本發(fā)明屬于多晶硅生產(chǎn)，具體涉及一種還原爐電源控制方法、裝置以及還原爐。

背景技術(shù)：

1、在多晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中，通過(guò)對(duì)還原爐的電源設(shè)置短路保護(hù)能夠防止因短路引發(fā)的設(shè)備損壞、火災(zāi)隱患和人身傷害，還能維持生產(chǎn)的連續(xù)性和穩(wěn)定性。然而，在實(shí)際生產(chǎn)中當(dāng)還原爐外環(huán)硅棒傾斜倒棒時(shí)會(huì)產(chǎn)生靠壁現(xiàn)象，導(dǎo)致運(yùn)行電流從硅棒流到爐桶上形成回路，對(duì)爐桶造成持續(xù)放電傷害。

2、現(xiàn)有技術(shù)采用了統(tǒng)一的斷電保護(hù)閾值作為還原爐電源短路保護(hù)閾值。但是固定閾值會(huì)導(dǎo)致硅棒在運(yùn)行電壓發(fā)生變化時(shí)，無(wú)法準(zhǔn)確檢測(cè)到硅棒是否發(fā)生故障，導(dǎo)致設(shè)備損壞和安全隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種還原爐電源控制方法、裝置以及還原爐，使用該方法能準(zhǔn)確檢測(cè)到還原爐中硅棒是否發(fā)生故障，從而及時(shí)控制硅棒對(duì)應(yīng)的電源。

2、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種還原爐電源控制方法，

3、所述還原爐的爐體內(nèi)包括有n個(gè)硅棒組，每個(gè)硅棒組包括多個(gè)對(duì)棒，n為正整數(shù)，所述方法包括：

4、采集第一硅棒組的運(yùn)行電壓和接地電流，所述第一硅棒組為所述n個(gè)硅棒組中的任意一組；

5、根據(jù)所述運(yùn)行電壓確定所述第一硅棒組的故障判斷閾值，所述故障判斷閾值為所述運(yùn)行電壓所屬預(yù)設(shè)電壓區(qū)間對(duì)應(yīng)的電源跳停保護(hù)閾值；

6、根據(jù)所述故障判斷閾值和所述接地電流對(duì)所述第一硅棒組進(jìn)行故障分析，得到故障分析結(jié)果，所述故障分析結(jié)果用于指示所述第一硅棒組是否發(fā)生故障；

7、在所述故障分析結(jié)果指示所述第一硅棒組發(fā)生故障的情況下，對(duì)所述第一硅棒組執(zhí)行電源控制措施。

8、可選地，所述根據(jù)所述運(yùn)行電壓確定所述第一硅棒組的故障判斷閾值之前，還包括：

9、將所述第一硅棒組的運(yùn)行電壓范圍進(jìn)行分區(qū)，得到p個(gè)電壓分區(qū)，p為正整數(shù)；

10、根據(jù)每個(gè)電壓分區(qū)范圍內(nèi)的最低電壓、所述第一硅棒組的接地電阻和所述第一硅棒組的對(duì)棒數(shù)量，確定所述第一硅棒組在各電壓分區(qū)的故障判斷閾值。

11、可選地，所述根據(jù)每個(gè)電壓分區(qū)范圍內(nèi)的最低電壓、所述第一硅棒組的接地電阻和所述第一硅棒組的對(duì)棒數(shù)量，確定所述第一硅棒組在各電壓分區(qū)的故障判斷閾值，具體包括：

12、通過(guò)以下公式(1)計(jì)算得到每個(gè)分區(qū)電壓分區(qū)的故障判斷閾值：

13、故障判斷閾值＝最低電壓/接地電阻/硅棒對(duì)數(shù)(1)

14、其中，所述最低電壓為電壓分區(qū)范圍內(nèi)的最低電壓，接地電阻為所述硅棒組的接地電阻柜的電阻，硅棒對(duì)數(shù)為所述第一硅棒組的對(duì)棒數(shù)量。

15、可選地，所述根據(jù)所述故障判斷閾值和所述接地電流對(duì)所述第一硅棒組進(jìn)行故障分析，得到故障分析結(jié)果，具體包括：

16、在檢測(cè)到第一時(shí)刻的接地電流大于等于第一閾值的情況下，獲取所述第一硅棒組從所述第一時(shí)刻至第二時(shí)刻的第一連續(xù)接地電流，所述第一時(shí)刻與所述第二時(shí)刻的時(shí)間間隔為第一預(yù)設(shè)單位時(shí)間；

17、在所述第一連續(xù)接地電流大于等于第一閾值的情況下，獲取所述第一硅棒組從所述第二時(shí)刻至第三時(shí)刻的第二連續(xù)接地電流，所述第一閾值為所述第一硅棒組在所述第一時(shí)刻的運(yùn)行電壓對(duì)應(yīng)的故障判斷閾值，所述第三時(shí)刻與所述第二時(shí)刻的時(shí)間間隔為第二預(yù)設(shè)單位時(shí)間；

18、在所述第二連續(xù)接地電流大于等于第一閾值的情況下，確定所述故障分析結(jié)果為所述第一硅棒組發(fā)生碰壁故障。

19、可選地，所述在所述故障分析結(jié)果指示所述第一硅棒組發(fā)生故障的情況下，對(duì)所述第一硅棒組執(zhí)行電源控制措施，具體包括：，

20、在所述故障分析結(jié)果指示所述第一硅棒組發(fā)生故障，并且運(yùn)行電壓大于預(yù)設(shè)電壓的情況下，對(duì)所述第一硅棒組執(zhí)行電源跳停；

21、所述在所述故障分析結(jié)果指示所述第一硅棒組發(fā)生故障，并且運(yùn)行電壓小于等于預(yù)設(shè)電壓的情況下，輸出故障預(yù)警信息。

22、可選地，所述采集第一硅棒組的運(yùn)行電壓和接地電流，所述第一硅棒組為所述n組硅棒中的任意一組硅棒之后，所述方法還包括：

23、在檢測(cè)到所述第一硅棒組在第四時(shí)刻的接地電流大于等于預(yù)設(shè)閾值的情況下，獲取所述第一硅棒組從所述第四時(shí)刻至第五時(shí)刻的第三連續(xù)接地電流，所述第四時(shí)刻與所述第五時(shí)刻的時(shí)間間隔為第三預(yù)設(shè)單位時(shí)間，所述預(yù)設(shè)閾值根據(jù)還原爐歷史檢測(cè)數(shù)據(jù)確定；

24、在所述第三連續(xù)接地電流大于等于目標(biāo)閾值的情況下，確定所述第一硅棒組發(fā)生短路故障。

25、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種還原爐電源控制裝置，所述還原爐的爐體內(nèi)包括有n個(gè)硅棒組，每個(gè)硅棒組包括多個(gè)對(duì)棒，n為正整數(shù)，所述裝置包括：

26、采集機(jī)構(gòu)，用于采集第一硅棒組的運(yùn)行電壓和接地電流，所述第一硅棒組為所述n組硅棒中的任意一組硅棒；

27、第一確定模塊，與所述采集機(jī)構(gòu)連接，用于根據(jù)所述運(yùn)行電壓確定所述第一硅棒組的故障判斷閾值，所述故障判斷閾值為所述運(yùn)行電壓所屬預(yù)設(shè)電壓區(qū)間對(duì)應(yīng)的電源跳停保護(hù)閾值；

28、分析模塊，與所述確定模塊連接，用于根據(jù)所述故障判斷閾值和所述接地電流對(duì)所述第一硅棒組進(jìn)行故障分析，得到故障分析結(jié)果，所述故障分析結(jié)果用于指示所述第一硅棒組是否發(fā)生故障；

29、控制模塊，與所述分析模塊連接，用于在所述故障分析結(jié)果指示所述第一硅棒組發(fā)生故障的情況下，對(duì)所述第一硅棒組執(zhí)行電源控制措施。

30、第三方面，一種還原爐，所述還原爐包括：

31、還原爐爐體；

32、排布于所述還原爐爐體內(nèi)的n組硅棒，每組硅棒包括多個(gè)對(duì)棒，n為正整數(shù)；

33、上述的還原爐電源控制裝置，用于對(duì)所述n組硅棒的電源進(jìn)行控制。

34、本發(fā)明的還原爐電源控制方法，可以通過(guò)實(shí)時(shí)采集每組硅棒的運(yùn)行電壓和接地電流，并根據(jù)當(dāng)前運(yùn)行電壓動(dòng)態(tài)確定故障判斷閾值，實(shí)現(xiàn)了對(duì)還原爐電源系統(tǒng)的精確監(jiān)控和自適應(yīng)保護(hù)。

技術(shù)特征：

1.一種還原爐電源控制方法，其特征在于，所述還原爐的爐體內(nèi)包括有n個(gè)硅棒組，每個(gè)硅棒組包括多個(gè)對(duì)棒，n為正整數(shù)，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐電源控制方法，其特征在于，所述根據(jù)所述運(yùn)行電壓確定所述第一硅棒組的故障判斷閾值之前，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的還原爐電源控制方法，其特征在于，所述根據(jù)每個(gè)電壓分區(qū)范圍內(nèi)的最低電壓、所述第一硅棒組的接地電阻和所述第一硅棒組的對(duì)棒數(shù)量，確定所述第一硅棒組在各電壓分區(qū)的各故障判斷閾值，具體包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐電源控制方法，其特征在于，所述根據(jù)所述故障判斷閾值和所述接地電流對(duì)所述第一硅棒組進(jìn)行故障分析，得到故障分析結(jié)果，具體包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原爐電源控制方法，其特征在于，所述在所述故障分析結(jié)果指示所述第一硅棒組發(fā)生故障的情況下，對(duì)所述第一硅棒組執(zhí)行電源控制措施，具體包括：，

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的還原爐電源控制方法，其特征在于，所述采集第一硅棒組的運(yùn)行電壓和接地電流，所述第一硅棒組為所述n組硅棒中的任意一組硅棒之后，所述方法還包括：

7.一種還原爐電源控制裝置，其特征在于，所述還原爐的爐體內(nèi)包括有n個(gè)硅棒組，每個(gè)硅棒組包括多個(gè)對(duì)棒，n為正整數(shù)，所述裝置包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的還原爐電源控制裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的還原爐電源控制裝置，其特征在于，所述分析模塊包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的還原爐電源控制裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

11.一種還原爐，其特征在于，所述還原爐包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種還原爐電源控制方法、裝置和還原爐，包括：采集第一硅棒組的運(yùn)行電壓和接地電流，所述第一硅棒組為所述N個(gè)硅棒組中的任意一組；根據(jù)所述運(yùn)行電壓確定所述第一硅棒組的故障判斷閾值，所述故障判斷閾值為所述運(yùn)行電壓所屬預(yù)設(shè)電壓區(qū)間對(duì)應(yīng)的電源跳停保護(hù)閾值；根據(jù)所述故障判斷閾值和所述接地電流對(duì)所述第一硅棒組進(jìn)行故障分析，得到故障分析結(jié)果，所述故障分析結(jié)果用于指示所述第一硅棒組是否發(fā)生故障；在所述故障分析結(jié)果指示所述第一硅棒組發(fā)生故障的情況下，對(duì)所述第一硅棒組執(zhí)行電源控制措施。使用該還原爐電源控制方法，可以提供對(duì)還原爐電源控制的準(zhǔn)確度。

技術(shù)研發(fā)人員：龔糧糧,馬強(qiáng),高疆鷹,楊文文,杜云飛,劉海龍,張振,馮超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新特能源股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6