一種高轉(zhuǎn)換率光伏發(fā)電單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光伏發(fā)電領(lǐng)域，具體涉及一種光伏發(fā)電單元，該發(fā)電單元的轉(zhuǎn)化率高。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能發(fā)電板采用的光生電的發(fā)電原理進行發(fā)電的一種裝置。具體為當光線照射太陽電池表面時，一部分光子被硅材料吸收。光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了躍迀，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差，當外部接通電路時，在該電壓的作用下，將會有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個過程的的實質(zhì)是:光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過程。然而現(xiàn)有的光伏發(fā)電單元的轉(zhuǎn)換率不理想，經(jīng)過測試，現(xiàn)有的光伏發(fā)電單元的轉(zhuǎn)換率最高僅為17%。因此現(xiàn)需要提供一種全新的技術(shù)方案，通過該方案進一步提高光伏發(fā)電的轉(zhuǎn)換率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明提供了一種高轉(zhuǎn)換率光伏發(fā)電單元，該發(fā)電單元能明顯提高光伏發(fā)電的轉(zhuǎn)換率，從而提供更多的電能。
[0004]本發(fā)明為客服現(xiàn)有技術(shù)不足提供以下技術(shù)方案:一種高轉(zhuǎn)換率光伏發(fā)電單元，包括聚光模、半導體光伏芯片，所述聚光模與所述半導體光伏芯片平行。所述聚光模與所述半導體光伏芯片之間設(shè)有棱鏡，所述棱鏡的形狀是正四棱臺，所述棱鏡的頂面與所述半導體光伏芯片連接，所述頂面與所述半導體光伏芯片匹配。
[0005]進一步，所述棱鏡的底面置于所述聚光模的焦點處，所述棱鏡的材質(zhì)為高硼硅玻璃。
[0006]本發(fā)明具有這樣的有益效果，所述聚光模將500倍的聚光照到所述棱鏡的所述棱鏡的所述底面上，在棱鏡的作用下光粒子均勻分布于所述半導體光伏芯片，從而較大的提高了光能向電能轉(zhuǎn)化的轉(zhuǎn)化率，經(jīng)過試驗，轉(zhuǎn)化率最高達到32 %。
【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明所述高轉(zhuǎn)換率光伏發(fā)電單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2是本發(fā)明所述棱鏡的立體示意圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0010]圖1、圖2中:聚光模1、半導體光伏芯片2、棱鏡3、頂面3a、底面3b。
[0011]一種高轉(zhuǎn)換率光伏發(fā)電單元，包括聚光模1、半導體光伏芯片2，所述聚光模I與所述半導體光伏芯片2平行。該半導體光伏芯片2為單晶硅。所述聚光模I與所述半導體光伏芯片2之間設(shè)有棱鏡3，所述棱鏡3的形狀是正四棱臺。所述棱鏡3的頂面3a與所述半導體光伏芯片2連接，所述頂面3a與所述半導體光伏芯片2匹配，所述匹配的含義是所述頂面3a的形狀與所述半導體光伏芯片2的形狀相同，且所述頂面3a的面積與所述半導體光伏芯片2的面積也相同，有利于二次聚光后更均勻的分布于所述半導體光伏芯片2上，增加光的利用率。所述棱鏡3的底面3b置于所述聚光模I的焦點處，所述棱鏡3的材質(zhì)為高硼硅玻璃。高硼硅玻璃具有良好的耐高溫性能。
【主權(quán)項】
1.一種高轉(zhuǎn)換率光伏發(fā)電單元，包括聚光模(1)、半導體光伏芯片(2)，所述聚光模(I)與所述半導體光伏芯片(2)平行，其特征在于，所述聚光模(I)與所述半導體光伏芯片(2)之間設(shè)有棱鏡(3)，所述棱鏡(3)的形狀是正四棱臺，所述棱鏡(3)的頂面(3a)與所述半導體光伏芯片(2)連接，所述頂面(3a)與所述半導體光伏芯片(2)匹配，所述棱鏡(3)的底面(3b)置于所述聚光模(I)的焦點處，所述棱鏡(3)的材質(zhì)為高硼硅玻璃。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高轉(zhuǎn)換率光伏發(fā)電單元，包括聚光模、半導體光伏芯片，所述聚光模與所述半導體光伏芯片平行。所述聚光模與所述半導體光伏芯片之間設(shè)有棱鏡，所述棱鏡的形狀是正四棱臺，所述棱鏡的頂面與所述半導體光伏芯片連接，所述頂面與所述半導體光伏芯片匹配。所述棱鏡的底面置于所述聚光模的焦點處，所述棱鏡的材質(zhì)為高硼硅玻璃。本發(fā)明具有這樣的有益效果，較大的提高了光能向電能轉(zhuǎn)化的轉(zhuǎn)化率，經(jīng)過試驗，轉(zhuǎn)化率最高達到32％。
【IPC分類】H02S40-22
【公開號】CN104821780
【申請?zhí)枴緾N201510239931
【發(fā)明人】朱根龍
【申請人】江蘇亞星波紋管有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年5月13日