Led燈絲燈光源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種光源，尤其是一種LED燈絲燈光源。
【背景技術(shù)】
[0002]目前用于LED燈絲燈的光源一般是由正裝芯片固定于玻璃片、藍(lán)寶石或者陶瓷上，再進(jìn)行焊引線等實(shí)現(xiàn)電氣連接，再通過雙面點(diǎn)熒光粉工藝完成光源的封裝，此種光源因芯片排布密度大、散熱能力差，只能用小電流驅(qū)動(dòng)，其實(shí)際使用亮度有限。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種LED燈絲燈光源，發(fā)光均勻、性能可靠，輔以良好的散熱設(shè)計(jì)，可以大電流使用。
[0004]按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述LED燈絲燈光源，包括藍(lán)寶石襯底，其特征是:所述藍(lán)寶石襯底的下表面涂布熒光膠，藍(lán)寶石襯底的上表面具有PSS反射層，在PSS反射層上依次設(shè)置緩沖層、N型GaN層、量子阱層、P型GaN層、ITO層和3丨02層，在ITO層和S12層之間設(shè)置電氣連接金層，在S1 2層、ITO層和量子阱層上分別設(shè)有通孔，電氣連接金層通過通孔分別連接S1jl、ITO層和量子阱層；在所述S12層的上表面兩端分別設(shè)置引線焊盤，兩端的引線焊盤之間形成散熱孔，散熱孔的底部與S1Jl的上表面連通，在S1Jl的上表面涂布熒光膠。
[0005]所述LED燈絲燈光源的制作方法，其特征是，包括以下步驟:
[0006](I)在藍(lán)寶石襯底上制作PSS反射層；
[0007](2)在PSS反射層上生長外延層，外延層依次為緩沖層、N型GaN層、量子阱層和P型GaN層；
[0008](3)通過光刻、顯影和深溝刻蝕，在N型GaN層、量子阱層和P型GaN層上制作通孑L ；
[0009](4)通過蒸鍍氧化硅和氧化鈦在P型GaN層上表面制作ITO層，在對(duì)應(yīng)P型GaN層上通孔的位置保留通孔；
[0010](5)在ITO層上表面通過沉積的方式制作S1Jl，并在S12層和ITO層之間保留電氣互連區(qū)域；
[0011](6)通過蒸鍍金的方式，在3;102層表面制作焊盤，在S12層和ITO層之間于電氣互連區(qū)域以及通孔中形成電氣連接金層；
[0012](7)在步驟(6)得到的芯片的正反面分別通過印刷、噴涂、濺射或注射的方式涂布熒光膠，從而得到LED燈絲燈光源。
[0013]本實(shí)用新型直接將芯片設(shè)計(jì)成所需電壓的高壓芯片，形狀為長條狀，并在兩端留出引線焊盤，再通過印刷、噴涂、濺射或注射的方式進(jìn)行熒光粉的涂布而形成燈絲燈光源，此設(shè)計(jì)直接將藍(lán)寶石做成光源，發(fā)光均勻、性能可靠，輔以良好的散熱設(shè)計(jì)，可以大電流使用。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0016]如圖1所示:所述LED燈絲燈光源包括藍(lán)寶石襯底1、緩沖層2、N型GaN層3、量子阱層4、P型GaN層5、ITO層6、S1jl 7、電氣連接金層8、引線焊盤9、熒光膠10、通孔11、散熱孔12等。
[0017]如圖1所示，本實(shí)用新型包括藍(lán)寶石襯底1，藍(lán)寶石襯底I的下表面涂布熒光膠10，藍(lán)寶石襯底I的上表面具有PSS反射層，在PSS反射層上依次設(shè)置緩沖層2、N型GaN層3、量子阱層4、P型GaN層5、ITO層6和S1jl 7，在ITO層6和S1 2層7之間設(shè)置電氣連接金層8，在S1Jl 7、ITO層6和量子阱層4上分別設(shè)有通孔11，電氣連接金層8通過通孔11分別連接S1Jl 7、ITO層6和量子阱層4，以實(shí)現(xiàn)多顆芯片的電氣連接，構(gòu)成集成高壓LED芯片；在所述S1Jl 7的上表面兩端分別設(shè)置引線焊盤9，兩端的引線焊盤9之間形成散熱孔12，散熱孔12的底部與S1Jl 7的上表面連通，在S1Jl 7上表面通過印刷、噴涂、濺射或注射的方式直接涂布熒光膠10，形成LED燈絲燈光源；
[0018]所述熒光膠10采用熒光粉與熒光膠的混合物。
[0019]本實(shí)用新型是直接將芯片按照燈絲的尺寸規(guī)格設(shè)計(jì)成帶有外接焊盤的高壓芯片，并通過噴涂(或印刷)熒光粉置于其表面形成LED燈絲光源；免去了傳統(tǒng)燈絲封裝中的基板，不僅省去了封裝基板連接的熱阻，還降低了物料和加工成本。
[0020]所述LED燈絲燈光源的制作方法，包括以下步驟:
[0021](I)在藍(lán)寶石襯底上制作PSS反射層；所述PSS反射層采用現(xiàn)有常規(guī)技術(shù)制作，如在藍(lán)寶石襯底上生長干法刻蝕用掩膜，用標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝將掩膜刻出圖形，利用ICP刻蝕技術(shù)刻蝕藍(lán)寶石，并去掉掩膜，形成PSS反射層；
[0022](2)再在PSS反射層上生長外延層，外延層依次為緩沖層2、N型GaN層3、量子阱層4和P型GaN層5 ;
[0023](3)通過光刻、顯影和深溝刻蝕，在N型GaN層3、量子阱層4和P型GaN層5上制作通孔11 ;
[0024](4)通過蒸鍍氧化硅和氧化鈦在P型GaN層5上表面制作ITO層6，在對(duì)應(yīng)P型GaN層5上通孔11的位置保留通孔；
[0025](5)在ITO層6上表面通過沉積的方式制作S1Jl 7，并在S1 2層7和ITO層6之間保留電氣互連區(qū)域；
[0026](6)在S1Jl 7上通過蒸鍍金的方式，在S1Jl 7表面制作焊盤9，在S1 2層7和ITO層6之間于電氣互連區(qū)域以及通孔11中形成電氣連接金層8 ;
[0027](7)在步驟(6)得到的芯片的正反面分別通過印刷、噴涂、濺射或注射的方式涂布熒光膠，從而得到LED燈絲燈光源。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED燈絲燈光源，包括藍(lán)寶石襯底(I )，其特征是:所述藍(lán)寶石襯底(I)的下表面涂布熒光膠(10)，藍(lán)寶石襯底(I)的上表面具有PSS反射層，在PSS反射層上依次設(shè)置緩沖層(2)、N 型 GaN 層(3)、量子阱層(4)、P 型 GaN 層(5)、ITO 層(6)和 S1jl (7)，在 ITO層(6)和S1Jl (7)之間設(shè)置電氣連接金層(8)，在S1Jl (7)、IT0層(6)和量子阱層(4)上分別設(shè)有通孔(11)，電氣連接金層(8)通過通孔(11)分別連接Si0jl(7)、IT0層(6)和量子阱層(4);在所述Si0jl(7)的上表面兩端分別設(shè)置引線焊盤(9)，兩端的引線焊盤(9)之間形成散熱孔(12)，散熱孔(12)的底部與Si0jl(7)的上表面連通，在S1Jl (7)的上表面涂布熒光膠(10)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種LED燈絲燈光源，包括藍(lán)寶石襯底，其特征是：所述藍(lán)寶石襯底的下表面涂布熒光膠，藍(lán)寶石襯底的上表面具有PSS反射層，在PSS反射層上依次設(shè)置緩沖層、N型GaN層、量子阱層、P型GaN層、ITO層和SiO2層，在ITO層和SiO2層之間設(shè)置電氣連接金層，在SiO2層、ITO層和量子阱層上分別設(shè)有通孔，電氣連接金層通過通孔分別連接SiO2層、ITO層和量子阱層；在所述SiO2層的上表面兩端分別設(shè)置引線焊盤，兩端的引線焊盤之間形成散熱孔，散熱孔的底部與SiO2層的上表面連通，在SiO2層的上表面涂布熒光膠。本實(shí)用新型所述LED燈絲燈光源發(fā)光均勻、性能可靠，輔以良好的散熱設(shè)計(jì)，可以大電流使用。
【IPC分類】H01L33-62, H01L33-50, H01L33-64, H01L33-20
【公開號(hào)】CN204407351
【申請?zhí)枴緾N201520136811
【發(fā)明人】周鋒
【申請人】江蘇新廣聯(lián)半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2015年3月11日