一種溫度檢測(cè)、保護(hù)電路及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N溫度檢測(cè)、保護(hù)電路及系統(tǒng)，包括：溫度采集電路和集成芯片，集成芯片包括開關(guān)控制電路、電源提供電路、第一分壓電路、第二分壓電路和比較電路，溫度采集電路的一端與待測(cè)電芯的溫度采樣點(diǎn)相連、另一端經(jīng)開關(guān)控制電路與第一分壓電路的一端連接，第一分壓電路的另一端和第二分壓電路的一端均與電源提供電路的一端相連，第二分壓電路的另一端與比較電路相連，開關(guān)控制電路與第一分壓電路相連的一端與比較電路連接。本申請(qǐng)將電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供外置電源驅(qū)動(dòng)管腳，且通過(guò)兩條電路對(duì)電源提供電路的輸出進(jìn)行分壓，第二分壓電路產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供外置參考電壓管腳，減少了芯片管腳的占用。
【專利說(shuō)明】
-種溫度檢測(cè)、保護(hù)電路及系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本申請(qǐng)?jiān)O(shè)及電池保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種溫度檢測(cè)、保護(hù)電路及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 由裡元素制成的裡離子電池具有放電電流大、內(nèi)阻低、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，目前已被廣 泛使用。但裡離子電池在使用過(guò)程中嚴(yán)禁過(guò)充電、過(guò)放電和短路，否則會(huì)引起電池壽命縮 短、起火或爆炸等事故，因此，可充型裡電池通常會(huì)連接一塊充放電保護(hù)電路板來(lái)保護(hù)電忍 的安全。
[0003] 多節(jié)電池保護(hù)電路通常對(duì)電池實(shí)現(xiàn)各種保護(hù)功能，例如:充電過(guò)壓保護(hù)、放電過(guò)壓 保護(hù)、放電過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)等。當(dāng)電忍溫度異常時(shí)，也進(jìn)行保護(hù)控制，將進(jìn)一步提高裡電 池的安全性。例如電忍溫度超過(guò)70°C或低于-10°C禁止放電；當(dāng)電忍溫度超過(guò)60°C或低于0 °C禁止充電。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中的多節(jié)電池保護(hù)電路需要為每一個(gè)電忍的溫度檢測(cè)提供一個(gè)電源驅(qū) 動(dòng)管腳和參考電壓管腳，在進(jìn)行多節(jié)電忍的溫度檢測(cè)和保護(hù)時(shí)，所需要的管腳數(shù)目較多。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)不足在于：
[0006] 每一個(gè)電忍的溫度檢測(cè)都需要占用一個(gè)電源驅(qū)動(dòng)管腳和參考電壓管腳，導(dǎo)致多節(jié) 電忍的保護(hù)電路所占用的忍片管腳較多。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本申請(qǐng)實(shí)施例提出了一種溫度檢測(cè)、保護(hù)電路及系統(tǒng)，W解決現(xiàn)有技術(shù)中每一個(gè) 電忍的溫度檢測(cè)都需要占用一個(gè)電源驅(qū)動(dòng)管腳和參考電壓管腳，導(dǎo)致多節(jié)電忍的保護(hù)電路 所占用的忍片管腳較多的技術(shù)問(wèn)題。
[000引第一個(gè)方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種溫度檢測(cè)電路，包括:溫度采集電路和集成 忍片，所述集成忍片包括開關(guān)控制電路、電源提供電路、第一分壓電路、第二分壓電路和比 較電路，所述溫度采集電路用于對(duì)待測(cè)電忍進(jìn)行溫度采樣，所述溫度采集電路的第二端經(jīng) 所述開關(guān)控制電路與第一分壓電路的第一端連接，所述第一分壓電路的第二端和所述第二 分壓電路的第一端均與所述電源提供電路的第一端相連，所述第二分壓電路的第二端輸出 內(nèi)部參考電壓與所述比較電路相連，所述開關(guān)控制電路與第一分壓電路相連的一端作為溫 度檢測(cè)端與所述比較電路連接。
[0009] 第二個(gè)方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提出了一種溫度保護(hù)電路，包括上述溫度檢測(cè)電路、開 關(guān)保護(hù)電路和位于所述集成忍片內(nèi)的邏輯控制器件，所述多個(gè)比較器的輸出端均與所述邏 輯控制器件相連，所述邏輯控制器件的輸出端與所述開關(guān)保護(hù)電路相連，所述開關(guān)保護(hù)電 路與所述溫度采集電路的第一端和所述第二分壓電路的第二端相連。
[0010] 第=個(gè)方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提出了一種溫度保護(hù)系統(tǒng)，包括上述溫度保護(hù)電路W 及多節(jié)串聯(lián)的電忍，其中，所述電源提供電路的第二端與多節(jié)串聯(lián)電忍的正極相連并連接 于第一外部連接端，所述溫度采集電路的第一端和所述第二分壓電路的第二端均與所述多 節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極相連。
[0011] 有益效果如下：
[0012] 由于本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的技術(shù)方案，將電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置，在集成忍片內(nèi)包括電源 提供電路，第一分壓電路和第二分壓電路分別對(duì)所述電源提供電路輸出的電壓進(jìn)行分壓， 所述電源提供電路的一個(gè)分支（即第一分壓電路)經(jīng)開關(guān)控制電路與外置的溫度采集電路 相連，所述外置的溫度采集電路只需通過(guò)開關(guān)控制電路分時(shí)復(fù)用所述第一分壓電路即可獲 得電源，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供外置電源驅(qū)動(dòng)管腳，而且，所述電源提供電路的另一個(gè) 分支（即第二分壓電路)可W產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供額外的參考電 壓輸入管腳，從而可W大大減少忍片管腳的占用。
【附圖說(shuō)明】
[0013] 下面將參照附圖描述本申請(qǐng)的具體實(shí)施例，其中：
[0014] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中多節(jié)電忍溫度保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[001引圖2示出了本申請(qǐng)實(shí)施例一中溫度檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖3示出了本申請(qǐng)實(shí)施例二中溫度檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖4示出了本申請(qǐng)實(shí)施例S中溫度保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖5示出了本申請(qǐng)實(shí)施例四中溫度保護(hù)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖6示出了本申請(qǐng)實(shí)施例六中多電忍溫度保護(hù)系統(tǒng)的具體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖7示出了本申請(qǐng)實(shí)施例屯中多電忍溫度檢測(cè)方法實(shí)施的流程示意圖；
[0021] 圖8示出了本申請(qǐng)實(shí)施例八中多電忍溫度保護(hù)方法實(shí)施的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 為了使本申請(qǐng)的技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，W下結(jié)合附圖對(duì)本申請(qǐng)的示例性 實(shí)施例進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)的一部分實(shí)施例，而不是 所有實(shí)施例的窮舉。并且在不沖突的情況下，本說(shuō)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可W互 相結(jié)合。
[0023] 發(fā)明人在發(fā)明過(guò)程中注意到：
[0024] 在現(xiàn)有技術(shù)中，每個(gè)電忍的溫度檢測(cè)所需要的電源為外置電源驅(qū)動(dòng)，都需要占用 電忍保護(hù)忍片的一個(gè)管腳;此外，每個(gè)電忍的溫度檢測(cè)所需要的參考電壓為外置輸入?yún)⒖?電壓，也都需要占用電忍保護(hù)忍片的一個(gè)額外管腳。
[0025] 因此，為每一個(gè)電忍的溫度檢測(cè)都要提供一個(gè)電源驅(qū)動(dòng)管腳和參考電壓管腳，對(duì) 于多節(jié)電忍溫度檢測(cè)和保護(hù)功能的電路則需要更多的管腳數(shù)目。
[0026] 除此之外，現(xiàn)有技術(shù)中為每一個(gè)電忍都要提供一個(gè)外部電阻，所需忍片外部的元 件數(shù)量較多。
[0027] 下面WS節(jié)電忍的溫度保護(hù)電路進(jìn)行說(shuō)明。
[0028] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中多節(jié)電忍溫度保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，虛線框指 電忍保護(hù)忍片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與虛線框相交的節(jié)點(diǎn)處為管腳，圖1中包括S節(jié)電忍BATAi~BATA3， 為BATAi的溫度檢測(cè)提供了外部電阻化和溫敏電阻RNi(第一個(gè)管腳），為BATA2的溫度檢測(cè)提 供了外部電阻R2和溫敏電阻RN2(第二個(gè)管腳），為BATA3的溫度檢測(cè)提供了外部電阻R3和溫 敏電阻RN3(第S個(gè)管腳），為BATAi的溫度檢測(cè)還提供了一個(gè)外置輸入?yún)⒖茧妷篤Ri(第四個(gè) 管腳），為BATA2的溫度檢測(cè)還提供了一個(gè)外置輸入?yún)⒖茧妷篤R2(第五個(gè)管腳），為BATA3的溫 度檢測(cè)還提供了一個(gè)外置輸入?yún)⒖茧妷篤R3(第六個(gè)管腳）。
[0029] 由上可知，=節(jié)電忍的溫度保護(hù)電路至少需要6個(gè)用于溫度檢測(cè)的管腳，隨著電忍 的數(shù)量的增多，為溫度檢測(cè)所需的忍片管腳數(shù)量則成倍增長(zhǎng)，占用了較多的忍片管腳;而且 =節(jié)電忍的溫度保護(hù)電路至少需要3個(gè)外部電阻，在電忍數(shù)量增多時(shí)，所需忍片外部的元件 數(shù)目也較多。
[0030] 針對(duì)上述不足，本申請(qǐng)實(shí)施例提出了一種溫度檢測(cè)、保護(hù)電路及系統(tǒng)，將電源驅(qū)動(dòng) 內(nèi)置，無(wú)需為每個(gè)電忍提供一個(gè)管腳，并通過(guò)將內(nèi)置的電源驅(qū)動(dòng)電壓，采用內(nèi)置電阻分壓產(chǎn) 生參考電壓，無(wú)需為每個(gè)電忍提供額外的管腳來(lái)外置輸入?yún)⒖茧妷骸?br>[0031] 采用本申請(qǐng)的技術(shù)方案，占用忍片管腳較少，為每個(gè)電忍的溫度檢測(cè)只需提供一 個(gè)忍片管腳，而且，所需忍片外部的元件數(shù)目較少，為每個(gè)電忍的溫度檢測(cè)只需一個(gè)溫敏電 阻，即可實(shí)現(xiàn)溫度檢測(cè)和保護(hù)功能。
[0032] 為了便于本申請(qǐng)的實(shí)施，下面結(jié)合具體實(shí)施例方式對(duì)本申請(qǐng)所提供的多節(jié)電忍溫 度檢測(cè)、保護(hù)電路及系統(tǒng)、方法進(jìn)行說(shuō)明。
[003；3]實(shí)施例一、
[0034] 圖2示出了本申請(qǐng)實(shí)施例一中溫度檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，所述溫度檢 測(cè)電路可W包括:溫度采集電路和集成忍片，所述集成忍片可W包括開關(guān)控制電路、電源提 供電路、第一分壓電路、第二分壓電路和比較電路，所述溫度采集電路用于對(duì)待測(cè)電忍進(jìn)行 溫度采樣，所述溫度采集電路的第二端經(jīng)所述開關(guān)控制電路與第一分壓電路的第一端連 接，所述第一分壓電路的第二端和所述第二分壓電路的第一端均與所述電源提供電路的第 一端相連，所述第二分壓電路的第二端輸出內(nèi)部參考電壓與所述比較電路相連，所述開關(guān) 控制電路與第一分壓電路相連的一端作為溫度檢測(cè)端與所述比較電路連接。
[0035] 具體實(shí)施時(shí)，所述溫度采集電路可W用于采集電忍的溫度，通常可W置于所述集 成忍片的外部，所述溫度采集電路的第一端可W與待測(cè)電忍的溫度采樣點(diǎn)相連，用于檢測(cè) 所述待測(cè)電忍的溫度;具體實(shí)施時(shí)，可W在同一電忍上設(shè)置多個(gè)溫度采樣點(diǎn)，為同一電忍的 多個(gè)溫度采樣點(diǎn)檢測(cè)溫度，也可W在每個(gè)電忍上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)溫度采樣點(diǎn)，為多個(gè)電忍 的一個(gè)或多個(gè)溫度采樣點(diǎn)檢測(cè)溫度。
[0036] 所述溫度采集電路的第二端可W與所述開關(guān)控制電路的一端相連，所述開關(guān)控制 電路的另一端作為溫度檢測(cè)端TSEN可W與第一分壓電路的第一端相連，所述第一分壓電路 的第二端可W與所述電源提供電路的第一端相連，所述第二分壓電路的第一端也與所述電 源提供電路的第一端相連，所述第一分壓電路和所述第二分壓電路用于將所述電源提供電 路輸出的電壓進(jìn)行分壓，所述開關(guān)控制電路作為溫度檢測(cè)端TSEN的一端與比較電路相連， 所述第二分壓電路的第二端可W與所述比較電路相連，所述第二分壓電路輸出的電壓可W 作為內(nèi)部參考電壓，所述比較電路通過(guò)比較溫度檢測(cè)端TSEN的溫度檢測(cè)點(diǎn)電壓與所述內(nèi)部 參考電壓的大小，來(lái)判斷所述電忍的溫度是否達(dá)到溫度闊值。
[0037] 具體實(shí)施時(shí)，所述電源提供電路可W為外接電源，也可W為待測(cè)電忍。如果所述電 源提供電路為外接電源，所述第一分壓電路的第二端和所述第二分壓電路的第一端均與所 述外接電源相連;如果所述電源提供電路為待測(cè)電忍，所述所述第一分壓電路的第二端和 所述第二分壓電路的第一端可W均與所述待測(cè)電忍的正極相連，所述溫度采集電路的第一 端和所述第二分壓電路的第二端可W均與所述待測(cè)電忍的負(fù)極相連。
[0038] 由于本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的溫度檢測(cè)電路，將電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置，在集成忍片內(nèi)包括 電源提供電路，第一分壓電路和第二分壓電路分別對(duì)所述電源提供電路輸出的電壓進(jìn)行分 壓，所述電源提供電路的一個(gè)分支（即第一分壓電路)經(jīng)開關(guān)控制電路與外置的溫度采集電 路相連，所述外置的溫度采集電路只需通過(guò)開關(guān)控制電路分時(shí)復(fù)用所述第一分壓電路即可 獲得電源，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供外置電源驅(qū)動(dòng)管腳，而且，所述電源提供電路的另一 個(gè)分支（即第二分壓電路)可W產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供額外的參考 電壓管腳，從而可W大大減少忍片管腳的占用。
[0039] 實(shí)施中，所述溫度采集電路具體可W包括用于檢測(cè)待測(cè)電忍溫度的多個(gè)溫敏電阻 RNi~RNn,所述開關(guān)控制電路可W包括多個(gè)受時(shí)鐘信號(hào)控制的開關(guān)Ki~Kn,所述第一分壓電 路可W包括集成電阻，每個(gè)溫敏電阻的第一端和接地端相連，每個(gè)溫敏電阻的第二端作為 溫度采集電路的第二端可W和與其相對(duì)應(yīng)的開關(guān)的第一端相連，多個(gè)開關(guān)Ki~Kn的第二端 相連并可W作為溫度檢測(cè)端TSEN與所述集成電阻的第一端相連，所述集成電阻的第一端衛(wèi) 所述第一分壓電路的第一端。
[0040] 具體實(shí)施時(shí)，電忍數(shù)量可W為任意數(shù)目，例如可W多達(dá)20個(gè)電忍。溫敏電阻可W采 用正溫度系數(shù)電阻，也可W采用負(fù)溫度系數(shù)電阻。
[0041] 假設(shè)電忍數(shù)量可W為1~n個(gè)，所述用于檢測(cè)電忍溫度的溫敏電阻也為1~n個(gè)，所 述溫敏電阻所在位置即為溫度采樣點(diǎn)位置，即，溫敏電阻置于哪里就檢測(cè)哪里的溫度。電忍 數(shù)量可W和溫度采樣點(diǎn)的數(shù)量一樣，從而可W比較完備的實(shí)現(xiàn)溫度檢測(cè)和保護(hù)，即，每個(gè)電 忍的溫度都被檢測(cè)到。
[0042] 第1個(gè)電忍可W通過(guò)溫敏電阻R化檢測(cè)溫度，所述Mi與開關(guān)Ki相連；
[0043] 第2個(gè)電忍可W通過(guò)溫敏電阻RN2檢測(cè)溫度，所述RN2與開關(guān)拉相連；
[0044] ...
[0045] 第i個(gè)電忍可W通過(guò)溫敏電阻RNi檢測(cè)溫度，所述RNi與開關(guān)Ki相連；
[0046] ...
[0047] 所述相連的RNi與開關(guān)Ki、RN2與開關(guān)K2、'''RNi與開關(guān)Ki之間為并聯(lián)，均與所述集成 電阻相連，通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)控制Ki、K2、…Ki的開/關(guān)來(lái)分時(shí)復(fù)用所述集成電阻。
[0048] 其中，所述集成電阻可W采用低溫度系數(shù)，低溫度系數(shù)電阻可W是溫度穩(wěn)定性強(qiáng) 的電阻，運(yùn)類電阻在溫度變化時(shí)，阻值大小只有很小的改變，如:5PPM/°C。
[0049] 本申請(qǐng)實(shí)施例中，由于集成電阻采用低溫度系數(shù)且位于忍片內(nèi)部，遠(yuǎn)離電忍，所W 不受電忍溫度影響；而且，本申請(qǐng)采用兩組電阻對(duì)同一電壓分壓，其中一組電阻分壓為同一 類型的串聯(lián)電阻，形成內(nèi)部參考電壓，另一組電阻分壓由忍片內(nèi)集成電阻和忍片外具有較 大溫度系數(shù)的溫敏電阻組成。
[0050] 實(shí)施中，所述溫度檢測(cè)電路的所述集成忍片可W進(jìn)一步包括:振蕩器0SC，每個(gè)受 時(shí)鐘信號(hào)控制的開關(guān)具體可W為受所述振蕩器OSC產(chǎn)生的相應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)控制，所述振蕩 器OSC在預(yù)設(shè)周期內(nèi)循環(huán)控制所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)中的一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)處于第一電平，在該第 一電平時(shí)，對(duì)應(yīng)的開關(guān)導(dǎo)通。
[0051] 具體實(shí)施時(shí)，所述第一電平可W是低電平，也可W為高電平。所述振蕩器OSC可W 產(chǎn)生n個(gè)時(shí)鐘信號(hào)ckl~ckn，每個(gè)時(shí)鐘信號(hào)用于控制相應(yīng)的開關(guān)，cki為第一電平(例如:低 電平)時(shí)，開關(guān)Ki導(dǎo)通。所述振蕩器OSC在一個(gè)周期內(nèi)循環(huán)控制所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)中的一個(gè) 時(shí)鐘信號(hào)處于第一電平(例如:低電平），在一個(gè)周期結(jié)束后每個(gè)開關(guān)均可W被導(dǎo)通一次，運(yùn) 樣可W確保每個(gè)溫度采樣點(diǎn)均被檢測(cè)到。
[0052] 本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)開關(guān)來(lái)切換集成電阻與外置溫敏電阻的連接，從而達(dá)到分時(shí)復(fù) 用的目的。
[0053] 實(shí)施中，所述第二分壓電路可W包括多個(gè)串聯(lián)電阻，所述多個(gè)串聯(lián)電阻的第一個(gè) 電阻的第一端作為所述第二分壓電路的第一端與所述電源提供電路相連，所述比較電路包 括多個(gè)并聯(lián)的比較器，所述溫度檢測(cè)端TSEN與所述比較器的第一輸入端相連，除最后一個(gè) 電阻之外每個(gè)串聯(lián)的電阻的第二端分別和與其對(duì)應(yīng)的比較器的第二輸入端相連，所述最后 一個(gè)電阻的第二端作為所述第二分壓電路的第二端與所述溫度采集電路的第一端相連。
[0054] 具體實(shí)施時(shí)，所述第二分壓電路可W包括多個(gè)依次串聯(lián)的電阻Ri~Rm,所述多個(gè)串 聯(lián)電阻的第一個(gè)電阻(假設(shè)為Ri)的第一端可W與所述電源提供電路相連，除最后一個(gè)電阻 之外每個(gè)串聯(lián)的電阻(假設(shè)為R2~Rm-O的第二端分別和與其對(duì)應(yīng)的比較器的第二輸入端相 連，所述最后一個(gè)電阻(假設(shè)為Rm)的第二端與所述溫度采集電路的第一端相連，所述最后 一個(gè)電阻(假設(shè)為Rm)的第二端可W與所述溫度采集電路的第一端相連。
[0055] 所述比較器的第一輸入端可W為正輸入端，所述比較器的第二輸入端可W為負(fù)輸 入端;或者，所述比較器的第一輸入端可W為負(fù)輸入端，所述比較器的第二輸入端可W為正 輸入端。
[0056] 本申請(qǐng)實(shí)施例中，除最后一個(gè)電阻之外每個(gè)串聯(lián)的電阻(假設(shè)為R2~Rm-O的第二 端分別和與其對(duì)應(yīng)的比較器的第二輸入端相連，可W向比較器輸出電壓作為內(nèi)部參考電 壓，從而無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供額外的外置輸入?yún)⒖茧妷汗苣_，降低集成忍片的管腳 占用。
[0057] 實(shí)施中，所述電源提供電路可W為電源和電壓調(diào)節(jié)器LD0,所述電壓調(diào)節(jié)器的第一 端作為電源提供電路的第一端與所述第一分壓電路的第二端、所述第二分壓電路的第一端 相連，所述電壓調(diào)節(jié)器LDO的第二端與所述電源相連，所述電壓調(diào)節(jié)器LDO用于將所述電源 的電壓調(diào)節(jié)為預(yù)設(shè)內(nèi)部電壓。
[0058] 具體實(shí)施時(shí)，所述電源可W為外接電源。
[0059] 實(shí)施中，所述電源可W為待測(cè)電忍，所述電壓調(diào)節(jié)器LDO的第二端與所述待測(cè)電忍 的正極相連，所述待測(cè)電忍的負(fù)極與所述溫度采集電路的第一端、所述第二分壓電路的第 二端相連。
[0060] 由于本申請(qǐng)采用電壓調(diào)節(jié)器LDO可W產(chǎn)生內(nèi)部低電壓，同時(shí)比較器又W該低電壓 供電，因此，比較器可W完全采用低壓器件設(shè)計(jì)，從而使得占用忍片面積較小，忍片制造成 本較低(而現(xiàn)有技術(shù)中直接W外置電源驅(qū)動(dòng)，通常需要比較器采用高壓器件，占用忍片面積 較大且忍片制造成本較高，通常5VW下為低壓，5VW上為高壓）。
[0061 ]實(shí)施中，所述比較器Cmp的數(shù)量具體可W根據(jù)溫度保護(hù)闊值的數(shù)量確定。
[0062]具體實(shí)施時(shí)，所述溫度保護(hù)闊值通常可W包括高溫禁止充電溫度闊值、高溫禁止 放電溫度闊值、低溫禁止充電溫度闊值、低溫禁止放電溫度闊值等4個(gè)闊值，因此，比較器 Cmp的數(shù)量也可W為4個(gè)，例如:Cmp 1、Cmp2、Cmp3、Cmp4。
[0063] 由于忍片內(nèi)置電阻的絕對(duì)值一般偏差較大，例如:+/-20%,為了進(jìn)一步提高集成 電阻的絕對(duì)值的準(zhǔn)確性，本申請(qǐng)實(shí)施例還可W采用如下方式實(shí)施。
[0064] 實(shí)施中，所述集成電阻具體可W采用N+滲雜的非柵極多晶娃層為電阻材料，所述N +滲雜具體可W為經(jīng)光刻加工后的化滲雜。
[0065] 具體實(shí)施時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)較低溫度系數(shù)的效果，集成電阻可W采用第二多晶娃層(非 柵極多晶娃層)做電阻材料，然后通過(guò)調(diào)整滲雜濃度來(lái)實(shí)現(xiàn)較低溫度系數(shù)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)表明N+ 滲雜比P+滲雜的多晶娃電阻的溫度系數(shù)系數(shù)更低。
[0066] 此外，為了得到更低溫度系數(shù)，可W增加一道光刻來(lái)?？谡{(diào)整滲雜N+的濃度，來(lái)實(shí) 現(xiàn)最佳效果。
[0067] 本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)上述方式解決了忍片內(nèi)部電阻絕對(duì)值的偏差較大的問(wèn)題，提高 了集成電阻的精確性。
[0068] 而所述多個(gè)串聯(lián)電阻則無(wú)需進(jìn)行修調(diào)，只需要相對(duì)值準(zhǔn)確即可，在集成電路工藝 中，通過(guò)匹配設(shè)計(jì)即可實(shí)現(xiàn)很高精度的相對(duì)準(zhǔn)確。
[0069] 實(shí)施例二、
[0070] 圖3示出了本申請(qǐng)實(shí)施例二中溫度檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，所述溫度檢 測(cè)系統(tǒng)可W包括上述溫度檢測(cè)電路W及多節(jié)串聯(lián)的電忍BATA，其中，所述電源提供電路的 第二端與多節(jié)串聯(lián)電忍的正極相連并連接于第一外部連接端，所述溫度采集電路的第一端 和所述第二分壓電路的第二端均與所述多節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極相連。
[0071] 具體實(shí)施時(shí)，所述電源提供電路可W為電源和電壓調(diào)節(jié)器LD0,所述電源可W將所 述多節(jié)串聯(lián)的電忍作為電源，多節(jié)串聯(lián)電忍的正極與所述電壓調(diào)節(jié)器相連，所述電壓調(diào)節(jié) 器可W將多節(jié)串聯(lián)電忍的電池電壓轉(zhuǎn)換為內(nèi)部的低電壓，電池電壓可能隨電池能量消耗而 減小，但所述電壓調(diào)節(jié)器轉(zhuǎn)換的所述低電壓不會(huì)隨電池電壓變化而變化。
[0072] 所述多節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極可W接地GND，所述溫度采集電路的第一端與所述多節(jié) 串聯(lián)電忍的負(fù)極相連，所述第二分壓電路的第二端也與所述多節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極相連。
[0073] 具體實(shí)施時(shí)，所述溫度采集電路為多個(gè)溫敏電阻RNl~n時(shí)，所述溫敏電阻的一端 與開關(guān)相連，另一端與所述多節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極相連;所述第二分壓電路為多個(gè)串聯(lián)電阻 時(shí)，所述多個(gè)串聯(lián)電阻的一端與電源提供電路相連，另一端與所述多節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極相 連。
[0074] 本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的多節(jié)電忍溫度檢測(cè)系統(tǒng)中，由于多節(jié)電忍溫度檢測(cè)電路將 電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置，形成兩個(gè)分壓支路，由開關(guān)分時(shí)復(fù)用第一分壓支路，第二分壓支路形成內(nèi)部 參考電壓，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供電源驅(qū)動(dòng)管腳和參考電壓管腳，從而極大降低了忍 片管腳的占用數(shù)量。
[00巧]實(shí)施例S、
[0076] 圖4示出了本申請(qǐng)實(shí)施例=中溫度保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，所述溫度保 護(hù)電路可W包括上述溫度檢測(cè)電路、開關(guān)保護(hù)電路和位于所述集成忍片內(nèi)的邏輯控制器 件，所述多個(gè)比較器的輸出端均與所述邏輯控制器件相連，所述邏輯控制器件的輸出端與 所述開關(guān)保護(hù)電路相連，所述開關(guān)保護(hù)電路與所述溫度采集電路的第一端和所述第二分壓 電路的第二端相連。
[0077] 具體實(shí)施時(shí)，多個(gè)比較器的輸出端均可W與所述邏輯控制器件Logic相連，所述邏 輯控制器件Logic的輸出端與開關(guān)保護(hù)電路相連，所述開關(guān)保護(hù)電路與所述溫度采集電路 的另一端和所述第二分壓電路的另一端相連。所述邏輯控制器件Logic根據(jù)所述比較器的 輸出結(jié)構(gòu)生成控制信號(hào)，所述開關(guān)保護(hù)電路根據(jù)所述控制信號(hào)斷開相應(yīng)的回路，W達(dá)到電 忍保護(hù)的目的。
[0078] 具體實(shí)施時(shí)，所述邏輯控制器件Logic還可W連接其他的檢測(cè)端化herDet。
[0079] 實(shí)施中，所述開關(guān)保護(hù)電路具體可W包括第一N型金屬氧化物半導(dǎo)體(匪OS,N-Meta^^ide-Semiconductor)晶體管和第二NMOS晶體管，所述第一醒OS晶體管的柵極作為 放電保護(hù)控制端與所述邏輯控制器件的輸出端相連，所述第二NMOS晶體管的柵極作為充電 保護(hù)控制端與所述邏輯控制器件的輸出端相連，所述第一 NMOS晶體管的漏極與所述第二 NMOS晶體管的漏極相連，所述第一 NMOS晶體管的基極與源極相連并連接于所述溫度采集電 路的另一端和所述第二分壓電路的另一端，所述第二NMOS晶體管的基極與源極相連并連接 于第二外部連接端。
[0080] 具體實(shí)施時(shí)，所述第一醒OS晶體管也可W稱為放電保護(hù)開關(guān)，所述第二醒OS晶體 管也可W稱為充電保護(hù)開關(guān)。所述第一 NMOS晶體管的放電保護(hù)控制端接收到邏輯控制器件 輸出的異常放電保護(hù)信號(hào)時(shí)，所述第一醒OS晶體管斷開放電回路;所述第二醒OS晶體管的 充電保護(hù)控制端收到邏輯控制器件輸出的異常充電保護(hù)信號(hào)時(shí)，所述第二NMOS晶體管斷開 充電回路。
[0081] 由于本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的溫度保護(hù)電路，將電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置于集成忍片，在集成 忍片內(nèi)包括電源提供電路，第一分壓電路和第二分壓電路分別對(duì)所述電源提供電路輸出的 電壓進(jìn)行分壓，所述電源提供電路的一個(gè)分支（即第一分壓電路)經(jīng)開關(guān)控制電路與外置的 溫度采集電路相連，所述外置的溫度采集電路只需通過(guò)開關(guān)控制電路分時(shí)復(fù)用所述第一分 壓電路即可獲得電源，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供外置電源驅(qū)動(dòng)管腳，而且，所述電源提供 電路的另一個(gè)分支（即第二分壓電路)可W產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供 額外的參考電壓輸入管腳，從而可W大大減少忍片管腳的占用。
[0082] 實(shí)施例四、
[0083] 圖5示出了本申請(qǐng)實(shí)施例四中溫度保護(hù)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，所述溫度保 護(hù)系統(tǒng)可W包括上述溫度保護(hù)電路W及多節(jié)串聯(lián)的電忍，其中，所述電源提供電路的第二 端與多節(jié)串聯(lián)電忍的正極相連并連接于第一外部連接端，所述溫度采集電路的第一端和所 述第二分壓電路的第二端均與所述多節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極相連。
[0084] 具體實(shí)施時(shí)，所述多節(jié)串聯(lián)電忍的正極可W與所述電源提供電路的電壓調(diào)節(jié)器 LDO相連并連接至第一外部連接端P+，所述多節(jié)串聯(lián)電忍的負(fù)極可W經(jīng)開關(guān)保護(hù)電路與第 二外部連接端P-相連。
[0085] 由于本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的溫度保護(hù)系統(tǒng)，將電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置到集成忍片，在集成 忍片內(nèi)包括電源提供電路，第一分壓電路和第二分壓電路分別對(duì)所述電源提供電路輸出的 電壓進(jìn)行分壓，所述電源提供電路的一個(gè)分支（即第一分壓電路)經(jīng)開關(guān)控制電路與外置的 溫度采集電路相連，所述外置的溫度采集電路只需通過(guò)開關(guān)控制電路分時(shí)復(fù)用所述第一分 壓電路即可獲得電源，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供外置電源驅(qū)動(dòng)管腳，而且，所述電源提供 電路的另一個(gè)分支（即第二分壓電路)可W產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓，無(wú)需為每個(gè)溫度采樣點(diǎn)提供 額外的參考電壓輸入管腳，從而可W大大減少忍片管腳的占用。
[00化]實(shí)施例五、
[0087] 本申請(qǐng)實(shí)施例還提出了一種電子設(shè)備，可W包括設(shè)備本體、充電器W及上述溫度 保護(hù)系統(tǒng)。
[0088] 具體實(shí)施時(shí)，本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的電子設(shè)備可W為手機(jī)、pad、平板電腦、手電筒 等各種需要充放電的設(shè)備。
[0089] 實(shí)施例六、
[0090] 下面本申請(qǐng)WS個(gè)電忍的溫度檢測(cè)為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0091] 圖6示出了本申請(qǐng)實(shí)施例六中多電忍溫度保護(hù)系統(tǒng)的具體結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示， 所述多電忍溫度保護(hù)系統(tǒng)可W包括S節(jié)電忍BATA1、BATA2、BATA3,每個(gè)電忍設(shè)置有一個(gè)溫 度采樣點(diǎn)，可W有相應(yīng)的溫敏電阻用于檢測(cè)溫度，例如:1^、1?肥、1?^3，每個(gè)溫敏電阻由開關(guān) K1、K2、K3控制與集成電阻R6的連接，分時(shí)復(fù)用R6;所述開關(guān)K1、K2、K3分別受OSC振蕩器的時(shí) 鐘信號(hào)CK1、CK2、CK3控制；電壓調(diào)節(jié)器與BATA3的正極相連，產(chǎn)生內(nèi)部低電壓LVDD后分為R6 和Rl~5兩條支路，溫度檢測(cè)端TSEN均與比較器Cmp 1、Cmp2、Cmp3、Cmp4的正極(正輸入端)相 連，Rl、R2、R3、R4的一端分別與Cmpl、Cmp2、Cmp3、Cmp4的負(fù)極相連，Cmpl、Cmp2、Cmp3、Cmp4的 輸出端機(jī)1、機(jī)2、機(jī)3、機(jī)4均與邏輯控制器件1^〇邑1(3相連，所述1^〇邑1(3的輸出分別連接兩個(gè) NMOS晶體管MN3。
[0092] 假設(shè)溫敏電阻RN1、RN2、RN3采用負(fù)溫度系數(shù)電阻，溫敏電阻的電阻可W遵循下表 所示： 「nnoQl
[0094] 例如忍片內(nèi)置的集成電阻R6的電阻值設(shè)置為8Kohm，VR4設(shè)置為(0.2178) ? LVDD， VR3設(shè)置為（0.274) ? LVDD，VR2設(shè)置為（0.7732) ? LVDD，VRl設(shè)置為（0.8415)? LVDD，其中 LVDD為L(zhǎng)DO輸出電壓LVDD節(jié)點(diǎn)的電壓值。
[00M] (1)當(dāng)被檢測(cè)電忍溫度低于-l〇°C時(shí)，外置溫敏電阻的電阻值應(yīng)該高于42.47Kohm， TSEN電壓將高于（0.8415) ? LVDD，即TSEN電壓高于VRl的電壓，比較器Cmpl的輸出信號(hào)CTl 為高電平，比較器Cmp2的輸出信號(hào)CT2為高電平，比較器Cmp3的輸出信號(hào)CT3為高電平，比較 器Cmp4的輸出信號(hào)CT4為高電平，表示被檢測(cè)電忍溫度低于-10°C;
[0096] (2)當(dāng)被檢測(cè)電忍溫度高于-10°C，但低于(TC時(shí)，外置溫敏電阻的電阻值應(yīng)該低于 42.47Kohm 且高于 27.28Kohm，此時(shí) TSEN 電壓應(yīng)該低于（0.8415) ? LVDD 且高于（0.7732) ? LVDD，即低于VRl且高于VR2,比較Cmpl輸出信號(hào)CTl為低電平，比較器Cmp2的輸出信號(hào)CT2為 高電平，比較器Cmp3的輸出信號(hào)CT3為高電平，比較器Cmp4的輸出信號(hào)CT4為高電平；
[0097] (3)當(dāng)被檢測(cè)電忍溫度高于(TC,但低于60°C時(shí)，外置溫敏電阻的電阻值應(yīng)該低于 27.28Kohm且高于3.02Kohm，此時(shí)TSEN電壓應(yīng)該低于（0.7732)?LV抓且高于（0.274)? LVDD，即低于VR2且高于VR3,比較Cmpl輸出信號(hào)CTl為低電平，比較器Cmp2的輸出信號(hào)CT2為 低電平，比較器Cmp3的輸出信號(hào)CT3為高電平，比較器Cmp4的輸出信號(hào)CT4為高電平；
[0098] (4)當(dāng)被檢測(cè)電忍溫度高于60°C，但低于70°C時(shí)，外置溫敏電阻的電阻值應(yīng)該低于 3.02Kohm且高于2.228Kohm，此時(shí)TSEN電壓應(yīng)該低于（0.274)?LV抓且高于（0.2178)? LVDD，即低于VR3且高于VR4,比較Cmpl輸出信號(hào)CTl為低電平，比較器Cmp2的輸出信號(hào)CT2為 低電平，比較器Cmp3的輸出信號(hào)CT3為低電平，比較器Cmp4的輸出信號(hào)CT4為高電平；
[0099] (5)當(dāng)被檢測(cè)電忍溫度高于70°C時(shí)，外置溫敏電阻的電阻值應(yīng)該低于2.228Kohm， 此時(shí)TSEN電壓應(yīng)該低于(0.2178) ? LV孤，即低于VR4,比較Cmpl輸出信號(hào)CTl為低電平，比較 器Cmp2的輸出信號(hào)CT2為低電平，比較器CmpS的輸出信號(hào)CT3為低電平，比較器Cmp4的輸出 信號(hào)CT4為低電平。
[0100] 旨P，比較器Cmpl、Cmp2、Cmp3、Cmp4的輸出為高電平、高電平、高電平、高電平時(shí)，表 示被檢測(cè)的電忍溫度低于-10°c;當(dāng)輸出為低電平、高電平、高電平、高電平時(shí)，表示被檢測(cè) 的電忍溫度高于-10°c、但低于(TC;當(dāng)輸出為低電平、低電平、高電平、高電平時(shí)，表示被檢 測(cè)的電忍溫度高于〇°C、但低于60°C;當(dāng)輸出為低電平、低電平、低電平、高電平時(shí)，表示被檢 測(cè)的電忍溫度高于60°C、但低于70°C;當(dāng)輸出為低電平、低電平、低電平、低電平時(shí)，表示被 檢測(cè)的電忍溫度高于70°C。
[0101] 由于忍片電阻的絕對(duì)值一般偏差較大，例如+/-20 %，R6的絕對(duì)值可W通過(guò)修調(diào)將 其修調(diào)至準(zhǔn)確值。而Rl~R5則無(wú)需進(jìn)行修調(diào)，只需要相對(duì)值準(zhǔn)確即可，在集成電路工藝中， 通過(guò)匹配設(shè)計(jì)可W實(shí)現(xiàn)很高精度的相對(duì)準(zhǔn)確。
[0102] 為了實(shí)現(xiàn)較低溫度系數(shù)的效果，電阻R6可W采用第二多晶娃層(非柵極多晶娃層） 做電阻材料，然后通過(guò)調(diào)整滲雜濃度來(lái)實(shí)現(xiàn)較低溫度系數(shù)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)表明N+滲雜比P+滲雜 的多晶娃電阻的溫度系數(shù)系數(shù)更低。實(shí)施時(shí)，為了得到更低溫度系數(shù)，可W增加一道光刻來(lái) ?？谡{(diào)整滲雜化的濃度，來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳效果。
[0103] 實(shí)施例屯、
[0104] 圖7示出了本申請(qǐng)實(shí)施例屯中多電忍溫度檢測(cè)方法實(shí)施的流程示意圖，如圖所示， 所述多電忍溫度檢測(cè)方法可W包括如下步驟：
[0105] 步驟701、利用電壓調(diào)節(jié)器將多節(jié)串聯(lián)電忍的電池電壓調(diào)節(jié)為預(yù)設(shè)內(nèi)部電壓LV孤；
[0106] 步驟702、利用第一組電阻和第二組電阻對(duì)所述預(yù)設(shè)內(nèi)部電壓LVDD進(jìn)行分壓;所述 第一組電阻包括集成電阻和多個(gè)并聯(lián)的溫敏電阻；
[0107] 步驟703、所述多個(gè)并聯(lián)的溫敏電阻通過(guò)開關(guān)分時(shí)復(fù)用所述集成電阻形成溫度檢 測(cè)點(diǎn)電壓;所述第二組電阻包括多個(gè)串聯(lián)電阻，所述多個(gè)串聯(lián)電阻產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓；
[0108] 步驟704、比較器通過(guò)分時(shí)比較所述溫度檢測(cè)點(diǎn)電壓與所述內(nèi)部參考電壓的大小， 檢測(cè)多節(jié)電忍的溫度。
[0109] 本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的多電忍溫度檢測(cè)方法，由于利用電壓調(diào)節(jié)器根據(jù)電池電壓 產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)部電壓LVDD，將電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置從而減少了每個(gè)電忍所需的電源驅(qū)動(dòng)管腳數(shù)量， 而且由兩組電阻對(duì)所述內(nèi)部電壓LVDD分壓，一組由多個(gè)并聯(lián)溫敏電阻分時(shí)復(fù)用集成電阻形 成溫度檢測(cè)點(diǎn)電壓，另一組由串聯(lián)電阻產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓，無(wú)需為每個(gè)電忍提供外置輸入 參考電壓管腳；由于所需忍片外部元件只有溫敏電阻，所需忍片外部元件數(shù)量較少。
[0110] 因此，采用本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的多電忍溫度檢測(cè)方法，占用較少的忍片管腳W 及只需較少的忍片外部元件，即可實(shí)現(xiàn)多電忍溫度檢測(cè)的目的。
[01川實(shí)施例八、
[0112] 圖8示出了本申請(qǐng)實(shí)施例八中多電忍溫度保護(hù)方法實(shí)施的流程示意圖，如圖所示， 所述多電忍溫度保護(hù)方法可W包括如下步驟：
[0113] 步驟801、利用電壓調(diào)節(jié)器將多節(jié)串聯(lián)電忍的電池電壓調(diào)節(jié)為預(yù)設(shè)內(nèi)部電壓LV孤；
[0114] 步驟802、利用第一組電阻和第二組電阻對(duì)所述預(yù)設(shè)內(nèi)部電壓LVDD進(jìn)行分壓;所述 第一組電阻包括集成電阻和多個(gè)并聯(lián)的溫敏電阻；
[0115] 步驟803、所述多個(gè)并聯(lián)的溫敏電阻通過(guò)開關(guān)分時(shí)復(fù)用所述集成電阻形成溫度檢 測(cè)點(diǎn)電壓;所述第二組電阻包括多個(gè)串聯(lián)電阻，所述多個(gè)串聯(lián)電阻產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓；
[0116] 步驟804、比較器通過(guò)分時(shí)比較所述溫度檢測(cè)點(diǎn)電壓與所述內(nèi)部參考電壓的大小， 檢測(cè)多節(jié)電忍的溫度；
[0117] 步驟805、邏輯控制器件根據(jù)所述比較器的檢測(cè)結(jié)果輸出異?？刂菩盘?hào)至開關(guān)保 護(hù)電路；
[0118] 步驟806、所述開關(guān)保護(hù)電路的充電保護(hù)控制端在收到異常充電控制信號(hào)時(shí)，斷開 充電回路，所述開關(guān)保護(hù)電路的放電保護(hù)控制端在收到異常放電控制信號(hào)時(shí)，斷開放電回 路。
[0119] 本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的多電忍溫度保護(hù)方法，由于利用電壓調(diào)節(jié)器根據(jù)電池電壓 產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)部電壓LVDD，將電源驅(qū)動(dòng)內(nèi)置從而減少了每個(gè)電忍所需的電源驅(qū)動(dòng)管腳數(shù)量， 而且由兩組電阻對(duì)所述內(nèi)部電壓LVDD分壓，一組由多個(gè)并聯(lián)溫敏電阻分時(shí)復(fù)用集成電阻形 成溫度檢測(cè)點(diǎn)電壓，另一組由串聯(lián)電阻產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓，無(wú)需為每個(gè)電忍提供外置輸入 參考電壓管腳；由于所需忍片外部元件只有溫敏電阻，所需忍片外部元件數(shù)量較少。
[0120] 因此，采用本申請(qǐng)實(shí)施例所提供的多電忍溫度保護(hù)方法，占用較少的忍片管腳W 及只需較少的忍片外部元件，即可實(shí)現(xiàn)多電忍溫度保護(hù)的目的。
[0121] 盡管已描述了本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造 性概念，則可對(duì)運(yùn)些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所W，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu) 選實(shí)施例W及落入本申請(qǐng)范圍的所有變更和修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種溫度檢測(cè)電路，其特征在于，包括:溫度采集電路和集成芯片，所述集成芯片包 括開關(guān)控制電路、電源提供電路、第一分壓電路、第二分壓電路和比較電路，所述溫度采集 電路用于對(duì)待測(cè)電芯進(jìn)行溫度采樣，所述溫度采集電路的第二端經(jīng)所述開關(guān)控制電路與第 一分壓電路的第一端連接，所述第一分壓電路的第二端和所述第二分壓電路的第一端均與 所述電源提供電路的第一端相連，所述第二分壓電路的第二端輸出內(nèi)部參考電壓與所述比 較電路相連，所述開關(guān)控制電路與第一分壓電路相連的一端作為溫度檢測(cè)端與所述比較電 路連接。2. 如權(quán)利要求1所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述溫度采集電路包括用于檢測(cè)待 測(cè)電芯溫度的多個(gè)溫敏電阻RNi-RNn，所述開關(guān)控制電路包括多個(gè)受時(shí)鐘信號(hào)控制的開關(guān) &~!("，所述第一分壓電路包括集成電阻，每個(gè)溫敏電阻的第一端和接地端相連，每個(gè)溫敏 電阻的第二端作為溫度采集電路的第二端和與其相對(duì)應(yīng)的開關(guān)的第一端相連，多個(gè)開關(guān)h ~Kn的第二端相連并作為溫度檢測(cè)端TSEN與所述集成電阻的第一端相連，所述集成電阻的 第一端為所述第一分壓電路的第一端。3. 如權(quán)利要求2所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成芯片進(jìn)一步包括:振蕩器 OSC，每個(gè)受時(shí)鐘信號(hào)控制的開關(guān)具體為受所述振蕩器OSC產(chǎn)生的相應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)控制，所 述振蕩器OSC在預(yù)設(shè)周期內(nèi)循環(huán)控制所述多個(gè)時(shí)鐘信號(hào)中的一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)處于第一電平， 在該第一電平時(shí)，對(duì)應(yīng)的開關(guān)導(dǎo)通。4. 如權(quán)利要求2所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述第二分壓電路包括多個(gè)串聯(lián)電 阻，所述多個(gè)串聯(lián)電阻的第一個(gè)電阻的第一端作為所述第二分壓電路的第一端與所述電源 提供電路相連，所述比較電路包括多個(gè)并聯(lián)的比較器，所述溫度檢測(cè)端TSEN與所述比較器 的第一輸入端相連，除最后一個(gè)電阻之外每個(gè)串聯(lián)的電阻的第二端分別和與其對(duì)應(yīng)的比較 器的第二輸入端相連，所述最后一個(gè)電阻的第二端作為所述第二分壓電路的第二端與所述 溫度采集電路的第一端相連。5. 如權(quán)利要求1所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述電源提供電路為電源和電壓調(diào) 節(jié)器LDO,所述電壓調(diào)節(jié)器的第一端作為電源提供電路的第一端與所述第一分壓電路的第 二端、所述第二分壓電路的第一端相連，所述電壓調(diào)節(jié)器LDO的第二端與所述電源相連，所 述電壓調(diào)節(jié)器LDO用于將所述電源的電壓調(diào)節(jié)為預(yù)設(shè)內(nèi)部電壓。6. 如權(quán)利要求5所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述電源為待測(cè)電芯，所述電壓調(diào) 節(jié)器LDO的第二端與所述待測(cè)電芯的正極相連，所述待測(cè)電芯的負(fù)極與所述溫度采集電路 的第一端、所述第二分壓電路的第二端相連。7. 如權(quán)利要求2所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電阻具體采用Ν+摻雜的非 柵極多晶硅層為電阻材料，所述Ν+摻雜具體為經(jīng)光刻加工后的Ν+摻雜。8. -種溫度保護(hù)電路，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7任一所述的溫度檢測(cè)電路、開 關(guān)保護(hù)電路和位于所述集成芯片內(nèi)的邏輯控制器件，所述多個(gè)比較器的輸出端均與所述邏 輯控制器件相連，所述邏輯控制器件的輸出端與所述開關(guān)保護(hù)電路相連，所述開關(guān)保護(hù)電 路與所述溫度采集電路的第一端和所述第二分壓電路的第二端相連。9. 如權(quán)利要求8所述的溫度保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)保護(hù)電路具體包括第一 Ν 型金屬氧化物半導(dǎo)體NMOS晶體管和第二NMOS晶體管，所述第一 NMOS晶體管的柵極作為放電 保護(hù)控制端與所述邏輯控制器件的輸出端相連，所述第二匪0S晶體管的柵極作為充電保護(hù) 控制端與所述邏輯控制器件的輸出端相連，所述第一匪OS晶體管的漏極與所述第二NMOS晶 體管的漏極相連，所述第一匪0S晶體管的基極與源極相連并連接于所述溫度采集電路的另 一端和所述第二分壓電路的另一端，所述第二NM0S晶體管的基極與源極相連并連接于第二 外部連接端。10.-種溫度保護(hù)系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求8或9所述的溫度保護(hù)電路以及多 節(jié)串聯(lián)的電芯，其中，所述電源提供電路的第二端與多節(jié)串聯(lián)電芯的正極相連并連接于第 一外部連接端，所述溫度采集電路的第一端和所述第二分壓電路的第二端均與所述多節(jié)串 聯(lián)電芯的負(fù)極相連。
【文檔編號(hào)】H02H7/18GK105826903SQ201610244569
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年4月19日
【發(fā)明人】王釗
【申請(qǐng)人】無(wú)錫中感微電子股份有限公司