磁阻電機的轉(zhuǎn)子 中，對其導磁通道的極弧角度進行優(yōu)化限定，而且還會設及定子齒數(shù)、導磁通道層數(shù)等數(shù) 據(jù)。但是現(xiàn)有技術(shù)中同步磁阻電機對于導磁通道的限定定義多不準確，導致同步磁阻電機 仍存在轉(zhuǎn)矩脈動大的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明實施例中提供一種同步磁阻電機，W解決現(xiàn)有技術(shù)中同步磁阻電機存在轉(zhuǎn) 矩脈動大的問題。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種同步磁阻電機，包括定子和轉(zhuǎn)子，定子具 有轉(zhuǎn)子容納腔，轉(zhuǎn)子設置在轉(zhuǎn)子容納腔內(nèi)，轉(zhuǎn)子具有多個磁通屏障組，多個磁通屏障組中的 磁通屏障組兩兩一對沿轉(zhuǎn)子的徑向?qū)ΨQ設置，每個磁通屏障組具有多個磁通屏障，多個磁 通屏障沿轉(zhuǎn)子的徑向間隔排列設置，同組內(nèi)的相鄰兩個磁通屏障之間形成導磁通道；
[0005] 同組內(nèi)的相鄰兩個導磁通道的極弧角度的差值與另一對相鄰兩個導磁通道的極 弧角度的差值不相等，位于轉(zhuǎn)子的邊緣處的導磁通道的極弧角度與位于轉(zhuǎn)子的邊緣處的磁 通屏障的極弧角度的數(shù)值之和小于2倍的且位于轉(zhuǎn)子的邊緣處的導磁通道的極弧角 度數(shù)值大于1.5倍的其中，Ns為定子的定子槽數(shù)。
[0006] 進一步地，定子的遠離轉(zhuǎn)子一側(cè)的外周緣處設置有等間隔排列的多個切邊。
[0007] 進一步地，磁通屏障組的數(shù)量為Μ個，切邊數(shù)量為Q個，Μ與Q的公倍數(shù)大于Μ與的公 倍數(shù)，且Μ與Q的公倍數(shù)大于Μ與的公倍數(shù)。
[000引進一步地，定子槽的數(shù)量為Ns，磁通屏障組的數(shù)量為Μ個，Μ個磁通屏障組為Ρ對，每 個磁通屏障組對應有W個定子的齒，并形成了 R個導磁通道，同組內(nèi)的導磁通道的極弧角度τ 如公式一或公式二計算得到，

[0011] 其中 δ為調(diào)整角，δ大于等于-1.5度且小于等 > 于+1.5度;τι為同組內(nèi)的處于靠近轉(zhuǎn)子的中屯、位置的導磁通道的極弧角度;~中的k為整數(shù) 并大于1，且隨著k值的增大~對應的導磁通道的底部越靠近轉(zhuǎn)子的邊緣側(cè);Tmin為同組內(nèi)位 于轉(zhuǎn)子的邊緣處的導磁通道的極弧角度
其中A τ為靠近 轉(zhuǎn)子邊緣處的磁通屏障端部的角度，A τ的取值為：
[0012] 進一步地，當
為非整數(shù)時，同組內(nèi)的導磁通道的個數(shù)的計算公式為：
由計算公式得到的值舍去小數(shù)并取整。
[0013] 進一步地，當
％整數(shù)時，同組內(nèi)的導磁通道的個數(shù)的計算公式為
由計算公式得到的值舍去小數(shù)并取整。
[0014] 進一步地，導磁通道在轉(zhuǎn)子圓周上確認出兩個參考點，兩個參考點位于同一切面 內(nèi)，兩個參考點分別與切面的圓屯、之間連線的夾角角度為導磁通道的極弧角度。
[0015] 進一步地，兩個參考點包括第一參考點和第二參考點，導磁通道兩側(cè)的磁通屏障 的端部為具有氣隙的開口，導磁通道在轉(zhuǎn)子圓周邊緣上距離兩個開口最近的兩個點，兩個 點連線的中點作為第一參考點；在導磁通道徑向?qū)ΨQ的另一個導磁通道上進行與第一參考 點進行同樣的取點，獲得第二參考點。
[0016] 進一步地，兩個參考點包括第一參考點和第二參考點，導磁通道兩側(cè)的磁通屏障 端部具有和轉(zhuǎn)子的鐵忍連接的徑向肋板，徑向肋板最小寬度的等厚部分的兩端在切面處具 有兩個標記點，兩個標記點的中屯、為第一參考點；在導磁通道徑向?qū)ΨQ的另一個導磁通道 上進行與第一參考點進行同樣的取點，獲得第二參考點。
[0017] 進一步地，同步磁阻電機為非永磁同步電機。
[0018] 應用本發(fā)明的技術(shù)方案，使同步磁阻電機在運行時，各層的導磁通道能夠輪流出 力，轉(zhuǎn)矩脈動才更小，從而有效降低了同步磁阻電機的轉(zhuǎn)矩脈動。而且提高了同步磁阻電機 的運行可靠性和穩(wěn)定性，優(yōu)化了同步磁阻電機的輸出性能。
【附圖說明】
[0019] 圖1是本發(fā)明實施例的同步磁阻電機的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖2是本發(fā)明實施例的同步磁阻電機的轉(zhuǎn)子的其中一種結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0021] 圖3是本發(fā)明實施例的同步磁阻電機的轉(zhuǎn)子的另外一種結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0022] 圖4是同步磁阻電機的極弧角度的參考點定義的示意圖；
[0023] 圖5是Tmin和Δ τ角度的示意圖；
[0024] 圖6是不同Tmin下轉(zhuǎn)矩脈動隨Δ τ的影響的示意圖。
[00劇附圖標記說明：
[00%] 1、定子；101、齒部；102、輛部；103、定子槽；104、切邊；1011、極靴;2、轉(zhuǎn)子;201、磁 通屏障;202、導磁通道;203、徑向肋板;204、軸孔;205、圓周肋。
【具體實施方式】
[0027] 下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限 定。
[0028] 參見圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種同步磁阻電機，需要說明的是，本 實施例中的同步磁阻電機并非是永磁同步磁阻電機(永磁同步電機的一種），也不包含任何 的永磁特征。同步磁阻電機包括定子1和轉(zhuǎn)子2，定子1具有轉(zhuǎn)子容納腔，轉(zhuǎn)子2設置在轉(zhuǎn)子2 容納腔內(nèi)，轉(zhuǎn)子2具有多個磁通屏障組201，多個磁通屏障組201中的磁通屏障組201兩兩一 對沿轉(zhuǎn)子2的徑向?qū)ΨQ設置，每個磁通屏障組201具有多個磁通屏障，多個磁通屏障沿轉(zhuǎn)子2 的徑向間隔排列設置，同組內(nèi)的相鄰兩個磁通屏障之間形成導磁通道202。
[0029] 同組內(nèi)的相鄰兩個導磁通道202的極弧角度的差值與另一對相鄰兩個導磁通道 202的極弧角度的差值不相等，位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處的導磁通道202的極弧角度與位于轉(zhuǎn)子2 2x π 的邊緣處的磁通屏障的極弧角度的數(shù)值之和小于2倍的且位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處的導 氣乂 7C 磁通道202的極弧角度數(shù)值大于1.5倍的其中，化為定子1的定子槽103數(shù)。 S，
[0030] 由于采用了位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處的導磁通道202的極弧角度與位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處 的磁通屏障的極弧角度的數(shù)值之和小于2倍的且位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處的導磁通道202 的極弧角度數(shù)值大于1.5倍的同組內(nèi)的相鄰兩個導磁通道202的極弧角度τ的差值與 丄> ， 另一對相鄰兩個導磁通道202的極弧角度τ的差值不相等，W使同步磁阻電機在運行時，各 層的導磁通道202能夠輪流出力，轉(zhuǎn)矩脈動才更小，從而有效降低了同步磁阻電機的轉(zhuǎn)矩脈 動。而且提高了同步磁阻電機的運行可靠性和穩(wěn)定性，優(yōu)化了同步磁阻電機的輸出性能。
[0031] 定子1的遠離轉(zhuǎn)子2-側(cè)的外周緣處設置有等間隔排列的多個切邊104。同時，磁通 屏障組201的數(shù)量為Μ個，切邊104數(shù)量為Q個，Μ與Q的公倍數(shù)大于Μ與Q-1的公倍數(shù)，且Μ與Q的 公倍數(shù)大于Μ與Q+1的公倍數(shù)。如Μ值為5，Q值為6,那么Μ與Q的公倍數(shù)則為30,運兩個取值可 W滿足上述的條件。通過設置切邊104均等間隔排列W及磁通屏障組201的數(shù)量與切邊的關 系，運樣能夠緩和切邊引起的定子輛部飽和，降低輛部飽和引起的轉(zhuǎn)矩脈動。此處綜合W上 對極弧角度的設定，本實施例的同步磁阻電機轉(zhuǎn)矩脈動系數(shù){(最大轉(zhuǎn)矩-最小轉(zhuǎn)矩)/平均 轉(zhuǎn)矩}可降低至10%。
[0032] 需要說明的是，同步磁阻電機為非永磁同步電機。同時參見圖1，定子1包括齒部 101、輛部102和極靴1011，轉(zhuǎn)子具有軸孔204,轉(zhuǎn)子的外邊緣形成有圓周肋205,定子槽磁通 屏障組201中具有多個磁通屏障，圖1中示出了3個沿徑向間隔排列的磁通屏障2011、磁通屏 障2012W及磁通屏障2013,磁通屏障通常由縷空的空氣槽構(gòu)成，或由其他不導磁材料填充 于槽內(nèi)構(gòu)成，位于兩個導磁通道之間，起到產(chǎn)生凸極比的作用。圖1還示出了4個間隔排列的 導磁通道，分別是導磁通道部分2021、導磁通道部分2022、導磁通道部分2023 W及導磁通道 部分2024,導磁通道部分（導磁通道部分即為導磁通道，此處僅用于區(qū)分開標注關系）由導 磁材料構(gòu)成，位于兩個縷空的磁通屏障之間，起到導磁的作用。
[0033] 轉(zhuǎn)子的多個導磁通道通過圓周肋205、徑向肋203連接為一個整體，在滿足轉(zhuǎn)子機 械強度要求下應當盡量的薄;優(yōu)選的圓周肋205寬度Wr化-t取值為1.0~0.5mm;徑向肋203 寬度Wrib-n取值為0.8~1.5mm;通常，圓周肋205是必須考慮的，徑向肋（203)可W不予考 慮，當采用軸向疊片工藝時，圓周肋205和徑向肋203可W不用存在。
[0034] 進一步優(yōu)選地，定子槽103的數(shù)量為化，磁通屏障組201的數(shù)量為Μ個，Μ個磁通屏障 組201為Ρ對(Μ=2Ρ)，每個磁通屏障組201對應有W個定子1的齒，并形成了 R個導磁通道202， 同組內(nèi)的導磁通道202的極弧角度τ如公式一或公式二計算得到，
[0037] 其中
δ為調(diào)整角，δ大于等于-1.5度且小于等 于+1.5度；τι為同組內(nèi)的處于靠近轉(zhuǎn)子2的中屯、位置的導磁通道202的極弧角度;~中的k為 整數(shù)并大于1，且隨著k值的增大~對應的導磁通道202的底部越靠近轉(zhuǎn)子2的邊緣側(cè)；
[003引Tmin為同組內(nèi)位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處的導磁通道202的極弧角度，
其中A τ為靠近轉(zhuǎn)子2邊緣處的磁通屏障端部的角度， Δτ的取值為；
。圖5示出了Tmin和A τ的位置。
[0039] 至
％非整數(shù)時，同組內(nèi)的導磁通道202的個數(shù)的計算公式為：
由計算公式得到的值舍去小數(shù)并取整。
[0040] 當；
為整數(shù)時，同組內(nèi)的導磁通道202的個數(shù)的計算公式為
由計算 公式得到的值舍去小數(shù)并取整。其中D軸（圖1中所示)記為第一導磁通道。參見圖1，定義相 鄰的磁通屏障組對稱線為D軸，磁通屏障組的對稱線為Q軸，此時，由于導磁通道導磁特性 好，將磁路進行引導，可W認為主磁通是沿著D軸進入轉(zhuǎn)子的，而Q軸的磁阻大，通過的磁通 很小。
[0041] 由于各層導磁通道的極弧在齒槽相對的基礎上，再增加 δ調(diào)整角，保證了低轉(zhuǎn)矩脈 動的同時，相對于齒齒相對的情況下，使得最大磁密降低，同時S調(diào)整角的存在使得每個導 磁通道輪流出力，定子部分磁密波動減少，而鐵損同最大磁密的平方呈正比，因此低鐵損較 常規(guī)同步磁阻電機降低30% W上。需要說明的是，齒齒相對，指的是定子的齒部和轉(zhuǎn)子的導 磁通道的兩端在某一時刻是同時對齊的。齒槽相對，指的是任何時刻，轉(zhuǎn)子導磁通道的兩端 同定子的兩個齒不可能同時對齊。比如τι就是齒齒相對的情況，但是由于對稱結(jié)構(gòu)無法改 變，其他層的極弧可W自由設計，因此設計為非齒齒相對，有利于減小磁密波動，降低鐵損。
[0042] W上所述的導磁通道或磁通屏障的極弧角度指的是導磁通道或磁通屏障在轉(zhuǎn)子 圓周上的兩個端點同轉(zhuǎn)子圓屯、連線形成的角度，該端點需要明確的定義，運樣，W上關于極 弧角度的定義在實際使用過程中才更加有意義；
[0043] 導磁通道202在轉(zhuǎn)子2圓周上確認出兩個參考點，兩個參考點位于同一切面內(nèi)，兩 個參考點分別與切面的圓屯、之間連線的夾角角度為導磁通道202的極弧角度。兩個參考點 包括第一參考點和第二參考點，導磁通道202兩側(cè)的磁通屏障的端部為具有氣隙的開口，導 磁通道202在轉(zhuǎn)子2圓周邊緣上距離兩個開口最近的兩個點，兩個點連線的中點作為第一參 考點。在導磁通道202徑向?qū)ΨQ的另一個導磁通道202上進行與第一參考點進行同樣的取 點，獲得第二參考點。參見圖4,參考線1為原有導磁通道邊界;參考線2為通過更改倒角后形 成的導磁通道邊界;參考點Ρ1為原有導磁通道邊界中屯、線形成的參考點；參考點Ρ2為通過 更改倒角后形成的導磁通道邊界中屯、線形成的參考點，參考點Ρ2即為上述的第一參考點， 參考點Ρ2'為與參考點Ρ2同樣取點后對應的第二參考點。本領域?qū)I(yè)技術(shù)人員均認知到，磁 拉力是在轉(zhuǎn)子表面產(chǎn)生的，因此，導磁通道極弧角度的定義為轉(zhuǎn)子外表面上的導磁通道中 點是有效的。
[0044] W上的極弧角度是在磁通屏障的端部倒角取正常值，如R0.5或R0.別寸，進行的極 弧設計，當然可W通過倒角的增加或減小，只要保證切向肋等厚段的起始點在圓周的位置 上不變，W獲得相同的等厚段切向肋在圓周上的位置，而此時導磁通道的兩個臂所在位置 是不同的。當然運樣的定義應當也認為是同前者在技術(shù)效果上是等效的。
[0045] 在Tmin取上限值時，Δ τ的取值必須較小，當否則，仍然沒有較好的降低轉(zhuǎn)矩脈動效 果;該前提下較優(yōu)的A τ范圍是不同的;或者說Tmin和Δτ共同決定了轉(zhuǎn)矩脈動系數(shù)，從圖6中 可W看出：
[0046] 當Tmin取值為接巧
能獲得較優(yōu)轉(zhuǎn)矩脈動的A τ的取值范圍很小。
[0047] 當Tmin取值為接近
-時，能獲得較優(yōu)轉(zhuǎn)矩脈動的A τ的取值范圍較寬。
[004引由上可得
是轉(zhuǎn)矩脈動較小范圍的上限。
[0049] 相同的A τ下，Tmin的最優(yōu)取值是介3
t間的。
[0050] 位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處的磁通屏障為除氣隙外，距離轉(zhuǎn)子Q軸（圖1所示出）最近的一 個磁通屏障，沿轉(zhuǎn)子表面，其和Q軸之間存在最外層的導磁通道。位于轉(zhuǎn)子2的邊緣處的磁通 屏障的末端W開口（如圖2)或者切向肋（如圖3)的形式存在。最外層導磁通道的極弧Tmin的 參考點為該切向肋等厚或開口段靠近Q軸的一個點，當切向肋存在最窄點是，即按該最窄點 取值。A τ的兩個參考點為等厚段或者開口段的始末端。當存在最窄處時，Δ τ可按0取值。如 圖2所示，圓周具有缺口形狀的轉(zhuǎn)子，認為其缺口是同氣隙連通的，等效為氣隙。
[0051] 在另外一種實施例中，轉(zhuǎn)子的結(jié)構(gòu)與上述實施例的結(jié)構(gòu)不同，結(jié)構(gòu)不同為導磁通 道兩側(cè)的磁通屏障的端部具有和鐵忍一體的徑向肋板，那么對于極弧角度兩個參考點的確 認也具有不同的取點，當導磁通道兩側(cè)的磁通屏障的端部具有和鐵忍一體的徑向肋板，存 在最薄處時，該參考點即為最薄處，當該徑向肋板存在一段等厚的寬度時，首先將該切向肋 段等厚部分的兩端定義為等厚段始末的標記點，導磁通道的極弧在圓周上的參考點即為相 鄰兩個標記點的中屯、;另一個參考點同樣獲得。
[0052] 在該實施例中，兩個參考點包括第一參考點和第二參考點，導磁通道202兩側(cè)的磁 通屏障端部具有和轉(zhuǎn)子2的鐵忍連接的徑向肋板203,徑向肋板203最小寬度的等厚部分的 兩端在切面處具有兩個標記點，兩個標記點的中屯、為第一參考點;在導磁通道202徑向?qū)ΨQ 的另一個導磁通道202上進行與第一參考點進行同樣的取點，獲得第二參考點。
[0053] W上說明的均是導磁通道確認參考點，由于磁通屏障與導磁通道均是相鄰設置， 且相互形成，所W確定磁通屏障的極弧所需要的圓周上的兩個參考點與上述的方式基本相 同，磁通屏障末端的參考點根據(jù)磁通屏障的不同形式分別定義如下：當磁通屏障的兩端是 開口面向氣隙時，所述的磁通屏障中屯、為該開口的中屯、，當磁通屏障的兩端為具有徑向肋 板結(jié)構(gòu)時，所述磁通屏障的中屯、為該切線肋板的最窄處，不存在最窄處，有一定的等厚段 時，即為等厚肋板段的中間位置。
[0054] 需要注意的是，運里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實施方式】，而非意圖限制根 據(jù)本申請的示例性實施方式。如在運里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式 也意圖包括復數(shù)形式，此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術(shù)語"包含"和/或"包 括"時，其指明存在特征、步驟、工作、器件、組件和/或它們的組合。
[0055] 需要說明的是，本申請的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語"第一"、"第 二"等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應該理解運樣使用 的數(shù)據(jù)在適當情況下可W互換，W便運里描述的本申請的實施方式能夠W除了在運里圖示 或描述的那些W外的順序?qū)嵤?br>[0056] 當然，W上是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。應當指出，對于本技術(shù)領域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明基本原理的前提下，還可W做出若干改進和潤飾，運些改進和潤飾也 視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種同步磁阻電機，其特征在于，包括定子（1)和轉(zhuǎn)子(2)，所述定子（1)具有轉(zhuǎn)子(2) 容納腔，所述轉(zhuǎn)子（2)設置在所述轉(zhuǎn)子（2)容納腔內(nèi)，所述轉(zhuǎn)子（2)具有多個磁通屏障組 (201)，所述多個磁通屏障組(201)中的所述磁通屏障組(201)兩兩一對沿所述轉(zhuǎn)子(2)的徑 向?qū)ΨQ設置，每個所述磁通屏障組(201)具有多個磁通屏障，多個所述磁通屏障沿所述轉(zhuǎn)子 (2)的徑向間隔排列設置，同組內(nèi)的相鄰兩個所述磁通屏障之間形成導磁通道(202); 同組內(nèi)的相鄰兩個所述導磁通道(202)的極弧角度的差值與另一對相鄰兩個所述導磁 通道(202)的極弧角度的差值不相等，位于所述轉(zhuǎn)子(2)的邊緣處的所述導磁通道(202)的 極弧角度與位于所述轉(zhuǎn)子(2)的邊緣處的所述磁通屏障的極弧角度的數(shù)值之和小于2倍的 且位于所述轉(zhuǎn)子（2)的邊緣處的所述導磁通道（202)的極弧角度數(shù)值大于1.5倍的 5 ，. N -其中，Ns為所述定子(1)的定子槽(103)數(shù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步磁阻電機，其特征在于，所述定子(1)的遠離所述轉(zhuǎn)子(2) 一側(cè)的外周緣處設置有等間隔排列的多個切邊(104)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的同步磁阻電機，其特征在于，所述磁通屏障組(201)的數(shù)量為Μ 個，所述切邊(104)數(shù)量為Q個，Μ與Q的公倍數(shù)大于Μ與(Q-1)的公倍數(shù)，且Μ與Q的公倍數(shù)大于 Μ與(Q+1)的公倍數(shù)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步磁阻電機，其特征在于，所述定子槽（103)的數(shù)量為Ns，所 述磁通屏障組（201)的數(shù)量為Μ個，Μ個所述磁通屏障組（201)為P對，每個所述磁通屏障組 (201) 對應有W個定子（1)的齒，并形成了R個所述導磁通道（202)，同組內(nèi)的所述導磁通道 (202) 的極弧角度τ如公式一或公式二計算得到，其中 S為調(diào)整角，δ大于等于-1.5度且小于等于+ ·' .， 1.5度;τι為同組內(nèi)的處于靠近轉(zhuǎn)子(2)的中心位置的所述導磁通道(202)的極弧角度;^中 的k為整數(shù)并大于1，且隨著k值的增大^對應的導磁通道(202)的底部越靠近轉(zhuǎn)子(2)的邊 緣側(cè)； hin為同組內(nèi)位于所述轉(zhuǎn)子（2)的邊緣處的所述導磁通道（ 202 )的極弧角度，其中Α τ為靠近所述轉(zhuǎn)子(2)邊緣處的所述磁通屏障端部的 角度，△ τ的取值為5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的同步磁阻電機，其特征在于，當為非整數(shù)時，同組內(nèi)的 所述導磁通道(202)的個數(shù)的計算公式為：由計算公式得到的值舍去小數(shù)并取 心， 整。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的同步磁阻電機，其特征在于，當為整數(shù)時，同組內(nèi)的所 述導磁通道(202)的個數(shù)的計算公式為由計算公式得到的值舍去小數(shù)并取整。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步磁阻電機，其特征在于，所述導磁通道(202)在所述轉(zhuǎn)子 (2)圓周上確認出兩個參考點，兩個參考點位于同一切面內(nèi)，兩個參考點分別與所述切面的 圓心之間連線的夾角角度為所述導磁通道(202)的極弧角度。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的同步磁阻電機，其特征在于，所述兩個參考點包括第一參考點 和第二參考點，所述導磁通道(202)兩側(cè)的磁通屏障的端部為具有氣隙的開口，所述導磁通 道(202)在所述轉(zhuǎn)子(2)圓周邊緣上距離兩個所述開口最近的兩個點，兩個點連線的中點作 為第一參考點； 在所述導磁通道(202)徑向?qū)ΨQ的另一個導磁通道(202)上進行與所述第一參考點進 行同樣的取點，獲得第二參考點。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的同步磁阻電機，其特征在于，所述兩個參考點包括第一參考點 和第二參考點， 所述導磁通道(202)兩側(cè)的磁通屏障端部具有和所述轉(zhuǎn)子(2)的鐵芯連接的徑向肋板 (203)，所述徑向肋板(203)最小寬度的等厚部分的兩端在切面處具有兩個標記點，兩個標 記點的中心為第一參考點； 在所述導磁通道(202)徑向?qū)ΨQ的另一個導磁通道(202)上進行與所述第一參考點進 行同樣的取點，獲得第二參考點。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的同步磁阻電機，其特征在于，所述同步磁阻電機為非永磁同 步電機。
【文檔編號】H02K29/03GK105871160SQ201610344126
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年5月20日
【發(fā)明人】童童, 胡余生, 陳彬, 盧素華
【申請人】珠海格力節(jié)能環(huán)保制冷技術(shù)研究中心有限公司