影像傳感器封裝及其逃氣槽結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種影像傳感器封裝及其逃氣槽結(jié)構(gòu)，該影像傳感器封裝包括依次安裝的電路基板、CMOS傳感器、底座，該底座上設(shè)有逃氣槽結(jié)構(gòu)。該影像傳感器封裝的逃氣槽結(jié)構(gòu)包括連通外界的沉槽，連通傳感器內(nèi)部的T型槽，該沉槽與T型槽相連通。經(jīng)由沉槽流入的空氣，通過(guò)T型槽再進(jìn)入傳感器內(nèi)部，空氣中所攜帶的灰塵碎屑等經(jīng)過(guò)T型槽的分流沉淀，不會(huì)直接進(jìn)入傳感器內(nèi)部，有效隔離灰塵、碎屑，該結(jié)構(gòu)能夠大大提高封裝測(cè)試良率，并且該結(jié)構(gòu)封裝堆疊簡(jiǎn)單。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
影像傳感器封裝及其逃氣槽結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及通訊領(lǐng)域，尤其是涉及一種影像傳感器封裝及其逃氣槽結(jié)構(gòu)?！尽颈尘凹夹g(shù)】】
[0002]過(guò)去CMOS影像傳感器基本是采用芯片級(jí)封裝(CSP，chip scale package;)，投資大，成本高。隨著平板電腦，智慧手機(jī)的應(yīng)用，像素微小化以及先進(jìn)制程的技術(shù)突破，帶動(dòng)了CMOS影像傳感器大舉進(jìn)軍高像素(像素500萬(wàn)以上)應(yīng)用市場(chǎng)，而芯片級(jí)封裝(CSP:ChipScale Package)在高像素CMOS影像傳感器封裝會(huì)有技術(shù)的缺陷與瓶頸，板上芯片(COB:Chip On Board)封裝必定是趨勢(shì)，在500萬(wàn)像素以上CSP封裝已無(wú)能為力，必須采用板上芯片封裝(C0B:Chip On Board)。隨著科技的發(fā)展，手機(jī)及平板電腦越來(lái)越小越薄，對(duì)潔凈度越來(lái)越高，目前絕大部分高像素CMOS影像傳感器COB板上芯片封裝結(jié)構(gòu)的底座所設(shè)置的逃氣孔或逃氣槽，如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的逃氣槽110或逃氣孔120結(jié)構(gòu)直通芯片內(nèi)部，沒(méi)能有效防止外界對(duì)影像傳感器的污染，外界的灰塵、微粒、碎肩等會(huì)通過(guò)逃氣槽110或逃氣孔120進(jìn)入芯片內(nèi)部，這樣就會(huì)造成芯片不良、污點(diǎn)不良，造成整體封裝良率低。
[0003]因此，提供一種能有效阻隔外界污染、封裝良率高的影像傳感器封裝及其逃氣槽結(jié)構(gòu)實(shí)為必要。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種能有效阻隔外界污染、封裝良率高的影像傳感器封裝的逃氣槽結(jié)構(gòu)。
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種能有效阻隔外界污染、封裝良率高的影像傳感器封裝。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的，提供以下技術(shù)方案:
[0007]本實(shí)用新型提供一種影像傳感器封裝的逃氣槽結(jié)構(gòu)，其包括連通外界的沉槽，連通傳感器內(nèi)部的T型槽，該沉槽與T型槽相連通。經(jīng)由沉槽流入的空氣，通過(guò)T型槽再進(jìn)入傳感器內(nèi)部，空氣中所攜帶的灰塵碎肩等經(jīng)過(guò)T型槽的分流沉淀，不會(huì)直接進(jìn)入傳感器內(nèi)部，有效隔離灰塵、碎肩跑到CMOS影像傳感器上面，該結(jié)構(gòu)能夠大大提高封裝測(cè)試良率，并且該結(jié)構(gòu)封裝堆疊簡(jiǎn)單。
[0008]優(yōu)選的，該T型槽包括主氣道和相連通的分流氣道。經(jīng)由沉槽流入的空氣，通過(guò)T型槽的主氣道，然后再改變氣流方向進(jìn)入分流氣道，最后才進(jìn)入傳感器內(nèi)部，空氣中所攜帶的灰塵碎肩等經(jīng)過(guò)T型槽的分流沉淀，得到有效阻隔，不會(huì)進(jìn)入傳感器內(nèi)部。
[0009]優(yōu)選的，該T型槽的主氣道下方設(shè)置凹形結(jié)構(gòu)，該相連通的分流氣道分布在該凹形結(jié)構(gòu)兩側(cè)。經(jīng)由沉槽、T型槽主氣道進(jìn)入的氣流，在凹形結(jié)構(gòu)改變氣流方向再進(jìn)入分流氣道，氣體所攜帶的灰塵碎肩等在凹形結(jié)構(gòu)得以沉淀，大大提高氣流的潔凈度，有效阻止這些灰塵碎肩進(jìn)入傳感器內(nèi)部。
[0010]優(yōu)選的，該逃氣槽結(jié)構(gòu)的T型槽包括兩個(gè)所述主氣道、兩個(gè)設(shè)置在主氣道下方的凹形結(jié)構(gòu)，以及三個(gè)所述分流氣道，該三個(gè)分流氣道分布在該兩個(gè)凹形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)以及中間。該實(shí)施方式有效利用空間，兩個(gè)凹形結(jié)構(gòu)之間的分流氣道共用，使結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊。
[0011]本實(shí)用新型還提供一種影像傳感器封裝，其包括依次安裝的電路基板、CMOS傳感器、底座，該底座上設(shè)有如上所述的逃氣槽結(jié)構(gòu)。該影像傳感器封裝能有效阻隔外界污染、封裝良率高。
[0012]優(yōu)選的，該電路基板上設(shè)有驅(qū)動(dòng)馬達(dá)芯片和電容。
[0013]優(yōu)選的，該影像傳感器封裝還包括有濾光玻璃片，該濾光玻璃片安裝在底座上，部分遮蔽逃氣槽結(jié)構(gòu)，該逃氣槽結(jié)構(gòu)的沉槽與外界連通。
[0014]該影像傳感器封裝的組裝過(guò)程為:將CMOS傳感器貼裝在已經(jīng)安裝好電容、驅(qū)動(dòng)馬達(dá)芯片的電路基板上，快速固化;隨后將金線焊接，并進(jìn)行清洗;然后在電路基板上安裝底座，進(jìn)行清洗;最后將濾光玻璃片貼裝在底座上，進(jìn)行高溫固化。
[0015]濾光玻璃片貼裝在底座上，高溫固化時(shí)，T型槽與沉槽能有效排氣;高溫固化后，型槽與沉槽能阻礙外界的灰塵，臟污直接進(jìn)入CMOS傳感器表面，避免造成測(cè)試污點(diǎn)不良。
[0016]對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0017]本實(shí)用新型影像傳感器封裝能有效阻隔外界污染、封裝良率高;本實(shí)用新型逃氣槽結(jié)構(gòu)通過(guò)沉槽與T型槽結(jié)構(gòu)，有效隔離灰塵、碎肩，經(jīng)由沉槽流入的空氣，通過(guò)T型槽再進(jìn)入傳感器內(nèi)部，空氣中所攜帶的灰塵碎肩等經(jīng)過(guò)T型槽的分流沉淀，不會(huì)直接進(jìn)入傳感器內(nèi)部，有效隔離灰塵、碎肩跑到CMOS影像傳感器上面，該結(jié)構(gòu)能夠大大提高封裝測(cè)試良率，并且該結(jié)構(gòu)封裝堆疊簡(jiǎn)單。
【【附圖說(shuō)明】】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)傳感器封裝結(jié)構(gòu)的逃氣槽示意圖；
[0019]圖2為現(xiàn)有技術(shù)傳感器封裝結(jié)構(gòu)的逃氣孔示意圖；
[0020]圖3為本實(shí)用新型影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)的爆炸圖；
[0021]圖4為圖3中a部分的局部放大示意圖；
[0022]圖5為本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)不意圖；
[0023]圖6為本實(shí)用新型的逃氣槽的結(jié)構(gòu)正面示意圖；
[0024]圖7為圖6中b部分的局部放大不意圖；
[0025]圖8為圖6的A-A方向剖視圖；
[0026]圖9為圖8中c部分的局部放大示意圖；
[0027]圖10為本實(shí)用新型的封裝步驟一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖11為本實(shí)用新型的封裝步驟二結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖12為本實(shí)用新型的封裝步驟三結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0030]請(qǐng)參閱圖3?9，本實(shí)用新型影像傳感器封裝包括依次安裝的電路基板210、CMOS傳感器220、底座230、濾光玻璃片240，在電路基板210上安裝有驅(qū)動(dòng)馬達(dá)芯片250、電容260，該CMOS傳感器220也安裝在電路基板210上。
[0031]該底座230上設(shè)有逃氣槽結(jié)構(gòu)300，該濾光玻璃片240與底座230上的窗口相匹配安裝。
[0032]該逃氣槽結(jié)構(gòu)300內(nèi)設(shè)置有連通外界的沉槽310和連通傳感器內(nèi)部的T型槽320，該沉槽310與T型槽320相連通。該T型槽320包括主氣道321和相連通的分流氣道322。該濾光玻璃片240安裝在底座230上，部分遮蔽該逃氣槽結(jié)構(gòu)300，同時(shí)該逃氣槽結(jié)構(gòu)的沉槽310與外界連通。
[0033]在本實(shí)施例中，該T型槽320設(shè)有兩個(gè)所述主氣道321以及三個(gè)所述分流氣道322，該兩個(gè)所述主氣道321的下方分別設(shè)置有凹形結(jié)構(gòu)323，該相連通的分流氣道322分布在該凹形結(jié)構(gòu)323兩側(cè)以及中間。
[0034]如圖4和圖7所示，經(jīng)由沉槽310流入的空氣流d、e，通過(guò)T型槽320的主氣道321，在凹形結(jié)構(gòu)323流轉(zhuǎn)，然后分流并改變氣流方向，再進(jìn)入分流氣道322，分成三股氣流f、g、h，最后才進(jìn)入傳感器內(nèi)部，氣體所攜帶的灰塵碎肩等在凹形結(jié)構(gòu)323得以沉淀，大大提高氣流的潔凈度，經(jīng)過(guò)T型槽的分流沉淀，得到有效阻隔，有效阻止這些灰塵碎肩進(jìn)入傳感器內(nèi)部，該結(jié)構(gòu)能夠大大提高封裝測(cè)試良率，并且該結(jié)構(gòu)封裝堆疊簡(jiǎn)單。
[0035]請(qǐng)一并參閱圖10?12，本實(shí)用新型影像傳感器封裝的組裝過(guò)程為:
[0036]1、將電容260、驅(qū)動(dòng)馬達(dá)芯片250安裝在電路基板210上，將CMOS傳感器220貼裝在已經(jīng)安裝好電容260、驅(qū)動(dòng)馬達(dá)芯片250的電路基板210上，快速固化；
[0037]2、隨后對(duì)CMOS傳感器220與電路基板210之間進(jìn)行金線焊接，并進(jìn)行清洗；
[0038]3、然后在基板上安裝底座230，進(jìn)行清洗；
[0039]4、最后將濾光玻璃片240貼裝在底座230上，進(jìn)行高溫固化，完成封裝過(guò)程。
[0040]將濾光玻璃片240貼裝在底座230上，高溫固化時(shí)，T型槽320與沉槽310能有效排氣;高溫固化后，T型槽與沉槽能阻礙外界的灰塵，臟污直接進(jìn)入CMOS傳感器表面，避免造成測(cè)試污點(diǎn)不良。
[0041]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何基于本實(shí)用新型技術(shù)方案上的等效變換均屬于本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種影像傳感器封裝的逃氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括連通外界的沉槽，連通傳感器內(nèi)部的T型槽，該沉槽與T型槽相連通。2.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器封裝的逃氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于，該T型槽包括主氣道和相連通的分流氣道。3.如權(quán)利要求2所述的影像傳感器封裝的逃氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于，該T型槽的主氣道下方設(shè)置凹形結(jié)構(gòu)，該相連通的分流氣道分布在該凹形結(jié)構(gòu)兩側(cè)。4.如權(quán)利要求2所述的影像傳感器封裝的逃氣槽結(jié)構(gòu)，其特征在于，該逃氣槽結(jié)構(gòu)的T型槽包括兩個(gè)所述主氣道、兩個(gè)設(shè)置在主氣道下方的凹形結(jié)構(gòu)，以及三個(gè)所述分流氣道，該三個(gè)分流氣道分布在該兩個(gè)凹形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)以及中間。5.一種影像傳感器封裝，其包括依次安裝的電路基板、CMOS傳感器、底座，其特征在于，該底座上設(shè)有如權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的逃氣槽結(jié)構(gòu)。6.如權(quán)利要求5所述的影像傳感器封裝，其特征在于，該電路基板上設(shè)有驅(qū)動(dòng)馬達(dá)芯片和電容。7.如權(quán)利要求6所述的影像傳感器封裝，其特征在于，該影像傳感器封裝還包括有濾光玻璃片，該濾光玻璃片安裝在底座上，部分遮蔽逃氣槽結(jié)構(gòu)，該逃氣槽結(jié)構(gòu)的沉槽與外界連通。
【文檔編號(hào)】H01L23/13GK205645790SQ201620410138
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月9日
【發(fā)明人】勞景益, 劉振茂
【申請(qǐng)人】深圳市森邦半導(dǎo)體有限公司