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有機(jī)發(fā)光顯示面板的制作方法_5

文檔序號(hào):9617566閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
a、260b、260c、260d、260e、230、252、240a、240b、 256a、256b、258a和258b可以是通過(guò)充當(dāng)指示符的多個(gè)ΝΕΑ 0A(0A,0A1至0A5)修復(fù)的圖案 250、252、254、260&、26013、260(3、260(1、2606、230、252、24(^、24013、2563、25613、2583和 25813。
[0137] 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的與0LED面板的晶體管相關(guān)的I-V評(píng) 估的曲線圖。
[0138] 圖8是示出流過(guò)0LED面板200的第一晶體管(DT)的第一漏極240a的漏電流與 提供到第一柵極230的柵電壓之間的關(guān)系的曲線圖。
[0139] 如圖8所示,第一晶體管(DT)的電性質(zhì)沒(méi)有被很好地實(shí)現(xiàn)。例如,當(dāng)電壓是5V時(shí), 流過(guò)第一漏極240a的漏電流是大致e-ΙΟΑ,即是不足的。因此,在這種情形下,存在的缺陷 在于,像素(P)的驅(qū)動(dòng)電壓變得相對(duì)較高。
[0140] 這表明,黑底204的不平坦表面被傳遞到上層并且晶體管(DT)的性質(zhì)劣化。
[0141] 因此,如圖7A和圖7B所示,當(dāng)在黑底204上形成對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層220的0A時(shí),可 改進(jìn)晶體管(DT)的電性質(zhì)。
[0142] 圖9A和圖9B是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的對(duì)于0LED面板的各種類型 的黑底而言不同的粗糙度的表和曲線圖。
[0143] 圖9A和圖9B是與在形成0LED面板200的黑底204之后形成黑底204的上層之 前測(cè)得的、黑底204的上部的表面的粗糙度相關(guān)的表和曲線圖。然而,在第五樣本(#5)和 第六樣本(#6)的情況下,通過(guò)假定形成黑底204的0A的區(qū)域,形成遮擋層210。
[0144] 參照?qǐng)D9A和圖9B,第一樣本(#1)是大約4000 μ m厚并且對(duì)應(yīng)于聚酰亞胺系列 的黑底204,第二樣本(#2)是大約4000 μπι厚并且通過(guò)蝕刻硅氧烷系列的材料而形成的 黑底204。另外,第三樣本(#3)是大約12000 μπι厚并且通過(guò)對(duì)硅氧烷系列的材料執(zhí)行光 刻工藝而形成的黑底204,第四樣本(#4)是大約5000 μπι厚并且通過(guò)對(duì)硅氧烷系列的材 料執(zhí)行光刻工藝而形成的黑底204。另外,第五樣本(#5)是形成為M〇Ti/IT0/M〇Ti (各自 30/500/30以111厚)的三層結(jié)構(gòu)的遮擋層210,并且第六樣本(#6)是形成為1〇11/11'0/^〇11/ ΙΤ0(各自300/500/70/500 μπι厚)的四層結(jié)構(gòu)的遮擋層210。這里,各個(gè)樣本的黑底204 由具有耐熱性的有機(jī)化合物形成。
[0145] 圖9Α的Ra表示算術(shù)平均粗糙度,即,比基準(zhǔn)高度高的高度的算術(shù)平均值。另外, Rq是表面粗糙度的標(biāo)準(zhǔn)偏差,并且是通過(guò)將高度的所有平方值相加并且計(jì)算平均值之后計(jì) 算根值而得到的。
[0146] 在與黑底204的0A的面積對(duì)應(yīng)的第五樣本(#5)和第六樣本(#6)的情況下,Ra值 和Rq值小于或等于〇.6nm,并且認(rèn)識(shí)到,與第一樣本(#1)至第四樣本(#4)相比,表面的均 勻性急劇改進(jìn)。
[0147] 因此,當(dāng)作為第一晶體管(DT)的組件的半導(dǎo)體層220的下層的表面平坦時(shí),可改 進(jìn)半導(dǎo)體層220的表面性質(zhì)。因此,可改進(jìn)0LED面板200的電性質(zhì)。
[0148] 因此,在根據(jù)本發(fā)明的0LED面板200的情況下,在黑底200中存在多個(gè)0A,因此, 當(dāng)像素故障時(shí)可識(shí)別切割或焊接的位置。另外,當(dāng)0A位于晶體管(DT、SENT和SWT)的半導(dǎo) 體層220的下部中時(shí),半導(dǎo)體層220的表面的均勻性提高,因此,晶體管(DT、SENT和SWT) 的電性質(zhì)改進(jìn)。在這種情形下,可通過(guò)在通過(guò)0A暴露的部分中形成低反射層來(lái)防止可視性 降低或者亮度和對(duì)比度性質(zhì)劣化。
[0149] 雖然在目前為止已經(jīng)參照附圖描述了各種實(shí)施方式,但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方 式。
[0150] 另外,以上提到的術(shù)語(yǔ)"包括"、"構(gòu)成"或"具有"意指包括對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)元件,除非 它們具有相反含義。因此,應(yīng)該理解,這些術(shù)語(yǔ)可不排除其它結(jié)構(gòu)元件,而是還包括其它結(jié) 構(gòu)元件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解,所有技術(shù)、科學(xué)或其它方面的術(shù)語(yǔ)都符合這些含義,除非 做相反定義。字典中找到的一般術(shù)語(yǔ)應(yīng)該在相關(guān)技術(shù)資料的背景下理解,而不是太過(guò)理想 或不切實(shí)際地理解,除非本公開(kāi)明確地這樣定義它們。
[0151] 盡管已經(jīng)出于例證目的描述了本發(fā)明的實(shí)施方式,但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理 解,在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下,各種修改形式、添加形式和替代形式是可能 的。因此,本發(fā)明中公開(kāi)的實(shí)施方式不是純粹進(jìn)行限制,而是描述本發(fā)明的技術(shù)精神。另外, 本發(fā)明的技術(shù)精神的范圍不受實(shí)施方式限制。本發(fā)明的范圍應(yīng)該基于所附的權(quán)利要求書進(jìn) 行理解,使得包括在權(quán)利要求書的等同范圍內(nèi)的所有技術(shù)構(gòu)思屬于本發(fā)明。
[0152] 附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0153] 200 :有機(jī)發(fā)光顯示面板
[0154] 202 :基板
[0155] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0156] 本申請(qǐng)要求2014年8月14日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2014-0105970的優(yōu)先 權(quán)和權(quán)益,通過(guò)引用將其并入本文以用于所有目的,如同在本文中充分闡述一樣。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光顯示面板,該有機(jī)發(fā)光顯示面板包括: 基板,其包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域; 黑底,其被設(shè)置在所述非發(fā)光區(qū)域上并且包括暴露形成在所述基板上的圖案的至少一 部分的至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域, 其中,所述圖案或所述圖案的被暴露部分包括多層結(jié)構(gòu),該多層結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層和至 少一個(gè)低反射層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域暴露形成在所述基 板上的信號(hào)線、晶體管電極和像素電極中的至少一個(gè)的一部分。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域暴露形成在形成有 晶體管的層與形成有所述黑底的不同層之間的遮擋層的一部分。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域是用于定位像素修 復(fù)的標(biāo)記。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域?qū)?yīng)于所述晶體管 的半導(dǎo)體層。6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域?qū)?yīng)于所述遮擋層 的至少一部分。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,至少一個(gè)低反射層包括金屬氧化 物或者吸收從所述基板外部引入的光的材料,或者所述至少一個(gè)低反射層被涂覆有吸光 劑。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述至少一個(gè)低反射層包括含有 金屬氧化物的第一層和含有吸收光的材料的第二層。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,通過(guò)所述基板引入的光是非偏振 光。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述黑底包括耐熱的有機(jī)物質(zhì)。11. 一種有機(jī)發(fā)光顯示面板,該有機(jī)發(fā)光顯示面板包括: 顯示面板,其包括形成在多條數(shù)據(jù)線和多條選通線之間的交叉點(diǎn)處的多個(gè)像素; 黑底,其包括暴露各個(gè)像素的發(fā)光區(qū)域的、設(shè)置在發(fā)光區(qū)域上的開(kāi)口區(qū)域, 其中,所述多個(gè)像素中的至少一個(gè)像素是被切割了圖案的一部分的像素,并且 其中,所述黑底還包括設(shè)置在暴露被切割部分的非發(fā)光區(qū)域上的開(kāi)口區(qū)域。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域暴露形成在所述 基板上的信號(hào)線、晶體管電極和像素電極中的至少一個(gè)的一部分。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域暴露形成在形成 有晶體管的層與形成有所述黑底的不同層之間的遮擋層的一部分。14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域是用于定位像素 修復(fù)的標(biāo)記。15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域?qū)?yīng)于所述晶體 管的半導(dǎo)體層。16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述開(kāi)口區(qū)域?qū)?yīng)于所述遮擋 層的至少一部分。17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,至少一個(gè)低反射層包括金屬氧 化物或者吸收從所述基板外部引入的光的材料,或者所述至少一個(gè)低反射層被涂覆有吸光 劑。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述至少一個(gè)低反射層包括含 有金屬氧化物的第一層和含有吸收光的材料的第二層。19. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,通過(guò)所述基板引入的光是非偏 振光。20. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板,其中,所述黑底包括耐熱的有機(jī)物質(zhì)。
【專利摘要】提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板,該有機(jī)發(fā)光顯示面板包括:基板,其包括發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域;黑底,其被設(shè)置在所述非發(fā)光區(qū)域上并且包括暴露形成在所述基板上的圖案的至少一部分的至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域,其中,所述圖案或所述圖案的被暴露部分包括多層結(jié)構(gòu),該多層結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層和至少一個(gè)低反射層。
【IPC分類】H01L51/52, H01L27/32
【公開(kāi)號(hào)】CN105374846
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410858246
【發(fā)明人】樸俊浩, 趙銀美, 金大炫
【申請(qǐng)人】樂(lè)金顯示有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2014年12月24日
【公告號(hào)】US20160049454
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