專利名稱：一種供電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的過程中，涉及多晶硅沉積的還原爐，本實(shí)用新型為還原爐運(yùn)行過程中，用于硅棒加熱和溫度控制的一種供電裝置。
背景技術(shù)：
目前在多晶硅生產(chǎn)過程中，絕大部分還原爐采用可控硅移相調(diào)功方式，這種方法的弊病是向電網(wǎng)注入的諧波量太大，諧波電壓含量在8% 20% ；電能利用率低，功率因數(shù)低于0.9 ;且不能根據(jù)硅棒不同生長時(shí)期的特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)靈活調(diào)整供電方式。
發(fā)明內(nèi)容充分考慮目前采用的技術(shù)的缺點(diǎn)，結(jié)合當(dāng)前電源變換領(lǐng)域的先進(jìn)經(jīng)驗(yàn)，根據(jù)硅材料特性和生長特點(diǎn)，本實(shí)用新型電源涉及到多脈波移相變壓、三相橋式整流、IGBT模塊逆變，此設(shè)備能根據(jù)硅棒生長過程的特點(diǎn)，變更用于加熱的功率供給方式，達(dá)到最大限度與生產(chǎn)工藝匹配及節(jié)約目的，同時(shí)，由于多脈波移相變壓技術(shù)應(yīng)用，不會因調(diào)功向電網(wǎng)注入諧波，本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案:各路供電采用不等容量的H橋功率單元串聯(lián)方式:裝置包括多脈波移相變壓、H橋功率單元，其中H橋功率單元由三相橋式整流與IGBT模塊組成，多個(gè)H橋功率單元串聯(lián)，提供負(fù)載所需電壓，調(diào)整H橋功率單元的工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)輸出電壓在直流斬波方式與交流變頻方式之間的調(diào)整。采用本實(shí)用新型有益效果:1、采用多脈波移相變壓技術(shù)，消除系統(tǒng)諧波，使得網(wǎng)側(cè)諧波電壓總含量接近于O(國家標(biāo)準(zhǔn)〈5%)；
2、由于負(fù)載沒有移相因素，提高功率因數(shù)，功率因數(shù)>98% ；3、可根據(jù)多晶硅生長特點(diǎn)，靈活調(diào)整供電方式，達(dá)到最大限度節(jié)能。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的系統(tǒng)框圖附圖1:T1、變壓器；Uxy (χ為數(shù)字f 6，y為數(shù)字f 5)、Η橋功率單元；Kx (χ為數(shù)字1飛)、負(fù)載斷路器；Rx (χ為數(shù)字1飛)、負(fù)載；CTx (χ為數(shù)字1飛)、接地電流互感器；附圖2:為本實(shí)用新型實(shí)施例的H橋功率單元電路圖Dx (χ為數(shù)字f 6)、整流二極管；C、電容；Tx (χ為數(shù)字f 4)、IGBT模塊；KD、輸出短路斷路器。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例，電源進(jìn)線為10KV，變壓器二次是5*6組三相交流電壓輸出，每一組三相電進(jìn)入由整流二極管Dx (χ為數(shù)字1飛)、電容C、IGBT模塊Tx (χ為數(shù)字廣4)、輸出短路斷路器KD組成的H橋功率單元Uxy (χ為數(shù)字l 6，y為數(shù)字1飛)，當(dāng)控制T1、T4導(dǎo)通，輸出為直流斬波方式；當(dāng)Tl、Τ4和Τ2、Τ3兩組交替導(dǎo)通時(shí)，輸出即為交流變頻方式。電源有六路輸出，每路由5個(gè)H橋功率單元Uxy (X為數(shù)字f6，y為數(shù)字f 5)串聯(lián)，調(diào)壓是從Ux5 (x為數(shù)字1飛號)單元往下調(diào)，當(dāng)Ux5 (x為數(shù)字1飛號)號輸出從該單元電壓最大值調(diào)到Ov時(shí)，使用短路斷路器KD將其短路，Uxl (X為數(shù)字1飛號) Ux4 (x為數(shù)字I飛號)號串連工作，由Ux4 (x為數(shù)字I飛號)號接著下調(diào)，Ux4 (x為數(shù)字I飛號)號單元電壓由最大值到Ov時(shí)，短路斷路器KD將其短路，Uxl (X為數(shù)字I飛號) Ux3 (x為數(shù)字I飛號)號串連工作，如此連續(xù)調(diào) 壓，直至供電結(jié)束。
權(quán)利要求1.一種供電裝置，應(yīng)用于多晶硅還原爐供電，其特征是:裝置包括多脈波移相變壓、H橋功率單元，其中H橋功率單元由三相橋式整流與IGBT模塊組成，多個(gè)H橋功率單元串聯(lián)，提供負(fù)載所需電壓，調(diào)整H橋功率單元的工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)輸出電壓在直流斬波方式與交流變頻方式之間的 調(diào)整。
專利摘要一種供電裝置。為改良西門子法多晶硅生產(chǎn)過程中，加熱硅棒和控制溫度的一種供電裝置。本實(shí)用新型采用多脈波移相變壓、三相橋式整流、IGBT模塊逆變技術(shù)，實(shí)現(xiàn)輸出電壓在直流斬波方式與交流變頻方式之間的調(diào)整，消除系統(tǒng)諧波和提高功率因數(shù)。
文檔編號H02M5/458GK203151383SQ20122065519
公開日2013年8月21日 申請日期2012年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月4日
發(fā)明者岳長林, 董建華, 許超 申請人:北京國辰華星科技有限責(zé)任公司