一種dfn0603 84排單芯引線框架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種引線框架，特別是一種DFN0603 84排單芯引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。芯片封裝形式為DFN0603 (DFN是小型電子元器件的芯片封裝單元型號(hào)，單芯引線框架表示其單個(gè)芯片封裝單元內(nèi)設(shè)置有一個(gè)放置晶體管的芯片槽，0603表示單個(gè)芯片單元的尺寸為長0.6mm、寬0.3mm)時(shí)，要在相同的引線框架尺寸布置更多的芯片，就需要對(duì)布置形式進(jìn)行合理設(shè)計(jì)。
[0003]如目前的引線框架產(chǎn)品，如市場(chǎng)上的48*220mm尺寸的引線框架，每片大約能布置10560個(gè)產(chǎn)品，該引線框架長度為220mm，寬度為48mm，這種產(chǎn)品的晶體管的密度低，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低且生產(chǎn)成本高，該框架背面使用的膠底帶，不利于芯片和銅線的焊接。另外，目前低利用率的產(chǎn)品，其所耗用的資源浪費(fèi)大。隨著市場(chǎng)用量的增長，目前的設(shè)備和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)生產(chǎn)力已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)需要，需要提高產(chǎn)品的有效利用率，隨著生產(chǎn)成本和勞力成本的提高，有必要通過技術(shù)改良降低生產(chǎn)成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種密度大、成本低，更有利于焊接的DFN0603 84排單芯引線框架。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0006]一種DFN0603 84排單芯引線框架，包括承裝的框架，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，所述框架從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有544個(gè)放置晶體管的單個(gè)封裝單元，所述單個(gè)封裝單元內(nèi)設(shè)置有一個(gè)芯片槽，所述每排上的544個(gè)單個(gè)封裝單元位于框架的同一水平線上，所述單個(gè)封裝單元的長度方向與框架的寬度方向平行布置，沿框架的長度方向?qū)⒖蚣艿确譃樗膫€(gè)A、B、C、D區(qū)域，每個(gè)區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個(gè)區(qū)域之間的框架背面上沿框架的寬度方向設(shè)置有間隔凹槽。
[0007]由于DFN0603型號(hào)的單個(gè)封裝單元的尺寸是固定的0.6*0.3mm，因此在框架尺寸固定的情況下，合理地對(duì)框架焊接區(qū)域分區(qū)有助于提高框架利用率，本引線框架沿框架長度方向分成四個(gè)相同的區(qū)域，且單個(gè)封裝單元的長度方向與框架的寬度方向平行布置，每排有544個(gè)放置晶體管的單個(gè)封裝單元，那么每個(gè)區(qū)域內(nèi)布置136個(gè)單個(gè)封裝單元即可；該框架的長為250mm，除去A、B、C、D區(qū)域之間的間隔尺寸以及邊緣的預(yù)留尺寸，每個(gè)區(qū)域用于布置單個(gè)封裝單元的尺寸為50mm，而0.3*136為40.8mm，滿足框架上每排布置544個(gè)放置晶體管的封裝單元的需求；而框架的寬為70mm，單個(gè)封裝單元的長度為0.6mm，0.6*84為50.4mm，完全滿足使用需求，這樣的設(shè)置增加了框架密度，提高了設(shè)備效率，降低成本。
[0008]所述四個(gè)區(qū)域之間的框架背面上沿框架寬度方向設(shè)置的間隔凹槽增大了框架背面的表面積，使得其在塑封是增加了塑封體與框架的接觸面積，提高密封性和穩(wěn)定性；另夕卜，由于該引線框架分區(qū)合理，各個(gè)區(qū)域都留有間隔尺寸，有利于封裝單元的焊接和安裝。
[0009]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，所述間隔凹槽的數(shù)量為6個(gè)，間隔凹槽的槽寬為6mm、長為10mm。間隔凹槽的數(shù)量設(shè)為6個(gè)，且長度為10臟，剛好合理利用了框架的寬度尺寸，使得框架背面的表面積增量最大，有利于提高塑封時(shí)的塑封效果。
[0010]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:DFN0603 84排單芯引線框架
[0011]1、本引線框架合理地將框架分成四個(gè)相同的區(qū)域，尺寸分布合理，完全滿足將DFN0603型號(hào)的單個(gè)封裝單元在固定的框架尺寸下布置84排/45696個(gè)封裝單元即晶體管的需求，增加了框架密度，提高了設(shè)備效率，降低成本；且由于該引線框架分區(qū)合理，各個(gè)區(qū)域都留有間隔尺寸，有利于封裝單元的焊接和安裝；
[0012]2、所述四個(gè)區(qū)域之間的框架背面上沿框架寬度方向設(shè)置的間隔凹槽增大了框架背面的表面積，使得其在塑封是增加了塑封體與框架的接觸面積，提高密封性和穩(wěn)定性；
[0013]3、提高生產(chǎn)效率，前段提高40%的設(shè)備效率.Molding提高4.3倍的效率；
[0014]4、提高資源利用率，框架利用率提高40%，Compound用量降低50% ；
[0015]5、通過不銹鋼底帶取代膠底帶，增加框架的焊接強(qiáng)度和穩(wěn)定性以及降低產(chǎn)品的厚度。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型DFN0603 84排單芯引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為圖1中A區(qū)域中的E部放大圖。
[0018]圖中標(biāo)記:1-框架，2-單個(gè)封裝單元，3-間隔凹槽，4-框架固定孔。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。
[0020]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0021]實(shí)施例1
[0022]如圖1和圖2所示，圖1是本實(shí)用新型DFN0603 84排單芯引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中有4個(gè)相同的區(qū)域A、B、C、D，圖2為圖1中A區(qū)域中的E部放大圖，從圖2中可以看出單個(gè)封裝單元內(nèi)設(shè)置有一個(gè)放置晶體管的芯片槽。本實(shí)施例的DFN0603 84排單芯引線框架(DFN0603是小型電子元器件的封裝型號(hào))，包括承裝的框架1，所述框架I長度為250 土0.1mm，寬度為70 土0.05mm，所述框架I從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有544個(gè)放置晶體管的單個(gè)封裝單元2，所述單個(gè)封裝單元2內(nèi)設(shè)置有一個(gè)芯片槽，所述每排上的544個(gè)單個(gè)封裝單元2位于框架I的同一水平線上，所述單個(gè)封裝單元2的長度方向與框架I的寬度方向平行布置，沿框架I的長度方向?qū)⒖蚣躀等分為四個(gè)A、B、C、D區(qū)域，每個(gè)區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個(gè)區(qū)域之間的框架背面上沿框架I的寬度方向設(shè)置有間隔凹槽3。
[0023]由于DFN0603型號(hào)的單個(gè)封裝單元的尺寸是固定的0.6*0.3mm，因此在框架尺寸固定的情況下，合理地對(duì)框架焊接區(qū)域分區(qū)有助于提高框架利用率，本引線框架沿框架長度方向分成四個(gè)相同的區(qū)域，且單個(gè)封裝單元的長度方向與框架的寬度方向平行布置，每排有544個(gè)放置晶體管的單個(gè)封裝單元，那么每個(gè)區(qū)域內(nèi)布置136個(gè)單個(gè)封裝單元即可；該框架的長為250mm，除去A、B、C、D區(qū)域之間的間隔尺寸以及邊緣的預(yù)留尺寸，每個(gè)區(qū)域用于布置單個(gè)封裝單元的尺寸為50mm，而0.3*136為40.8mm，滿足框架上每排布置544個(gè)放置晶體管的封裝單元的需求；而框架的寬為70mm，單個(gè)封裝單元的長度為0.6mm，0.6*84為50.4mm，完全滿足使用需求，這樣的設(shè)置增加了框架密度，提高了設(shè)備效率，降低成本。
[0024]所述四個(gè)區(qū)域之間的框架背面上沿框架寬度方向設(shè)置的間隔凹槽增大了框架背面的表面積，使得其在塑封是增加了塑封體與框架的接觸面積，提高密封性和穩(wěn)定性；另夕卜，由于該引線框架分區(qū)合理，各個(gè)區(qū)域都留有間隔尺寸，有利于封裝單元的焊接和安裝。
[0025]在本實(shí)施例中，所述間隔凹槽3的數(shù)量為6個(gè)，間隔凹槽3的槽寬為6mm、長為10mm。間隔凹槽的數(shù)量設(shè)為6個(gè)，且長度為10mm，剛好合理利用了框架的寬度尺寸，使得框架背面的表面積增量最大，有利于提高塑封時(shí)的塑封效果。
[0026]如圖1中所示，在框架I的框架邊緣設(shè)置有多個(gè)固定孔4，便于該引線框架的塑封固定及框架裝配；而且，把框架I的寬度方向邊緣設(shè)置成了凹凸形的不平邊，這樣的設(shè)置有利于引線框架與其他配件的連接，也有利于多個(gè)引線框架疊加存放時(shí)的固定，節(jié)約空間。
[0027]本實(shí)用新型承裝晶體管密度提高的同時(shí)，前段需要防止框架氧化和保證焊接可靠性，并且在后工序中按要求去除多余的廢料。
[0028]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種DFN0603 84排單芯引線框架，包括承裝的框架，其特征在于，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，所述框架從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有544個(gè)放置晶體管的單個(gè)封裝單元，所述單個(gè)封裝單元內(nèi)設(shè)置有一個(gè)芯片槽，所述每排上的544個(gè)單個(gè)封裝單元位于框架的同一水平線上，所述單個(gè)封裝單元的長度方向與框架的寬度方向平行布置，沿框架的長度方向?qū)⒖蚣艿确譃樗膫€(gè)A、B、C、D區(qū)域，每個(gè)區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個(gè)區(qū)域之間的框架背面上沿框架的寬度方向設(shè)置有間隔凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN060384排單芯引線框架，其特征在于，所述間隔凹槽的數(shù)量為6個(gè)，間隔凹槽的槽寬為6mm、長為1mm0
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種引線框架，具體涉及一種DFN0603 84排單芯引線框架，包括承裝的框架，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，所述框架從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有544個(gè)放置晶體管的單個(gè)封裝單元，所述單個(gè)封裝單元內(nèi)設(shè)置有一個(gè)芯片槽，所述每排上的544個(gè)單個(gè)封裝單元位于同一水平線上，所述單個(gè)封裝單元的長度方向與框架的寬度方向平行布置，沿框架的長度方向?qū)⒖蚣艿确譃樗膫€(gè)A、B、C、D區(qū)域，每個(gè)區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個(gè)區(qū)域之間的框架背面上沿框架的寬度方向設(shè)置有間隔凹槽。該引線框架較傳統(tǒng)的引線框架結(jié)構(gòu)增大了產(chǎn)品的密度，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本，利于焊接。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號(hào)】CN204497223
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520249662
【發(fā)明人】羅天秀, 樊增勇, 許兵, 任偉, 崔金忠
【申請(qǐng)人】成都先進(jìn)功率半導(dǎo)體股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2015年4月23日