發(fā)光二極管封裝體及其支架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種大功率發(fā)光二極管封裝體及其支架。
【背景技術(shù)】
[0002]大功率LED是一種常見的大功率LED光源，它功率大，亮度高，壽命長，節(jié)能環(huán)保。圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管封裝體的剖面示意圖，圖2為其平面圖，結(jié)合圖1、2所示，常規(guī)Φ8mm型LED封裝是將正方形管芯12粘結(jié)或燒結(jié)在金屬熱沉15上，管芯12的正極通過球形接觸點(diǎn)與金絲13，鍵合為內(nèi)引線與一條管腳10相連，管芯12的負(fù)極通過球形接觸點(diǎn)與金絲13，鍵合為內(nèi)引線與一條管腳14相連，然后其頂部用硅膠等材料制成的半球形透鏡11包封。圖3為該發(fā)光二極管的支架平面示意圖，如圖3所示，支架尺寸X = 127mm, Y=48mm，該支架上陣列排布有m*n個(gè)所述發(fā)光二極管，例如Φ8大功率LED，m = 2，η = 10。
[0003]現(xiàn)有的該大功率LED存在以下問題:電極位于燈體兩側(cè)，光源整體面積大，制作該光源時(shí)，同一板支架上光源數(shù)量少，生產(chǎn)效率低，使用該光源時(shí)，同一電路板上光源排布密度低；需要的金線長度長，成本高，電壓也高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]有鑒于此，本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述或其他缺陷，提出一種發(fā)光二極管封裝體及其陣列，其采用一電極連接到金屬熱沉上，另一電極連到側(cè)面的電極上，可縮短金線，降低光源電壓，且可實(shí)現(xiàn)縮小光源整體面積，增加同一板支架上光源數(shù)量，提升生產(chǎn)效率。
[0005]為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管封裝體，包括:基座，其具有座底部和座頂表面，所述座頂表面定義有一置晶區(qū)域；二極管芯片，其固定在所述基座的所述置晶區(qū)域上，且具有一側(cè)表面電極；其中，所述二極管芯片具有至少兩個(gè)電極，一電極通過金線與所述基座連接，另一電極與所述側(cè)表面電極連接。
[0006]進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片通過銀膠粘接在所述基座上的所述置晶區(qū)域。
[0007]進(jìn)一步地，所述基座為任意的金屬層或金屬合金層組成。
[0008]進(jìn)一步地，還包括一電極側(cè)絕緣層，其設(shè)置為包覆所述基座側(cè)表面以及所述側(cè)表面電極，且具有至少一通孔供所述側(cè)表面電極伸出。
[0009]進(jìn)一步地，還包括半球形透鏡，覆蓋于所述二極管芯片上表面。
[0010]為了解決上述問題，本實(shí)用新型還提供了一種發(fā)光二極管封裝體支架，該支架上包括陣列排布的上述實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝體。
[0011]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于:光源陣列的整體面積小，同一板支架上光源數(shù)量更多，生產(chǎn)效率更高，發(fā)光二極管的金線更短，成本更低，光源電壓更低。
【附圖說明】
[0012]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中:
[0013]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管封裝體的剖面示意圖；
[0014]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管封裝體的平面示意圖；
[0015]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光二極管支架的平面示意圖；
[0016]圖4為本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝體的剖面示意圖；
[0017]圖5為本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝體的平面示意圖；
[0018]圖6為本實(shí)用新型發(fā)光二極管支架的平面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述如下:
[0020]圖4為本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝體的剖面示意圖。圖5為其平面圖，結(jié)合圖4和圖5，本實(shí)用新型提供了一種發(fā)光二極管封裝體，包括:基座24，其具有座底部和座頂表面，所述座頂表面定義有一置晶區(qū)域；二極管芯片21，其固定在所述基座的所述置晶區(qū)域上，優(yōu)選地，所述發(fā)光二極管芯片21通過銀膠粘接在所述基座上的所述置晶區(qū)域。且具有一側(cè)表面電極25 ;其中，所述二極管芯片具有至少兩個(gè)電極，如正電極和負(fù)電極(圖未示)，正電極通過金線22與所述基座24連接，負(fù)電極與所述側(cè)表面電極25連接。可選擇地，所述正電極和負(fù)電極的連接關(guān)系可以交換。
[0021]其中，所述基座24為金屬熱沉，采用任意的金屬層或金屬合金層組成，具有導(dǎo)電和導(dǎo)熱的特性，可用于連接所述二極管芯片21的正電極，同時(shí)用于發(fā)光二極管的散熱。
[0022]進(jìn)一步地，還包括一電極側(cè)絕緣層23，其設(shè)置為包覆所述基座側(cè)表面以及所述側(cè)表面電極25，且具有至少一通孔供所述側(cè)表面電極伸出。
[0023]進(jìn)一步地，還包括半球形透鏡20，覆蓋于所述二極管芯片21上表面。其中，所述半球形透鏡可以采用硅膠等材料制成，其可以保護(hù)管芯等不受外界侵蝕；采用不同的形狀和材料性質(zhì)(摻或不摻散色劑)起透鏡或漫射透鏡功能，控制光的發(fā)散角。
[0024]本實(shí)用新型采用的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，采用LED芯片位于金屬熱沉上，絕緣耐熱塑膠包裹金屬熱沉和側(cè)面的電極，金線將LED芯片的正極連接到金屬熱沉上，將LED芯片的負(fù)極連接到側(cè)面的電極上，芯片上方包裹有硅膠制作的半球形透鏡，芯片位于球心位置，可實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管的金線更短，成本更低，光源電壓更低，克服了現(xiàn)有大功率發(fā)光二極管光源整體面積大，電壓高的問題。
[0025]圖6為本實(shí)用新型發(fā)光二極管支架的平面示意圖，如圖6所示，支架尺寸X’ =127mm，Y’ = 55.9mm，該電路板上陣列排布有m*n個(gè)所述發(fā)光二極管封裝體，例如Φ8大功率 LED，m = 3, η = 10。
[0026]本實(shí)用新型發(fā)光二極管封裝體陣列與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用了正極直接連接到金屬熱沉上，負(fù)極連接到側(cè)面的電極上，實(shí)現(xiàn)了制作本實(shí)用新型的大功率LED陣列時(shí)，同一板支架上LED的數(shù)量更多，提高了生產(chǎn)效率。
[0027]本實(shí)用新型的發(fā)光二極管封裝體采用的封裝方法為引腳式封裝，發(fā)光二極管引腳式封裝采用引線架作為各種封裝外型的引腳，例如直徑為8mm的圓柱型(簡稱Φ8_)封裝。其引腳式封裝過程如下:
[0028]第一步，將正方形二極管芯片21通過膠體粘結(jié)或燒結(jié)在基座24上；
[0029]第二步，二極管芯片21的正極(圖未示)用金線22鍵合連到基座上；
[0030]第三步，二極管芯片21的負(fù)極(圖未示)用金線22和側(cè)表面電極25相連；
[0031]第四步，然后頂部用采用硅膠材料的半球形透鏡包封，做成直徑8_的圓形外形；其中，反射杯的作用是收集管芯側(cè)面、界面發(fā)出的光，向期望的方向角內(nèi)發(fā)射。
[0032]以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換，這些等同變換均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0033]另外需要說明的是，在上述【具體實(shí)施方式】中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光二極管封裝體，包括: 基座，其具有座底部和座頂表面，所述座頂表面定義有一置晶區(qū)域； 二極管芯片，其固定在所述基座的所述置晶區(qū)域上，且具有一側(cè)表面電極； 其中，所述二極管芯片具有至少兩個(gè)電極，一電極通過金線與所述基座連接，另一電極與所述側(cè)表面電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于:所述發(fā)光二極管芯片通過銀膠粘接在所述基座上的所述置晶區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于:所述基座為任意的金屬層或金屬合金層組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于:還包括一電極側(cè)絕緣層，其設(shè)置為包覆所述基座側(cè)表面以及所述側(cè)表面電極，且具有至少一通孔供所述側(cè)表面電極伸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝體，其特征在于:還包括半球形透鏡，覆蓋于所述二極管芯片上表面。
6.一種發(fā)光二極管封裝體支架，該支架上包括陣列排布的如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝體。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管封裝體及其支架。包括：基座，其具有座底部和座頂表面，所述座頂表面定義有一置晶區(qū)域；二極管芯片，其固定在所述基座的所述置晶區(qū)域上，且具有一側(cè)表面電極；其中，所述二極管芯片具有至少兩個(gè)電極，一電極通過金線與所述基座連接，另一電極與所述側(cè)表面電極連接。采用本實(shí)用新型的發(fā)光二極管封裝體金線短，成本低，光源電壓低，且可以實(shí)現(xiàn)同一電路板發(fā)光二極管封裝陣列光源數(shù)量更多，生產(chǎn)效率更高。
【IPC分類】H01L33-36, H01L33-48, H01L33-62, H01L25-13
【公開號(hào)】CN204348752
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520019220
【發(fā)明人】洪從勝
【申請(qǐng)人】江蘇奧雷光電有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2015年1月12日