具有接觸塞的半導(dǎo)體裝置及其形成方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體裝置包括第一鰭有源區(qū)、基本上與第一鰭有源區(qū)平行的第二鰭有源區(qū)、位于第一鰭有源區(qū)中的第一源/漏區(qū)、位于第二鰭有源區(qū)中的第二源/漏區(qū)、位于第一源/漏區(qū)上的第一接觸塞以及位于第二源/漏區(qū)上的第二接觸塞。第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。
【專利說明】
具有接觸塞的半導(dǎo)體裝置及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]這里的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例涉及一種具有接觸塞的半導(dǎo)體裝置和一種用于形成具有接觸塞的半導(dǎo)體裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體裝置變得更高度地集成，越來越難以在有限面積中形成多個(gè)接觸塞。接觸塞提供下圖案與上互連件之間的電連接。下圖案具有構(gòu)成電路的各種間隔。當(dāng)接觸塞形成在下圖案上時(shí)，可能出現(xiàn)各種問題，例如，可能在接觸塞之間形成橋和/或可能發(fā)生漏電流的增大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括:第一鰭有源區(qū)；第二鰭有源區(qū)，基本上與第一鰭有源區(qū)平行;第一源/漏區(qū)，位于第一鰭有源區(qū)中；第二源/漏區(qū)，位于第二鰭有源區(qū)中；第一接觸塞，位于第一源/漏區(qū)上；以及第二接觸塞，位于第二源/漏區(qū)上，其中，第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。第二接觸塞的底部可以具有與第一接觸塞的底部不同的傾角。
[0004]半導(dǎo)體裝置可以包括位于第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的傾斜界面，所述傾斜界面可以在靠近第一鰭有源區(qū)的方向上處于較高的水平，并且在遠(yuǎn)離第一鰭有源區(qū)的方向上處于較低的水平。第一接觸塞的豎直中心與第二接觸塞的豎直中心之間的距離可以大于第一源/漏區(qū)的豎直中心與第二源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。第二接觸塞的下端可以處于比第一接觸塞的下端低的水平。第一源/漏區(qū)的水平寬度可以大于第一鰭有源區(qū)的水平寬度，并且第二源/漏區(qū)的水平寬度可以大于第二鰭有源區(qū)的水平寬度。
[0005]半導(dǎo)體裝置可以包括位于第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的金屬硅化物層，與第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的界面到穿過第一源/漏區(qū)的中心的豎直線的最接近點(diǎn)相比，第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的界面與穿過第一源/漏區(qū)的中心的豎直線的最遠(yuǎn)點(diǎn)可以處于較低的水平。
[0006]半導(dǎo)體裝置可以包括:第三鰭有源區(qū)，基本上與第二鰭有源區(qū)平行;第三源/漏區(qū)，位于第三鰭有源區(qū)中；以及第三接觸塞，位于第三源/漏區(qū)上，其中，第二鰭有源區(qū)位于第一鰭有源區(qū)與第三鰭有源區(qū)之間，其中，第三接觸塞的中心從第三源/漏區(qū)的中心偏移。
[0007]第二鰭有源區(qū)與第三鰭有源區(qū)之間的距離可以大于第一鰭有源區(qū)與第二鰭有源區(qū)之間的距離。第二接觸塞的豎直中心與第三接觸塞的豎直中心之間的距離可以小于第二源/漏區(qū)的豎直中心與第三源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。
[0008]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括:第一上拉晶體管和第二上拉晶體管;第一下拉晶體管和第二下拉晶體管;第一存取晶體管和第二存取晶體管;第一接觸塞，與第二上拉晶體管相鄰；以及第二接觸塞，與第二下拉晶體管相鄰，其中，第二上拉晶體管的第一鰭有源區(qū)中的第一源/漏區(qū)連接到第一接觸塞，第二下拉晶體管的第二鰭有源區(qū)中的第二源/漏區(qū)連接到第二接觸塞，并且第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。第二鰭有源區(qū)可以基本上與第一鰭有源區(qū)平行。
[0009]第一源/漏區(qū)可以包括P型雜質(zhì)，并且第二源/漏區(qū)可以包括N型雜質(zhì)。第一源/漏區(qū)可以包括晶體生長(zhǎng)SiGe層，并且第二源/漏區(qū)可以包括晶體生長(zhǎng)Si層、晶體生長(zhǎng)SiC層或它們的組合。
[0010]第一接觸塞的豎直中心與第二接觸塞的豎直中心之間的距離可以大于第一源/漏區(qū)的豎直中心與第二源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。第二接觸塞的底部可以具有與第一接觸塞的底部不同的傾角。半導(dǎo)體裝置可以包括位于第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的傾斜界面，所述傾斜界面可以在靠近第一鰭有源區(qū)的方向上處于較高的水平，并且在遠(yuǎn)離第一鰭有源區(qū)的方向上處于較低的水平。
[0011 ]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括:多鰭有源區(qū)；鰭有源區(qū)，基本上與多鰭有源區(qū)平行;源/漏區(qū)，位于鰭有源區(qū)中；多源/漏區(qū)，位于多鰭有源區(qū)中；第一接觸塞，位于源/漏區(qū)上；以及第二接觸塞，位于多源/漏區(qū)上，并且第二接觸塞的中心從多源/漏區(qū)的中心偏移。多鰭有源區(qū)可以包括基本上與第二子鰭有源區(qū)平行的第一子鰭有源區(qū)，多源/漏區(qū)可以包括在第一子鰭有源區(qū)上的第一多源/漏區(qū)以及在第二子鰭有源區(qū)上的第二多源/漏區(qū)。第二多源/漏區(qū)可以直接接觸第一多源/漏區(qū)。
[0012]半導(dǎo)體裝置可以包括位于第二接觸塞和多源/漏區(qū)之間的傾斜界面，所述傾斜界面可以在靠近鰭有源區(qū)的方向上處于較高的水平，并且在遠(yuǎn)離鰭有源區(qū)的方向上處于較低的水平。第一接觸塞的豎直中心與第二接觸塞的豎直中心之間的距離可以大于源/漏區(qū)的豎直中心與多源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。
[0013]半導(dǎo)體裝置可以包括位于第二接觸塞和多源/漏區(qū)之間的金屬硅化物層，其中，與第二接觸塞和金屬硅化物層之間的界面到穿過源/漏區(qū)的中心的豎直線的最接近點(diǎn)相比，第二接觸塞和金屬硅化物層之間的界面與穿過源/漏區(qū)的中心的豎直線的最遠(yuǎn)點(diǎn)處于較低的水平。
[0014]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括:第一上拉晶體管和第二上拉晶體管;第一下拉晶體管和第二下拉晶體管;第一存取晶體管和第二存取晶體管;第一接觸塞，與第二上拉晶體管相鄰；以及第二接觸塞，與第二下拉晶體管相鄰，其中，第二上拉晶體管的鰭有源區(qū)中形成的源/漏區(qū)連接到第一接觸塞，第二下拉晶體管的多鰭有源區(qū)中形成的多源/漏區(qū)連接到第二接觸塞，并且第二接觸塞的中心從多源/漏區(qū)的中心偏移。多鰭有源區(qū)可以包括基本上與第二子鰭有源區(qū)平行的第一子鰭有源區(qū)，多源/漏區(qū)可以包括在第一子鰭有源區(qū)上的第一多源/漏區(qū)以及在第二子鰭有源區(qū)上的第二多源/漏區(qū)。
[0015]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施例，一種半導(dǎo)體裝置包括:第一源/漏區(qū)；第二源/漏區(qū)；第一接觸塞，位于第一源/漏區(qū)上；以及第二接觸塞，位于第二源/漏區(qū)上，其中，第一接觸塞具有基本上與第一源/漏區(qū)的中心對(duì)準(zhǔn)的中心，其中，第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。
[0016]第一接觸塞可以與第二接觸塞相鄰。第一接觸塞的中心可以與第二接觸塞的中心間隔第一距離;第一源/漏區(qū)的中心可以與第二源/漏區(qū)的中心間隔第二距離;并且第一距離可以大于第二距離。第一接觸塞和第二接觸塞中的至少一個(gè)的下表面可以是傾斜的。第一接觸塞的下表面可以具有第一形狀;第二接觸塞的下表面可以具有第二形狀;并且第一形狀可以與第二形狀不同。
【附圖說明】
[0017]通過參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說特征將變得清楚，在附圖中:
[0018]圖1至圖3示出半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例；
[0019]圖4示出半導(dǎo)體裝置的布局實(shí)施例；
[0020]圖5示出半導(dǎo)體裝置的等效電路；
[0021]圖6不出圖1中的一部分的放大圖；
[0022]圖7示出半導(dǎo)體裝置的另一實(shí)施例；
[0023]圖8示出半導(dǎo)體裝置的另一布局實(shí)施例；
[0024]圖9至圖11示出圖8中的半導(dǎo)體裝置的剖視圖；
[0025]圖12至圖13示出半導(dǎo)體裝置的另一實(shí)施例；
[0026]圖14不出半導(dǎo)體裝置的另一布局實(shí)施例；
[0027]圖15和圖19示出用于形成半導(dǎo)體裝置的方法的實(shí)施例；
[0028]圖16至圖18以及圖20至圖24分別示出針對(duì)圖15和圖19的方法的實(shí)施例的圖；
[0029]圖25至圖32示出針對(duì)形成半導(dǎo)體裝置的方法的另一實(shí)施例的圖；
[0030]圖33至圖34示出電子設(shè)備的實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0031]在下文中，參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例;然而，示例實(shí)施例可以以許多不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開將是徹底的和完整的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)示例性實(shí)施方式?？梢越Y(jié)合實(shí)施例以形成附加的實(shí)施例。
[0032]還將理解的是，當(dāng)層或元件被稱作“在”另一層或基底“上”時(shí)，該層或元件可以直接在所述另一層或基底上，或者也可以存在中間層。此外，將理解的是，當(dāng)層被稱作在另一層“下”時(shí)，該層可以直接在另一層下，并且也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。另外，也將理解的是，當(dāng)層被稱作在兩層“之間”時(shí)，該層可以是兩個(gè)層之間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。
[0033]用于描述實(shí)施例的這里使用的術(shù)語不意圖限制本發(fā)明的范圍。本文件中單數(shù)形式的使用不應(yīng)排除一個(gè)以上指示物的存在。也就是說，除非上下文另外清楚地指出，否則以單數(shù)形式引用的實(shí)施例的元件可以計(jì)數(shù)為一個(gè)或更多個(gè)。還將理解的是，這里使用的術(shù)語“包含”和/或“包括”說明存在所述元件、組件、步驟、操作和/或器件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它元件、組件、步驟、操作和/或器件。
[0034]將理解的是，當(dāng)元件被稱作“連接”或“結(jié)合”到另一元件時(shí)，其可以直接連接或結(jié)合到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接連接”或“直接結(jié)合”到另一元件時(shí)，不存在中間元件。在以下解釋中，相同的附圖標(biāo)記在說明書中始終表示相同的組件。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)項(xiàng)的至少一個(gè)的每個(gè)組合以及全部組合。
[0035]這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語(例如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”、“上面的”等)來描述一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系，如附圖中所示。將理解的是，這樣的描述意在包含除了在附圖中描繪的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定位為“在”其它元件或特征“上方”。因此，根據(jù)整體的裝置方位，術(shù)語“在…下方”意圖意味著“在...上方”和“在…下方”兩種方位。另外，裝置可以以其它方式再定位并且應(yīng)該相應(yīng)地解釋這里使用的描述語。
[0036]在此參照作為理想實(shí)施例和中間結(jié)構(gòu)的示意圖的剖視圖和/或平面圖來描述實(shí)施例。在附圖中，為了清晰起見，可能夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。這樣，預(yù)計(jì)出現(xiàn)由例如制造技術(shù)和/或公差而引起的圖示的形狀的變化。因此，實(shí)施例不應(yīng)該被理解為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出為矩形的蝕刻區(qū)域通常具有倒圓或曲線的特征。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不意圖限制當(dāng)前實(shí)施例的范圍。
[0037]這里可以以相對(duì)的意義來使用諸如“正面”和“背面”的術(shù)語，以幫助容易理解實(shí)施例。因此，“正面”和“背面”可以不表示任何具體的方向、位置或組件，并且可交換地使用。例如，“正面”可以理解為“背面”，反之亦然。此外，“正面”可以表示為“第一面”，“背面”可以表示為“第二面”，反之亦然。然而，在同一個(gè)實(shí)施例中，“正面”和“背面”不可以交換地使用。
[0038]術(shù)語“在…附近”意圖意味著兩個(gè)或更多個(gè)組件中的一個(gè)組件位于特定另一組件相對(duì)接近的距離內(nèi)。例如，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)?shù)谝欢嗽诘谝粋?cè)附近時(shí)，第一端可以比第二端接近第一側(cè)，或者相比于第二側(cè)，第一端可以接近第一側(cè)。
[0039]圖1至圖3示出半導(dǎo)體裝置的實(shí)施例的不同剖視圖，圖4示出半導(dǎo)體裝置的布局實(shí)施例。具體地，圖1示出沿著圖4的線Ι-Γ截取的剖視圖。圖2示出沿著圖4的線ΙΙ-ΙΓ截取的剖視圖。圖3示出沿著圖4的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的剖視圖。
[0040]參照?qǐng)D1，N阱13、P阱14、器件隔離層17、鰭有源區(qū)21、22、25和26、源/漏區(qū)31、32、35和36、蝕刻停止層52、下絕緣層54、上絕緣層55、金屬硅化物層161、162、165和166、阻擋層171、172、175和176以及導(dǎo)電層181、182、185和186形成在基底11上。阻擋層171、172、175和176以及導(dǎo)電層181、182、185和186可以構(gòu)成接觸塞191、192、195和196。
[0041]參照?qǐng)D2，P阱14、鰭有源區(qū)22、源/漏區(qū)32、下柵極介電層41、上柵極介電層42、柵電極43、分隔件51、蝕刻停止層52、下絕緣層54、上絕緣層55、金屬硅化物層162、阻擋層172和導(dǎo)電層182可以形成在基底11上。
[0042]參照?qǐng)D3，P阱14、器件隔離層17、鰭有源區(qū)22、下柵極介電層41、上柵極介電層42、柵電極43和上絕緣層55可以形成在基底11上。
[0043]參照?qǐng)D4，鰭有源區(qū)、柵電極和接觸塞位于基底11上?；?1包括第一單元區(qū)域Cl和第二單元區(qū)域C2。鰭有源區(qū)包括第一鰭有源區(qū)21、第二鰭有源區(qū)22、第三鰭有源區(qū)23、第四鰭有源區(qū)24、第五鰭有源區(qū)25、第六鰭有源區(qū)26、第七鰭有源區(qū)27和第八鰭有源區(qū)28。柵電極包括第一柵電極43、第二柵電極44、第三柵電極45、第四柵電極46、第五柵電極47、第六柵電極48和第七柵電極49。接觸塞包括第一接觸塞191、第二接觸塞192、第三接觸塞193、第四接觸塞195、第五接觸塞196和第六接觸塞197。
[0044]第一存取晶體管TAl可以形成在第三鰭有源區(qū)23和第四柵電極46的交叉處。第一下拉晶體管TDl可以形成在第三鰭有源區(qū)23和第三柵電極45的交叉處。第一上拉晶體管TUl可以形成在第四鰭有源區(qū)24和第三柵電極45的交叉處。第二存取晶體管TA2可以形成在第二鰭有源區(qū)22和第二柵電極44的交叉處。第二下拉晶體管TD2可以形成在第二鰭有源區(qū)22和第一柵電極43的交叉處。第二上拉晶體管TU2可以形成在第一鰭有源區(qū)21和第一柵電極43的交叉處。
[0045]圖5是半導(dǎo)體裝置的等效電路圖。等效電路可以對(duì)應(yīng)于CMOSSRAM單元。圖4中的第一單元區(qū)域Cl可以解釋為包括圖5中的CMOS SRAM單元。圖4中的第二單元區(qū)域C2也可以解釋為包括與圖5中的CMOS SRAM單元類似的結(jié)構(gòu)。
[0046]參照?qǐng)D5，CMOS SRAM單元可以包括一對(duì)上拉晶體管TUl和TU2、一對(duì)下拉晶體管TDl和TD2以及一對(duì)存取晶體管TAl和TA2。一對(duì)下拉晶體管TDl和TD2以及一對(duì)存取晶體管TAl和TA2可以是NMOS晶體管，一對(duì)上拉晶體管TUl和TU2可以是PMOS晶體管。
[0047]第一下拉晶體管TDl和第一存取晶體管TAl可以串聯(lián)連接。第一下拉晶體管TDl的源極可以電連接到地GND。第一存取晶體管TAl的漏極可以電連接到第一位線BL1。
[0048]第二下拉晶體管TD2和第二存取晶體管TA2可以串聯(lián)連接。第二下拉晶體管TD2的源極可以電連接到地GND。第二存取晶體管TA2的漏極可以電連接到第二位線BL2。
[0049]第一上拉晶體管TUl的源極和漏極可以分別電連接到電源VDD和第一下拉晶體管TDl的漏極。第二上拉晶體管TU2的源極和漏極可以電連接到電源VDD和第二下拉晶體管TD2的漏極。第一上拉晶體管TUl的漏極、第一下拉晶體管TDl的漏極和第一存取晶體管TAl的源極可以對(duì)應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)NI。另外，第二上拉晶體管TU2的漏極、第二下拉晶體管TD2的漏極和第二存取晶體管TA2的源極可以對(duì)應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)N2。
[0050]第一下拉晶體管TDl的柵電極和第一上拉晶體管TUl的柵電極可以電連接到第二節(jié)點(diǎn)N2。第二下拉晶體管TD2的柵電極和第二上拉晶體管TU2的柵電極可以電連接到第一節(jié)點(diǎn)NI。第一存取晶體管TAl和第二存取晶體管TA2的柵電極可以電連接到字線WL。
[0051 ] 再次參照?qǐng)D1至圖4，基底11可以是半導(dǎo)體基底，例如，硅晶圓或絕緣體上硅SOI晶圓。在一個(gè)實(shí)施例中，基底11可以是包括P型雜質(zhì)的單晶娃晶圓。叫并13和P講14可以形成在基底11中。例如，N阱13可以是包括N型雜質(zhì)的硅層，P阱14可以是包括P型雜質(zhì)的硅層。當(dāng)基底11是包括P型雜質(zhì)的單晶硅晶圓時(shí)，可以省略P阱14。
[0052]鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28可以通過器件隔離層17而限定在基底11上。鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28中的每個(gè)可以具有例如平面圖中的線形狀或條形狀。鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28中的每個(gè)可以具有大于水平寬度的豎直高度。器件隔離層17可以包括具有例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它們的組合的絕緣層。
[0053]第一鰭有源區(qū)21、第四鰭有源區(qū)24、第五鰭有源區(qū)25和第八鰭有源區(qū)28可以形成在N阱13中。第一鰭有源區(qū)21、第四鰭有源區(qū)24、第五鰭有源區(qū)25和第八鰭有源區(qū)28可以是包括N型雜質(zhì)的硅層。第二鰭有源區(qū)22、第三鰭有源區(qū)23、第六鰭有源區(qū)26和第七鰭有源區(qū)27可以形成在P阱14中。第二鰭有源區(qū)22、第三鰭有源區(qū)23、第六鰭有源區(qū)26和第七鰭有源區(qū)27可以是包括P型雜質(zhì)的硅層。
[0054]第二單元區(qū)域C2可以與第一單元區(qū)域Cl相鄰。第一至第四鰭有源區(qū)21、22、23和24可以在第一單元區(qū)域Cl中。第五至第八鰭有源區(qū)25、26、27和28可以在第二單元區(qū)域C2中。第一鰭有源區(qū)21可以平行于第二鰭有源區(qū)22。第四鰭有源區(qū)24可以平行于第三鰭有源區(qū)
23。第一鰭有源區(qū)21的延伸可以平行于第四鰭有源區(qū)24。第一鰭有源區(qū)21可以在第二鰭有源區(qū)22與第三鰭有源區(qū)23之間。
[0055]第五鰭有源區(qū)25可以平行于第六鰭有源區(qū)26。第八鰭有源區(qū)28可以平行于第七鰭有源區(qū)27。第五鰭有源區(qū)25的延伸可以平行于第八鰭有源區(qū)28。第五鰭有源區(qū)25可以在第六鰭有源區(qū)26與第七鰭有源區(qū)27之間。第二鰭有源區(qū)22可以在第一鰭有源區(qū)21與第六鰭有源區(qū)26之間。第六鰭有源區(qū)26可以平行于第二鰭有源區(qū)22。第六鰭有源區(qū)26可以在第二鰭有源區(qū)22與第五鰭有源區(qū)25之間。
[0056]第一鰭有源區(qū)21與第二鰭有源區(qū)22之間的距離可以小于第二鰭有源區(qū)22與第六鰭有源區(qū)26之間的距離。第二鰭有源區(qū)22與第六鰭有源區(qū)26之間的距離可以大于第五鰭有源區(qū)25與第六鰭有源區(qū)26之間的距離。
[0057]柵電極43、44、45、46、47、48和49中的每個(gè)可以包括逸出功金屬層和導(dǎo)電層。第一柵電極43可以與第一鰭有源區(qū)21和第二鰭有源區(qū)22交叉。第二柵電極44可以與第二鰭有源區(qū)22和第六鰭有源區(qū)26交叉。第三柵電極45可以與第三鰭有源區(qū)23和第四鰭有源區(qū)24交叉。第四柵電極46可以與第三鰭有源區(qū)23交叉。第五柵電極47可以與第五鰭有源區(qū)25和第六鰭有源區(qū)26交叉。第六柵電極48可以與第七鰭有源區(qū)27和第八鰭有源區(qū)28交叉。第七柵電極49可以與第七鰭有源區(qū)27交叉。
[0058]下柵極介電層41和上柵極介電層42可以在柵電極43、44、45、46、47、48和49與鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28之間。例如，下柵極介電層41可以在第二鰭有源區(qū)22與第一柵電極43之間。下柵極介電層41可以與第二鰭有源區(qū)22的上表面和側(cè)表面直接接觸。上柵極介電層42可以在下柵極介電層41上。上柵極介電層42可以與第一柵電極43的底表面和側(cè)表面直接接觸。第一柵電極43可以覆蓋第二鰭有源區(qū)22的上表面和側(cè)表面。第一柵電極43的下端可以處于比第二鰭有源區(qū)22的上端低的水平。
[0059]下柵極介電層41可以包括清洗工藝中形成的化學(xué)氧化物。下柵極介電層41可以包括例如通過H2O2和Si的反應(yīng)形成的氧化硅。下柵極介電層41可以被稱為界面氧化物。上柵極介電層42可以包括一種或多種高k介質(zhì)。上柵極介電層42可以包括例如Hf0、HfSi0或它們的組合。
[0060]分隔件51可以在柵電極43、44、45、46、47、48和49中的每個(gè)的側(cè)表面上。例如，分隔件51可以覆蓋第一柵電極43的側(cè)表面。上柵極介電層42可以在第一柵電極43與分隔件51之間。分隔件51可以包括具有例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它們的組合的絕緣層。
[0061 ] 源/漏區(qū)31、32、35和36可以位于與柵電極43、44、45、46、47、48和49相鄰的鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28中。源/漏區(qū)31、32、35和36中的每個(gè)可以包括晶體生長(zhǎng)材料。源/漏區(qū)31、32、35和36的下端可以以比鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28的上端低的水平形成。源/漏區(qū)31、32、35和36的上端可以以比鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28的上端高的水平形成。源/漏區(qū)31、32、35和36中的每個(gè)的水平寬度可以大于鰭有源區(qū)21、22、23、
24、25、26、27和28中的每個(gè)的水平寬度。源/漏區(qū)31、32、35和36中的每個(gè)可以豎直地對(duì)準(zhǔn)對(duì)應(yīng)的鰭有源區(qū) 21、22、23、24、25、26、27 和 28。
[0062]例如，第一源/漏區(qū)31可以在第一鰭有源區(qū)21中。例如，第一源/漏區(qū)31可以包括通過選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)方法形成的SiGe、Si或它們的組合。第一源/漏區(qū)31可以包括具有P型雜質(zhì)的SiGe層。
[0063]第二源/漏區(qū)32可以在第二鰭有源區(qū)22中。例如，第二源/漏區(qū)32可以包括通過SEG方法形成的SiC、Si或它們的組合。第二源/漏區(qū)32可以包括具有N型雜質(zhì)的Si層。
[0064]第三源/漏區(qū)35可以在第五鰭有源區(qū)25中。例如，第三源/漏區(qū)35可以包括通過SEG方法形成的SiGe、Si或它們的組合。第三源/漏區(qū)35可以包括具有P型雜質(zhì)的SiGe層。
[0065]第四源/漏區(qū)36可以在第六鰭有源區(qū)26中。例如，第四源/漏區(qū)36可以包括通過SEG方法形成的SiC、Si或它們的組合。第四源/漏區(qū)36可以包括具有N型雜質(zhì)的Si層。
[0066]第一源/漏區(qū)31與第二源/漏區(qū)32之間的距離可以小于第二源/漏區(qū)32與第四源/漏區(qū)36之間的距離。第二源/漏區(qū)32與第四源/漏區(qū)36之間的距離可以大于第三源/漏區(qū)35與第四源/漏區(qū)36之間的距離。
[0067]蝕刻停止層52可以在源/漏區(qū)31、32、35和36上。蝕刻停止層52可以共形地覆蓋源/漏區(qū)31、32、35和36、器件隔離層17以及分隔件51。蝕刻停止層52可以包括具有例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它們的組合的絕緣層。下絕緣層54可以在蝕刻停止層52上。下絕緣層
54、蝕刻停止層52、分隔件51、上柵極介電層42和第一柵電極43的上端可以基本上共面。下絕緣層54可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它們的組合的絕緣層。
[0068]蝕刻停止層52可以包括相對(duì)于下絕緣層54具有蝕刻選擇性的材料。例如，下絕緣層54可以包括正硅酸乙酯(TEOS)層，蝕刻停止層52可以包括氮化硅層。上絕緣層55可以在下絕緣層54上。上絕緣層55可以覆蓋下絕緣層54、蝕刻停止層52、分隔件51、上柵極介電層42和第一柵電極43。上絕緣層55可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它們的組合的絕緣層
[0069]接觸塞191、192、193、195、196和197中的每個(gè)可以穿過上絕緣層55、下絕緣層54和蝕刻停止層52。相鄰接觸塞的底表面(S卩，面對(duì)對(duì)應(yīng)的源/漏區(qū)的表面)可以具有彼此不同的傾角，例如，底表面可以關(guān)于正交地穿過接觸塞的垂直線傾斜。第一接觸塞191可以在第一源/漏區(qū)31上，以與第一柵電極43相鄰。第一接觸塞191可以包括第一導(dǎo)電層181和圍繞第一導(dǎo)電層181的底表面和側(cè)表面的第一阻擋層171。第一金屬硅化物層161可以在第一接觸塞191與第一源/漏區(qū)31之間。第一接觸塞191的中心可以豎直地對(duì)準(zhǔn)第一源/漏區(qū)31的中心。
[0070]第二接觸塞192可以在第二源/漏區(qū)32上，以與第一柵電極43相鄰。第二接觸塞192可以包括第二導(dǎo)電層182和圍繞第二導(dǎo)電層182的底表面和側(cè)表面的第二阻擋層172。第二金屬硅化物層162可以在第二接觸塞192與第二源/漏區(qū)32之間。第二接觸塞192的中心可以從第二源/漏區(qū)32的中心偏移。第一源/漏區(qū)31的中心與第二源/漏區(qū)32的中心之間的距離可以小于第一接觸塞191的中心與第二接觸塞192的中心之間的距離。
[0071]傾斜的界面可以在第二接觸塞192與第二源/漏區(qū)32之間。第二接觸塞192的底部可以具有與第一接觸塞191的底部不同的傾角。第二接觸塞192的底部可以在與穿過第一接觸塞191的中心的豎直線遠(yuǎn)離的方向上處于較低水平。
[0072]第二接觸塞192的下端可以處于比第一接觸塞191的下端低的水平。第二接觸塞192的底部可以在靠近穿過第一接觸塞191的中心的豎直線的方向上處于較高水平。
[0073]第二接觸塞192的底部的最高水平處的點(diǎn)可以處于比第一接觸塞191的底部的最高水平處的點(diǎn)高的水平。第二金屬硅化物層162的下端可以處于比第一金屬硅化物層161的下端低的水平。
[0074]第四接觸塞195可以在第三源/漏區(qū)35上，以與第五柵電極47相鄰。第四接觸塞195可以包括第四導(dǎo)電層185和圍繞第四導(dǎo)電層185的底表面和側(cè)表面的第四阻擋層175。第四金屬硅化物層165可以在第四接觸塞195與第三源/漏區(qū)35之間。第四接觸塞195的中心可以豎直地對(duì)準(zhǔn)第三源/漏區(qū)35的中心。
[0075]第五接觸塞196可以在第四源/漏區(qū)36上，以與第五柵電極47相鄰。第五接觸塞196可以包括第五導(dǎo)電層186和圍繞第五導(dǎo)電層186的底表面和側(cè)表面的第五阻擋層176。第五金屬硅化物層166可以在第五接觸塞196與第四源/漏區(qū)36之間。第五接觸塞196的中心可以從第四源/漏區(qū)36的中心偏移。第三源/漏區(qū)35的中心與第四源/漏區(qū)36的中心之間的距離可以小于第四接觸塞195的中心與第五接觸塞196的中心之間的距離。
[0076]傾斜的界面可以在第五接觸塞196與第四源/漏區(qū)36之間。第五接觸塞196的底部可以具有與第四接觸塞195的底部不同的傾角。第五接觸塞196的底部可以在與穿過第四接觸塞195的中心的豎直線遠(yuǎn)離的方向上處于較低水平。第五接觸塞196的下端可以處于比第四接觸塞195的下端低的水平。第五接觸塞196的底部可以在靠近穿過第四接觸塞195的中心的豎直線的方向上處于較高水平。
[0077]第五接觸塞196的底部的最高水平處的點(diǎn)可以處于比第四接觸塞195的底部的最高水平處的點(diǎn)高的水平。第五金屬硅化物層166的下端可以處于比第四金屬硅化物層165的下端低的水平。
[0078]第一金屬硅化物層161、第二金屬硅化物層162、第四金屬硅化物層165和第五金屬硅化物層166可以分別在第一接觸塞191、第二接觸塞192、第四接觸塞195和第五接觸塞196下方自對(duì)準(zhǔn)。第一金屬娃化物層161、第二金屬娃化物層162、第四金屬娃化物層165和第五金屬硅化物層166可以分別與第一接觸塞191、第二接觸塞192、第四接觸塞195和第五接觸塞196的底表面和側(cè)表面直接接觸。第一阻擋層171、第二阻擋層172、第四阻擋層175和第五阻擋層176可以包括例如TiN、TaN或它們的組合。第一導(dǎo)電層181、第二導(dǎo)電層182、第四導(dǎo)電層185和第五導(dǎo)電層186可以包括金屬，例如，W。
[0079]圖6是不出圖1的一部分的局部放大圖。參照?qǐng)D6，穿過第一接觸塞191的中心的豎直線可以與穿過第一源/漏區(qū)31的中心的豎直線一致。穿過第一接觸塞191的中心的豎直線可以與穿過第一源/漏區(qū)31的中心的豎直線以及穿過第一鰭有源區(qū)21的中心的豎直線一致。
[0080]穿過第二源/漏區(qū)32的中心的豎直線可以與穿過第二鰭有源區(qū)22的中心的豎直線一致。穿過第二接觸塞192的中心的豎直線可以與穿過第二源/漏區(qū)32的中心的豎直線間隔第一距離dI。穿過第二接觸塞192的中心的豎直線可以與穿過第二鰭有源區(qū)22的中心的豎直線間隔第一距離dl。
[0081 ]第二接觸塞192的下端可以處于比第一接觸塞191的下端低第二距離d2的水平。第二接觸塞192的底部的最高水平處的點(diǎn)可以處于比第一接觸塞191的底部的最高水平處的點(diǎn)高第三距離d3的水平。
[0082]圖7是沿著圖4的線Ι-Γ截取的另一實(shí)施例的剖視圖。參照?qǐng)D7，第一接觸塞191、第二接觸塞192、第四接觸塞195和第五接觸塞196的底部可以是不平坦的。第二接觸塞192和第五接觸塞196的底部可以具有與第一接觸塞191和第四接觸塞195的底部不同的形狀。第一金屬硅化物層161的上端可以處于穿過第一接觸塞191的中心的豎直線上。第二金屬硅化物層162的上端可以從穿過第二接觸塞192的中心的豎直線偏移。第四金屬硅化物層165的上端可以處于穿過第四接觸塞195的中心的豎直線上。第五金屬硅化物層166的上端可以從穿過第五接觸塞196的中心的豎直線偏移。
[0083]圖8示出半導(dǎo)體裝置的另一布局實(shí)施例。圖9是沿著圖8中的線IV-1V’截取的剖視圖。圖10是沿著圖8中的線V-V’截取的剖視圖。圖11是沿著圖8中的線V1-VI’截取的剖視圖。
[0084]參照?qǐng)D8，鰭有源區(qū)、多鰭有源區(qū)、柵電極和接觸塞形成在包括第一單元區(qū)域Cl和第二單元區(qū)域C2的基底11上。鰭有源區(qū)包括第一鰭有源區(qū)21、第四鰭有源區(qū)24、第五鰭有源區(qū)25和第八鰭有源區(qū)28。
[0085]多鰭有源區(qū)包括第一多鰭有源區(qū)22M、第二多鰭有源區(qū)23M、第三多鰭有源區(qū)26M和第四多鰭有源區(qū)27M。第一多鰭有源區(qū)22M包括具有第一左子鰭有源區(qū)22A和第一右子鰭有源區(qū)22B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。第二多鰭有源區(qū)23M包括具有第二左子鰭有源區(qū)23A和第二右子鰭有源區(qū)23B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。第三多鰭有源區(qū)26M包括具有第三左子鰭有源區(qū)26A和第三右子鰭有源區(qū)26B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。第四多鰭有源區(qū)27M包括具有第四左子鰭有源區(qū)27A和第四右子鰭有源區(qū)27B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。
[0086]柵電極包括第一柵電極43、第二柵電極44、第三柵電極45、第四柵電極46、第五柵電極47、第六柵電極48和第七柵電極49。
[0087]接觸塞包括第一接觸塞191、第二接觸塞192、第三接觸塞193、第四接觸塞195、第五接觸塞196和第六接觸塞197。在另一實(shí)施例中，多鰭有源區(qū)22M、23M、26M和27M中的每個(gè)可以包括彼此平行的三個(gè)或更多個(gè)下鰭有源區(qū)。
[0088]參照?qǐng)D9，N阱13、P阱14、器件隔離層17和17A、鰭有源區(qū)21和25、多鰭有源區(qū)22M和26M、源/漏區(qū)31和35、多源/漏區(qū)32A、32B、36A和36B、蝕刻停止層52、下絕緣層54、上絕緣層
55、金屬硅化物層161、162、165和166、阻擋層171、172、175和176以及導(dǎo)電層181、182、185和186形成在基底11上。阻擋層171、172、175和176以及導(dǎo)電層181、182、185和186可以構(gòu)成接觸塞 191、192、195 和 196。
[0089]參照?qǐng)D10，P阱14、第一左子鰭有源區(qū)22A、第一多源/漏區(qū)32A、下柵極介電層41、上柵極介電層42、第一柵電極43、分隔件51、蝕刻停止層52、下絕緣層54、上絕緣層55、金屬硅化物層162、阻擋層172和導(dǎo)電層182形成在基底11上。
[0090]參照?qǐng)D11，P阱14、器件隔離層17和17A、第一多鰭有源區(qū)22M、下柵極介電層41、上柵極介電層42、第一柵電極43和上絕緣層55形成在基底11上。
[0091]再次參照?qǐng)D8至圖11，第一左子鰭有源區(qū)22A與第一右子鰭有源區(qū)22B之間的距離可以小于第一鰭有源區(qū)21與第一多鰭有源區(qū)22M之間的距離。第一多鰭有源區(qū)22M與第三多鰭有源區(qū)26M之間的距離可以大于第一鰭有源區(qū)21與第一多鰭有源區(qū)22M之間的距離。
[0092]器件隔離層17和17A包括第一器件隔離層17和第二器件隔離層17A。第二器件隔離層17A可以在第一左子鰭有源區(qū)22A與第一右子鰭有源區(qū)22B之間并且可以在第三左子鰭有源區(qū)26A與第三右子鰭有源區(qū)26B之間。第二器件隔離層17A的下端可以處于比第一器件隔離層17的下端高的水平。
[0093]多源/漏區(qū)包括第一多源/漏區(qū)32A、第二多源/漏區(qū)32B、第三多源/漏區(qū)36A和第四多源/漏區(qū)36B ο第一多源/漏區(qū)32A可以在第一左子鰭有源區(qū)22A上。第二多源/漏區(qū)32B可以在第一右子鰭有源區(qū)22B上。第三多源/漏區(qū)36A可以在第三左子鰭有源區(qū)26A上。第四多源/漏區(qū)36B可以在第三右子鰭有源區(qū)26B上。
[0094]第一多源/漏區(qū)32A的水平寬度可以大于第一左子鰭有源區(qū)22A的水平寬度。第二多源/漏區(qū)32B的水平寬度可以大于第一右子鰭有源區(qū)22B的水平寬度。第一多源/漏區(qū)32A的側(cè)表面可以與第二多源/漏區(qū)32B的側(cè)表面接觸。第三多源/漏區(qū)36A的側(cè)表面可以與第四多源/漏區(qū)36B接觸。
[0095]第二接觸塞192可以在第一多源/漏區(qū)32A和第二多源/漏區(qū)32B上，以與第一柵電極43相鄰。第二金屬硅化物層162可以在第二接觸塞192與第一多源/漏區(qū)32A和第二多源/漏區(qū)3 2 B之間。第二接觸塞19 2的中心可以從第一多鰭有源區(qū)2 2 M的中心偏移。第二接觸塞192的中心可以從第一多源/漏區(qū)32A的中心和第二多源/漏區(qū)32B的中心偏移。
[0096]第五接觸塞196可以形成在第三多源/漏區(qū)36A和第四多源/漏區(qū)36B上，以與第五柵電極47相鄰。
[0097]圖12和圖13是用于描述半導(dǎo)體裝置的另一實(shí)施例的剖視圖。參照?qǐng)D12和圖13，器件隔離層17和17B包括第一器件隔離層17和第二器件隔離層17B。第二器件隔離層17B可以在第一左子鰭有源區(qū)22A與第一右子鰭有源區(qū)22B之間并且可以在第三左子鰭有源區(qū)26A與第三右子鰭有源區(qū)26B之間。第二器件隔離層17B的下端可以處于與第一器件隔離層17的下端基本上相同的水平。
[0098]圖14示出半導(dǎo)體裝置的另一布局實(shí)施例，所述半導(dǎo)體裝置包括形成在基底11上的鰭有源區(qū)、多鰭有源區(qū)、柵電極和接觸塞?；?1可以包括第一單元區(qū)域Cl和第二單元區(qū)域C2o
[0099]鰭有源區(qū)包括第一鰭有源區(qū)21、第四鰭有源區(qū)24、第五鰭有源區(qū)25、第六鰭有源區(qū)26、第七鰭有源區(qū)27和第八鰭有源區(qū)28。
[0100]多鰭有源區(qū)包括第一多鰭有源區(qū)22M和第二多鰭有源區(qū)23M。第一多鰭有源區(qū)22M包括具有第一左子鰭有源區(qū)22A和第一右子鰭有源區(qū)22B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。第二多鰭有源區(qū)23M包括具有第二左子鰭有源區(qū)23A和第二右子鰭有源區(qū)23B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。
[0101]柵電極包括第一柵電極43、第二柵電極44A和44B、第三柵電極45、第四柵電極46、第五柵電極47、第六柵電極48和第七柵電極49。
[0102]接觸塞包括第一接觸塞191、第二接觸塞192、第三接觸塞193、第四接觸塞195、第五接觸塞196和第六接觸塞197。第二柵電極包括左柵電極44A和右柵電極44B。左柵電極44A和右柵電極44B可以是一體化的。在另一實(shí)施例中，左柵電極44A和右柵電極44B可以是分開的。
[0103]圖15是與用于形成半導(dǎo)體裝置的方法的主要工藝的實(shí)施例對(duì)應(yīng)的布局。圖16是沿著圖15的線Ι-Γ截取的剖視圖。圖17是沿著圖15的線ΙΙ-ΙΓ截取的剖視圖。圖18是沿著圖15的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的剖視圖。參照?qǐng)D15至圖18，可以在基底11中形成N阱13、P阱14、器件隔離層 17 以及鰭有源區(qū) 21、22、23、24、25、26、27和28。鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28可以突出到比器件隔離層17高的水平。鰭有源區(qū)21、22、23、24、25、26、27和28中的每個(gè)可以具有比水平寬度大的豎直高度。
[0104]圖19是與用于形成半導(dǎo)體裝置的方法的主要工藝的另一實(shí)施例對(duì)應(yīng)的布局。圖20和圖23是沿著圖19中的線Ι-Γ截取的剖視圖。圖21和圖24是沿著圖19中的線ΙΙ-ΙΓ截取的剖視圖。圖22是沿著圖19中的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的剖視圖。
[0105]參照?qǐng)D19至圖22，可以形成源/漏區(qū)、下柵極介電層41、上柵極介電層42、柵電極43、44、45、46、47、48和49、分隔件51、蝕刻停止層52以及下絕緣層54。源/漏區(qū)包括第一源/漏區(qū)31、第二源/漏區(qū)32、第三源/漏區(qū)35和第四源/漏區(qū)36?？梢酝ㄟ^與第二源/漏區(qū)32和第四源/漏區(qū)36不同的工藝來形成第一源/漏區(qū)31和第三源/漏區(qū)35。第一源/漏區(qū)31和第三源/漏區(qū)35可以包括與第二源/漏區(qū)32和第四源/漏區(qū)36不同的材料。
[0106]參照?qǐng)D19、圖23和圖24，可以形成上絕緣層55以及接觸孔151、152、155和156。接觸孔151、152、155和156穿過上絕緣層55、下絕緣層54以及蝕刻停止層52，以暴露源/漏區(qū)31、32、35和36。
[0107]再次參照?qǐng)D1至圖4，可以在接觸孔151、152、155和156中暴露的源/漏區(qū)31、32、35和36上形成金屬硅化物層161、162、165和166。可以在金屬硅化物層161、162、165和166上形成填充接觸孔151、152、155和156的接觸塞191、192、195和196。
[0108]圖25、圖28和圖31是與形成半導(dǎo)體裝置的方法的另一實(shí)施例對(duì)應(yīng)的沿著圖8中的線IV-1V’截取的剖視圖。圖26、圖29和圖32是沿著圖8中的線V-V’截取的剖視圖。圖27和圖30是沿著圖8中的線V1-VI’截取的剖視圖。
[0109]參照?qǐng)D8和圖25至圖27，在基底11中形成N阱13、P阱14、器件隔離層17和17A、鰭有源區(qū)21、24、25和28以及多鰭有源區(qū)。
[0110]多鰭有源區(qū)包括第一多鰭有源區(qū)22M、第二多鰭有源區(qū)23M、第三多鰭有源區(qū)26M和第四多鰭有源區(qū)27M。第一多鰭有源區(qū)22M包括具有第一左子鰭有源區(qū)22A和第一右子鰭有源區(qū)22B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。第二多鰭有源區(qū)23M包括具有第二左子鰭有源區(qū)23A和第二右子鰭有源區(qū)23B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。第三多鰭有源區(qū)26M包括具有第三左子鰭有源區(qū)26A和第三右子鰭有源區(qū)26B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。第四多鰭有源區(qū)27M包括具有第四左子鰭有源區(qū)27A和第四右子鰭有源區(qū)27B的一對(duì)平行的子鰭有源區(qū)。
[0111]參照?qǐng)D8和圖28至圖30，可以形成源/漏區(qū)31和35、多源/漏區(qū)32A、32B、36A和36B、下柵極介電層41、上柵極介電層42、柵電極43、44、45、46、47、48和49、分隔件51、蝕刻停止層52以及下絕緣層54。
[0112]參照?qǐng)D8、圖31和圖32，可以形成上絕緣層55以及接觸孔151、152、155和156。
[0113]再次參照?qǐng)D8至圖11，可以形成金屬硅化物層161、162、165和166以及接觸塞191、192、195和196。
[0114]圖33和圖34示出電子設(shè)備的實(shí)施例。
[0115]參照?qǐng)D33，參照?qǐng)D1至圖32描述的半導(dǎo)體裝置實(shí)施例可以應(yīng)用于電子系統(tǒng)2100。電子系統(tǒng)2100包括主體2110、微處理器2120、電源單元2130、功能單元2140和顯示控制器2150。主體2110可以是由印刷電路板(PCB)形成的母板。微處理器2120、電源單元2130、功能單元2140和顯示控制器2150可以安裝在主體2110上。顯示器2160可以在主體2110的內(nèi)部或外部。例如，顯示器2160可以在主體2110的表面上，以顯示由顯示控制器2150處理的圖像。
[0116]電源單元2130可以從外部電池或其它電源來接收恒定電壓，將電壓分壓為所需電壓的各種電平，并且將那些電壓供應(yīng)到微處理器2120、功能單元2140和顯示控制器2150。微處理器2120可以從電源單元2130接收電壓，以控制功能單元2140和顯示器2160。功能單元2140可以執(zhí)行電子系統(tǒng)2100的各種功能。例如，當(dāng)電子系統(tǒng)2100是智能手機(jī)時(shí)，功能單元2140可以具有通過撥號(hào)或與外部設(shè)備2170通信而執(zhí)行移動(dòng)電話的功能(諸如將圖像輸出到顯示器2160或者將聲音輸出到揚(yáng)聲器)的若干組件。當(dāng)安裝有照相機(jī)時(shí)，功能單元2140可以起照相機(jī)圖像處理器的作用。
[0117]在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)電子系統(tǒng)2100連接到存儲(chǔ)卡(例如，為了擴(kuò)展其容量)時(shí)，功能單元2140可以是存儲(chǔ)卡控制器。功能單元2140可以通過有線或無線的通信單元2180與外部設(shè)備2170交換信號(hào)。當(dāng)電子系統(tǒng)2100使用通用串行總線(USB)(例如，為了擴(kuò)展功能)時(shí)，功能單元2140可以起接口控制器的作用。此外，功能單元2140可以包括大容量存儲(chǔ)設(shè)備。
[0118]參照?qǐng)D1至圖32描述的半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用于功能單元2140或微處理器2120。
[0119]參照?qǐng)D34，電子系統(tǒng)2400包括半導(dǎo)體裝置的上述實(shí)施例中的至少一個(gè)。電子系統(tǒng)2400可以用于移動(dòng)設(shè)備或計(jì)算機(jī)。例如，電子系統(tǒng)2400可以包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)2412、微處理器2414、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)2416、總線2420和用戶接口 2418。微處理器2414、存儲(chǔ)器系統(tǒng)2412和用戶接口 2418可以經(jīng)由總線2420互連。用戶接口 2418可以用于將數(shù)據(jù)輸入到電子系統(tǒng)2400或者從電子系統(tǒng)2400輸出數(shù)據(jù)。微處理器2414可以編程并且控制電子系統(tǒng)2400 AAM2416可以用作微處理器2414的操作存儲(chǔ)器。微處理器2414、RAM 2416和/或其它組件可以組裝在單個(gè)封裝件中。存儲(chǔ)器系統(tǒng)2412可以存儲(chǔ)用于操作微處理器2414的代碼、由微處理器2414處理的數(shù)據(jù)或外部輸入數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器系統(tǒng)2412可以包括控制器和存儲(chǔ)器裝置。
[0120]參照?qǐng)D1至圖32描述的半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用于微處理器2414、RAM 2416和存儲(chǔ)器系統(tǒng)2412。
[0121]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)上述實(shí)施例，第一接觸塞和第二接觸塞可以分別形成在第一源/漏區(qū)和第二源/漏區(qū)上。第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。此外，第二接觸塞的底部可以具有與第一接觸塞的底部不同的傾角。此外，第一接觸塞的豎直中心與第二接觸塞的豎直中心之間的距離可以大于第一源/漏區(qū)的豎直中心與第二源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。因此，可以防止第一接觸塞與第二接觸塞之間形成橋。另外，可以實(shí)現(xiàn)適用于高度集成應(yīng)用并且具有優(yōu)異的電性質(zhì)的半導(dǎo)體裝置。
[0122]在此已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，雖然采用了特定術(shù)語，但是僅以一般的和描述性的意思來使用和解釋它們，而不是出于限制的目的。在一些情況下，對(duì)于到提交本申請(qǐng)為止的本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將清楚的是，可以單獨(dú)使用結(jié)合具體實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件，或者可以與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合使用，除非另有說明。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)方面做出各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一鰭有源區(qū)； 第二鰭有源區(qū)，基本上與第一鰭有源區(qū)平行； 第一源/漏區(qū)，位于第一鰭有源區(qū)中； 第二源/漏區(qū)，位于第二鰭有源區(qū)中； 第一接觸塞，位于第一源/漏區(qū)上；以及 第二接觸塞，位于第二源/漏區(qū)上，其中，第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二接觸塞的底部具有與第一接觸塞的底部不同的傾角。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括: 位于第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的傾斜界面，所述傾斜界面在靠近第一鰭有源區(qū)的方向上處于較高的水平，并且在遠(yuǎn)離第一鰭有源區(qū)的方向上處于較低的水平。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一接觸塞的豎直中心與第二接觸塞的豎直中心之間的距離大于第一源/漏區(qū)的豎直中心與第二源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二接觸塞的下端處于比第一接觸塞的下端低的水平。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中: 第一源/漏區(qū)的水平寬度大于第一鰭有源區(qū)的水平寬度，并且 第二源/漏區(qū)的水平寬度大于第二鰭有源區(qū)的水平寬度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括: 位于第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的金屬硅化物層，其中，與第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的界面到穿過第一源/漏區(qū)的中心的豎直線的最接近點(diǎn)相比，第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的界面到穿過第一源/漏區(qū)的中心的豎直線的最遠(yuǎn)點(diǎn)處于較低的水平。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括: 第三鰭有源區(qū)，基本上與第二鰭有源區(qū)平行； 第三源/漏區(qū)，位于第三鰭有源區(qū)中；以及 第三接觸塞，位于第三源/漏區(qū)上，其中，第二鰭有源區(qū)位于第一鰭有源區(qū)與第三鰭有源區(qū)之間，其中，第三接觸塞的中心從第三源/漏區(qū)的中心偏移。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二鰭有源區(qū)與第三鰭有源區(qū)之間的距離大于第一鰭有源區(qū)與第二鰭有源區(qū)之間的距離。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二接觸塞的豎直中心與第三接觸塞的豎直中心之間的距離小于第二源/漏區(qū)的豎直中心與第三源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。11.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一上拉晶體管和第二上拉晶體管； 第一下拉晶體管和第二下拉晶體管； 第一存取晶體管和第二存取晶體管； 第一接觸塞，與第二上拉晶體管相鄰；以及 第二接觸塞，與第二下拉晶體管相鄰，其中，第二上拉晶體管的第一鰭有源區(qū)中的第一源/漏區(qū)連接到第一接觸塞，第二下拉晶體管的第二鰭有源區(qū)中的第二源/漏區(qū)連接到第二接觸塞，并且第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二鰭有源區(qū)基本上與第一鰭有源區(qū)平行。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中: 第一源/漏區(qū)包括P型雜質(zhì)，并且 第二源/漏區(qū)包括N型雜質(zhì)。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中: 第一源/漏區(qū)包括晶體生長(zhǎng)SiGe層，并且 第二源/漏區(qū)包括晶體生長(zhǎng)Si層、晶體生長(zhǎng)SiC層或它們的組合。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，第一接觸塞的豎直中心與第二接觸塞的豎直中心之間的距離大于第一源/漏區(qū)的豎直中心與第二源/漏區(qū)的豎直中心之間的距離。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二接觸塞的底部具有與第一接觸塞的底部不同的傾角。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置還包括: 位于第二接觸塞和第二源/漏區(qū)之間的傾斜界面，所述傾斜界面在靠近第一鰭有源區(qū)的方向上處于較高的水平，并且在遠(yuǎn)離第一鰭有源區(qū)的方向上處于較低的水平。18.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 多鰭有源區(qū)； 鰭有源區(qū)，基本上與多鰭有源區(qū)平行； 源/漏區(qū)，位于鰭有源區(qū)中； 多源/漏區(qū)，位于多鰭有源區(qū)中； 第一接觸塞，位于源/漏區(qū)上；以及 第二接觸塞，位于多源/漏區(qū)上，其中，第二接觸塞的中心從多源/漏區(qū)的中心偏移。19.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一上拉晶體管和第二上拉晶體管； 第一下拉晶體管和第二下拉晶體管； 第一存取晶體管和第二存取晶體管； 第一接觸塞，與第二上拉晶體管相鄰；以及 第二接觸塞，與第二下拉晶體管相鄰，其中，第二上拉晶體管的鰭有源區(qū)中形成的源/漏區(qū)連接到第一接觸塞，第二下拉晶體管的多鰭有源區(qū)中形成的多源/漏區(qū)連接到第二接觸塞，并且第二接觸塞的中心從多源/漏區(qū)的中心偏移。20.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括: 第一源/漏區(qū)； 第二源/漏區(qū)； 第一接觸塞，位于第一源/漏區(qū)上；以及 第二接觸塞，位于第二源/漏區(qū)上，其中，第一接觸塞具有基本上與第一源/漏區(qū)的中心對(duì)準(zhǔn)的中心，其中，第二接觸塞的中心從第二源/漏區(qū)的中心偏移。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一接觸塞與第二接觸塞相鄰。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置，其中: 第一接觸塞的中心與第二接觸塞的中心間隔第一距離； 第一源/漏區(qū)的中心與第二源/漏區(qū)的中心間隔第二距離;并且 第一距離大于第二距離。23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一接觸塞和第二接觸塞中的至少一個(gè)的下表面是傾斜的。24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置，其中: 第一接觸塞的下表面具有第一形狀； 第二接觸塞的下表面具有第二形狀;并且 第一形狀與第二形狀不同。
【文檔編號(hào)】H01L27/092GK106067464SQ201610206422
【公開日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2016年4月5日 公開號(hào)201610206422.3, CN 106067464 A, CN 106067464A, CN 201610206422, CN-A-106067464, CN106067464 A, CN106067464A, CN201610206422, CN201610206422.3
【發(fā)明人】尹彰燮, 金盛民, 趙治元
【申請(qǐng)人】三星電子株式會(huì)社