專(zhuān)利名稱(chēng)：一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要針對(duì)COMS類(lèi)型H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路。
技術(shù)背景
直流電機(jī)作為無(wú)人機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)的重要組成部分，用于實(shí)現(xiàn)無(wú)人機(jī)飛行姿態(tài)及速度的控制?？刂浦绷麟姍C(jī)的驅(qū)動(dòng)電路通常采用H橋驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)。
圖1所示即為通常所采用的H橋驅(qū)動(dòng)電路，圖中Ml、M2、M3和M4是4個(gè)N型MOS 管，MOTOR為直流電機(jī)，GU G2、G 3和G4分別為N型MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。該電路通過(guò) Gl G4上的P麗信號(hào)來(lái)控制電機(jī)，Ml和M4同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，電機(jī)向一個(gè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)；M2和M3同時(shí)導(dǎo)通，則電機(jī)向反方向轉(zhuǎn)動(dòng)；Ml和M3或者M(jìn)2和M4禁止同時(shí)導(dǎo)通。
在使用圖1中驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，為保證上橋臂NMOS管Ml和M2能夠正常開(kāi)啟，通常采用電荷泵電路(自舉電路)來(lái)實(shí)現(xiàn)。該電路通過(guò)PWM振蕩信號(hào)或集成控制芯片內(nèi)固定振蕩信號(hào)，產(chǎn)生高于輸入電壓的控制電壓，使加在上橋臂Ml和M2的導(dǎo)通控制信號(hào)(G1、G2)電壓高于輸入電壓08V)，從而使Ml、M2處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，否則上橋臂無(wú)法正常開(kāi)啟。
高速邏輯電路輸出的PWM控制信號(hào)到達(dá)H橋電路時(shí)，通常要求對(duì)該信號(hào)進(jìn)行隔離， 以保證高速弱信號(hào)單元的電氣特性盡可能不受到H橋驅(qū)動(dòng)電路大功率器件及電機(jī)的影響。 在進(jìn)行隔離時(shí)，光耦芯片最為常用。
以上做法已被廣泛采用，但仍存在如下的缺點(diǎn)
(1)為確保H橋上橋臂MOS管Ml和M2的正常通斷，須使用電荷泵電路，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)復(fù)雜度提高，同時(shí)也加大了整個(gè)電路的體積；
(2)電荷泵電路在工作時(shí)會(huì)將MOS管柵極信號(hào)抬高到^V (輸入電壓)+Vgs (開(kāi)啟電壓)以上，導(dǎo)致對(duì)驅(qū)動(dòng)電路各芯片耐壓值性能的要求提高，勢(shì)必也會(huì)增加電路體積；
(3)電荷泵電路需要一個(gè)振蕩信號(hào)來(lái)控制，若使用PMW信號(hào)作為該控制信號(hào)，則 PWM信號(hào)的頻率及占空比將會(huì)受到一定限制；若使用集成控制芯片內(nèi)部振蕩信號(hào)，則將給整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的電磁兼容性造成一定影響；
(4)電荷泵電路的穩(wěn)定輸出有一定的時(shí)延，對(duì)于電機(jī)的快速啟動(dòng)有一定的影響；
(5)若使用高速光耦芯片進(jìn)行隔離時(shí)，須使用單獨(dú)的隔離電源為光耦芯片供電，既增加設(shè)計(jì)難度又增加電路體積。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述缺陷，提供一種無(wú)需電荷泵電路、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明包括如下技術(shù)方案
一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，包括H橋驅(qū)動(dòng)電路、穩(wěn)壓電路、PWM驅(qū)動(dòng)電路；其特征在于
H橋驅(qū)動(dòng)電路包括由第一 P型MOS管Ml、第二 P型MOS管M2組成的上橋臂、由第一 N型MOS管M3和第二 N型MOS管M4組成的下橋臂；第一 P型MOS管Ml的漏極與第一 N 型MOS管M3的漏極相連，第二 P型MOS管M2的漏極與第二 N型MOS管M4的漏極相連；電機(jī)跨接在上述漏極之間；第一 P型MOS管Ml、第二 P型MOS管M2的源極與系統(tǒng)供電電壓相連；第一 N型MOS管M3和第二 N型MOS管M4的源極與系統(tǒng)地相連；
穩(wěn)壓電路包括負(fù)壓穩(wěn)壓電路和正壓穩(wěn)壓電路，負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出一個(gè)相對(duì)于系統(tǒng)供電電壓具有固定壓差的電壓，用于產(chǎn)生P型MOS管導(dǎo)通所需的驅(qū)動(dòng)電壓；正壓穩(wěn)壓電路用于產(chǎn)生N型MOS管導(dǎo)通所需的驅(qū)動(dòng)電壓；
P麗驅(qū)動(dòng)電路包括上橋臂P麗驅(qū)動(dòng)電路和下橋臂P麗驅(qū)動(dòng)電路；P麗驅(qū)動(dòng)電路在輸入的PMW控制信號(hào)的控制下選擇輸出第一輸出電壓或第二輸出電壓；當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)電路輸出第一輸出電壓時(shí)，相應(yīng)的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)電路輸出第二輸出電壓時(shí)，相應(yīng)的MOS管截止；
上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓與P型MOS管的柵極相連，上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第一輸出電壓為負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓，上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出電壓為系統(tǒng)供電電壓；下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓與N型MOS管的柵極相連，下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第一輸出電壓為正壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓，下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出電壓為系統(tǒng)地。
所述PWM驅(qū)動(dòng)電路為光耦隔離電路，包括上橋臂光耦隔離電路和下橋臂光耦隔離電路；CPU發(fā)出的PMW控制信號(hào)通過(guò)相應(yīng)的光耦隔離電路驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的MOS管；上橋臂光耦隔離電路使用系統(tǒng)供電電源作為光耦的供電電源，負(fù)壓穩(wěn)壓電路所輸出的電壓作為上橋臂光耦隔離電路的參考地；PWMl或PWM2控制信號(hào)與上橋臂光耦隔離電路的輸入端相連；上橋臂光耦隔離電路的輸出端與P型MOS管柵極相連；下橋臂光耦隔離電路使用正壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓作為光耦的供電電源，下橋臂光耦隔離電路的參考地接系統(tǒng)地；PWM3或PWM4控制信號(hào)與下橋臂光耦隔離電路的輸入端相連；下橋臂光耦隔離電路的輸出端與N型MOS管柵極相連。
負(fù)壓穩(wěn)壓電路采用LM79XX系列線性穩(wěn)壓芯片或隔離型DC/DC電源芯片實(shí)現(xiàn)。
負(fù)壓穩(wěn)壓電路采用隔離型DC/DC電源芯片，隔離型DC/DC電源芯片的正向輸入端接系統(tǒng)供電電壓，負(fù)向輸入端接系統(tǒng)地，正向輸出端與系統(tǒng)供電電壓相連，負(fù)向輸出端輸出的電壓作為負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)
(1)本發(fā)明采用電壓隨動(dòng)型穩(wěn)壓驅(qū)動(dòng)電路，僅需通過(guò)簡(jiǎn)單改變MOS管類(lèi)型即可實(shí)現(xiàn)。該方法既可實(shí)現(xiàn)H橋驅(qū)動(dòng)電路的功能，又可以免去電荷泵電路及其帶來(lái)的影響。電路簡(jiǎn)單可靠；本發(fā)明由于無(wú)電荷泵，因此避免了由電荷泵帶來(lái)的高壓及振蕩，降低了對(duì)驅(qū)動(dòng)電路芯片耐壓性能的要求，提高了整個(gè)電路的電磁兼容性。
(2)本發(fā)明通過(guò)負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出一個(gè)相對(duì)于系統(tǒng)供電電壓具有固定壓差的電壓，實(shí)現(xiàn)電路簡(jiǎn)單；使PMOS管柵極電壓隨動(dòng)于源極電壓，能夠確保P型MOS管開(kāi)啟電壓穩(wěn)定，符合PMOS管控制特性，穩(wěn)定可靠；同時(shí)，降低了 H橋驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性，提高了 H橋驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)范圍、啟動(dòng)特性及控制范圍。
(3)本發(fā)明不必為光耦提供隔離電源供電，使光耦隔離電路更為簡(jiǎn)單。
(4)本發(fā)明使得整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路更為簡(jiǎn)單，所需芯片體積更小，有利于實(shí)現(xiàn)整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的小型化。


圖1是常用H橋驅(qū)動(dòng)電路基本組成圖。
圖2是本發(fā)明H橋驅(qū)動(dòng)電路基本組成圖。
圖3是本發(fā)明負(fù)壓穩(wěn)壓型電路的實(shí)現(xiàn)方式1原理圖。
圖4是本發(fā)明負(fù)壓穩(wěn)壓型電路的實(shí)現(xiàn)方式2原理圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例1電路原理圖。
圖6是本發(fā)明實(shí)施例2的PWM驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
具體實(shí)施方式
如圖2所示為本發(fā)明的H橋驅(qū)動(dòng)電路，上橋臂的MOS管Ml和M2類(lèi)型為P型，下橋臂的MOS管M3和M4為N型；MOTOR為直流電機(jī)，G1、G2、G3和G4分別為MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。PMOS管的漏極與NMOS管的漏極相接，組成H橋的半個(gè)橋臂。第一 P型MOS管Ml、第二 P型MOS管M2組成的上橋臂、由第一 N型MOS管M3和第二 N型MOS管M4組成的下橋臂； 第一 P型MOS管Ml的漏極與第一 N型MOS管M3的漏極相連，第二 P型MOS管M2的漏極與第二 N型MOS管M4的漏極相連；電機(jī)跨接在上述漏極之間；第一 P型MOS管Ml、第二 P型 MOS管M2的源極與系統(tǒng)供電電壓相連；第一 N型MOS管M3和第二 N型MOS管M4的源極與系統(tǒng)地相連。該電路通過(guò)Gl G4上的控制信號(hào)來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，Ml和M4同時(shí)導(dǎo)通時(shí)，電機(jī)向一個(gè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)；M2和M3同時(shí)導(dǎo)通，則電機(jī)向反方向轉(zhuǎn)動(dòng)；Ml和M3禁止同時(shí)導(dǎo)通，M2和 M4禁止同時(shí)導(dǎo)通。
由P型MOS管特性可知，要維持其良好的導(dǎo)通狀態(tài)，柵極驅(qū)動(dòng)電壓必須低于源極電壓，故需要一個(gè)比源極電壓低的電壓。此電壓應(yīng)隨動(dòng)于輸入電壓，即控制電壓應(yīng)與輸入電壓間存在穩(wěn)定的壓差，以確保PMOS管能夠處于穩(wěn)定的飽和導(dǎo)通狀態(tài)。在實(shí)際使用中，源極電壓一般為系統(tǒng)供電，不經(jīng)過(guò)二次處理，若使用電源轉(zhuǎn)換模塊將源極電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的柵極供電電壓，則在源極電壓隨系統(tǒng)供電波動(dòng)的情況下，柵極控制電壓不隨動(dòng)，則控制信號(hào)無(wú)法控制上橋臂PMOS管的正常開(kāi)啟，使系統(tǒng)的工作動(dòng)態(tài)范圍、控制驅(qū)動(dòng)的精度及H橋驅(qū)動(dòng)效率都受到影響，甚至可能導(dǎo)致PMOS管的損壞。
本發(fā)明采用負(fù)壓穩(wěn)壓型電路產(chǎn)生PMOS管所需的驅(qū)動(dòng)電壓，負(fù)壓穩(wěn)壓型電路可以提供穩(wěn)定的負(fù)向壓差，并具有穩(wěn)定的隨動(dòng)特性。負(fù)壓穩(wěn)壓型電路可采用例如LM79XX系列線性穩(wěn)壓芯片、隔離型DC/DC電源芯片等多種方法實(shí)現(xiàn)。
如圖3所示是使用LM79XX芯片實(shí)現(xiàn)的電路圖，負(fù)向穩(wěn)壓芯片A5的輸入端IN與系統(tǒng)地相連，芯片A5的GND端與28V系統(tǒng)供電電壓相連，并在兩端并聯(lián)電容C，A5輸出電壓 VOUT為08V-15V= 13V)，與系統(tǒng)電壓保持穩(wěn)定的15V壓差，輸出端與系統(tǒng)地間也并聯(lián)電容 C0
如圖4所示是使用隔離型DC/DC電源芯片實(shí)現(xiàn)的電路圖，隔離型DC/DC電源芯片的正向輸入端VIN接系統(tǒng)供電電壓，負(fù)向輸入端GND接系統(tǒng)地，正向輸出端VO+接系統(tǒng)供電電壓，負(fù)向輸出端VOUT-與系統(tǒng)電壓保持穩(wěn)定的15V壓差。
P麗驅(qū)動(dòng)電路包括上橋臂P麗驅(qū)動(dòng)電路和下橋臂P麗驅(qū)動(dòng)電路；P麗驅(qū)動(dòng)電路在輸入的PMW控制信號(hào)的控制下選擇輸出第一輸出電壓或第二輸出電壓；當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)電路輸出第一輸出電壓時(shí)，相應(yīng)的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)電路輸出第二輸出電壓時(shí)，相應(yīng)的MOS管截止；
上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓與P型MOS管的柵極相連，上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第一輸出電壓為負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓，上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出電壓為系統(tǒng)供電電壓；下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓與N型MOS管的柵極相連，下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第一輸出電壓為正向穩(wěn)壓電路輸出的電壓，下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出電壓為系統(tǒng)地。
實(shí)施例1
PWM1-PWM4為CPU輸出控制信號(hào)，該信號(hào)經(jīng)過(guò)PWM驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行電壓變換，用于驅(qū)動(dòng)H橋電路MOS管；本實(shí)施例的PWM驅(qū)動(dòng)電路選用高速光耦芯片(例如，HCPL-0600)A1-A4 進(jìn)行隔離和電壓變化，具體電路結(jié)構(gòu)如圖5所示。
P^l信號(hào)接入光耦隔離芯片Al的正向輸入端ANODE，Al的負(fù)向輸入端CATHN0DE 與數(shù)字地相連，Al輸出端的供電Vcc及光耦輸出使能VE都與系統(tǒng)電源電壓相連，光耦隔離芯片Al的輸出端VO使用電阻Rl上拉至28V系統(tǒng)供電電壓，通過(guò)限流電阻R5后接入上橋臂PMOS管Ml的柵極，Ml的柵極與系統(tǒng)電壓之間并接TVS穩(wěn)壓二極管Dl，Al輸出的參考地與負(fù)向穩(wěn)壓源的輸出電壓相連。類(lèi)似的，PWM2信號(hào)接入光耦隔離芯片A2的正向輸入端 ANODE,光耦隔離芯片A2的輸出端VO使用電阻R2上拉至28V系統(tǒng)供電電壓，通過(guò)限流電阻 R6后接入上橋臂PMOS管M2的柵極。
P麗3信號(hào)接入光耦隔離芯片A3的正向輸入端AN0DE，A3的負(fù)向輸入端CATHN0DE 與數(shù)字地相連，A3輸出端的供電Vcc及光耦輸出使能VE都與正向穩(wěn)壓源輸出電壓相連，光耦隔離芯片的輸出端VO使用電阻R3上拉至正壓穩(wěn)壓電路輸出的15V電壓，通過(guò)限流電阻 R7后接入下橋臂NMOS管M3的柵極，M3的柵極與系統(tǒng)地之間并接TVS穩(wěn)壓二極管D3，A3輸出的參考地與系統(tǒng)地相連。類(lèi)似的，PWM4信號(hào)接入光耦隔離芯片A4的正向輸入端AN0DE， 光耦隔離芯片A4的輸出端VO使用電阻R4上拉至正壓穩(wěn)壓電路輸出的15V電壓，通過(guò)限流電阻R7后接入下橋臂NMOS管M3的柵極。
正向穩(wěn)壓電路采用LM7815 (A6)芯片實(shí)現(xiàn)，A6的輸入端IN與系統(tǒng)供電電壓28V相連，芯片GND端與系統(tǒng)地相連，并在兩端并聯(lián)電容C，A6的輸出電壓為15V，輸出端與系統(tǒng)地間也并聯(lián)電容C。
負(fù)壓穩(wěn)壓電路采用LM7915芯片實(shí)現(xiàn)，當(dāng)系統(tǒng)電^V在18V-30V間波動(dòng)時(shí)，LM7915 能夠確保輸入電壓與輸出電壓Q8V-15V)間壓差穩(wěn)定在15V，控制PMOS管開(kāi)啟電壓Vgs =-15V，以確保電機(jī)工作時(shí)PMOS正常開(kāi)啟。
CPU發(fā)出控制信號(hào)PMWl PWM4通過(guò)高速光耦隔離；上橋臂光耦使用28V系統(tǒng)電供電，(28V-15V)作為參考地；既使電路簡(jiǎn)單，又為PMOS管的開(kāi)啟提供了穩(wěn)定的開(kāi)啟電壓； 在實(shí)際使用中應(yīng)在光耦隔離電路的輸出信號(hào)與MOS管柵極間串接一個(gè)小電阻。下橋臂光耦使用15V供電，參考地即為系統(tǒng)地GND。無(wú)需為該高速光耦芯片提供單獨(dú)的隔離電源供電。
本實(shí)施例中MOS管開(kāi)啟電壓Vgs均選為15V，并在各MOS管柵極與源極間并接TVS 二極管保護(hù)MOS管。
實(shí)施例2
本實(shí)施例的PWM驅(qū)動(dòng)電路選用繼電器(普通繼電器或固體繼電器均可)實(shí)現(xiàn)，如圖6所示，繼電器正向輸入端1腳與PWM控制信號(hào)相連，負(fù)向輸入端8腳接數(shù)字地，繼電器動(dòng)點(diǎn)6腳接MOS管柵極，常閉點(diǎn)7接第一輸出電壓，常開(kāi)點(diǎn)5腳接第二輸出電壓。對(duì)與本例來(lái)說(shuō)，PWMl接入繼電器正向輸入端，繼電器常閉點(diǎn)接系統(tǒng)電壓^V，常開(kāi)點(diǎn)接負(fù)向穩(wěn)壓電路的輸出08V-15V)，動(dòng)點(diǎn)接Ml的柵極；PWM3同樣接繼電器正向輸入，繼電器常閉點(diǎn)7接系統(tǒng)地，常開(kāi)點(diǎn)接正向穩(wěn)壓電路的輸出15V，動(dòng)點(diǎn)接M3的柵極；PWM2及PWM4驅(qū)動(dòng)電路的連接方式分別與PWMl和PWM2相同。
其他部分與實(shí)施例1基本相同。
另外，PWM驅(qū)動(dòng)電路還可以采用其他形式的驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明未詳細(xì)說(shuō)明部分屬本領(lǐng)域技術(shù)人員公知常識(shí)。
權(quán)利要求
1.一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，包括H橋驅(qū)動(dòng)電路、穩(wěn)壓電路、PWM驅(qū)動(dòng)電路；其特征在于H橋驅(qū)動(dòng)電路包括由第一 P型MOS管Ml、第二 P型MOS管M2組成的上橋臂、由第一 N型MOS管M3和第二 N型MOS管M4組成的下橋臂；第一 P型MOS管Ml的漏極與第一 N型MOS 管M3的漏極相連，第二 P型MOS管M2的漏極與第二 N型MOS管M4的漏極相連；電機(jī)跨接在上述漏極之間；第一 P型MOS管Ml、第二 P型MOS管M2的源極與系統(tǒng)供電電壓相連；第一 N型MOS管M3和第二 N型MOS管M4的源極與系統(tǒng)地相連；穩(wěn)壓電路包括負(fù)壓穩(wěn)壓電路和正壓穩(wěn)壓電路，負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出一個(gè)相對(duì)于系統(tǒng)供電電壓具有固定壓差的電壓，用于產(chǎn)生P型MOS管導(dǎo)通所需的驅(qū)動(dòng)電壓；正壓穩(wěn)壓電路用于產(chǎn)生N型MOS管導(dǎo)通所需的驅(qū)動(dòng)電壓；P麗驅(qū)動(dòng)電路包括上橋臂P麗驅(qū)動(dòng)電路和下橋臂P麗驅(qū)動(dòng)電路；P麗驅(qū)動(dòng)電路在輸入的PMW控制信號(hào)的控制下選擇輸出第一輸出電壓或第二輸出電壓；當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)電路輸出第一輸出電壓時(shí)，相應(yīng)的MOS管導(dǎo)通；當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)電路輸出第二輸出電壓時(shí)，相應(yīng)的MOS管截止；上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓與P型MOS管的柵極相連，上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第一輸出電壓為負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓，上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出電壓為系統(tǒng)供電電壓；下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓與N型MOS管的柵極相連，下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第一輸出電壓為正壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓，下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出電壓為系統(tǒng)地。
2.如權(quán)利要求1所述的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述P麗驅(qū)動(dòng)電路為光耦隔離電路，包括上橋臂光耦隔離電路和下橋臂光耦隔離電路；CPU發(fā)出的PMW控制信號(hào)通過(guò)相應(yīng)的光耦隔離電路驅(qū)動(dòng)相應(yīng)的MOS管；上橋臂光耦隔離電路使用系統(tǒng)供電電源作為光耦的供電電源，負(fù)壓穩(wěn)壓電路所輸出的電壓作為上橋臂光耦隔離電路的參考地；PWMl或PWM2控制信號(hào)與上橋臂光耦隔離電路的輸入端相連；上橋臂光耦隔離電路的輸出端與P型MOS管柵極相連；下橋臂光耦隔離電路使用正壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓作為光耦的供電電源，下橋臂光耦隔離電路的參考地接系統(tǒng)地；PWM3或PWM4控制信號(hào)與下橋臂光耦隔離電路的輸入端相連； 下橋臂光耦隔離電路的輸出端與N型MOS管柵極相連。
3.如權(quán)利要求1所述的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于負(fù)壓穩(wěn)壓電路采用LM79XX系列線性穩(wěn)壓芯片或隔離型DC/DC電源芯片實(shí)現(xiàn)。
4.如權(quán)利要求3所述的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于負(fù)壓穩(wěn)壓電路采用隔離型DC/ DC電源芯片，隔離型DC/DC電源芯片的正向輸入端接系統(tǒng)供電電壓，負(fù)向輸入端接系統(tǒng)地， 正向輸出端與系統(tǒng)供電電壓相連，負(fù)向輸出端輸出的電壓作為負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出的電壓。
全文摘要
一種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，包括H橋驅(qū)動(dòng)電路、穩(wěn)壓電路、PWM驅(qū)動(dòng)電路；穩(wěn)壓電路包括負(fù)壓穩(wěn)壓電路和正壓穩(wěn)壓電路，負(fù)壓穩(wěn)壓電路輸出一個(gè)相對(duì)于系統(tǒng)供電電壓具有固定壓差的電壓，用于產(chǎn)生P型MOS管導(dǎo)通所需的驅(qū)動(dòng)電壓；正壓穩(wěn)壓電路用于產(chǎn)生N型MOS管導(dǎo)通所需的驅(qū)動(dòng)電壓；PWM驅(qū)動(dòng)電路包括上橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路和下橋臂PWM驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明由于無(wú)電荷泵，因此避免了由電荷泵帶來(lái)的高壓及振蕩，降低了對(duì)驅(qū)動(dòng)電路芯片耐壓性能的要求，提高了整個(gè)電路的電磁兼容性。
文檔編號(hào)H02P7/29GK102522933SQ20111038787
公開(kāi)日2012年6月27日 申請(qǐng)日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者劉壯華, 李金鳴, 汪弋, 葛志雄, 賴(lài)永安, 郭倩, 金怡紅 申請(qǐng)人:中國(guó)航天時(shí)代電子公司