一種低損耗高充放電性能薄膜電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電子元件的改進(jìn)技術(shù)，尤其涉及電容器的改進(jìn)技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的金屬化薄膜工藝方案有兩種，一種是:采用鋅鋁兩種金屬元素做基質(zhì)，通過蒸發(fā)方式蒸鍍到薄膜表面，這種很薄的金屬層作為電容器的電極，由于噴金層與芯子端面接觸不牢靠，常常造成電釋開路或容量大幅度下降，直接影響電容器的可靠性是它的致命缺陷，如果金屬膜鍍層全部使用鋅元素時(shí)，鍍層與外界接觸面積大，易氧化變質(zhì)，從而電容器在制程中需要做氧化的特別管控、，增加了成本，且存在質(zhì)量隱患。
[0003]另一種是:金屬化薄膜采用純鋁金屬元素做基質(zhì)，包封、分選工序制成電容器，不足之處是充放電性能差，并且噴金時(shí)要選用錫鋅線做為噴金材料，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型公開了一種低損耗高充放電性能薄膜電容器，降低成品的損耗、提高充放電的能力，并降低噴金成本。
[0005]為了解決上述問題，本實(shí)用新型一種低損耗高充放電性能薄膜電容器，包括有基膜I，所述基膜I上面從上下依次鍍有鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13，鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13分別都設(shè)有活動(dòng)區(qū)21和加厚區(qū)22，加厚區(qū)22位于活動(dòng)區(qū)21的前端，加厚區(qū)22的長度少不于活動(dòng)區(qū)21的長度。
[0006]—部分是活動(dòng)區(qū)，采用鋅鋁合金鍍層13是先在基膜上鍍鋁，然后再在其上鍍鋅、在蒸鍍過程中部分鋁原子通過擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)滲析到鋅層表面、加之鋅、鋁兩蒸發(fā)源之間沒有間隔，鋁蒸發(fā)源中的鋁原子可直接蒸鍍到鋅層表面，層與層之間并沒有嚴(yán)格的界限，大多為混合物，這種特殊的結(jié)構(gòu)充分融匯了鍍鋁金屬化薄膜與鍍鋅金屬化薄膜各自的優(yōu)點(diǎn)。先鍍鋅鋁合金鍍層13保證各層之間與基膜有良好的附著力，鋅鍍層12是為保持鋅層良好的電特性參數(shù)，至于表面的鋁鍍層11是起保護(hù)作用，以降低損耗。
[0007]加厚區(qū)采用鋅鋁合金鍍層13，從數(shù)學(xué)角度來看，加厚區(qū)寬度相較厚度的尺寸要大得多，以提高充放電能力、并降低噴金成本，由于加厚部分與活動(dòng)區(qū)為一個(gè)整體，降低成品的損耗、提高充放電的能力，并降低噴金成本。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的不意圖。
[0009]圖1中符號說明:基膜1、鋁鍍層11、鋅鍍層12、鋅鋁合金鍍層13、活動(dòng)區(qū)21、加厚區(qū)22。
【具體實(shí)施方式】
[0010]如圖1所示本實(shí)用新型一種低損耗高充放電性能薄膜電容器，包括有基膜I，所述基膜I上面從上到下依次鍍有鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13，鋁鍍層11、鋅鍍層12和鋅鋁合金鍍層13分別都設(shè)有活動(dòng)區(qū)21和加厚區(qū)22，加厚區(qū)22位于活動(dòng)區(qū)21的前端，加厚區(qū)22的長度少不于活動(dòng)區(qū)21的長度。
[0011]—部分是活動(dòng)區(qū)，采用鋅鋁合金鍍層13是先在基膜上鍍鋁，然后再在其上鍍鋅、在蒸鍍過程中部分鋁原子通過擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)滲析到鋅層表面、加之鋅、鋁兩蒸發(fā)源之間沒有間隔，鋁蒸發(fā)源中的鋁原子可直接蒸鍍到鋅層表面，層與層之間并沒有嚴(yán)格的界限，大多為混合物，這種特殊的結(jié)構(gòu)充分融匯了鍍鋁金屬化薄膜與鍍鋅金屬化薄膜各自的優(yōu)點(diǎn)。先鍍鋅鋁合金鍍層13保證各層之間與基膜有良好的附著力，鋅鍍層12是為保持鋅層良好的電特性參數(shù)，至于表面的鋁鍍層11是起保護(hù)作用，以降低損耗。
[0012]加厚區(qū)采用鋅鋁合金鍍層13，從數(shù)學(xué)角度來看，加厚區(qū)寬度相較厚度的尺寸要大得多，以提高充放電能力、并降低噴金成本，由于加厚部分與活動(dòng)區(qū)為一個(gè)整體，降低成品的損耗、提高充放電的能力，并降低噴金成本。
[0013]最后應(yīng)說明的是:顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本實(shí)用新型所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低損耗高充放電性能薄膜電容器，包括有基膜(I)，其特征在于:所述基膜(I)上面從上下依次鍍有鋁鍍層(11)、鋅鍍層(12)和鋅鋁合金鍍層(13)，鋁鍍層(11)、鋅鍍層(12)和鋅鋁合金鍍層(13)分別都設(shè)有活動(dòng)區(qū)(21)和加厚區(qū)(22)，加厚區(qū)(22)位于活動(dòng)區(qū)(21)的前端。
【專利摘要】本實(shí)用新型一種低損耗高充放電性能薄膜電容器，涉及一種電子元件的改進(jìn)技術(shù)，尤其涉及電容器的改進(jìn)技術(shù)，其特征在于：所述基膜上面從上下依次鍍有鋁鍍層、鋅鍍層和鋅鋁合金鍍層，鋁鍍層、鋅鍍層和鋅鋁合金鍍層分別都設(shè)有活動(dòng)區(qū)和加厚區(qū)，加厚區(qū)位于活動(dòng)區(qū)的前端。本實(shí)用新型降低成品的損耗、提高充放電的能力，并降低噴金成本。
【IPC分類】H01G4/33, H01G4/008
【公開號】CN205264514
【申請?zhí)枴緾N201520994216
【發(fā)明人】謝志懋, 王占東
【申請人】佛山市南海區(qū)欣源電子有限公司, 廣東欣源智能電子有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月5日