專利名稱：新型滅磁裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于同步發(fā)電機(jī)可控硅磁勵(lì)磁系統(tǒng)的滅磁技術(shù)領(lǐng)域。
目前，常見的滅磁裝置，系采用串聯(lián)在勵(lì)磁回路中的強(qiáng)力快速開關(guān)或依附于開關(guān)的熔絲，作為切斷勵(lì)磁電源的手段，進(jìn)而導(dǎo)通非線性滅磁電阻。由于這種開關(guān)或熔絲斷流過程，會(huì)引起勵(lì)磁回路的過電壓，從而危及發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子和整流設(shè)備的安全，有時(shí)還會(huì)造成開關(guān)斷流過程的觸頭燒損。
本實(shí)用新型就是針對(duì)上述情況而研制的一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作安全可靠、滅磁范圍廣泛、經(jīng)濟(jì)實(shí)用的新型滅磁裝置。
本實(shí)用新型的主要特征在于利用了可控硅整流橋的自行關(guān)斷特性，以簡(jiǎn)單的熔絲器件，取代勵(lì)磁回路的斷流開關(guān)。在熔絲通流時(shí)，使可控硅整流橋關(guān)斷；在熔絲熔斷時(shí)，又能使非線性滅磁電阻導(dǎo)通、達(dá)到發(fā)電機(jī)快速滅磁的要求。
本實(shí)用新型主要由可控硅整流橋、滅磁主電路等部件所構(gòu)成，所述的滅磁主電路主要由啟動(dòng)器(3)、熔絲(4)和非線性滅磁電阻(5)通過一定接線方式而組成。
以下結(jié)合附圖
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述附圖一是本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例，它由可控硅整流橋(1)和并接在可控硅整流橋(1)兩端的滅磁主電路所構(gòu)成，其滅磁主電路由非線性滅磁電阻(5)與由指示器(2)和啟動(dòng)器(3)相并聯(lián)后再與熔絲(4)相串聯(lián)的電路相并聯(lián)所組成。其工作過程是當(dāng)發(fā)電機(jī)(6)事故滅磁時(shí)，其保護(hù)出口繼電器的常閉接點(diǎn)切除整流橋(1)可控硅的所有控制脈沖，保護(hù)繼電器常開接點(diǎn)接通啟動(dòng)器(3)，待可控硅陽極電壓變?yōu)樨?fù)時(shí)，發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的電流經(jīng)熔絲(4)和啟動(dòng)器(3)構(gòu)成回路，而流經(jīng)整流橋的電流小于可控硅最小維持電流，此時(shí)可控硅截止使整流橋關(guān)斷電源。隨后，熔絲發(fā)熱熔斷引起轉(zhuǎn)子電流的突變、其感應(yīng)電勢(shì)達(dá)到非線性滅磁電阻的導(dǎo)通值而進(jìn)行滅磁。
附圖二、附圖三是實(shí)用新型的另兩種主要的實(shí)施方式。附圖二的滅磁主電路由指示器(2)與啟動(dòng)器(3)、熔絲(4)與非線性滅磁電阻(5)兩兩并聯(lián)后再串接所組成，并且在滅磁主電路的兩端可并聯(lián)設(shè)置一個(gè)過電壓保護(hù)器(7)。附圖三的滅磁主電路由指示器(2)與啟動(dòng)器(3)相并聯(lián)后再與熔絲(4)相串接的電路和由二極管(8)與非線性滅磁電阻(5)串接的電路相并聯(lián)所構(gòu)成，并且還可以在滅磁主電路兩端并接一個(gè)過電壓保護(hù)器(7)。
利用本實(shí)用新型制造的新型滅磁裝置能達(dá)到較理想的滅磁時(shí)間要求，其滅磁工作過程不會(huì)產(chǎn)生勵(lì)磁回路操作過電壓，有利于勵(lì)磁設(shè)備的安全運(yùn)行，并且每次事故滅磁后，只需更換一下熔絲。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉、運(yùn)行可靠、維護(hù)方便、適用范圍廣、能滿足各類容量發(fā)電機(jī)滅磁要求等特點(diǎn)。
權(quán)利要求1.一種由可控硅整流橋[1]和滅磁主電路所組成的新型滅磁裝置，其特征在于，所述的滅磁主電路主要由啟動(dòng)器[3]、熔絲[4]和非線性滅磁電阻[5]按以下方式連接而成a、由啟動(dòng)器[3]和熔絲[4]所組成的串接電路與非線性滅磁電阻[5]相并聯(lián)；b、由熔絲[4]和非線性滅磁電阻[5]所組成的并聯(lián)電路與啟動(dòng)器[3]相串聯(lián)。
2.如權(quán)利要求1所述的新型滅磁裝置，其特征在于所述的啟動(dòng)器〔3〕的兩端并聯(lián)有指示器〔2〕。
3.如權(quán)利要求1、2所述的新型滅磁裝置，其特征在于所述的滅磁主電路上并聯(lián)有過電壓保護(hù)器〔7〕。
4.如權(quán)利要求1、2所述的新型滅磁裝置，其特征在于所述的非線性滅磁電阻〔5〕上串聯(lián)有二極管〔8〕。
5.如權(quán)利要求3所述的新型滅磁裝置，其特征在于所述的非線性滅磁電阻〔5〕上串接有二極管〔8〕。
專利摘要TMJ滅磁裝置，是可控硅整流勵(lì)磁發(fā)電機(jī)滅磁技術(shù)的革新。它成功地用結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的熔絲器件，取代勵(lì)磁回路開關(guān)的功能，利用熔絲的通流、斷流過程、使電源關(guān)斷，又導(dǎo)通非線性滅磁電阻，可靠地進(jìn)行發(fā)電機(jī)的滅磁。本滅磁裝置技術(shù)性能好，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，維護(hù)方便，適用于各類容量機(jī)組包括特大容量機(jī)組。
文檔編號(hào)H02P3/02GK2053810SQ8920341
公開日1990年2月28日 申請(qǐng)日期1989年3月23日 優(yōu)先權(quán)日1989年3月23日
發(fā)明者湯鳴招, 賈鳳儀 申請(qǐng)人:湯嗚招