一種潮濕空氣中制備SnO₂平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種潮濕空氣中制備高效率SnO2平面結(jié)構(gòu)CH3NH3PbI3?x(SCN)x基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法。該方法包括以下步驟：首先在FTO導(dǎo)電玻璃上旋涂SnCl2溶液，熱處理后得到SnO2致密層；接著在SnO2致密層上旋涂PC61BM的甲苯溶液，從而在SnO2致密層上制備PC61BM層；然后采用兩步溶液法在有PC61BM層的SnO2致密層上制備CH3NH3PbI3?x(SCN)x鈣鈦礦層；接著在鈣鈦礦層上旋涂空穴傳導(dǎo)層后，再熱蒸鍍制備Ag電極；即得到鈣鈦礦電池。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的方法可在潮濕的空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦電池，且生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、成本低廉。
【專利說(shuō)明】
一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別涉及一種采用低溫溶液法制備SnO2致密層并在潮濕的空氣中制備高效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(簡(jiǎn)稱鈣鈦礦電池)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池由于具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率而倍受關(guān)注。當(dāng)前，報(bào)道鈣鈦礦電池實(shí)驗(yàn)最高轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過(guò)20% (Yang ff S1Noh J HJeon N J，et al.High-performance photovoltaic perovskite layers fabricated through intramolecularexchange.Science, 2015:aaa9272)。但是，CH3NH3PbX3(齒素)|丐鈦礦層在潮濕空氣中的穩(wěn)定性差，需要在濕度低的惰性氣體環(huán)境制備，而惰性氣體手套箱組價(jià)格昂貴。而如果能直接在潮濕的空氣中制備鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，不僅可以降低電池的成本，而且制備過(guò)程中操作方便。
[0003]硫氰根(SCN)是一種性能穩(wěn)定的類鹵素離子，離子半徑與I—相近，化學(xué)特性與鹵素離子相似，而且SCN-Pb作用比1-Pb作用更強(qiáng)，故013冊(cè)砰13^(301^結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定(0.Jiang,D.RebolIar，J.Gong,E.L.Piacentino,C.Zheng,T.Xu,Angew.Chem.1nt.Ed.,2015,54,7617)。有研究發(fā)現(xiàn)在染料分子中引入含SCN的基團(tuán)可提高其光吸收、促進(jìn)載流子傳導(dǎo)(X.S.Liu,Z.C.Cao,H.L.Huang,X.X.Liu,Y.Z.Tan,H.J.Chen,Y.Pei and S.T.Tan,J.PowerSources , 2014,248,400) 0也有課題組曾嘗試采用SCN部分取代CH3NH3PbI3分子中的I，發(fā)現(xiàn)可大幅度提高器件制備重復(fù)性及電池在潮濕空氣中的穩(wěn)定性(Y.Chen ,B.Li ,ff.Huang,D.Gao,Z.Liang,Chem.Commun.,2015,51,11997)。
[0004]目前，低溫溶液法制備的SnO2平面結(jié)構(gòu)CH3NH3PbI3-x(SCN)xS鈣鈦礦太陽(yáng)能電池還未見(jiàn)報(bào)道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供了一種通過(guò)低溫溶液法制備SnO2致密層，并在空氣中制備CH3NH3Pb 13-x (SCN) 4丐鈦礦層，從而制備高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法。
[0006]本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0007]一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，包括以下步驟:
[0008](I)在清潔的FTO導(dǎo)電玻璃上旋涂SnCl2溶液并經(jīng)過(guò)熱處理后得到SnO2致密層；
[0009](2)在SnO2致密層上制備PCBM層；
[0010](3)在步驟(2)所制得的樣品上旋涂0.3?0.6g/ml Pb(SCN)2的甲基亞砜溶液，在85-95 °C下熱處理后得到Pb (SCN) 2膜；
[0011](4)在Pb(SCN)2膜上，以3000?5000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂10mg/ml碘甲胺的異丙醇溶液；
[0012](5)將步驟(4)重復(fù)5?7次后，在75-85°C下熱處理所制得的薄膜，得到CH3NH3PbI3—x(SCN)ji^i；礦層；
[0013](6)在步驟(5)制得的CH3NH3PbI3-X(SCN)Ji鈦礦層上制備空穴傳導(dǎo)層；
[0014](7)采用熱蒸發(fā)法在步驟(6)所制得的樣品上蒸鍍一層銀電極，即得到鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。
[0015]進(jìn)一步地，步驟(I)包括以下步驟:
[0016](Ia)以乙醇為溶劑，配置濃度為0.05-0.15mol/L的SnCl2溶液；
[0017](Ib)將清潔的FTO導(dǎo)電玻璃用紫外燈照10?30min;
[0018](Ic)在FTO導(dǎo)電玻璃上滴加步驟(Ia)制得的SnCl2溶液，以1000-3000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂SnCl2溶液30秒，然后在100-150 °C下熱處理30min;
[0019](Id)將步驟(Ic)重復(fù)2?3次，得到SnCl2層；
[0020](If)采用步驟(Ic)?步驟(Id)相同的旋涂工藝再在步驟(Id)得到的樣品上旋涂一層SnCl2層后，在160-200 °C下熱處理樣品，得到SnO2致密層。
[0021]進(jìn)一步地，步驟(2)所述的PCBM層通過(guò)以下步驟制得:
[0022](2a)以氯苯為溶劑配置濃度為8-12mg/ml的PCBM溶液；
[0023](2b)在SnO2致密層上滴加PCBM溶液，并以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂30秒；
[0024](2c)在 100-120Γ 下熱處理樣品 lOmin。
[0025]本發(fā)明所述的PCBM可以選用PC61BM或PC71BM。
[0026]優(yōu)選地，步驟(3)中的熱處理時(shí)間為30?60min。
[0027]優(yōu)選地，步驟(5)中的熱處理時(shí)間為10?30min。
[0028]進(jìn)一步地，步驟(6)所述的空穴傳導(dǎo)層，通過(guò)以下步驟制得:在步驟(5)制得的CH3NH3PbI3-X(SCN)J?鈦礦層上旋涂 0.08M的2，2’，7，7’_四[N，N-二 (4-甲氧基苯基)氨基]-9，9螺二芴(spiro-OMeTAD)，0.064M的雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰鹽(LiTFSI)及0.064M四丁基吡啶的氯苯(TBP)混合溶液，得到的樣品在避光干燥的空氣中放置8?12h。
[0029 ] 優(yōu)選地，步驟(7)所述的銀電極厚度為80?150nm。
[0030]優(yōu)選地，步驟(7)所述的熱蒸發(fā)法在熱蒸發(fā)儀中進(jìn)行，并在6X10-6?I X 10_8毫托的氣壓下，以I?10nm/min的速度進(jìn)行蒸鍍。
[0031]相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果:
[0032](I)該方法屬于溶液法，操作簡(jiǎn)單，容易控制，且整個(gè)平面結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦電池都是在低溫下制備的，最高熱處理溫度不超過(guò)200°C。
[0033](2)CH3NH3PbI3—X(SCN)X|丐鈦礦層全程是在高濕度的空氣中制備的，無(wú)需低濕度的惰性氣體環(huán)境，不依賴昂貴的手套箱組，操作簡(jiǎn)單、方便。
[0034](3)該低溫制備工藝與柔性鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備工藝相兼容，使得在空氣中、采用低溫溶液法制備高效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池成為了可能。
[0035]本發(fā)明還提供一種根據(jù)上述制備方法制得的高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。
[0036]相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其通過(guò)低溫溶液法制備，操作簡(jiǎn)單，容易控制，成本較低，且電池的光電轉(zhuǎn)換效率高。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。
[0038]實(shí)施例1
[0039]本實(shí)施例中，一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，包括以下步驟:
[0040](I)在清潔的FTO導(dǎo)電玻璃上旋涂SnCl2溶液并經(jīng)過(guò)熱處理后得到SnO2致密層，具體包括以下步驟:
[0041 ] (Ia)以乙醇為溶劑，配置濃度為0.lmol/L的SnCl2溶液；
[0042](Ib)將清潔的FTO導(dǎo)電玻璃用紫外燈照10?30min;
[0043](Ic)在FTO導(dǎo)電玻璃上滴加步驟(Ia)制得的SnCl2溶液，以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂SnCl2溶液30秒，然后在120 °C下熱處理30min ；
[0044](Id)將步驟(Ic)重復(fù)2次，得到SnCl2層；
[0045](If)采用步驟(Ic)?步驟(Id)相同的旋涂工藝再在步驟(Id)得到的樣品上旋涂一層SnCh層后，在185°C下熱處理樣品，得到Sn02致密層；
[0046](2)以氯苯為溶劑配置濃度為10mg/ml的PC61BM溶液，然后在SnO2致密層上滴加該P(yáng)C61BM溶液，并以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂30s，再在100 °C下熱處理樣品10分鐘；
[0047](3)將Pb(SCN)2溶解于甲基亞砜中，配置成濃度為0.5g/ml的溶液，在步驟(2)制得的樣品上旋涂Pb (SCN) 2溶液，在90 0C熱處理60min得到Pb (SCN)2膜；
[0048](4)在Pb(SCN)2膜上，以3000r/min旋涂10mg/ml碘甲胺的異丙醇溶液；
[0049](5)將步驟(4)重復(fù)6次后，在80 °C下熱處理所制得的薄膜20min，得到CH3NH3PbI3_X(SCN)X鈣鈦礦層；
[0050](6)在步驟(5)所制備的 CH3NH3PbI3-X(SCN)J?鈦礦層上旋涂0.08M的2，2’，7，7’_四[N，N-二 (4-甲氧基苯基)氨基]-9，9 ’ -螺二芴，0.064M的雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰鹽及0.064M四丁基吡啶的氯苯混合溶液，得到的樣品在避光干燥的空氣中放置一晚；
[0051](7)采用熱蒸發(fā)法在步驟(6)所得樣品上蒸鍍一層厚80?150nm的銀(Ag)電極，取出蒸好電極的電池，即得到鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。
[0052]在室溫環(huán)境下，使用Newport公司的91159太陽(yáng)光模擬器，在光強(qiáng)為100mW/cm2條件下，分析測(cè)試所制得的電池，電池的有效面積為0.06cm2。測(cè)試結(jié)果顯示采用本實(shí)施例所述方法制得的電池光電轉(zhuǎn)換效率為12.25%。
[0053]實(shí)施例2
[0054]本實(shí)施例中，一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，包括以下步驟:
[0055](I)在清潔的FTO導(dǎo)電玻璃上旋涂SnCl2溶液并經(jīng)過(guò)熱處理后得到SnO2致密層，具體包括以下步驟:
[0056](Ia)以乙醇為溶劑，配置濃度為0.15mol/L的SnCl2溶液；
[0057](Ib)將清潔的FTO導(dǎo)電玻璃用紫外燈照10?30min;
[0058](Ic)在FTO導(dǎo)電玻璃上滴加步驟(Ia)制得的SnCl2溶液，以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂SnCl2溶液30秒，然后在120 °C下熱處理30min ；
[0059](Id)將步驟(Ic)重復(fù)2次，得到SnCl2層；
[0060](If)采用步驟(Ic)?步驟(Id)相同的旋涂工藝再在步驟(Id)得到的樣品上旋涂一層SnCh層后，在160°C下熱處理樣品，得到Sn02致密層；
[0061 ] (2)以氯苯為溶劑配置濃度為8mg/ml的PC61BM溶液，然后在SnO2致密層上滴加該P(yáng)C61BM溶液，并以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂30s，再在110 °C下熱處理樣品10分鐘；
[0062](3)將Pb(SCN)2溶解于甲基亞砜中，配置成濃度為0.6g/ml的溶液，在步驟(2)制得的樣品上旋涂Pb (SCN) 2溶液，在90 0C熱處理60min得到Pb (SCN)2膜；
[0063](4)在Pb(SCN)2膜上，以4000r/min旋涂10mg/ml碘甲胺的異丙醇溶液；
[0064](5)將步驟(4)重復(fù)7次后，在樣品上滴加純異丙醇溶液，以3000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂30秒，然后在80°C下熱處理所制得的薄膜30min，得到CH3NH3PbI3-x(SCN)x鈣鈦礦層；
[0065](6)在步驟(5)所制備的 CH3NH3PbI3—x(SCN)x@鈦礦層上旋涂0.08M的2，2’，7，7’_四[N，N-二 (4-甲氧基苯基)氨基]-9，9 ’ -螺二芴，0.064M的雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰鹽及0.064M四丁基吡啶的氯苯混合溶液，得到的樣品在避光干燥的空氣中放置一晚；
[0066](7)采用熱蒸發(fā)法在步驟(6)所得樣品上蒸鍍一層厚80?150nm的銀(Ag)電極，取出蒸好電極的電池，即得到鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。
[0067]在室溫環(huán)境下，使用Newport公司的91159太陽(yáng)光模擬器，在光強(qiáng)為100mW/cm2條件下，分析測(cè)試所制得的電池，電池的有效面積為0.06cm2。測(cè)試結(jié)果顯示采用本實(shí)施例所述方法制得的電池光電轉(zhuǎn)換效率為8.78%。
[0068]實(shí)施例3
[0069]本實(shí)施例中，一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，包括以下步驟:
[0070](I)在清潔的FTO導(dǎo)電玻璃上旋涂SnCl2溶液并經(jīng)過(guò)熱處理后得到SnO2致密層，具體包括以下步驟:
[0071 ] (Ia)以乙醇為溶劑，配置濃度為0.05mol/L的SnCl2溶液；
[0072](Ib)將清潔的FTO導(dǎo)電玻璃用紫外燈照10?30min;
[0073](Ic)在FTO導(dǎo)電玻璃上滴加步驟(Ia)制得的SnCl2溶液，以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂SnCl2溶液30秒，然后在120 °C下熱處理30min ；
[0074](Id)將步驟(Ic)重復(fù)2次，得到SnCl2層；
[0075](If)采用步驟(Ic)?步驟(Id)相同的旋涂工藝再在步驟(Id)得到的樣品上旋涂一層SnCh層后，在200 0C下熱處理樣品，得到Sn02致密層；
[0076](2)以氯苯為溶劑配置濃度為12mg/ml的PC61BM溶液，然后在SnO2致密層上滴加該P(yáng)C61BM溶液，并以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂30s，再在120 °C下熱處理樣品10分鐘；
[0077](3)將Pb(SCN)2溶解于甲基亞砜中，配置成濃度為0.3g/ml的溶液，在步驟(2)制得的樣品上旋涂Pb (SCN) 2溶液，在90 0C熱處理60min得到Pb (SCN)2膜；
[0078](4)在Pb(SCN)2膜上，以5000r/min旋涂10mg/ml碘甲胺的異丙醇溶液；
[0079](5)將步驟(4)重復(fù)7次后，在樣品上滴加二氯甲烷溶液，以3000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂30秒，然后在80°C下熱處理所制得的薄膜30min，得到CH3NH3PbI3-x(SCN)x鈣鈦礦層；
[0080](6)在步驟(5)所制備的 CH3NH3PbI3—x(SCN)x@鈦礦層上旋涂0.08M的2，2’，7，7’_四[N，N-二 (4-甲氧基苯基)氨基]-9，9 ’ -螺二芴，0.064M的雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰鹽及0.064M四丁基吡啶的氯苯混合溶液，得到的樣品在避光干燥的空氣中放置一晚；
[0081](7)采用熱蒸發(fā)法在步驟(6)所得樣品上蒸鍍一層厚80?150nm的銀(Ag)電極，取出蒸好電極的電池，即得到鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。
[0082]在室溫環(huán)境下，使用Newport公司的91159太陽(yáng)光模擬器，在光強(qiáng)為100mW/cm2條件下，分析測(cè)試所制得的電池，電池的有效面積為0.06cm2。測(cè)試結(jié)果顯示采用本實(shí)施例所述方法制得的電池光電轉(zhuǎn)換效率為8.48%。
[0083]上述3個(gè)實(shí)施例中，實(shí)施例1為最佳實(shí)施例。
[0084]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法中，熱處理的溫度和時(shí)間對(duì)制得的電池性能參數(shù)影響較小，其中，步驟(Ic)中熱處理溫度在100-150°C范圍內(nèi)效果較佳;步驟(3)中熱處理溫度在75?95°C范圍內(nèi)效果較佳;步驟(5)中的熱處理溫度在75?85 °C范圍內(nèi)效果較佳。此外，本發(fā)明所述的PCBM不僅可以選用3個(gè)實(shí)施例中的PC61BM,也可以選用PC7iBM;步驟(Ic)的旋涂轉(zhuǎn)速在1000-3000r/min范圍內(nèi)即可;步驟(7)所述的熱蒸發(fā)法在熱蒸發(fā)儀中進(jìn)行，并在6 X 10-6?I X 10_8毫托的氣壓下，以I?10nm/min的速度進(jìn)行蒸鍍。
[0085]上述3個(gè)實(shí)施例中的部分熱處理溫度和時(shí)間以及旋涂轉(zhuǎn)速選擇相同的參數(shù)，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本
【發(fā)明內(nèi)容】
選用較佳的其他參數(shù)亦可達(dá)到本發(fā)明的目的。
[0086]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，故凡未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)在清潔的FTO導(dǎo)電玻璃上旋涂SnCl2溶液并經(jīng)過(guò)熱處理后得到SnO2致密層； (2)在SnO2致密層上制備PCBM層； (3)在步驟(2)所制得的樣品上旋涂0.3?0.6g/mlPb(SCN)2的甲基亞砜溶液，在85-95°(:下熱處理后得到Pb (SCN)2膜； (4)在Pb(SCN)2膜上，以3000?5000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂10mg/ml碘甲胺的異丙醇溶液； (5)將步驟(4)重復(fù)5?7次后，在75-85°C下熱處理所制得的薄膜，得到CH3NH3PbI3-X(SCN)ji^i；礦層； (6)在步驟(5)制得的CH3NH3Pb13-x (SCN) X鈣鈦礦層上制備空穴傳導(dǎo)層； (7)采用熱蒸發(fā)法在步驟(6)所制得的樣品上蒸鍍一層銀電極，即得到鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于:步驟(I)包括以下步驟: (Ia)以乙醇為溶劑，配置濃度為0.05-0.15mol/L的SnCl2溶液； (Ib)將清潔的FTO導(dǎo)電玻璃用紫外燈照10?30min; (Ic)在FTO導(dǎo)電玻璃上滴加步驟(Ia)制得的SnCl2溶液，以1000-3000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂SnCl2溶液30秒，然后在100-150 °C下熱處理30min; (Id)將步驟(Ic)重復(fù)2?3次，得到SnCl2層； (If)采用步驟(Ic)?步驟(Id)相同的旋涂工藝再在步驟(Id)得到的樣品上旋涂一層SnCl2層后，在160-200 °C下熱處理樣品，得到SnO2致密層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于:步驟(2)所述的PCBM層通過(guò)以下步驟制得: (2a)以氯苯為溶劑配置濃度為8-12mg/ml的PCBM溶液； (2b)在SnO2致密層上滴加PCBM溶液，并以2000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂30秒； (2c)在100-120 °C下熱處理樣品lOmin。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于:步驟(3)中的熱處理時(shí)間為30?60min。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于:步驟(5)中的熱處理時(shí)間為10?30min。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于:步驟(6)所述的空穴傳導(dǎo)層，通過(guò)以下步驟制得:在步驟(5)制得的CH3NH3PbI3-X(SCN)J?鈦礦層上旋涂 0.08M的2，2’，7，7’_四[N，N-二 (4-甲氧基苯基)氨基]-9，9 ’ -螺二芴，0.064M的雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰鹽及0.064M四丁基吡啶的氯苯混合溶液，得到的樣品在避光干燥的空氣中放置8?12h。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于:步驟(7)所述的銀電極厚度為80?150nm。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種潮濕空氣中制備SnO2平面結(jié)構(gòu)高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的方法，其特征在于:步驟(7)所述的熱蒸發(fā)法在熱蒸發(fā)儀中進(jìn)行，并在6X10—6?I X 10—8毫托的氣壓下，以I?lOnm/min的速度進(jìn)行蒸鍍。9.一種高效率鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于:通過(guò)權(quán)利要求1?8任一項(xiàng)所述的方法制備而成。
【文檔編號(hào)】H01L51/48GK106025076SQ201610479205
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月24日
【發(fā)明人】吳素娟, 周陽(yáng), 張宗寶, 陸旭兵, 劉俊明
【申請(qǐng)人】華南師范大學(xué)