用于低功率的芯片上交流直流轉(zhuǎn)換的無(wú)二極管的全波整流器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明披露了一種在低交流輸入電壓上運(yùn)行的橋式整流器，例如射頻識(shí)別（RFID）裝置接收到的低電壓。由于橋式二極管而引起的電壓降可以得到避免。四個(gè)p-溝道晶體管安排成在交流輸入端之間的晶體管橋，產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)部電源電壓。另外四個(gè)二極管接法晶體管形成一個(gè)啟動(dòng)二極管橋，其產(chǎn)生一個(gè)比較器電源電壓和一個(gè)參考地電壓。啟動(dòng)二極管橋在初始啟動(dòng)階段運(yùn)行，然后比較器和升壓驅(qū)動(dòng)器再運(yùn)行。一個(gè)比較器接收該交流輸入并控制升壓驅(qū)動(dòng)器的時(shí)序，升壓驅(qū)動(dòng)器利用高于峰值交流電壓的提升電壓交替驅(qū)動(dòng)晶體管橋里四個(gè)p-溝道晶體管的柵極。襯底在橋的電源電壓那一半邊連接到電源電壓，在橋的接地那一半邊連接到交流輸入，以便完全斷開(kāi)晶體管，防止反向電流流動(dòng)。
【專利說(shuō)明】用于低功率的芯片上交流直流轉(zhuǎn)換的無(wú)二極管的全波整流器【【技術(shù)領(lǐng)域】】[0001]本發(fā)明涉及整流器，特別涉及沒(méi)有二極管電壓降的使用晶體管的橋式整流器。 【【背景技術(shù)】】[0002]廣泛使用的最小的電子設(shè)備之一是射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽。它不需要使用電池電力，電力是從外部來(lái)源提供的，如RFID讀取器或掃描器。RFID標(biāo)簽或設(shè)備上的小型天線從 RFID讀取器接收無(wú)線電波。接收到的RF電波被模擬前端(AFE)整形修正，產(chǎn)生一個(gè)電源電壓。AFE也從RFID讀取器中提取一個(gè)載有指令或命令的編碼信號(hào)。[0003]圖1顯示一個(gè)通過(guò)修正接收到的RF電波而產(chǎn)生電力的RFID設(shè)備。匹配網(wǎng)絡(luò)104 連接到RFID設(shè)備上一個(gè)小型天線。接收到的RF信號(hào)被應(yīng)用到RF模擬前端102內(nèi)的整流器108上。整流器108產(chǎn)生電源電壓和電流，其為RF模擬前端102、數(shù)字基帶106、RFID處理器110提供電力。它們可以集成在一個(gè)單獨(dú)的硅芯片上，也可以是分離的芯片。RF模擬前端102也從RF載波上提取一個(gè)信號(hào)，其可以使用簡(jiǎn)單的NRZ編碼或使用更復(fù)雜的編碼機(jī)制進(jìn)行編碼。[0004]圖2A顯示一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的二極管橋式整流電路。交流電源114產(chǎn)生一個(gè)交替波如在其AC+、AC-端的正弦波。全波整流橋式電路由二極管116、118、120、124連接在AC+、 AC-端而形成。負(fù)載112連接在中間節(jié)點(diǎn)VDD、VSS之間。負(fù)載112可以是電阻或可以是由 VDD供電的表示大型電氣系統(tǒng)負(fù)載的等效負(fù)載。[0005]在AC波的第一相位期間，當(dāng)AC+為正、AC-為負(fù)時(shí)，電流從AC+經(jīng)過(guò)二極管118到 VDD，然后經(jīng)過(guò)負(fù)載112到VSS，最后經(jīng)過(guò)二極管124到AC-。在AC波的第二相位期間，當(dāng) AC+為負(fù)、AC-為正時(shí)，電流從AC-經(jīng)過(guò)二極管1120到VDD，然后經(jīng)過(guò)負(fù)載112到VSS，最后經(jīng)過(guò)二極管116到AC+。[0006]通常交流電源114是諸如來(lái)自120伏墻上電源插座的交流電流。但是，小型電氣系統(tǒng)諸如RFID設(shè)備是由接收到的RF信號(hào)供電的。因?yàn)樘炀€很小，接收到的RF信號(hào)也很弱， 產(chǎn)生相當(dāng)小的電壓。也許只有幾伏。[0007]由于二極管內(nèi)的p-n結(jié)，每個(gè)二極管116、118、120、124都產(chǎn)生一個(gè)大約0.5到0.8 伏的電壓降。因此在第一相位的峰值時(shí)，VDD是一個(gè)低于AC+以下的二極管電壓降，VSS是一個(gè)高于AC-以上的二極管電壓降。[0008]圖2B顯示當(dāng)使用圖2A的二極管整流器進(jìn)行整流時(shí)的二極管電壓降。電源電壓 VDD (實(shí)線)是由全波AC+ (虛線)和AC-(未顯示)產(chǎn)生的一個(gè)整流波形。因?yàn)榻涣麟娏鹘?jīng)過(guò)兩個(gè)二極管，VDD被降低了兩個(gè)二極管結(jié)的電壓降，即2*VT。[0009]當(dāng)使用圖2A的二極管橋式整流器作為圖1所示RFID系統(tǒng)的整流器108時(shí)，來(lái)自匹配網(wǎng)絡(luò)104的RF信號(hào)必須在峰值電壓上至少要比期望的VDD高2*VT，期望的VDD需要給諸如RFID處理器110的電路供電。當(dāng)添加一個(gè)電力電容器到VDD上以平滑或平均化所述整流波而產(chǎn)生一個(gè)更穩(wěn)`定的VDD時(shí)，會(huì)出現(xiàn)進(jìn)一步的電壓損耗。這就需要一個(gè)更大的天線來(lái)獲得足夠的RF能量，以產(chǎn)生足夠大的交流電壓。當(dāng)然，更大的天線是不受歡迎的。[0010]二極管橋式整流器可能由分立的二極管形成，而不是集成在和RF模擬前端102同一個(gè)硅基板上。這也是不受歡迎的，因?yàn)榉至⒌亩O管增加了 RFID設(shè)備的成本和尺寸。[0011]期望能有一個(gè)不使用分立二極管的全波整流器。使用普通晶體管諸如互補(bǔ)金屬-氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管的整流器是受歡迎的，因此整流器可以集成在一個(gè)較大系統(tǒng)芯片或AFE上。使用晶體管而不是二極管的全波橋式整流器是可以避免由于二極管p-n 結(jié)造成的電壓降。也期望能有用于芯片上交流-直流轉(zhuǎn)換器的整流器，期望能夠在一個(gè)非常小的交流電壓上運(yùn)行。也期望能有自啟動(dòng)晶體管整流器?！尽緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】】[0012]圖1顯示一個(gè)RFID裝置，其通過(guò)整形接收到的RF波而產(chǎn)生電力。[0013]圖2A顯示現(xiàn)有技術(shù)的二極管整流器橋式電路。[0014]圖2B顯示當(dāng)使用圖2A的二極管整流器進(jìn)行整流時(shí)產(chǎn)生的二極管電壓降。[0015]圖3A-B突出顯示晶體管全波橋式電路的運(yùn)行。[0016]圖4是用于低壓應(yīng)用的具有二極管接法啟動(dòng)橋的基于晶體管的橋式整流器示意圖。[0017]圖5是更詳細(xì)的啟動(dòng)二極管橋示意圖。[0018]圖6是更詳細(xì)的晶體管橋示意圖。[0019]圖7是描述圖4的整流器電路運(yùn)行的波形圖。[0020]圖8是升壓驅(qū)動(dòng)器的示意圖，如圖4中的升壓驅(qū)動(dòng)器32。[0021]圖9是另一個(gè)使用共模參考電壓的橋式電路。[0022]圖10是另一個(gè)橋式電路。 【發(fā)明詳述】[0023]本發(fā)明涉及改進(jìn)的低壓整流器。以下描述使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠依照特定應(yīng)用及其要求制作和使用在此提供的本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的各種修改，且本文所界定的一般原理可應(yīng)用于其它實(shí)施例。因此，本發(fā)明不希望限于所展示和描述的特定實(shí)施例，而是應(yīng)被賦予與本文所揭示的原理和新穎特征一致的最廣范圍。[0024]圖3A-B顯示晶體管全波橋式整流器的運(yùn)行。在圖3A中，在第一相位Pl期間，在電壓上AC+為正，AC-為負(fù)。控制電路130檢查AC+或AC-，產(chǎn)生柵控信號(hào)A、B。在相位Pl 期間，柵控信號(hào)A是活動(dòng)狀態(tài)的，柵控信號(hào)B是非活動(dòng)狀態(tài)的。柵控信號(hào)A接通晶體管10、 12，使得電流從AC+經(jīng)過(guò)晶體管10、負(fù)載112和晶體管12到達(dá)AC-。晶體管14、16保持?jǐn)嚅_(kāi)，因?yàn)锽是非活動(dòng)狀態(tài)的。[0025]在圖3B，在第二相位P2期間，在電壓上AC+為負(fù)，AC-為正?？刂齐娐?30檢查 AC+或AC-，產(chǎn)生非活動(dòng)狀態(tài)的柵控信號(hào)A和活動(dòng)狀態(tài)的柵控信號(hào)B。柵控信號(hào)B接通晶體管14、16，使得電流從AC-經(jīng)過(guò)晶體管14、負(fù)載112和晶體管16到達(dá)AC+。晶體管10、12保持?jǐn)嚅_(kāi)，因?yàn)锳是非活動(dòng)狀態(tài)的。[0026]在兩個(gè)相位上，流過(guò)負(fù)載112的電流的方向是相同的，都是從VDD到VSS。VSS是內(nèi)部接地，其可以直接連接或者不直接連接到外部交流接地。因此在兩個(gè)相位都提供有電流?？刂齐娐?30提供時(shí)序給柵控信號(hào)A、B，也使用電荷泵或電壓升壓電路去提升它們的高電壓。因?yàn)槭褂昧司w管而不是二極管，避免了圖2A-B的p-n結(jié)二極管電壓降?？梢允?用一個(gè)較低的交流電壓輸入來(lái)給電路如RFID設(shè)備供電。[0027]圖4是用于低電壓應(yīng)用的具有二極管接法的啟動(dòng)橋的基于晶體管的橋式整流器 的示意圖。交流輸入41可以是來(lái)自RFID讀取器的在一個(gè)小型天線上接收的RF信號(hào)。交 流信號(hào)在峰值電壓上可以是非常低的，如+/-3伏。[0028]啟動(dòng)二極管橋140接收AC+和AC-，產(chǎn)生一個(gè)整流后的比較器電源電壓VDC和一個(gè) 參考地電壓。整流后的比較器電源電壓VDC被用作比較器的電源，而參考地電壓被用作比 較器的地電位。啟動(dòng)二極管橋140包含二極管接法晶體管，并在啟動(dòng)期間運(yùn)行，然后才是比 較器30和晶體管橋150開(kāi)始運(yùn)行。[0029]比較器30在其反相輸入端接收AC+，在其同相輸入端接收參考地電壓。當(dāng)AC+低 于參考地電壓時(shí)(即相位P2期間)，比較器30產(chǎn)生控制輸出CB為高。升壓驅(qū)動(dòng)器(Boost driver) 32反轉(zhuǎn)CB而產(chǎn)生柵控信號(hào)NGB。[0030]比較器30的輸出被逆變器36反轉(zhuǎn)，再被升壓驅(qū)動(dòng)器34反轉(zhuǎn)而產(chǎn)生柵控信號(hào)NGA。 比較器30、逆變器36和升壓驅(qū)動(dòng)器32、34都由VDC和參考地電壓供電，它們是由啟動(dòng)二極 管橋140產(chǎn)生。[0031]圖3A-B顯不的棚控彳目號(hào)A、B都是低電平活動(dòng)狀態(tài)(active-low)彳目號(hào)NGA、NGB。 柵控信號(hào)NGA被施加到P-溝道晶體管20、22的柵極上，而柵控信號(hào)NGB被施加到p-溝道 晶體管24、26的柵極上。[0032]當(dāng)AC+為正，AC-為負(fù)時(shí)，即在相位Pl期間，比較器30驅(qū)動(dòng)CB至低，逆變器36驅(qū) 動(dòng)CA至高。升壓驅(qū)動(dòng)器32驅(qū)動(dòng)NGB至高，而升壓驅(qū)動(dòng)器34驅(qū)動(dòng)NGA至低，接通p-溝道晶 體管20、22。電流從AC+流經(jīng)晶體管20、負(fù)載112、和晶體管22到AC-。晶體管24、26被驅(qū) 動(dòng)至高的NGB關(guān)斷。[0033]當(dāng)AC+為負(fù)，AC-為正時(shí)，即在相位P2期間，比較器30驅(qū)動(dòng)CB至高，逆變器36驅(qū) 動(dòng)CA至低。升壓驅(qū)動(dòng)器34驅(qū)動(dòng)NGA至高，而升壓驅(qū)動(dòng)器32驅(qū)動(dòng)NGB至低，接通p-溝道晶 體管24、26。電流從AC-流經(jīng)晶體管24、負(fù)載112、和晶體管26到AC+。晶體管20、22被驅(qū) 動(dòng)至高的NGA關(guān)斷。[0034]在啟動(dòng)階段，當(dāng)交流電最初施加到該電路上時(shí)，VDC還沒(méi)有上升到一個(gè)相當(dāng)高的電 壓去供電給比較器30、逆變器36和升壓驅(qū)動(dòng)器32、34。柵控信號(hào)NGA、NGB也沒(méi)有被一個(gè)足 夠大的電壓驅(qū)動(dòng)而產(chǎn)生一個(gè)穿過(guò)P-溝道晶體管20、22、24、26的并大于晶體管閾值電壓Vtp 的柵極-源極電壓降。因此P-溝道晶體管20、22、24、26在最初的啟動(dòng)階段保持關(guān)斷。[0035]圖5是更詳細(xì)的啟動(dòng)二極管橋示意圖。負(fù)載115是一個(gè)電阻負(fù)載，其可以包括諸 如在比較器30、逆變器36和升壓驅(qū)動(dòng)器32、34里的VDC和參考地電壓之間的寄生負(fù)載。負(fù) 載115位于整流后的比較器電源電壓VDC和參考地電壓之間。電容器91可以是一個(gè)真實(shí) 的電源接地電容器(power-to-ground capacitor)或者是在比較器30、逆變器36和升壓驅(qū) 動(dòng)器32、34里的VDC和參考地電壓之間的寄生電容。[0036]在所述初始啟動(dòng)階段時(shí)間內(nèi)，由啟動(dòng)二極管橋140內(nèi)的二極管接法晶體管 (Diode-connected transistor)提供整流。因?yàn)闁艠O和漏極是連接在一起的，一旦AC+或 AC-超過(guò)內(nèi)部VDC大約0.5-0.8伏的二極管結(jié)電壓，二極管接法晶體管40、42、44、46就開(kāi)始 傳導(dǎo)，這時(shí)VDC仍然很低。[0037]例如，在啟動(dòng)階段的相位Pl,當(dāng)AC+大于+0.8伏，且AC-小于-0.8伏時(shí)，當(dāng)VDC 和VSS還在O伏左右時(shí)，P-溝道二極管接法晶體管40接通。二極管接法晶體管42也接通。 電流從AC+，經(jīng)過(guò)晶體管40、負(fù)載112和晶體管42到AC-。在啟動(dòng)階段，AC+經(jīng)過(guò)幾個(gè)周期 緩慢上升，VDC能上升超過(guò)參考地電壓。最終AC+足夠大，VDC達(dá)到一個(gè)足夠高的電壓，使得 比較器30、逆變器36和升壓驅(qū)動(dòng)器32、34能夠運(yùn)行，而且晶體管橋150內(nèi)的p-溝道晶體管20、22、24、26能夠開(kāi)始接通和斷開(kāi)。一旦p_溝道晶體管20、22、24、26開(kāi)始運(yùn)行，穿過(guò)它們 溝道的電壓降就下降到低于二極管結(jié)電壓降，二極管接法晶體管40、42、44、46就斷開(kāi)。[0038]p-溝道晶體管40、44的本體(bulk)、襯底(substrate)或井連接(well connections)都連接到VDC。p-溝道晶體管46的體端(bulk terminal)連接到AC+。p-溝 道晶體管42的體端連接到AC-。對(duì)于斷開(kāi)的情況,體端(bulk terminals)被連接到源極端 和漏極端的正電壓上。[0039]圖6是更詳細(xì)的晶體管橋示意圖。VDD和VSS之間的負(fù)載112可以是一個(gè)虛負(fù)載， 表示一個(gè)大芯片諸如RF模擬前端102里的晶體管負(fù)載。可以在VDD和外接地之間(或VDD 和VSS之間)添加電力電容器90，以平滑整流波輸出的周期變化，從而產(chǎn)生一個(gè)更穩(wěn)定的具 有更少紋波(ripple)的VDD。電力電容器90可以是一個(gè)內(nèi)部或一個(gè)外部電容器，可以包括 寄生電容。[0040]p-溝道晶體管20、24的本體(bulk)、襯底(substrate)或井連接(well connections)都連接到VDD。電流從AC+或從AC-經(jīng)過(guò)這些晶體管而到達(dá)VDD。當(dāng)這些晶 體管20、24斷開(kāi)時(shí)，AC+或AC-會(huì)有一個(gè)大的負(fù)電壓。VDD比該電壓要大很多，因此對(duì)于該 偏壓情況，VDD就被認(rèn)為是源極端。對(duì)于斷開(kāi)的情況，體端被連接到源極端和漏極端的最正 電壓上。[0041]P-溝道晶體管26的體端連接到AC+。當(dāng)AC+為負(fù)時(shí)，電流從VSS經(jīng)過(guò)晶體管26 到AC+。當(dāng)晶體管26斷開(kāi)時(shí)，AC+就有一個(gè)大的正電壓，而源極端保持內(nèi)部接地。因此對(duì)于 斷開(kāi)的情況，體端就連接到源極和漏極端的最正電壓上。[0042]P-溝道晶體管22的體端連接到AC-。電流從VSS經(jīng)過(guò)晶體管22到AC-。當(dāng)晶體 管22斷開(kāi)時(shí)，AC-就有一個(gè)大的正電壓，而源極端保持內(nèi)部接地。因此對(duì)于斷開(kāi)的情況，體 端就連接到源極和漏極端的最正電壓上。[0043]在初始啟動(dòng)階段，比較器30和升壓驅(qū)動(dòng)器32、34還沒(méi)有上電，并不驅(qū)動(dòng)p_溝道晶 體管20、22、24、26的柵極，所以P-溝道晶體管20、22、24、26沒(méi)有接通。相反，啟動(dòng)二極管橋 140內(nèi)的二極管接法晶體管40、42、44、46接通，因?yàn)樗鼈儾恍枰粋€(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路去驅(qū)動(dòng)， 它們的柵極連接到它們的漏極。一旦內(nèi)部電源上升大約I伏，比較器30、逆變器36和升壓 驅(qū)動(dòng)器32、34就運(yùn)行以驅(qū)動(dòng)p-溝道晶體管20、22、24、26的柵極。一旦p-溝道晶體管20、 22、24、26開(kāi)始在線性區(qū)域?qū)?，它們的?dǎo)通就會(huì)驅(qū)動(dòng)漏極-源極電壓到更低。因此在此橋 式整流電路里就不再有任何二極管電壓降了。啟動(dòng)二極管橋140繼續(xù)運(yùn)行以提供VDC給比 較器30、逆變器36和升壓驅(qū)動(dòng)器32、34。[0044]圖7是描述圖4整流電路運(yùn)行的波形圖。在初始階段，AC+、AC-有一減小的電壓 波幅，但是當(dāng)初始階段過(guò)去后，此例子中的AC+、AC-就是大約+ 3伏到-3伏的完全波幅。 也許還有一些未顯示的啟動(dòng)周期，而且電壓波幅會(huì)在這些啟動(dòng)周期里逐漸增加。[0045]啟動(dòng)二極管橋140內(nèi)的二極管接法晶體管40、42、44、46運(yùn)行以產(chǎn)生VDC，其峰值大約比AC+的峰值電壓小一個(gè)二極管電壓降，大約1.6伏，這包括由于晶體管閾值電壓的體效 應(yīng)而引起的增大的電壓降。VDC’顯示的是當(dāng)沒(méi)有連接電力電容器91時(shí)的VDC。電力電容 器將VDC’平均化而產(chǎn)生一個(gè)更低的大約1.2伏的VDC，但是確切數(shù)值可能隨著交流波形形 狀和其他因素而變化。[0046]比較器30比較AC+和地電壓，然后與逆變器36 —起，在第一相位Pl階段，產(chǎn)生CA 為高，CB為低，而在第二相位P2階段，產(chǎn)生CA為低，CB為高。這些電壓會(huì)逐漸振蕩上升直 到VDC達(dá)到1.6伏，它們也就振蕩到1.6伏高。[0047]升壓驅(qū)動(dòng)器32、34驅(qū)動(dòng)NGA、NGB在地電位(O伏)和約4伏(其高于VDD和峰值交 流電壓)之間振蕩(swing)。該上升的柵極電壓確保P-溝道晶體管20、22、24、26完全斷開(kāi)， 甚至當(dāng)AC+或AC-高于VDD或低于VSS時(shí)也是這樣。請(qǐng)注意內(nèi)部接地VSS可能會(huì)關(guān)于外部 交流接地或關(guān)于參考地電壓而浮動(dòng)。[0048]VDD’顯示的是當(dāng)沒(méi)有連接電力電容器90時(shí)的VDD。整流波在O到3伏之間振蕩。 沒(méi)有二極管電壓降。AC+振蕩到峰值3伏，VDD的整流波也一樣。VDD’和VDD在啟動(dòng)周期 內(nèi)逐漸上升，直到達(dá)到一個(gè)穩(wěn)態(tài)值。VDD’可能不是一個(gè)真正的電路節(jié)點(diǎn)，但是有助于清晰描 述。[0049]VDD顯示的是連接有電力電容器90的影響。在實(shí)際的電路里，電力電容器90 很可能是一個(gè)，或者是多個(gè)片上電容器(on-chip capacitor)、寄生電容、或片外電容器 (off-chip capacitor)、或各種組合。VDD和地電位之間的電容在VDD’峰值期間存儲(chǔ)電荷， 在交流信號(hào)的交界點(diǎn)期間釋放電荷。因此VDD電壓被電力電容器90變平滑了或?yàn)V波了。在 此例子中，從峰值3伏的交流電壓得到了平均大約2.2伏的VDD。其他的交流電壓和電路設(shè) 計(jì)可以得到其他的VDD值。為了得到一個(gè)期望的目標(biāo)VDD，電路設(shè)計(jì)者可以模擬和調(diào)整電路 組件。[0050]圖8是升壓驅(qū)動(dòng)器的示意圖，如圖4中的升壓驅(qū)動(dòng)器32。控制信號(hào)CA從參考地電 壓脈動(dòng)到VDC，被連接在VDC和參考地電壓之間的P-溝道晶體管54和η-溝道晶體管56反 轉(zhuǎn)，產(chǎn)生節(jié)點(diǎn)C3?？刂菩盘?hào)CA在泵電容器62上泵浦(pump)，而節(jié)點(diǎn)C3在泵電容器64上 泵浦，但是是相反的相位。泵電容器62、64上的泵浦被連接到節(jié)點(diǎn)Cl、C2，其有η-溝道晶 體管50、52作為交叉耦合負(fù)載。這形成了雙穩(wěn)態(tài)元件。[0051]當(dāng)C3接地時(shí)，在泵電容器64另一側(cè)的節(jié)點(diǎn)C2就通過(guò)η_溝道晶體管52而被驅(qū)動(dòng) 到VDC，n-溝道晶體管52的柵極通過(guò)泵電容器62而泵浦到更高，因?yàn)镃A為高。然后當(dāng)C3 從地電壓上升到VDC時(shí)，晶體管52斷開(kāi)，節(jié)點(diǎn)C2被泵電容器64推高到VDD之上。因?yàn)镃3 和C2都是高，CA是低，所以η-溝道放電晶體管58就關(guān)斷，ρ_溝道通過(guò)晶體管60就因?yàn)槠?柵極上的低CA而接通，使得節(jié)點(diǎn)C2上的上升電壓通過(guò)而到達(dá)柵控信號(hào)NGA。[0052]當(dāng)CA又上升時(shí)，η-溝道放電晶體管58接通，將柵控信號(hào)NGA拉到參考地電壓。高 的CA將斷開(kāi)P-溝道通過(guò)晶體管60，隔離節(jié)點(diǎn)C2，防止其丟失電荷。因此節(jié)點(diǎn)C2可以在幾 個(gè)周期上都泵浦(pump up)。能得到的上升電壓電平取決于多個(gè)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，如電容比、寄生 電容、晶體管尺寸、和由AC+、AC-確定的控制信號(hào)CA的頻率。[0053]P-溝道通過(guò)晶體管60的體端連接到節(jié)點(diǎn)VSUB，其可以由類似的電荷泵或升壓 電路產(chǎn)生，如復(fù)制的泵電容器62、64和晶體管50、52、54、56，那么復(fù)制的節(jié)點(diǎn)C2就是節(jié)點(diǎn) VSUB。該復(fù)制電路還是由控制/[目號(hào)CA驅(qū)動(dòng)。[0054]圖9是另一個(gè)使用共模參考的橋式電路。共模產(chǎn)生器160接收AC+、AC_并產(chǎn)生共模電VCM，如通過(guò)對(duì)電壓AC+、AC-在時(shí)間上進(jìn)行濾波或平均化。比較器30的同相端不是從啟動(dòng)二極管橋140接收參考地電壓，而是從共模產(chǎn)生器160接收共模電壓VCM。比較器30使用VCM，可以得到一個(gè)更精準(zhǔn)的比較。
[0055]圖10是另一個(gè)橋式電路。添加隔直電容器86、88在AC+、AC-輸入端，以阻止直流信號(hào)。在AC+、AC-上只有交流信號(hào)能通過(guò)隔直電容器86、88。
【其他實(shí)施例】
[0056]發(fā)明人還想到了幾個(gè)其他實(shí)施例。例如，η-溝道晶體管可以代替P-溝道晶體管用于晶體管20、22、24、26和二極管接法晶體管40、42、44、46，以及相反(相補(bǔ))的控制信號(hào)和電壓。
[0057]可以產(chǎn)生單獨(dú)的信號(hào)去驅(qū)動(dòng)每個(gè)P-溝道晶體管20、22、24、26的柵極。也可以添加額外的升壓驅(qū)動(dòng)器32、34用于單獨(dú)驅(qū)動(dòng)?xùn)趴匦盘?hào)。內(nèi)部接地會(huì)關(guān)于參考地電壓或外部接地而浮動(dòng)，當(dāng)VSS并不正好等于外部接地時(shí)，P-溝道晶體管20、22、24、26會(huì)接通或斷開(kāi)。當(dāng)內(nèi)部接地是硬連線到外部接地或參考地電壓時(shí)，當(dāng)P-溝道晶體管22、26不是在線性區(qū)域接通、但是在飽和區(qū)域有一個(gè)二極管電壓降時(shí)，可能會(huì)有一些偏壓情況。上升電壓的范圍可以調(diào)整，如向下振蕩到-1伏而不是O伏，以便完全接通晶體管22、26。而且，晶體管22里的寄生源極-體二極管可以接通以鉗住VSS到接近O伏。
[0058]比較器30可以連接到AC-而不是AC+。比較器30也可以不是和地電位相比較，而是使用另一個(gè)固定電壓作為 參考電壓作為比較器30的輸入。比較器30和升壓驅(qū)動(dòng)器32、34可以連接到外部交流接地，或者連接到共模電壓、或者連接到參考地電壓、或者連接內(nèi)部接地VSS、或者連接到另一個(gè)電壓?？梢杂袔讉€(gè)內(nèi)部接地母線，如用于數(shù)字接地、模擬接地、I/O接地等。這些接地可以通過(guò)電阻或電容相互隔離，或者可以連接在一起，如接近一個(gè)接地引腳或外部連接。
[0059]雖然已經(jīng)描述了正弦波的交流輸入，但是交流輸入也可以是方波、不規(guī)則波、調(diào)制波、或者其他波形。這些波可以隨著周期不同而變化，例如當(dāng)載有編碼信息時(shí)。
[0060]升壓驅(qū)動(dòng)器32、34可以使用其他電荷泵電路或電壓提升方法。雖然已經(jīng)顯示了使用二極管接法晶體管40、42、44、46的全波二極管橋來(lái)提供啟動(dòng)，但是也可以替換為半波整流器。也可以使用其他初始化方法。雖然已經(jīng)顯示了體連接(bulk connection),但是也可以替換為其他體連接，如連接所有襯底到一個(gè)固定電壓，該固定電壓例如來(lái)自一個(gè)襯底偏壓發(fā)生器(substrate-bias generator)?
[0061 ] 雖然已經(jīng)顯示了一個(gè)RFID裝置的應(yīng)用，但是該低電壓整流器也可以用于其他應(yīng)用，特別是那些有一個(gè)非常低的交流電壓作為輸入的應(yīng)用，不管該交流電壓最終是來(lái)自一個(gè)接收到的RF，還是其他頻率信號(hào)，或者來(lái)自其他來(lái)源。RFID裝置可以有其他不同于圖1顯示的方框圖。比較器30可以是一個(gè)運(yùn)算放大器、一個(gè)差分放大器、一個(gè)電流導(dǎo)引放大器(current steering amplifier)、或者其他類型放大器。比較器30可以是一個(gè)具有較好輸出振蕩的高增益差分放大器，或者是其他類型的放大器或比較器。比較器30可以有一對(duì)P-溝道差分晶體管，每個(gè)都通過(guò)η-溝道晶體管諸如一個(gè)電流鏡而連接到地，一個(gè)P-溝道尾晶體管連接到VDD。
[0062]所顯示和描述的電壓僅僅是一個(gè)例子。可以使用其他數(shù)值的AC+、AC-，其他晶體管特征和尺寸也可以導(dǎo)致其他數(shù)值的VDD、VDC、各種地電壓和內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。電力電容器90、91可以是外部的或內(nèi)部的，而且可以包括寄生電容。
[0063]施加在P-溝道晶體管20、22、24、26柵極上的上升柵電壓是為了使這些晶體管在線性區(qū)域?qū)?，其發(fā)生在當(dāng)該柵電壓等于至少一個(gè)晶體管閾值電壓時(shí)，對(duì)于P-溝道晶體管來(lái)說(shuō)，閾值要低于源極電壓和漏極電壓的最小值。由于二極管接法晶體管40、42、44、46的柵極和漏極連接在一起，所以它們?cè)陲柡蛥^(qū)域?qū)?。也可能有時(shí)間和條件使這些晶體管在其他模式上運(yùn)行，如子閾值導(dǎo)通或在過(guò)渡期間。
[0064]因?yàn)橐恍┕に嚮蜻^(guò)程，可以使用η溝道晶體管，而不是P溝道晶體管(或者相反)，而且因?yàn)楦鞣N目的，可以添加逆變器、緩存、電容器、電阻器、門、或其他組件在一些節(jié)點(diǎn)上，以便稍稍調(diào)整該電路。通過(guò)在前沿阻隔單元(leading-edge blocking units)中增加延遲線或通過(guò)控制延遲，可以調(diào)整時(shí)序。也可以添加脈沖產(chǎn)生器。比較器的反相輸入和同相輸入可以反轉(zhuǎn)，輸出的極性也反轉(zhuǎn)。啟用和停用所述電路可用額外晶體管或以其它方式實(shí)現(xiàn)?？商砑觽魉烷T晶體管或傳輸門以用于隔離。開(kāi)關(guān)可以通過(guò)η溝道或P溝道晶體管來(lái)實(shí)施，或者通過(guò)并聯(lián)P溝道和η溝道晶體管的傳輸門來(lái)實(shí)施?？梢蕴砑虞斎腚娮杵骱?或電容器到AC+、AC-、或其他節(jié)點(diǎn)上，或使用更復(fù)雜的輸入濾波器。對(duì)于高電壓應(yīng)用，該橋可以使用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管或微機(jī)電開(kāi)關(guān)(MEMS)以及類似的控制機(jī)制。
[0065]比較器可以使用其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如折疊級(jí)聯(lián)，電流鏡，具有一差分對(duì)、折疊級(jí)聯(lián)或電流鏡作為第一階段的兩階段運(yùn)算放大器，或者具有一差分對(duì)、折疊級(jí)聯(lián)或電流鏡作為第一階段的多階段運(yùn)算放大器。雖然已經(jīng)顯示了一階段，但是可以使用兩階段或多階段，而且可以添加緩存、電平移動(dòng)、時(shí)鐘、斷電、或其他階段。雖然已經(jīng)描述了具有P溝道差分晶體管的比較器，但是P溝道和η溝道晶體管可以互換，電路可以翻轉(zhuǎn)而使用η溝道差分晶體管、尾晶體管、和P溝道電流導(dǎo)引。偏壓電壓也可以調(diào)整。
[0066]本發(fā)明【背景技術(shù)】部分可含有關(guān)于本發(fā)明的問(wèn)題或環(huán)境的背景信息而非描述其它現(xiàn)有技術(shù)。因此，在【背景技術(shù)】部分中包括材料并不是 申請(qǐng)人:承認(rèn)現(xiàn)有技術(shù)。
[0067]本文中所描述的任何方法或工藝為機(jī)器實(shí)施或計(jì)算機(jī)實(shí)施的，且既定由機(jī)器、計(jì)算機(jī)或其它裝置執(zhí)行且不希望在沒(méi)有此類機(jī)器輔助的情況下單獨(dú)由人類執(zhí)行。所產(chǎn)生的有形結(jié)果可包括在例如計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、投影裝置、音頻產(chǎn)生裝置和相關(guān)媒體裝置等顯示裝置上的報(bào)告或其它機(jī)器產(chǎn)生的顯示，且可包括也為機(jī)器產(chǎn)生的硬拷貝打印輸出。對(duì)其它機(jī)器的計(jì)算機(jī)控制為另一有形結(jié)果。
[0068]已出于說(shuō)明和描述的目的呈現(xiàn)了對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的先前描述。其不希望為詳盡的或?qū)⒈景l(fā)明限于所揭示的精確形式。鑒于以上教示，許多修改和變型是可能的。希望本發(fā)明的范圍不受此詳細(xì)描述限制，而是由所附權(quán)利要求書(shū)限制。
【權(quán)利要求】
1.一個(gè)基于晶體管的橋式整流器，包括:第一交流輸入；第二交流輸入；一個(gè)啟動(dòng)二極管橋，其連接在所述第一交流輸入和所述第二交流輸入之間，用于產(chǎn)生一個(gè)比較器電源電壓給一個(gè)比較器電源節(jié)點(diǎn)，并有一個(gè)參考接地節(jié)點(diǎn)；一個(gè)比較器，其從所述啟動(dòng)二極管橋接收所述比較器電源電壓，所述比較器比較所述第一交流輸入和一個(gè)比較器參考值，以產(chǎn)生一個(gè)時(shí)序信號(hào)；第一升壓驅(qū)動(dòng)器，其由所述時(shí)序信號(hào)控制，用于產(chǎn)生第一柵信號(hào)，所述第一柵信號(hào)被提升到一個(gè)電壓，該電壓高于所述第一交流輸入的峰值電壓；第二升壓驅(qū)動(dòng)器，其由所述時(shí)序信號(hào)控制，用于產(chǎn)生第二柵信號(hào)，所述第二柵信號(hào)被提升到一個(gè)電壓，該電壓高于所述第一交流輸入的峰值電壓；第一前向晶體管，其晶體管柵極接收所述第一柵信號(hào)，用于在所述第一交流輸入和一個(gè)內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流；第一反向晶體管，其晶體管柵極接收所述第二柵信號(hào)，用于在所述第一交流輸入和一個(gè)內(nèi)部接地節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流；第二前向晶體管，其晶體管柵極接收所述第二柵信號(hào)，用于在所述第二交流輸入和所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流；第二反向晶體管，其晶體管柵極接收所述第一柵信號(hào)，用于在所述第二交流輸入和所述內(nèi)部接地節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述啟動(dòng)二極管橋還包括: 第一前向二極管接法晶體管，其晶體管柵極連接到晶體管源極/漏極節(jié)點(diǎn)，用于在所述第一交流輸入和所述比較器電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流；第一反向二極管接法晶體管，其晶體管柵極連接到晶體管源極/漏極節(jié)點(diǎn)，用于在所述第一交流輸入和所述參考接地節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流；第二前向二極管接法晶體管，其晶體管柵極連接到晶體管源極/漏極節(jié)點(diǎn)，用于在所述第二交流輸入和所述比較器電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流；第二反向二極管接法晶體管，其晶體管柵極連接到晶體管源極/漏極節(jié)點(diǎn)，用于在所述第二交流輸入和所述參考接地節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述比較器、所述第一升壓驅(qū)動(dòng)器、所述第二升壓驅(qū)動(dòng)器都由所述比較器電源電壓供電，并從所述啟動(dòng)二極管橋接收所述參考接地節(jié)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述比較器參考值是由所述啟動(dòng)二極管橋產(chǎn)生的所述參考接地節(jié)點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基 于晶體管的橋式整流器，還包括:一個(gè)共模產(chǎn)生器，其接收所述第一交流輸入和所述第二交流輸入，并產(chǎn)生一個(gè)共模電壓，所述共模電壓是所述第一交流輸入和所述第二交流輸入的平均值；其中所述比較器參考值是由所述共模產(chǎn)生器產(chǎn)生的所述共模電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述第一前向晶體管是一個(gè) P-溝道晶體管；其中所述第一反向晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管；其中所述第二前向晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管；其中所述第二反向晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述第一前向晶體管是一個(gè) P-溝道晶體管，其襯底連接到所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)；其中所述第一反向晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其襯底連接到所述第一交流輸入； 其中所述第二前向晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其襯底連接到所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)； 其中所述第二反向晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其襯底連接到所述第二交流輸入。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述第一前向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管；其中所述第一反向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管；其中所述第二前向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管；其中所述第二反向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述第一前向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其晶體管柵極連接到所述比較器電源節(jié)點(diǎn)；其中所述第一反向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其晶體管柵極連接到所述第一交流輸入；其中所述第二前向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其晶體管柵極連接到所述比較器電源節(jié)點(diǎn)；其中所述第二反向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其晶體管柵極連接到所述第二交流輸入。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述第一前向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其襯底連接到所述比較器電源節(jié)點(diǎn)；其中所述第一反向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其襯底連接到所述第一交流輸入；其中所述第二前向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其襯底連接到所述比較器電源節(jié)點(diǎn)；其中所述第二反向二極管接法晶體管是一個(gè)P-溝道晶體管，其襯底連接到所述第二交流輸入。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基于晶體管的橋式整流器，其中所述時(shí)序信號(hào)包括一個(gè)真時(shí)序信號(hào)和一個(gè)補(bǔ)時(shí)序信號(hào)；其中所述真時(shí)序信號(hào)連接到所述第一升壓驅(qū)動(dòng)器，所述補(bǔ)時(shí)序信號(hào)連接到所述第二升壓驅(qū)動(dòng)器。
12.—個(gè)晶體管整流器，包括:一對(duì)交流電壓輸入，其有第一相位和第二相位；一個(gè)比較器，用于比較其中一個(gè)交流輸入和一個(gè)參考值；第一升壓器，其由所述比較`器控制，用于產(chǎn)生第一柵信號(hào)，其在一個(gè)提升的電壓和一個(gè)地電壓之間交替，所述提升的電壓高于所述一對(duì)交流電壓輸入的峰值電壓；第二升壓器，其由所述比較器控制，用于產(chǎn)生第二柵信號(hào)，其在一個(gè)提升的電壓和所述地電壓之間交替，所述提升的電壓高于所述一對(duì)交流電壓輸入的峰值電壓；第一晶體管，其柵極由所述第一柵信號(hào)控制以在所述第一相位期間傳導(dǎo)，而在所述第二相位期間被切換以隔離，所述第一晶體管在所述第一相位期間在第一交流電壓輸入和一個(gè)內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第二晶體管，其柵極由所述第一柵信號(hào)控制以在所述第一相位期間傳導(dǎo)，而在所述第二相位期間被切換以隔離，所述第二晶體管在所述第一相位期間在一個(gè)內(nèi)部接地節(jié)點(diǎn)和第二交流電壓輸入之間傳導(dǎo)；第三晶體管，其柵極由所述第二柵信號(hào)控制以在所述第二相位期間傳導(dǎo)，而在所述第一相位期間被切換以隔離，所述第三晶體管在所述第二相位期間在所述第二交流電壓輸入和所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第四晶體管，其柵極由所述第二柵信號(hào)控制以在所述第二相位期間傳導(dǎo)，而在所述第一相位期間被切換以隔離，所述第四晶體管在所述第二相位期間在所述內(nèi)部接地節(jié)點(diǎn)和所述第一交流電壓輸入之間傳導(dǎo)；第一二極管接法晶體管，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第一交流電壓輸入和一個(gè)比較器電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第二二極管接法晶體管，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第一相位期間在一個(gè)比較器接地節(jié)點(diǎn)和所述第二交流電壓輸入之間傳導(dǎo)；第三二極管接法晶體管，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第二相位期間在所述第二交流電壓輸入和所述比較器電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第四二極管接法晶體管，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第二相位期間在所述比較器接地節(jié)點(diǎn)和所述第一交流電壓輸入之間傳導(dǎo)；由此，所述比較器電源節(jié)點(diǎn)是作為所述比較器的電源輸入而連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶體管整流器，其中所述比較器電源節(jié)點(diǎn)是作為所述第一升壓器和所述第二升壓器的電源輸入而連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶體管整流器，還包括:一個(gè)接地輸入到所述比較器、到所述第一升壓器、和到所述第二升壓器，所述接地輸入連接到所述比較器接地節(jié)點(diǎn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶體管整流器，其中所述第一、第二、第三和第四晶體管每個(gè)都是P-溝道晶體管；其中所述第一、第二、第三和第四二極管接法晶體管每個(gè)都是P-溝道晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶體管整流器，其中到所述比較器的所述參考值是所述比較器接地節(jié)點(diǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶體管整流器，還包括:一個(gè)共模產(chǎn)生器，其接收所述一對(duì)交流電壓輸入并產(chǎn)生一個(gè)共模電壓，所述共模電壓是所述一對(duì)交流電壓輸入的平均值；其中到所述比較器的所述參考值是所述共模產(chǎn)生器產(chǎn)生的所述共模電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶體管整流器，其中所述第一晶體管還包括一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)；其中所述第二晶體管還包括 一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述第二交流電壓輸入；其中所述第三晶體管還包括一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)；其中所述第四晶體管還包括一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述第一交流電壓輸入；其中所述第一二極管接法晶體管還包括一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述比較器電源節(jié)占.其中所述第二二極管接法晶體管還包括一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述第二交流電壓輸入;其中所述第三二極管接法晶體管還包括一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述比較器電源節(jié)占.其中所述第四二極管接法晶體管還包括一個(gè)襯底節(jié)點(diǎn)，其連接到所述第一交流電壓輸入。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶體管整流器，還包括:一個(gè)電力電容器，其連接在所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)和所述內(nèi)部接地節(jié)點(diǎn)之間；其中所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)有一個(gè)平均的電源電壓，其大約是低于所述一對(duì)交流電壓輸入峰值電壓的一個(gè)晶體管閾值；其中所述提升的電壓是高于所述峰值電壓的至少一個(gè)晶體管閾值。
20.一個(gè)全波晶體管橋式整流器，包括:交流輸入裝置，用于接收一個(gè)交流(AC)信號(hào)，其在第一 AC線路和第二 AC線路之間，所述AC信號(hào)有一個(gè)峰值電壓；比較裝置，用于比較所述第一 AC線路上的第一 AC電壓和一個(gè)參考電壓；第一電壓提升裝置，其由所述比較裝置控制，用于產(chǎn)生第一柵信號(hào)，所述柵信號(hào)在一個(gè)提升的電壓和一個(gè)地電壓之間交替，所述提升的電壓高于所述峰值電壓；第二電壓提升裝置，其由所述比較裝置控制，用于產(chǎn)生第二柵信號(hào)，所述柵信號(hào)在一個(gè)提升的電壓和一個(gè)地電壓之間交替，所述提升的電壓高于所述峰值電壓；第一晶體管裝置，其由所述第一柵信號(hào)控制，用于在所述AC信號(hào)的第一相位期間傳導(dǎo)，在所述AC信號(hào)的第二相位期間隔離，所述第一晶體管裝置在所述第一相位期間在所述第一 AC線路和一個(gè)內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第二晶體管裝置，其由所述第一柵信號(hào)控制，用于在所述第一相位期間傳導(dǎo)，在所述第二相位期間隔離，所述第二晶體管裝置在所述第一相位期間在一個(gè)內(nèi)部接地和所述第二 AC 線路之間傳導(dǎo)；第三晶體管裝置，其由所述第二柵信號(hào)控制，用于在所述第二相位期間傳導(dǎo)，在所述第一相位期間隔離，所述第三晶體管裝置在所述第二相位期間在所述第二 AC線路和所述內(nèi)部電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第四晶體管裝置，其由所述第二柵信號(hào)控制，用于在所述第二相位期間傳導(dǎo)，在所述第一相位期間隔離，所述第四晶體管裝置在所述第二相位期間在所述內(nèi)部接地和所述第一 AC 線路之間傳導(dǎo)；第一二極管接法晶體管裝 置，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第一相位期間在所述第一 AC線路和所述比較器電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第二二極管接法晶體管裝置，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第一相位期間在一個(gè)比較器接地和所述第二 AC線路之間傳導(dǎo)；第三二極管接法晶體管裝置，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第二相位期間在所述第二 AC線路和所述比較器電源節(jié)點(diǎn)之間傳導(dǎo)；第四二極管接法晶體管裝置，其柵極和漏極連接在一起，用于在所述第二相位期間在所述比較器接地和所述第一 AC線路之間傳導(dǎo)；由此，所述比較器裝置 是由所述比較器電源節(jié)點(diǎn)供電，并接收所述比較器接地。
【文檔編號(hào)】H02M7/219GK103560686SQ201310060307
【公開(kāi)日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月16日
【發(fā)明者】鄺國(guó)權(quán), 王俊輝, 潘良齡, 溫皓明 申請(qǐng)人:香港應(yīng)用科技研究院有限公司