開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路，該開關(guān)電源的占空比D的范圍為0～DMAX，DMAX為最大占空比，該斜坡補(bǔ)償電路包括：電流源，其輸出端產(chǎn)生第一電流；電容，由第一電流充電，電容兩端的電壓記為曲線電壓；第一開關(guān)管，其第一端連接電容的第一端，第二端接地，第一開關(guān)管在占空比D∈[0,DS]時(shí)開通以將曲線電壓置零，在占空比D∈(DS,DMAX]時(shí)關(guān)斷，DS為0至DMAX之間的預(yù)設(shè)值；電壓轉(zhuǎn)電流電路，跟隨曲線電壓并將跟隨的曲線電壓轉(zhuǎn)換為第二電流；第一鏡像電路，對(duì)第二電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生第三電流，第三電流對(duì)電容充電；第二鏡像電路，對(duì)第二電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生補(bǔ)償電流。本實(shí)用新型采用曲線補(bǔ)償方式，能夠在滿足斜率要求的情況下使得斜坡補(bǔ)償量更小。
【專利說明】開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源技術(shù)，尤其涉及一種開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路。

【背景技術(shù)】
[0002]在開關(guān)電源中，斜坡補(bǔ)償是連續(xù)模式開關(guān)電源在導(dǎo)通占空比超過50 %時(shí)維持系統(tǒng)穩(wěn)定的一種技術(shù)方案。具體而言，當(dāng)電流達(dá)到一定大小時(shí)，開關(guān)關(guān)斷，如果占空比超過50%，在開關(guān)電源中的電感電流的上升時(shí)間就大于整個(gè)周期的50%，那么電流下降時(shí)間就小于一個(gè)周期的50%，因此，在較短的時(shí)間內(nèi)電流還沒有來得及回到靜態(tài)初始值，下一個(gè)周期接著又開始了 ；下一個(gè)周期的初始電流變大，在接下來的周期里，電感電流很快就上升到參考點(diǎn)，使導(dǎo)通時(shí)間變短，占空比變得更窄；和上一個(gè)周期相比，這個(gè)周期的占空比減小到50%以內(nèi)，但是這樣又導(dǎo)致關(guān)斷時(shí)間太長(zhǎng)，下一個(gè)周期電流的初始值太小，又使得占空比再一次超過50% ;如此循環(huán)，電流以間隔一個(gè)周期過大和過小的方式出現(xiàn)振蕩。而斜坡補(bǔ)償則是在檢測(cè)點(diǎn)疊加預(yù)設(shè)的信號(hào)，使得電流閉環(huán)的影響可以得到抑制，以維持系統(tǒng)穩(wěn)定。
[0003]一般而言，檢測(cè)點(diǎn)的極限值都會(huì)在固定值的基礎(chǔ)上疊加隨占空比增大而增大的負(fù)增量，該負(fù)增量值就是斜坡補(bǔ)償量。從系統(tǒng)穩(wěn)定性的需要而言，隨著占空比變大，需要的斜坡補(bǔ)償量的斜率也要大，因而占空比越大，斜坡補(bǔ)償量也越大。但是，如果斜坡補(bǔ)償量過大，則極大地影響檢測(cè)點(diǎn)，甚至在最大占空比的時(shí)候檢測(cè)點(diǎn)的極限值已經(jīng)變的非常小，導(dǎo)致電路的設(shè)計(jì)非常困難。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中的斜坡補(bǔ)償量通常采用線性補(bǔ)償方式或者分段線性補(bǔ)償方式，圖1示出了線性補(bǔ)償方式下的斜坡補(bǔ)償量的曲線圖，圖2示出了分段線性補(bǔ)償方式下的斜坡補(bǔ)償量的曲線圖，其中斜坡補(bǔ)償量ΛP可以是電流量或者是與電流量對(duì)應(yīng)的電壓量。
[0005]參考圖1和圖2，如果在最大占空比Dmax處需要的斜坡補(bǔ)償量的最小斜率為k，那么線性補(bǔ)償方式在最大占空比Dmax處的至少斜坡補(bǔ)償量為Λ P = k.Dmax，而分段線性補(bǔ)償方式在最大占空比Dmax處的至少斜坡補(bǔ)償量為AP = k.(Dmax-0.5)。可以看出，在同樣的斜率需求下，分段線性補(bǔ)償方式的至少斜坡補(bǔ)償量已經(jīng)比線性補(bǔ)償方式小很多。例如取Dmax=0.8，那么分段線性補(bǔ)償方式的至少斜坡補(bǔ)償量是線性補(bǔ)償方式的3/8。
[0006]參考圖3，圖3示出了實(shí)現(xiàn)分段線性補(bǔ)償方式的斜坡補(bǔ)償電路10，該斜坡補(bǔ)償電路10包括:電流源31，產(chǎn)生電流I1 ;電容C，電容C由電流I1充電，電容C兩端的電壓記為分段線性電壓信號(hào)22 ;第一 NMOS晶體管32，由輸入數(shù)字信號(hào)21控制，以對(duì)分段線性電壓信號(hào)22進(jìn)行控制；第二 NMOS晶體管34，由運(yùn)算放大器33的輸出信號(hào)控制，第二 NMOS晶體管34的源端的信號(hào)跟隨分段線性電壓22 ;第一 PMOS晶體管35，流過第一 PMOS晶體管35的電流記為電流I2，該電流I2與分段線性電壓信號(hào)22和電阻R相關(guān)；第二 PMOS晶體管36，流過第二 PMOS晶體管36的電流記為補(bǔ)償電流Itl，補(bǔ)償電流Itl為反映斜坡補(bǔ)償量的電流，由電流I2鏡像產(chǎn)生。
[0007]更加具體而言，電容C的一端連接電流源31的輸出端、第一 NMOS晶體管32的漏端以及運(yùn)算放大器33的正輸入端，所述電容C的另一端連接地；電流源31的輸入端連接電源VDD。第一 NMOS晶體管32的源端連接地，柵端接收輸入數(shù)字信號(hào)21，第一 NMOS晶體管32在輸入數(shù)字信號(hào)21的控制下開通或關(guān)斷。運(yùn)算放大器33的負(fù)輸入端連接電阻R的一端和第二 NMOS晶體管34的源端，運(yùn)算放大器33的輸出端連接第二 NMOS管的柵端，電阻R的另一端連接地。第二 NMOS晶體管34的漏端連接第一 PMOS管35的漏端。電流源31輸出的電流為I1，第一 PMOS晶體管35的源漏電流為I2，第二 PMOS晶體管36的源漏電流為13。第一 PMOS晶體管35的漏端連接?xùn)哦?，并連接第二 PMOS晶體管36的柵端。第一 PMOS晶體管35和第二 PMOS晶體管36的源端連接電源VDD。第二 PMOS晶體管36的漏端作為輸出端，輸出補(bǔ)償電流為工0。
[0008]其中，輸入數(shù)字信號(hào)21僅在有補(bǔ)償?shù)恼伎毡确秶鷥?nèi)置O以斷開對(duì)分段線性電壓信號(hào)22的控制，在圖2所示分段線性補(bǔ)償方式中，有補(bǔ)償?shù)恼伎毡确秶傅氖?.5?Dmx。實(shí)際上，如果有補(bǔ)償?shù)恼伎毡确秶兂蒓?Dmax,那么就轉(zhuǎn)換為線性補(bǔ)償方式，圖3就轉(zhuǎn)變?yōu)榫€性補(bǔ)償方式的實(shí)現(xiàn)電路。
[0009]但是，無論是線性補(bǔ)償方式還是分段線性補(bǔ)償方式，其在接近Dmax處的至少斜坡補(bǔ)償量都比較大，使得檢測(cè)點(diǎn)的極限值較小，導(dǎo)致開關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)非常困難。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0010]本實(shí)用新型要解決的問題是提供一種開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路，采用曲線補(bǔ)償方式，能夠在滿足斜率要求的情況下使得斜坡補(bǔ)償量更小。
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路，該開關(guān)電源的占空比D的范圍為O?Dmax, Dmax為最大占空比，該斜坡補(bǔ)償電路包括:
[0012]電流源，其輸入端連接電源，其輸出端產(chǎn)生第一電流；
[0013]電容，其第一端連接所述電流源的輸出端，其第二端接地，所述第一電流對(duì)所述電容充電，所述電容兩端的電壓記為曲線電壓；
[0014]第一開關(guān)管，其第一端連接所述電容的第一端，其第二端接地，所述第一開關(guān)管在占空比De [O, Ds]時(shí)開通以將所述曲線電壓置零，在占空比D e (Ds, Dmax]時(shí)關(guān)斷，Ds為O至Dmax之間的預(yù)設(shè)值；
[0015]電壓轉(zhuǎn)電流電路，與所述電容的第一端相連，跟隨所述曲線電壓并將跟隨的曲線電壓轉(zhuǎn)換為第二電流；
[0016]第一鏡像電路，對(duì)所述第二電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生第三電流，該第三電流傳輸至所述電容的第一端以對(duì)所述電容充電；
[0017]第二鏡像電路，對(duì)所述第二電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生補(bǔ)償電流。
[0018]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述電壓轉(zhuǎn)電流電路包括:
[0019]運(yùn)算放大器，其正輸入端連接所述電容的第一端；
[0020]第二開關(guān)管，其控制端連接所述運(yùn)算放大器的輸出端，其第二端連接所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端并且經(jīng)由轉(zhuǎn)換電阻接地；
[0021]第一PMOS晶體管，其源端連接電源，其漏端連接該第一PMOS晶體管的柵端以及所述第二開關(guān)管的第一端，流經(jīng)所述第一 PMOS晶體管的電流為所述第二電流。
[0022]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第一鏡像電路包括:第二 PMOS晶體管，其源端連接電源，其漏端連接所述電容的第一端，其柵端連接該第一 PMOS晶體管的柵端。
[0023]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第二鏡像電路包括:第三PMOS晶體管，其源端連接電源，其漏端輸出所述補(bǔ)償電流，其柵端連接該第一 PMOS晶體管的柵端。
[0024]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，該斜坡補(bǔ)償電路還包括:電流轉(zhuǎn)電壓電路，將所述補(bǔ)償電流轉(zhuǎn)換為補(bǔ)償電壓，所述補(bǔ)償電壓的電壓值與所述補(bǔ)償電流的電流值一一對(duì)應(yīng)。
[0025]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0026]本實(shí)用新型實(shí)施例的開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路采用曲線補(bǔ)償方式，提供的斜坡補(bǔ)償量隨占空比的增大而增大，而且其斜率也隨著占空比的增大而增大，在相同的斜率下，曲線補(bǔ)償方式的至少斜坡補(bǔ)償量比線性補(bǔ)償方式以及分段線性補(bǔ)償方式都要小，因而可以在滿足斜率要求的情況下使得斜坡補(bǔ)償量更小，有利于簡(jiǎn)化開關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中線性補(bǔ)償方式下的斜坡補(bǔ)償量與占空比的關(guān)系曲線；
[0028]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中分段線性補(bǔ)償方式下的斜坡補(bǔ)償量與占空比的關(guān)系曲線；
[0029]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中一種實(shí)現(xiàn)分段線性補(bǔ)償方式的斜坡補(bǔ)償電路；
[0030]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的斜坡補(bǔ)償方法的斜坡補(bǔ)償量與占空比的關(guān)系曲線；
[0031]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例的斜坡補(bǔ)償電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但不應(yīng)以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0033]參考圖4，本實(shí)用新型實(shí)施例的斜坡補(bǔ)償方法中，斜坡補(bǔ)償量Λ P與占空比之間的關(guān)系曲線為“分段曲線”，而非現(xiàn)有技術(shù)中的“線性”或“分段線性”。
[0034]進(jìn)一步而言，該斜坡補(bǔ)償量Λ P可以是電流量或電壓量，本申請(qǐng)中又稱為“補(bǔ)償電流”或“補(bǔ)償電壓”。斜坡補(bǔ)償量Λ P在占空比為O至最大占空比Dmax之間有效。該斜坡補(bǔ)償量Λ P在預(yù)設(shè)的占空比Ds以下為0，該預(yù)設(shè)的占空比Ds可以是0.5或其他介于O?Dmax之間的數(shù)值；該斜坡補(bǔ)償量Λ P在預(yù)設(shè)占空比Ds以上隨占空比的增大而增大，而且斜坡補(bǔ)償量Λ P的斜率也隨占空比的增大而增大。
[0035]圖5示出了該斜坡補(bǔ)償方法的一種實(shí)現(xiàn)電路，也即斜坡補(bǔ)償電路100。該斜坡補(bǔ)償電路100包括:電流源301、電容C、第一開關(guān)管302、電壓轉(zhuǎn)電流電路20、第一鏡像電路以及第二鏡像電路。
[0036]進(jìn)一步而言，電流源301的輸入端連接電源VDD，其輸出端輸出第一電流Ip電流源301可以是現(xiàn)有技術(shù)中任意適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。
[0037]電容C的第一端連接電流源301的輸出端以接收第一電流I1,電容C的第二端接地。第一電流I1對(duì)電容C充電，電容C兩端的電壓記為曲線電壓202。
[0038]第一開關(guān)管302的第一端連接電容C的第一端，第一開關(guān)管302的第二端接地，第一開關(guān)管302的控制端接收輸入數(shù)字信號(hào)201，第一開關(guān)管302在輸入數(shù)字信號(hào)201的控制下開通或關(guān)斷。進(jìn)一步而言，第一開關(guān)管302在占空比D e [O, Ds]時(shí)開通，電容C的第一端經(jīng)由第一開關(guān)管302接地，使得曲線電壓202置零；第一開關(guān)管302在占空比D e (Ds, Dmax]時(shí)關(guān)斷，電容C的第一端與地之間斷開，電容C由第一電流I1和第三電流I3充電。其中，Ds為O至Dmax之間的預(yù)設(shè)值，例如可以是0.5或者其他適當(dāng)?shù)臄?shù)值。
[0039]作為一個(gè)非限制性的例子，第一開關(guān)管302可以是NMOS晶體管，其漏端連接電容C的第一端，其源端接地，其柵端接收該輸入數(shù)字信號(hào)201。在占空比De [O, DJ時(shí)，輸入數(shù)字信號(hào)201為“I”(也即邏輯高電平)，該NMOS晶體管導(dǎo)通；在占空比D e (Ds, Dmax]時(shí)，輸入數(shù)字信號(hào)201為“O” (也即邏輯低電平)，該NMOS晶體管關(guān)斷。
[0040]電壓轉(zhuǎn)電流電路20與電容C的第一端相連，對(duì)曲線電壓202進(jìn)行跟隨，并將跟隨的曲線電壓轉(zhuǎn)換為第二電流I2。
[0041]作為一個(gè)非限制性的實(shí)例，該電壓轉(zhuǎn)電流電路20可以包括:運(yùn)算放大器303，其正輸入端連接電容C的第一端；第二開關(guān)管304，其控制端連接運(yùn)算放大器303的輸出端，其第二端連接運(yùn)算放大器303的負(fù)輸入端并且經(jīng)由轉(zhuǎn)換電阻R接地；第一 PMOS晶體管305，其源端連接電源VDD，其漏端連接該第一 PMOS晶體管305的柵端以及第二開關(guān)管304的第一端，流經(jīng)第一 PMOS晶體管305的電流即為第二電流12。第二電流I2與曲線電壓202的電壓值以及轉(zhuǎn)換電阻R的電阻值相關(guān)聯(lián)。
[0042]作為一個(gè)非限制性的例子，第二開關(guān)管304可以是NMOS晶體管，其漏端連接第一PMOS晶體管305的漏端，其源端還經(jīng)由轉(zhuǎn)換電阻R接地，其柵端連接運(yùn)算放大器303的輸出端，其源端將跟隨曲線電壓202。
[0043]第一鏡像電路對(duì)第二電流I2進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生第三電流13。該第三電流I3也傳輸至電容C的第一端，以對(duì)電容C進(jìn)行充電。
[0044]第二鏡像電路對(duì)第二電流I2進(jìn)行鏡像，以產(chǎn)生補(bǔ)償電流Itlt5該補(bǔ)償電流Itl可以直接作為斜坡補(bǔ)償量，也可以放大后作為斜坡補(bǔ)償量?；蛘?，該補(bǔ)償電流Itl可以通過電流轉(zhuǎn)電壓電路轉(zhuǎn)換為補(bǔ)償電壓，而將該補(bǔ)償電壓或者其放大值作為斜坡補(bǔ)償量。在轉(zhuǎn)換時(shí)，補(bǔ)償電流Itl的電流值與轉(zhuǎn)換得到的補(bǔ)償電壓的電壓值一一對(duì)應(yīng)。例如，可以通過電阻將補(bǔ)償電流Itl轉(zhuǎn)換為相對(duì)應(yīng)的電壓值。
[0045]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，斜坡補(bǔ)償量可以作為疊加在檢測(cè)點(diǎn)上的負(fù)增量，例如，在將補(bǔ)償電流Itl作為斜坡補(bǔ)償量時(shí)，可以將其疊加至電流檢測(cè)點(diǎn)的誤差比較器。
[0046]作為一個(gè)非限制性的例子，第一鏡像電路包括第二 PMOS晶體管306，該第二 PMOS晶體管306的源端連接電源VDD，其漏端連接電容C的第一端以向電容C輸出第三電流13，其柵端連接該第一 PMOS晶體管305的柵端。第一鏡像電路的電流鏡像比可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定。
[0047]第二鏡像電路包括第三PMOS晶體管307，該第三PMOS晶體管307的源端連接電源VDD，其漏端輸出補(bǔ)償電流Itl，其柵端連接該第一 PMOS晶體管305的柵端。第二鏡像電路的電流鏡像比可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定。
[0048]在上述實(shí)施例中，當(dāng)占空比D e [O, DJ時(shí)，輸入數(shù)字信號(hào)201為邏輯“1”，第一NMOS晶體管302開通，電容C兩端的曲線電壓信號(hào)202被置零；當(dāng)占空比D e (Ds, Dmax]時(shí)，輸入數(shù)字信號(hào)201為邏輯“0”，第一 NMOS晶體管302關(guān)斷，曲線電壓信號(hào)202由第一電流I1和第三電流I3共同對(duì)電容C充電產(chǎn)生。將曲線電壓信號(hào)202的電壓記為V。，則有關(guān)系式:
dV
[0049]Cf= ^+/3，其中，C為電容C的電容值，I1為第一電流I1的電流值，I3為第三電流I3的電流值。
[0050]第二電流I2可以認(rèn)為是曲線電壓202經(jīng)由電阻R產(chǎn)生的，而運(yùn)算放大器303的正輸入端和負(fù)輸入端電壓相等，因此，可以得到如下關(guān)系式:
[0051]/2 =4，其中，I2為第二電流I2的電流值，R為電阻R的電阻值。
K
[0052]設(shè)第二電流I2、第三電流I3以及補(bǔ)償電流I。之間的鏡像關(guān)系如下:f = ?，
也即第一鏡像電路的鏡像比為m，第二鏡像電路的鏡像比為n，那么由上面兩個(gè)關(guān)
12
系式可得到:
^dvr , yr
[0053]( ^~ =./, + IU--
(itR
[0054]進(jìn)而可得:
[0055]=-1]，其中，T為開關(guān)電源的開關(guān)周期，t為時(shí)間；
m
V nl -H-DsT)
[0056]/0="丄=」[一-1]
R m
[0057]由此，可以得到補(bǔ)償電流Ici的斜率:
「 ? dl, ^d10 ηΙ,Τ
[0058]—Γ~°- = ~l—eRL 。
(ID dt RC
[0059]由上，補(bǔ)償電流Itl的斜率為指數(shù)函數(shù)，而指數(shù)函數(shù)是增函數(shù)，隨著占空比D的增大，補(bǔ)償電流Itl的斜率是逐漸變大的。
[0060]如果在最大占空比Dmax處需要的斜坡補(bǔ)償量的斜率為k，斜坡補(bǔ)償量是補(bǔ)償電流Itl
的a倍，那么補(bǔ)償電流Itl的斜率為！，在t = DmaxT時(shí)刻，將有:


a
k nLT
[0061]— = ^—e^c
a RC
[0062]艮P；
—iDMi\-Ds )t k RC
[0063]eRL=---—

a /?/■/
[0064]從而可以得到在t = DmaxT時(shí)刻，本實(shí)施例的曲線補(bǔ)償方式的至少斜坡補(bǔ)償量為
Λη ,/7/, tk RCnl, k RC , RC
[0065]AP^aIn , /(ι n , =a--(-----\)<a------TV =左.~T.m a IiilTm a n“T mT


Rf
[0066]通常，在參數(shù)m、R、C設(shè)計(jì)合理的情況下，可以使得一；:<0.1。因此，本實(shí)施例的曲



ml
線補(bǔ)償方式的至少斜坡補(bǔ)償量比現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)的分段線性補(bǔ)償方式要小的多。如果假定
RC
~^ = 0.1，?。?= 0.5，Dmx = 0.8，那么本實(shí)施例的曲線補(bǔ)償方式的至少斜坡補(bǔ)償量將是分ml段線性補(bǔ)償方式的I?
[0067]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制。因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，只是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單的修改、等同的變換，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種開關(guān)電源的斜坡補(bǔ)償電路，該開關(guān)電源的占空比D的范圍為O?Dmax, Dmax為最大占空比，其特征在于，該斜坡補(bǔ)償電路包括: 電流源，其輸入端連接電源，其輸出端產(chǎn)生第一電流； 電容，其第一端連接所述電流源的輸出端，其第二端接地，所述第一電流對(duì)所述電容充電，所述電容兩端的電壓記為曲線電壓； 第一開關(guān)管，其第一端連接所述電容的第一端，其第二端接地，所述第一開關(guān)管在占空比De [O, Ds]時(shí)開通以將所述曲線電壓置零，在占空比D e (Ds, Dmax]時(shí)關(guān)斷，Ds為O至Dmax之間的預(yù)設(shè)值； 電壓轉(zhuǎn)電流電路，與所述電容的第一端相連，跟隨所述曲線電壓并將跟隨的曲線電壓轉(zhuǎn)換為第二電流； 第一鏡像電路，對(duì)所述第二電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生第三電流，該第三電流傳輸至所述電容的第一端以對(duì)所述電容充電； 第二鏡像電路，對(duì)所述第二電流進(jìn)行鏡像以產(chǎn)生補(bǔ)償電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，所述電壓轉(zhuǎn)電流電路包括: 運(yùn)算放大器，其正輸入端連接所述電容的第一端； 第二開關(guān)管，其控制端連接所述運(yùn)算放大器的輸出端，其第二端連接所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端并且經(jīng)由轉(zhuǎn)換電阻接地； 第一PMOS晶體管，其源端連接電源，其漏端連接該第一PMOS晶體管的柵端以及所述第二開關(guān)管的第一端，流經(jīng)所述第一 PMOS晶體管的電流為所述第二電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，所述第一鏡像電路包括:第二PMOS晶體管，其源端連接電源，其漏端連接所述電容的第一端，其柵端連接該第一 PMOS晶體管的柵端。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，所述第二鏡像電路包括:第三PMOS晶體管，其源端連接電源，其漏端輸出所述補(bǔ)償電流，其柵端連接該第一 PMOS晶體管的柵端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜坡補(bǔ)償電路，其特征在于，還包括:電流轉(zhuǎn)電壓電路，將所述補(bǔ)償電流轉(zhuǎn)換為補(bǔ)償電壓，所述補(bǔ)償電壓的電壓值與所述補(bǔ)償電流的電流值一一對(duì)應(yīng)。
【文檔編號(hào)】H02M3/155GK203984244SQ201420430087
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】周偉江 申請(qǐng)人:杭州士蘭微電子股份有限公司