用于質(zhì)量校準(zhǔn)的系統(tǒng)和方法
【專(zhuān)利摘要】一種方法包含從一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生離子且將所述離子遞送到質(zhì)量分析器，以及測(cè)量來(lái)自所述一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì)的所述離子的第一組質(zhì)量相關(guān)物理值。所述方法進(jìn)一步包含從樣本產(chǎn)生離子且將所述離子遞送到質(zhì)量分析器，以及測(cè)量第一樣本離子物質(zhì)的第二質(zhì)量相關(guān)物理值。所述第一樣本離子物質(zhì)具有在所述校準(zhǔn)離子物質(zhì)的質(zhì)荷比范圍外的質(zhì)荷比。另外，所述方法包含基于所述第一組質(zhì)量相關(guān)物理值和第二質(zhì)量相關(guān)物理值計(jì)算校準(zhǔn)曲線(xiàn)，以及基于所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改至少一個(gè)儀表參數(shù)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
用于質(zhì)量校準(zhǔn)的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明大體上涉及質(zhì)譜領(lǐng)域，包含用于質(zhì)量校準(zhǔn)的系統(tǒng)和方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 質(zhì)譜依賴(lài)于可與質(zhì)荷比(m/z)有關(guān)的物理值的測(cè)量來(lái)確定樣本內(nèi)的離子物質(zhì)或復(fù) 合物的質(zhì)量。高質(zhì)量準(zhǔn)確性需要對(duì)照具有已知m/z或質(zhì)量的物質(zhì)校準(zhǔn)測(cè)得的物理值。校準(zhǔn)通 常通過(guò)使用產(chǎn)生具有已知m/z的多個(gè)離子物質(zhì)的校準(zhǔn)混合物來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，適合用于校準(zhǔn)混 合物中的離子的選擇可能有限。
[0003] 從上文應(yīng)了解，需要改進(jìn)的用于質(zhì)譜的校準(zhǔn)方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 在第一方面中，一種方法可包含從一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生離子且將所述離子遞送 到質(zhì)量分析器，以及測(cè)量來(lái)自所述一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì)的離子的第一組質(zhì)量相關(guān)物理值。所 述方法可進(jìn)一步包含從樣本產(chǎn)生離子且將離子遞送到質(zhì)量分析器，以及測(cè)量第一樣本離子 物質(zhì)的第二質(zhì)量相關(guān)物理值。所述第一樣本離子物質(zhì)可具有在校準(zhǔn)離子物質(zhì)的質(zhì)荷比范圍 外的質(zhì)荷比。另外，所述方法可包含基于所述多個(gè)校準(zhǔn)離子物質(zhì)的所述第一組質(zhì)量相關(guān)物 理值和所述第一樣本離子物質(zhì)的第二質(zhì)量相關(guān)物理值計(jì)算校準(zhǔn)曲線(xiàn)；以及基于校準(zhǔn)曲線(xiàn)修 改至少一個(gè)儀表參數(shù)。
[0005] 在第一方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)量分析器可包含傅里葉變換質(zhì)量分析器。在特定 實(shí)施例中，儀表參數(shù)可選自由以下組成的群組:使m/z與離子頻率相關(guān)的系數(shù)、圖像電流的 頻率范圍、數(shù)字化速率、圖像電流的濾波器帶寬，及其任何組合。
[0006] 在第一方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)量分析器可包含四極質(zhì)量分析器或四極離子阱質(zhì) 量分析器。在特定實(shí)施例中，儀表參數(shù)可選自由以下組成的群組:RF電壓、DC電壓及其任何 組合。
[0007]在第一方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)量分析器可包含飛行時(shí)間質(zhì)量分析器。在特定實(shí) 施例中，儀表參數(shù)可選自由以下組成的群組:使m/z與飛行時(shí)間相關(guān)的系數(shù)、獲取時(shí)間窗口、 飛行管件清除脈沖時(shí)間及其任何組合。
[0008] 在第一方面的各種實(shí)施例中，所述樣本可由氣體層析儀表提供。
[0009] 在第一方面的各種實(shí)施例中，所述樣本可由液體層析儀表提供。
[0010] 在第一方面的各種實(shí)施例中，所述方法可進(jìn)一步包含:將包含第二樣本離子物質(zhì) 的第二樣本提供到質(zhì)譜儀;使用來(lái)自校準(zhǔn)的經(jīng)修改儀表參數(shù)操作質(zhì)譜儀；以及測(cè)量第二樣 本離子物質(zhì)的第三質(zhì)量相關(guān)物理值。
[0011] 在特定實(shí)施例中，所述方法可進(jìn)一步包含基于第二樣本內(nèi)的第三樣本離子物質(zhì)的 測(cè)得的質(zhì)荷比將校準(zhǔn)曲線(xiàn)移位以考慮校準(zhǔn)曲線(xiàn)中的掃描特定漂移，其中儀表參數(shù)并不基于 校準(zhǔn)曲線(xiàn)的移位而改變。在特定實(shí)施例中，第二樣本離子物質(zhì)可具有在第一樣本離子物質(zhì) 的質(zhì)荷比和校準(zhǔn)離子物質(zhì)中的至少一者的質(zhì)荷比的范圍內(nèi)的質(zhì)荷比。
[0012] 在第一方面的各種實(shí)施例中，第一樣本離子物質(zhì)可具有在校準(zhǔn)離子物質(zhì)的質(zhì)荷比 范圍以上的質(zhì)荷比。
[0013] 在第一方面的各種實(shí)施例中，第一樣本離子物質(zhì)可具有在校準(zhǔn)離子物質(zhì)的質(zhì)荷比 范圍以下的質(zhì)荷比。
[0014] 在第二方面中，質(zhì)譜儀可包含經(jīng)配置以形成離子的離子源;經(jīng)配置以測(cè)量離子的 質(zhì)量相關(guān)物理值的質(zhì)量分析器；以及控制器?？刂破骺山?jīng)配置以獲得來(lái)自所述一或多個(gè)校 準(zhǔn)物質(zhì)的離子的第一組質(zhì)量相關(guān)物理值;獲得第一樣本離子物質(zhì)的第二質(zhì)量相關(guān)物理值； 基于所述第一組質(zhì)量相關(guān)物理值、所述第二質(zhì)量相關(guān)物理值和來(lái)自所述一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì) 和所述第一樣本離子物質(zhì)的離子的已知質(zhì)荷比計(jì)算校準(zhǔn)曲線(xiàn)；以及基于所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改 質(zhì)量分析器的操作。
[0015] 在第二方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)量分析器可包含傅里葉變換質(zhì)量分析器。在特定 實(shí)施例中，修改質(zhì)量分析器的操作可包含修改使m/z與離子頻率相關(guān)的系數(shù)、圖像電流的頻 率范圍、數(shù)字化速率、圖像電流的濾波器帶寬及其任何組合。
[0016] 在第二方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)量分析器可包含四極質(zhì)量分析器或四極離子阱質(zhì) 量分析器。在特定實(shí)施例中，修改質(zhì)量分析器的操作可包含修改RF電壓、DC電壓或其任何組 合。
[0017] 在第二方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)量分析器可包含飛行時(shí)間質(zhì)量分析器。在特定實(shí) 施例中，修改質(zhì)量分析器的操作可包含修改使m/z與飛行時(shí)間相關(guān)的系數(shù)、獲取時(shí)間窗口、 飛行管件清除脈沖時(shí)間或其任何組合。
[0018] 在第二方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)譜儀可進(jìn)一步包含用于將樣本供應(yīng)到離子源的氣 體層析儀。
[0019] 在第二方面的各種實(shí)施例中，質(zhì)譜儀可進(jìn)一步包含用于將樣本供應(yīng)到離子源的液 體層析儀。
[0020] 在第二方面的各種實(shí)施例中，所述控制器可進(jìn)一步經(jīng)配置以操作離子源以將包含 第二樣本離子物質(zhì)的第二樣本提供到質(zhì)譜儀;使用來(lái)自校準(zhǔn)的經(jīng)修改儀表參數(shù)操作質(zhì)譜 儀；以及獲得第二樣本離子物質(zhì)的第三組質(zhì)量相關(guān)物理值。在特定實(shí)施例中，所述控制器可 進(jìn)一步經(jīng)配置以基于第二樣本內(nèi)的第三樣本離子物質(zhì)的測(cè)得的質(zhì)荷比使校準(zhǔn)曲線(xiàn)移位以 考慮校準(zhǔn)曲線(xiàn)中的掃描特定漂移，其中質(zhì)量分析器的操作并不基于校準(zhǔn)曲線(xiàn)的移位而改 變。
[0021] 在第二方面的各種實(shí)施例中，第一樣本離子物質(zhì)可具有在校準(zhǔn)離子物質(zhì)的質(zhì)荷比 范圍以上的質(zhì)荷比。
[0022] 在第二方面的各種實(shí)施例中，第一樣本離子物質(zhì)可具有在校準(zhǔn)離子物質(zhì)的質(zhì)荷比 范圍以下的質(zhì)荷比。
【附圖說(shuō)明】
[0023]為了更加全面地理解本文中所揭示的原理以及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在參考結(jié)合附圖獲得的 以下描述，其中：
[0024]圖1為根據(jù)各種實(shí)施例的示范性質(zhì)譜系統(tǒng)的框圖。
[0025]圖2A和2B是說(shuō)明根據(jù)各種實(shí)施例當(dāng)僅低質(zhì)量離子用于校準(zhǔn)時(shí)的外推誤差的曲線(xiàn) 圖。
[0026] 圖3為根據(jù)各種實(shí)施例用于校準(zhǔn)質(zhì)量分析器的示范性方法的流程圖。
[0027] 圖4為說(shuō)明根據(jù)各種實(shí)施例的示范性計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的流程框圖。
[0028]圖5為當(dāng)校準(zhǔn)限于低質(zhì)量校準(zhǔn)離子時(shí)一組高質(zhì)量離子的測(cè)得的m/z與理論m/z之間 的示范性比較。
[0029] 圖6為當(dāng)校準(zhǔn)限于低質(zhì)量校準(zhǔn)離子時(shí)作為m/z的函數(shù)的質(zhì)量誤差的示范性曲線(xiàn)圖。
[0030] 圖7為當(dāng)校準(zhǔn)包含低質(zhì)量校準(zhǔn)離子和高質(zhì)量樣本離子時(shí)一組高質(zhì)量離子的測(cè)得的 m/z與理論m/z之間的示范性比較。
[0031] 圖8為當(dāng)校準(zhǔn)包含低質(zhì)量校準(zhǔn)離子和高質(zhì)量樣本離子時(shí)作為m/z的函數(shù)的質(zhì)量誤 差的示范性曲線(xiàn)圖。
[0032] 圖9為當(dāng)校準(zhǔn)包含低質(zhì)量校準(zhǔn)離子和高質(zhì)量樣本離子以及鎖定質(zhì)量時(shí)一組高質(zhì)量 離子的測(cè)得的m/z與理論m/z之間的示范性比較。
[0033] 圖10為當(dāng)校準(zhǔn)包含低質(zhì)量校準(zhǔn)離子和高質(zhì)量樣本離子以及鎖定質(zhì)量時(shí)作為m/z的 函數(shù)的質(zhì)量誤差的示范性曲線(xiàn)圖。
[0034]應(yīng)理解，圖式不一定按比例繪制，圖式中的物件也不一定相對(duì)于彼此按比例繪制。 圖式是意圖引入本文中所揭示的設(shè)備、系統(tǒng)和方法的各種實(shí)施例的清晰性和對(duì)其的理解的 描繪。只要可能，在圖式中相同的參考標(biāo)號(hào)將始終用于指代相同或相似的部件。此外，應(yīng)了 解，附圖并不打算以任何方式限制本發(fā)明教示的范圍。
【具體實(shí)施方式】
[0035] 本文中描述用于質(zhì)量校準(zhǔn)的系統(tǒng)和方法的實(shí)施例。
[0036] 本文所用的章節(jié)標(biāo)題僅用于組織目的并且不應(yīng)理解為以任何方式限制所描述的 主題。
[0037] 在各種實(shí)施例的此詳細(xì)描述中，出于解釋的目的，闡述許多特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)所 揭示的實(shí)施例的透徹理解。然而，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，這些各種實(shí)施例可以在具有 或不具有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在其它情況下，結(jié)構(gòu)和裝置以框圖形式示出。此外， 所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地了解，用以呈現(xiàn)和執(zhí)行方法的特定次序?yàn)檎f(shuō)明性的，且預(yù) 期次序可以改變且仍保持在本文中所揭示的各種實(shí)施例的精神和范圍內(nèi)。
[0038] 本申請(qǐng)案中引用的所有文獻(xiàn)和類(lèi)似材料(包含（但不限于）專(zhuān)利、專(zhuān)利申請(qǐng)案、文 章、書(shū)籍、論文和因特網(wǎng)網(wǎng)頁(yè)）出于任何目的以全文以引用的方式明確地并入。除非另外描 述，否則本文所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有如本文所描述的各種實(shí)施例所屬的領(lǐng)域的一 般技術(shù)人員通常所了解的含義。
[0039] 應(yīng)了解，在本教示中論述的溫度、濃度、時(shí)間、壓力、流動(dòng)速率、橫截面面積等之前 存在隱含的"約"，使得略微和非實(shí)質(zhì)偏差在本教示的范圍內(nèi)。在本申請(qǐng)案中，除非另外明確 陳述，否則單數(shù)的使用包含復(fù)數(shù)。此外，"包括(comprise/comprises/comprising)"、"含有 (contain/contains/containing)'' 以及"包含（include/includes/including)'' 的使用并 不希望是限制性的。應(yīng)理解，以上大體描述和以下詳細(xì)描述均僅是示范性和說(shuō)明性的且并 不限制本發(fā)明教示。
[0040] 如本文所用，"一(a/an)"也可指代"至少一個(gè)"或"一或多個(gè)"。此外，"或"的使用是 包含性的，使得當(dāng)"A"為真、"B"為真，或"A"和"B"都為真時(shí)，短語(yǔ)"A或B"為真。此外，除非上 下文另外需要，否則單數(shù)術(shù)語(yǔ)應(yīng)包含復(fù)數(shù)并且復(fù)數(shù)術(shù)語(yǔ)應(yīng)包含單數(shù)。
[0041] "系統(tǒng)"闡述一組組分(真實(shí)或抽象），包括一個(gè)整體，其中每一組分與整體內(nèi)的至 少一個(gè)其它組分交互或相關(guān)。
[0042] 質(zhì)譜平臺(tái)
[0043]質(zhì)譜平臺(tái)100的各種實(shí)施例可包含如圖1的框圖中顯示的組件。在各種實(shí)施例中， 圖1的元件可并入到質(zhì)譜平臺(tái)100中。根據(jù)各種實(shí)施例，質(zhì)譜儀100可包含離子源102、質(zhì)量分 析器104、離子檢測(cè)器106和控制器108。
[0044] 在各種實(shí)施例中，離子源102從樣本產(chǎn)生多個(gè)離子。離子源可包含(但不限于)矩陣 輔助激光解吸附/電離(MALDI)源、電噴霧電離(ESI)源、大氣壓化學(xué)電離(APCI)源、大氣壓 光致電離源(APPI)、電感耦合等離子體（ICP)源、電子電離源、化學(xué)電離源、光致電離源、輝 光放電電離源、熱噴霧電離源等等。
[0045] 在各種實(shí)施例中，質(zhì)量分析器104可基于離子的質(zhì)荷比分離離子。舉例來(lái)說(shuō)，質(zhì)量 分析器104可包含四極質(zhì)量過(guò)濾器分析器、四極離子阱分析器、飛行時(shí)間（T0F)分析器、靜電 阱(例如，軌道阱）質(zhì)量分析器、傅里葉變換離子回旋共振(FT-ICR)質(zhì)量分析器等等。在各種 實(shí)施例中，質(zhì)量分析器104還可經(jīng)配置以使用碰撞引發(fā)分解(CID)、電子轉(zhuǎn)移分解(ETD)、電 子俘獲分解(ECD)、光引發(fā)分解(PID)、表面引發(fā)分解(SID)等等將離子分段，且進(jìn)一步基于 質(zhì)荷比分離經(jīng)分段離子。
[0046] 在各種實(shí)施例中，離子檢測(cè)器106可檢測(cè)離子。舉例來(lái)說(shuō)，離子檢測(cè)器106可包含電 子倍增器、法拉弟杯等等。離開(kāi)質(zhì)量分析器的離子可由離子檢測(cè)器檢測(cè)到。在各種實(shí)施例 中，離子檢測(cè)器可定量，使得可確定離子的準(zhǔn)確計(jì)數(shù)。
[0047] 在各種實(shí)施例中，控制器108可與離子源102、質(zhì)量分析器104和離子檢測(cè)器106通 信。舉例來(lái)說(shuō)，控制器108可配置離子源或啟用/停用離子源。另外，控制器108可配置質(zhì)量分 析器104以選擇待檢測(cè)的特定質(zhì)量范圍。此外，控制器108可例如通過(guò)調(diào)節(jié)增益而調(diào)節(jié)離子 檢測(cè)器106的靈敏度。另外，控制器108可基于正檢測(cè)的離子的極性調(diào)節(jié)離子檢測(cè)器106的極 性。舉例來(lái)說(shuō)，離子檢測(cè)器106可經(jīng)配置以檢測(cè)正離子或經(jīng)配置以檢測(cè)負(fù)離子。
[0048] 校準(zhǔn)方法
[0049] 圖2A為說(shuō)明當(dāng)僅使用來(lái)自校準(zhǔn)混合物的低質(zhì)量離子時(shí)以及當(dāng)使用校準(zhǔn)混合物中 的低質(zhì)量離子結(jié)合來(lái)自樣本的高質(zhì)量離子時(shí)的校準(zhǔn)曲線(xiàn)的曲線(xiàn)圖。圖2B為對(duì)應(yīng)于高質(zhì)量離 子的點(diǎn)周?chē)膱A圈區(qū)的放大圖。實(shí)線(xiàn)為標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)離子到等式3的擬合。標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)離子為 68·99466、99·99306、130·99147、263·98656、413·97698和501·97059。在m/z 959·16751處， 所述擬合明顯偏離。虛線(xiàn)為標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)離子加較高質(zhì)量離子到等式3的擬合。此擬合與低質(zhì)量 到高質(zhì)量的范圍相比具有改進(jìn)的準(zhǔn)確性。
[0050] 圖3為用于校準(zhǔn)質(zhì)量分析器(例如圖1的質(zhì)量分析器104)的流程圖。在302處，可從 校準(zhǔn)混合物產(chǎn)生離子。在各種實(shí)施例中，校準(zhǔn)混合物可包含具有可涵蓋一范圍的質(zhì)量的已 知質(zhì)量的多個(gè)物質(zhì)。校準(zhǔn)混合物的離子可由質(zhì)量分析器在304處分析，且可測(cè)量關(guān)于m/z的 一組物理值。取決于質(zhì)量分析器的類(lèi)型，質(zhì)量相關(guān)物理值可為頻率、時(shí)間、電壓或類(lèi)似者。
[0051] 在各種實(shí)施例中，當(dāng)使用傅里葉變換質(zhì)量分析器(例如軌道阱或傅里葉變換離子 回旋共振(FTICR)質(zhì)量分析器)時(shí)，m/z比率可與質(zhì)量分析器中離子的振蕩所導(dǎo)致的感應(yīng)電 流的測(cè)得的頻率f相關(guān)。所述關(guān)系可使用針對(duì)軌道阱的等式1、2或3或針對(duì)FTICR質(zhì)量分析器 的等式4描述。
[0056]在各種實(shí)施例中，當(dāng)使用例如四極質(zhì)量過(guò)濾器或四極離子阱等四極質(zhì)量分析器 時(shí)，m/z比率可與應(yīng)用到四極的電壓V相關(guān)。另外，電壓經(jīng)設(shè)定的時(shí)間與電壓應(yīng)用到四極的時(shí) 間之間可存在時(shí)間延遲，且離子響應(yīng)于場(chǎng)中的改變。當(dāng)跨越質(zhì)量范圍掃描時(shí)，可能必需校正 響應(yīng)延遲。在各種實(shí)施例中，此可通過(guò)引入可為掃描速率的函數(shù)的電壓偏移B來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述 關(guān)系可使用等式5描述，且可使用等式6描述針對(duì)響應(yīng)延遲的校正。
[0059]在各種實(shí)施例中，當(dāng)使用飛行時(shí)間質(zhì)量分析器時(shí)，m/z比率可與離子行進(jìn)飛行路徑 所花費(fèi)的時(shí)間t相關(guān)。所述關(guān)系可使用等式7和8描述。
[0062]在各種實(shí)施例中，針對(duì)物理值的校準(zhǔn)可任選地從測(cè)得的值和已知質(zhì)量確定，如306 處所指示。
[0063]在308處，可從含有已知質(zhì)量的至少一個(gè)物質(zhì)的樣本產(chǎn)生離子。所述已知質(zhì)量的物 質(zhì)可具有由校準(zhǔn)涵蓋的范圍以外的質(zhì)量，較低或較高乃至兩者之間。在各種實(shí)施例中，樣本 可為用于校準(zhǔn)例如氣相層析儀或液體層析儀等層析儀的校準(zhǔn)樣本。以此方式，質(zhì)量分析器 的校準(zhǔn)可與層析儀的校準(zhǔn)并行地發(fā)生。在其它實(shí)施例中，層析儀的校準(zhǔn)可與質(zhì)量分析器的 校準(zhǔn)相比較不頻繁地發(fā)生，且可使用已知在樣本中或外加到樣本中的物質(zhì)。
[0064] 在310處，可針對(duì)樣本內(nèi)的離子測(cè)量質(zhì)量相關(guān)物理值，包含具有已知質(zhì)量的物質(zhì)。 在312處，可針對(duì)質(zhì)量相關(guān)物理值計(jì)算校準(zhǔn)曲線(xiàn)。校準(zhǔn)可使用針對(duì)校準(zhǔn)離子物質(zhì)測(cè)得的所述 組質(zhì)量相關(guān)物理值和針對(duì)樣本中的已知質(zhì)量的物質(zhì)測(cè)得的質(zhì)量相關(guān)物理值。在各種實(shí)施例 中，校準(zhǔn)曲線(xiàn)可用于從測(cè)得的質(zhì)量相關(guān)物理值確定未知離子的質(zhì)量，具有不超過(guò)約lOppm的 誤差，例如不超過(guò)約5ppm，例如不超過(guò)約2ppm乃至不超過(guò)約lppm。
[0065] 在314處，可基于校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改質(zhì)量分析器的操作。在實(shí)施例中，當(dāng)使用傅里葉變 換質(zhì)量分析器時(shí)，可基于校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改使m/z與離子頻率相關(guān)的系數(shù)、圖像電流的頻率范 圍、數(shù)字化速率、圖像電流的濾波器帶寬或其任何組合。在其它實(shí)施例中，當(dāng)使用四極質(zhì)量 分析器或四極離子阱質(zhì)量分析器時(shí)，可基于校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改RF電壓、DC電壓或其任何組合。在 另外的實(shí)施例中，當(dāng)使用飛行時(shí)間質(zhì)量分析器時(shí)，可基于校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改使m/z與飛行時(shí)間相 關(guān)的系數(shù)、獲取時(shí)間窗口、飛行管件清除脈沖時(shí)間或其任何組合。
[0066] 在316處，可從第二樣本產(chǎn)生離子，且在318處，可使用質(zhì)量分析器的經(jīng)修改操作測(cè) 量質(zhì)量相關(guān)物理值。
[0067] 在320處，可基于校準(zhǔn)曲線(xiàn)確定第二樣本中離子的質(zhì)量。在各種實(shí)施例中，鎖定質(zhì) 量可用于修改校準(zhǔn)曲線(xiàn)以進(jìn)一步改進(jìn)質(zhì)量準(zhǔn)確性。所述鎖定質(zhì)量可從第二樣本內(nèi)的已知質(zhì) 量的物質(zhì)導(dǎo)出，且可用于使曲線(xiàn)移位或旋轉(zhuǎn)以考慮質(zhì)量分析器的操作中的運(yùn)行特定改變。 各種因素可促成對(duì)測(cè)得的質(zhì)量相關(guān)物理值的運(yùn)行特定更改，例如質(zhì)量分析器的各種組件的 溫度、質(zhì)量分析器內(nèi)離子的總數(shù)和其它因素。鎖定質(zhì)量的使用可校正這些運(yùn)行特定影響而 不更改質(zhì)量分析器的操作，且可在收集樣本的數(shù)據(jù)的同時(shí)且在保存所述數(shù)據(jù)之前應(yīng)用，或 可在收集樣本的數(shù)據(jù)之后應(yīng)用。
[0068] 計(jì)算機(jī)實(shí)施的系統(tǒng)
[0069]圖4為說(shuō)明計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400的框圖，本發(fā)明教示的實(shí)施例可在所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400 上實(shí)施為可并入系統(tǒng)控制器(例如圖1中展示的控制器108)或與系統(tǒng)控制器通信，使得可根 據(jù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400進(jìn)行的計(jì)算或確定調(diào)節(jié)相關(guān)聯(lián)質(zhì)譜儀的組件的操作。在各種實(shí)施例中，計(jì) 算機(jī)系統(tǒng)400可包含用于傳送信息的總線(xiàn)402或其它通信機(jī)制，以及與總線(xiàn)402耦合以用于 處理信息的處理器404。在各種實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400還可包含耦合到總線(xiàn)402以便確定 基底調(diào)用的存儲(chǔ)器406(其可為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或其它動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)裝置）以及待通過(guò)處 理器404執(zhí)行的指令。存儲(chǔ)器406也可用于在執(zhí)行待由處理器404執(zhí)行的指令期間存儲(chǔ)臨時(shí) 變量或其它中間信息。在各種實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400可進(jìn)一步包含耦合到總線(xiàn)402以便 存儲(chǔ)用于處理器404的靜態(tài)信息和指令的只讀存儲(chǔ)器(R0M)408或其它靜態(tài)存儲(chǔ)裝置?？商?供存儲(chǔ)裝置410(例如磁盤(pán)或光盤(pán)），且其耦合到總線(xiàn)402以便存儲(chǔ)信息和指令。
[0070]在各種實(shí)施例中，處理器404可包含多個(gè)邏輯門(mén)。邏輯門(mén)可包含"與"門(mén)（AND gate)、"或"門(mén)（OR gate)、"非"門(mén)（NOT gate)、"與非"門(mén)（NAND gate)、"或非"門(mén)（NOR gate)、"異或"門(mén)（EXOR gate)、"異非"門(mén)（EXNOR gate)或其任何組合。"與"門(mén)僅當(dāng)所有輸入 為高時(shí)才產(chǎn)生高輸出。如果輸入中的一或多者為高，那么"或"門(mén)可產(chǎn)生高輸出。"非"門(mén)可產(chǎn) 生輸入的反轉(zhuǎn)版本作為輸出，例如當(dāng)輸入為低時(shí)輸出高值。"與非"門(mén)（NAND/NOT-AND gate) 可以產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)"與"輸出，使得輸出將在輸入的任一者為低時(shí)為高。"或非"（N0R/N0T-0R) 門(mén)可產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)"或"輸出，使得"或非"門(mén)輸出在輸入的任一者為高時(shí)為低。"異或"（EX0R/ Exclusive-OR)門(mén)可在任一輸入，但并非兩個(gè)輸入為高時(shí)產(chǎn)生高輸出。"異非"（EXN0R/ Exclusive-NOR)門(mén)可產(chǎn)生經(jīng)反轉(zhuǎn)"異或"輸出，使得輸出在任一輸入，但并非兩個(gè)輸入為高 時(shí)為低。
[0071] 表1:邏輯門(mén)真值表 [0072]
[0073]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，邏輯門(mén)可以各種組合使用以執(zhí)行比較、算術(shù)運(yùn)算等。 另外，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解如何對(duì)使用邏輯門(mén)的各種組合排序以執(zhí)行復(fù)雜過(guò)程，例 如本文所描述的過(guò)程。
[0074]在一實(shí)例中，可以使用"同或"門(mén)（XNOR gate)執(zhí)行1位二進(jìn)制比較，因?yàn)榻Y(jié)果僅在 兩個(gè)輸入相同時(shí)為高。兩個(gè)多位值的比較可通過(guò)使用多個(gè)"同或"門(mén)比較每一對(duì)位且組合 "同或"門(mén)使用和"與"門(mén)的輸出使得結(jié)果僅在每一對(duì)位具有相同值時(shí)可為真來(lái)執(zhí)行。如果任 何對(duì)的位不具有相同值，那么對(duì)應(yīng)"同或"門(mén)的結(jié)果可能為低，且接收低輸入的"與"門(mén)的輸 出可為低。
[0075]在另一實(shí)例中，1位加法器可使用"與"門(mén)和"異或"門(mén)的組合實(shí)施。確切地說(shuō)，1位加 法器可接收三個(gè)輸入，兩個(gè)待相加的位(A和B)和進(jìn)位位(Cin)，以及兩個(gè)輸出，總和(S)和進(jìn) 位輸出位(CouthCin位可以對(duì)于兩個(gè)一位值的相加設(shè)定為0,或可用于將多個(gè)1位加法器耦 合在一起以通過(guò)從較低階加法器接收Cout而將兩個(gè)多位值相加。在示范性實(shí)施例中，S可通 過(guò)將A和B輸入應(yīng)用到"異或"門(mén)并且隨后將結(jié)果和Cin應(yīng)用到另一"異或"門(mén)來(lái)實(shí)施。Cout可 通過(guò)將A和B輸入應(yīng)用到"與"門(mén)，將來(lái)自總和(SUM)的A-B X0R的結(jié)果和Cin應(yīng)用到另一AND， 并且將"與"門(mén)的輸入應(yīng)用到"異或"門(mén)來(lái)實(shí)施。
[0076]表2:1位加法器真值表
[0079]在各種實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400可經(jīng)由總線(xiàn)402耦合到顯示器412,例如陰極射線(xiàn) 管(CRT)或液晶顯示器(LCD)以將信息顯示給計(jì)算機(jī)用戶(hù)。包含文數(shù)字和其它鍵的輸入裝置 414可耦合到總線(xiàn)402用于將信息和命令選擇傳送到處理器404。另一類(lèi)型的用戶(hù)輸入裝置 是用于將方向信息和命令選擇傳送到處理器404并且用于控制顯示器412上的光標(biāo)移動(dòng)的 光標(biāo)控制件416,例如鼠標(biāo)、跟蹤球或光標(biāo)方向鍵。此輸入裝置通常具有在兩個(gè)軸線(xiàn)(第一軸 線(xiàn)（即，X)和第二軸線(xiàn)（即，y))上的兩個(gè)自由度，其允許所述裝置指定平面中的位置。
[0080]計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400可執(zhí)行本發(fā)明教示。與本發(fā)明教示的某些實(shí)施方式一致，結(jié)果可由 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)400響應(yīng)于處理器404執(zhí)行含于存儲(chǔ)器406中的一或多個(gè)指令的一或多個(gè)序列來(lái) 提供?？蓪⒋诵┲噶顝牧硪挥?jì)算機(jī)可讀媒體(例如存儲(chǔ)裝置410)讀取到存儲(chǔ)器406中。存儲(chǔ) 器406中含有的指令序列的執(zhí)行可致使處理器404執(zhí)行本文所描述的過(guò)程。在各種實(shí)施例 中，存儲(chǔ)器中的指令可對(duì)處理器內(nèi)可用的邏輯門(mén)的各種組合的使用排序以執(zhí)行本文描述的 過(guò)程?；蛘?，可使用硬連線(xiàn)電路代替或結(jié)合軟件指令以實(shí)施本發(fā)明教示。在各種實(shí)施例中， 硬連線(xiàn)電路可包含所需邏輯門(mén)，其以所需序列操作以執(zhí)行本文所描述的過(guò)程。因此，本發(fā)明 教示的實(shí)施方案不限于硬件電路和軟件的任何特定組合。
[0081] 如本文所用的術(shù)語(yǔ)"計(jì)算機(jī)可讀媒體"是指參與將指令提供到處理器404以供執(zhí)行 的任何媒體。此類(lèi)媒體可以呈許多形式，包含(但不限于)非易失性媒體、易失性媒體和發(fā)射 媒體。非易失性媒體的實(shí)例可包含(但不限于)光盤(pán)或磁盤(pán)，例如存儲(chǔ)裝置410。易失性媒體 的實(shí)例可包含(但不限于)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，例如存儲(chǔ)器406。發(fā)射媒體的實(shí)例可包含(但不限于） 同軸電纜、銅線(xiàn)和光纖，包含包括總線(xiàn)402的電線(xiàn)。
[0082] 非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體的常見(jiàn)形式包含(例如）軟盤(pán)、軟磁盤(pán)、硬盤(pán)、磁帶，或任 何其它磁性媒體、CD-ROM、任何其它光學(xué)媒體、穿孔卡片、紙帶、具有孔洞圖案的任何其它物 理媒體、RAM、PR0M和EPR0M、快閃EEPR0M、任何其它存儲(chǔ)器芯片或盒帶或計(jì)算機(jī)可讀取的任 何其它有形媒體。
[0083] 根據(jù)各種實(shí)施例，經(jīng)配置以被處理器執(zhí)行以執(zhí)行方法的指令存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀媒 體上。計(jì)算機(jī)可讀媒體可以是存儲(chǔ)數(shù)字信息的裝置。舉例來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)可讀媒體包含用于存 儲(chǔ)軟件的如所屬領(lǐng)域中已知的只讀光盤(pán)(CD-ROM)。計(jì)算機(jī)可讀媒體由適合于執(zhí)行經(jīng)配置以 被執(zhí)行的指令的處理器存取。
[0084]在各種實(shí)施例中，本發(fā)明教不的方法可在以例如C、C++等常規(guī)編程語(yǔ)言編寫(xiě)的軟 件程序和應(yīng)用中實(shí)施。
[0085] 雖然結(jié)合各種實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明教示，但是并不希望將本發(fā)明教示限于此類(lèi)實(shí) 施例。相反，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，本發(fā)明教示涵蓋各種替代方案、修改和等效物。
[0086] 另外，在描述各種實(shí)施例時(shí)，說(shuō)明書(shū)可將方法和/或過(guò)程呈現(xiàn)為步驟的特定序列。 然而，在方法或過(guò)程不依賴(lài)于本文闡述的步驟的特定次序的程度上，方法或過(guò)程不應(yīng)限于 所描述的步驟的特定序列。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，步驟的其它序列可以是可能的。 因此，在說(shuō)明書(shū)中闡述的步驟的特定次序不應(yīng)解釋為對(duì)權(quán)利要求書(shū)的限制。另外，針對(duì)方法 和/或過(guò)程的權(quán)利要求書(shū)不應(yīng)限于以書(shū)寫(xiě)的次序執(zhí)行其步驟，并且所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可 容易了解，所述序列可變化并且仍保持在各種實(shí)施例的精神和范圍內(nèi)。
[0087] 本文所描述的實(shí)施例可用包含以下各項(xiàng)的其它計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配置來(lái)實(shí)踐:手持式裝 置、微處理器系統(tǒng)、基于微處理器或可編程消費(fèi)型電子裝置、微型計(jì)算機(jī)、大型主機(jī)計(jì)算機(jī) 等。實(shí)施例也可在其中任務(wù)通過(guò)經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)鏈接的遠(yuǎn)程處理裝置執(zhí)行的分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí) 踐。
[0088] 還應(yīng)了解，本文所描述的實(shí)施例可采用涉及存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)的各種計(jì) 算機(jī)實(shí)施的操作。這些操作為需要物理量的物理操縱的操作。通常(盡管未必），這些量呈能 夠被存儲(chǔ)、轉(zhuǎn)移、組合、比較以及以其它方式操縱的電或磁信號(hào)的形式。另外，所執(zhí)行的操縱 通常以例如產(chǎn)生、識(shí)別、確定或比較等術(shù)語(yǔ)提及。
[0089] 形成本文所描述的實(shí)施例的一部分的操作中的任一者是適用的機(jī)器操作。本文所 描述的實(shí)施例也涉及用于執(zhí)行這些操作的裝置或設(shè)備。本文中所描述的系統(tǒng)和方法可出于 所需目的而專(zhuān)門(mén)構(gòu)造或其可以是通過(guò)存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)中的計(jì)算機(jī)程序選擇性地激活或配置 的通用計(jì)算機(jī)。具體地說(shuō)，各種通用機(jī)器可以與根據(jù)本文中的教示編寫(xiě)的計(jì)算機(jī)程序一起 使用，或可能更方便的是構(gòu)造更專(zhuān)門(mén)設(shè)備以執(zhí)行所需操作。
[0090] 某些實(shí)施例還可體現(xiàn)為計(jì)算機(jī)可讀媒體上的計(jì)算機(jī)可讀代碼。計(jì)算機(jī)可讀媒體是 可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的任何數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，所述數(shù)據(jù)可隨后由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取。計(jì)算機(jī)可讀媒體的 實(shí)例包含硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、網(wǎng)絡(luò)連接存儲(chǔ)裝置(NAS)、只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、CD-ROM、CD-R、CD-RW、磁帶以及其它光學(xué)和非光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。計(jì)算機(jī)可讀媒體也可以分布在網(wǎng)絡(luò)耦 合的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上，以使得計(jì)算機(jī)可讀代碼以分布方式存儲(chǔ)和執(zhí)行。
[0091]題
[0092] 使用來(lái)自佛羅里達(dá)州阿拉丘瓦的SynQuest實(shí)驗(yàn)室的MS級(jí)別全氟三丁胺(PFTBA)校 準(zhǔn)質(zhì)量分析器。PFTBA校準(zhǔn)復(fù)合物產(chǎn)生具有68.99466、99.99306、130.99147、263.98656、 413.97698和501.97059的理論質(zhì)量的離子。分析3-10的溴聯(lián)苯醚的混合物(來(lái)自密蘇里州 圣路易斯的Sigma-Aldrich)。
[0093]圖5展示使用從PFTBA校準(zhǔn)復(fù)合物導(dǎo)出的校準(zhǔn)的溴聯(lián)苯醚的實(shí)驗(yàn)質(zhì)譜相比于溴聯(lián) 苯醚的理論質(zhì)譜。在m/z 959.16751下以實(shí)驗(yàn)方法確定的質(zhì)量的誤差為9ppm。所述數(shù)據(jù)列于 表1中。圖6為作為m/z比率的函數(shù)的質(zhì)量誤差的曲線(xiàn)圖。所述質(zhì)量誤差在由PFTBA校準(zhǔn)復(fù)合 物涵蓋的m/z范圍內(nèi)是穩(wěn)定的，但隨著m/z比率從校準(zhǔn)范圍移動(dòng)得更遠(yuǎn)而增加。
[0094]表 1
[0096]圖7展示使用從PFTBA校準(zhǔn)復(fù)合物和樣本中的十溴聯(lián)苯醚導(dǎo)出的校準(zhǔn)的溴聯(lián)苯醚 的實(shí)驗(yàn)質(zhì)譜相比于溴聯(lián)苯醚的理論質(zhì)譜。在m / z 9 5 9.16 7 51下以實(shí)驗(yàn)方法確定的質(zhì)量的誤 差為O.Sppm。所述數(shù)據(jù)列入表2中。圖8為作為m/z比率的函數(shù)的質(zhì)量誤差的曲線(xiàn)圖。圖8將來(lái) 自圖6的質(zhì)量誤差曲線(xiàn)(僅PFTBA的情況下的質(zhì)量校準(zhǔn))與使用PFTBA校準(zhǔn)復(fù)合物和樣本內(nèi)的 十溴聯(lián)苯醚校準(zhǔn)的多個(gè)運(yùn)行的質(zhì)量誤差曲線(xiàn)比較。使用PFTBA和十溴聯(lián)苯醚兩者時(shí)的質(zhì)量 誤差在測(cè)得的m/z范圍上相對(duì)恒定。盡管如此，所述誤差往往為負(fù)且往往會(huì)對(duì)于這些樣本系 統(tǒng)地低估所述質(zhì)量。
[0097]表 2
[0099] 圖9展示使用從PFTBA校準(zhǔn)復(fù)合物和十溴聯(lián)苯醚導(dǎo)出的校準(zhǔn)且使用十溴聯(lián)苯醚作 為鎖定質(zhì)量的溴聯(lián)苯醚的實(shí)驗(yàn)質(zhì)譜相比于溴聯(lián)苯醚的理論質(zhì)譜。在m/z 959.16751下以實(shí) 驗(yàn)方法確定的質(zhì)量的誤差為〇.3ppm。所述數(shù)據(jù)列于表3中。圖10為作為m/z比率的函數(shù)的質(zhì) 量誤差的曲線(xiàn)圖。圖10比較當(dāng)PFTBA校準(zhǔn)復(fù)合物和十溴聯(lián)苯醚用于校準(zhǔn)曲線(xiàn)且十溴聯(lián)苯醚 (單獨(dú)或結(jié)合七溴聯(lián)苯醚)用作鎖定質(zhì)量時(shí)來(lái)自圖6的質(zhì)量誤差曲線(xiàn)(僅PFTBA的情況下的質(zhì) 量校準(zhǔn))與用于多個(gè)運(yùn)行的質(zhì)量誤差曲線(xiàn)。使用PFTBA和十溴聯(lián)苯醚兩者連同鎖定質(zhì)量時(shí)的 質(zhì)量誤差在測(cè)得的m/z范圍上相對(duì)恒定。
[0100] 表3

【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種方法，其包括： 從一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)生離子且將所述離子遞送到質(zhì)量分析器； 測(cè)量來(lái)自所述一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì)的所述離子的第一組質(zhì)量相關(guān)物理值； 從樣本產(chǎn)生離子且將所述離子遞送到質(zhì)量分析器，所述樣本包含具有在所述校準(zhǔn)離子 物質(zhì)的質(zhì)荷比范圍外部的質(zhì)荷比的第一樣本離子物質(zhì)； 測(cè)量所述第一樣本離子物質(zhì)的第二質(zhì)量相關(guān)物理值； 基于所述多個(gè)校準(zhǔn)離子物質(zhì)的所述第一組質(zhì)量相關(guān)物理值和所述第一樣本離子物質(zhì) 的第二質(zhì)量相關(guān)物理值計(jì)算校準(zhǔn)曲線(xiàn)；以及 基于所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改至少一個(gè)儀表參數(shù)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述質(zhì)量分析器包含傅里葉變換質(zhì)量分析器。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述儀表參數(shù)選自由以下組成的群組:使m/z與離 子頻率相關(guān)的系數(shù)、圖像電流的頻率范圍、數(shù)字化速率、圖像電流的濾波器帶寬，及其任何 組合。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述質(zhì)量分析器包含四極質(zhì)量分析器或四極離子 阱質(zhì)量分析器。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述儀表參數(shù)選自由以下組成的群組:RF電壓、DC 電壓及其任何組合。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述質(zhì)量分析器包含飛行時(shí)間質(zhì)量分析器。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述儀表參數(shù)選自由以下組成的群組:使m/z與飛 行時(shí)間相關(guān)的系數(shù)、獲取時(shí)間窗口、飛行管件清除脈沖時(shí)間及其任何組合。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述樣本由氣體層析儀表提供。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述樣本由液體層析儀表提供。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括： 將第二樣本提供到所述質(zhì)譜儀，所述樣本包含第二樣本離子物質(zhì)； 使用來(lái)自所述校準(zhǔn)的所述經(jīng)修改儀表參數(shù)操作所述質(zhì)譜儀；以及 測(cè)量所述第二樣本離子物質(zhì)的第三質(zhì)量相關(guān)物理值。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括： 基于所述第二樣本內(nèi)的第三樣本離子物質(zhì)的測(cè)得的質(zhì)荷比使所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)移位 以考慮所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)中的掃描特定漂移，其中所述儀表參數(shù)并不基于所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)的 所述移位而改變。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二樣本離子物質(zhì)具有在所述第一樣本離 子物質(zhì)的所述質(zhì)荷比和所述校準(zhǔn)離子物質(zhì)中的至少一者的所述質(zhì)荷比的范圍內(nèi)的質(zhì)荷比。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一樣本離子物質(zhì)具有在所述校準(zhǔn)離子物質(zhì) 的所述質(zhì)荷比范圍以上的質(zhì)荷比。14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一樣本離子物質(zhì)具有在所述校準(zhǔn)離子物質(zhì) 的所述質(zhì)荷比范圍以下的質(zhì)荷比。15. -種質(zhì)譜儀，其包括： 離子源，其經(jīng)配置以形成離子； 質(zhì)量分析器，其經(jīng)配置以測(cè)量離子的質(zhì)量相關(guān)物理值； 控制器，其經(jīng)配置以： 獲得來(lái)自一或多個(gè)校準(zhǔn)物質(zhì)的離子的第一組質(zhì)量相關(guān)物理值； 獲得第一樣本離子物質(zhì)的第二質(zhì)量相關(guān)物理值； 基于所述第一組質(zhì)量相關(guān)物理值、所述第二質(zhì)量相關(guān)物理值以及來(lái)自所述一或多個(gè)校 準(zhǔn)物質(zhì)和所述第一樣本離子物質(zhì)的所述離子的已知質(zhì)荷比計(jì)算校準(zhǔn)曲線(xiàn)；以及 基于所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)修改所述質(zhì)量分析器的所述操作。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述質(zhì)量分析器包含傅里葉變換質(zhì)量分析器。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的質(zhì)譜儀，其中修改所述質(zhì)量分析器的所述操作包含修改使 m/z與離子頻率相關(guān)的系數(shù)、圖像電流的頻率范圍、數(shù)字化速率、圖像電流的濾波器帶寬及 其任何組合。18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述質(zhì)量分析器包含四極質(zhì)量分析器或四極 尚子講質(zhì)量分析器。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的質(zhì)譜儀，其中修改所述質(zhì)量分析器的所述操作包含修改RF 電壓、DC電壓或其任何組合。20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述質(zhì)量分析器包含飛行時(shí)間質(zhì)量分析器。21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的質(zhì)譜儀，其中修改所述質(zhì)量分析器的所述操作包含修改使 m/z與飛行時(shí)間相關(guān)的系數(shù)、獲取時(shí)間窗口、飛行管件清除脈沖時(shí)間或其任何組合。22. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述質(zhì)譜儀進(jìn)一步包含用于將樣本供應(yīng)到所 述離子源的氣體層析儀。23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述質(zhì)譜儀進(jìn)一步包含用于將樣本供應(yīng)到所 述離子源的液體層析儀。24. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以： 操作所述離子源以將第二樣本提供到所述質(zhì)譜儀，所述樣本包含第二樣本離子物質(zhì)； 使用來(lái)自所述校準(zhǔn)的所述經(jīng)修改儀表參數(shù)操作所述質(zhì)譜儀；以及 獲得所述第二樣本離子物質(zhì)的第三組質(zhì)量相關(guān)物理值。25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的質(zhì)譜儀，其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以： 基于所述第二樣本內(nèi)的第三樣本離子物質(zhì)的測(cè)得的質(zhì)荷比使所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)移位以考 慮所述校準(zhǔn)曲線(xiàn)中的掃描特定漂移，其中所述質(zhì)量分析器的所述操作并不基于所述校準(zhǔn)曲 線(xiàn)的所述移位而改變。26. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述第一樣本離子物質(zhì)具有在所述校準(zhǔn)離子 物質(zhì)的所述質(zhì)荷比范圍以上的質(zhì)荷比。27. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的質(zhì)譜儀，其中所述第一樣本離子物質(zhì)具有在所述校準(zhǔn)離子 物質(zhì)的所述質(zhì)荷比范圍以下的質(zhì)荷比。
【文檔編號(hào)】H01J49/26GK106024571SQ201610132791
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月9日
【發(fā)明人】S·T·夸姆比, G·B·古肯博格
【申請(qǐng)人】薩默費(fèi)尼根有限公司