倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，屬于集成電路或分立元件封裝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前行業(yè)內(nèi)的倒裝芯片框架在不在芯片下方做正面半蝕刻，因此當(dāng)?shù)寡b芯片框架設(shè)計大芯片的時候因模流受阻，存在塑封料填充不良的情況(如圖1所示)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，它一方面可以引導(dǎo)模流的方向，使模流順利流過去，解決了因塑封料填充不良而導(dǎo)致氣孔和反包封現(xiàn)象，另一方面由于框架是金屬材質(zhì)，芯片是硅材質(zhì)，兩種不同的材質(zhì)結(jié)合，受溫度影響，熱漲冷縮，框架和芯片間會產(chǎn)生應(yīng)力，本實(shí)用新型在金屬表面蝕刻可減少芯片與金屬面的接觸，從而改善應(yīng)力。
[0004]本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，它包括芯片座和引腳陣列，所述引腳陣列設(shè)置于芯片座周圍，所述芯片座正面設(shè)置有縱向流道和橫向流道。
[0005]所述縱向流道和橫向流道的寬度為芯片座寬度的1/4-1/2。
[0006]所述縱向流道和橫向流道通過半蝕刻形成。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0008]本實(shí)用新型一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，它一方面可以引導(dǎo)模流的方向，使模流順利流過去，解決了因塑封料填充不良而導(dǎo)致氣孔和反包封現(xiàn)象，另一方面改善了應(yīng)力。
【附圖說明】
[0009]圖1為現(xiàn)有倒裝芯片框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2為本實(shí)用新型一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0011]其中:
[0012]芯片座I
[0013]引腳陣列2
[0014]縱向流道3
[0015]橫向流道4
[0016]芯片5。
【具體實(shí)施方式】
[0017]參見圖2，本實(shí)用新型一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，它包括芯片座I和引腳陣列2，所述引腳陣列2設(shè)置于芯片座I周圍，所述芯片座I正面設(shè)置有縱向流道3和橫向流道 4，所述縱向流道3和橫向流道4通過半蝕刻形成。
【主權(quán)項】
1.一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括芯片座(I)和引腳陣列(2)，所述引腳陣列(2)設(shè)置于芯片座(I)周圍，所述芯片座(I)正面設(shè)置有縱向流道(3)和橫向流道⑷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述縱向流道(3)和橫向流道(4)的寬度為芯片座寬度的1/4-1/2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述縱向流道(3 )和橫向流道(4 )通過半蝕刻形成。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，屬于集成電路或分立元件封裝技術(shù)領(lǐng)域。它包括芯片座（1）和引腳陣列（2），所述引腳陣列（2）設(shè)置于芯片座（1）周圍，所述芯片座（1）正面設(shè)置有縱向流道（3）和橫向流道（4）。本實(shí)用新型一種倒裝芯片框架半蝕刻結(jié)構(gòu)，它一方面可以引導(dǎo)模流的方向，使模流順利流過去，解決了因塑封料填充不良而導(dǎo)致氣孔和反包封現(xiàn)象，另一方面改善了應(yīng)力。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號】CN204516753
【申請?zhí)枴緾N201520097171
【發(fā)明人】周麗, 龔臻, 張珊, 邵向廉
【申請人】江蘇長電科技股份有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年2月11日