專利名稱：半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，更詳細(xì)地涉及做成小尺寸和高密度的組件格式的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。
就近年來(lái)的VSLI和其他的半導(dǎo)體器件而論，在三年內(nèi)尺寸減少70％并且達(dá)到較高的集成和較好的性能。與此同時(shí)，半導(dǎo)體器件的組件格式在尺寸上被減少了而在密度上被增高了。
在相關(guān)技術(shù)中，采用用于通過(guò)把引線插入到印刷電路板上設(shè)置的穿透孔內(nèi)安裝的DIP(雙列直插式組件)或PGA(網(wǎng)格插針陣列)和其他穿透孔固定固體電路組件(THD)以及用于通過(guò)引線與印刷板表面焊接安裝的QFP(方形扁平(有L式引線的)封裝)或TCP(帶式承載封裝)或其他表面固定固體電路組件(SMD)作為半導(dǎo)體器件的組件格式。此外，工業(yè)轉(zhuǎn)向使輸出終端形成網(wǎng)格陣列狀態(tài)的BGA(球狀網(wǎng)格陣列)之類的組件格式。
從另一方面來(lái)說(shuō)，對(duì)較大地減小半導(dǎo)體器件的尺寸和較大地提高半導(dǎo)體器件的密度的需求已增大。用上述的QFP和其他組件格式已不再能滿足這些需求。由于這個(gè)原因，為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步減少尺寸和提高密度，注意力集中到使組件尺寸接近盡可能與半導(dǎo)體芯片一樣大的尺寸稱之為“芯片尺寸組件”(CSP，也稱為“FBGA(精細(xì)間距BGA)”)的組件格式。目前研究正在進(jìn)行中，并且提出了許多建議。
下一步將作關(guān)于上述的CSP格式的半導(dǎo)體器件及其安裝方法的說(shuō)明。例如，如

圖1A中的截面圖所示，半導(dǎo)體芯片10a中的沒(méi)有用圖說(shuō)明的電極焊接區(qū)和基板(插入板)11通過(guò)焊接劑或其他的突起部12用機(jī)械的方法電連接。進(jìn)一步，為了保護(hù)突起部12的連接面用密封樹(shù)脂填滿并密封半導(dǎo)體芯片11a和基板11之間的空隙。進(jìn)一步，基板11的與連接半導(dǎo)體芯片10a的表面對(duì)向的表面形成有連接母板的焊接劑或其他的突起部14。突起部14經(jīng)由在基板11中形成的沒(méi)有表示出的穿透孔或其他的內(nèi)連與連接半導(dǎo)體芯片10a中的電極焊接區(qū)和基板11中的突起部12連接。由此，形成CSP格式的半導(dǎo)體器件100。
用于安裝上述的半導(dǎo)體器件100的母板2具有安裝在用例如玻璃環(huán)氧樹(shù)脂為基的材料組成的印刷板20的頂表面上的在與半導(dǎo)體器件100中的形成突起部14的位置相對(duì)應(yīng)的部位上形成的臺(tái)階(電極)21，和在印刷板20的前表面、背表面或者二個(gè)表面上形成與臺(tái)階21連接的沒(méi)有表示出的電路圖形。通過(guò)使半導(dǎo)體器件100的形成突起部的表面面向母板2的形成臺(tái)階的表面并且使相應(yīng)的臺(tái)階21和突起部14對(duì)準(zhǔn)，把半導(dǎo)體器件100安裝在母板2上，并且，如圖1B所示，通過(guò)使突起部14軟熔等等的方法，經(jīng)由突起部14使半導(dǎo)體器件100和母板2中的臺(tái)階21用機(jī)械的方法電連接。
上述的半導(dǎo)體器件100具有在半導(dǎo)體芯片10a和母板2之間起緩沖作用的基板(插入板)11，但是為了進(jìn)一步減小尺寸、降低成本和提高電子電路的數(shù)據(jù)處理速度，目前積極地進(jìn)行有關(guān)在沒(méi)有使用上述的基板(插入板)的情況下應(yīng)用在晶片平面上組裝的格式的CSP的研究和開(kāi)發(fā)。
下一步將作關(guān)于不使用上述的基板(插入板)的CSP格式的半導(dǎo)體器件及其安裝方法的說(shuō)明。例如，如圖2A中的截面圖所示，形成與半導(dǎo)體器件10a中的沒(méi)有用圖說(shuō)明的電極焊接區(qū)連接的焊接劑或其他的突起部12。用樹(shù)脂敷層15密封在突起部12之間空隙中的半導(dǎo)體芯片表面。由此，形成CSP格式的半導(dǎo)體器件1。從另一方面來(lái)說(shuō)，用作安裝半導(dǎo)體器件1的母板2具有在例如用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂為基的材料以與上述相同的方法制成的印刷板20的頂表面上的臺(tái)階(電極)21和沒(méi)有用圖說(shuō)明的印刷電路。通過(guò)使半導(dǎo)體器件1的形成突起部的表面面向母板2的形成臺(tái)階的表面在使相應(yīng)的臺(tái)階21和突起部12對(duì)準(zhǔn)時(shí)把半導(dǎo)體器件1安裝在母板2上，并且，如圖2B所示，通過(guò)使用使突起部12軟熔等等的方法，經(jīng)由突起部12使半導(dǎo)體器件1和臺(tái)階21用機(jī)械的方法電連接。
下一步通過(guò)參閱附圖將作關(guān)于上述的CSP格式的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的說(shuō)明。首先，如圖3A所示，在形成半導(dǎo)體芯片的電路圖形的半導(dǎo)體晶片上形成焊接劑或其他的突起部12a以便與半導(dǎo)體芯片中的電路圖形連接。
其次，如圖3B所示，在熔化的樹(shù)脂中浸漬整個(gè)半導(dǎo)體晶片10以在半導(dǎo)體晶片10的形成突起部的表面上形成在密封突起部12a之間空隙時(shí)完全埋沒(méi)突起部12a的厚度的樹(shù)脂敷層15。在這里，就在熔化的樹(shù)脂中浸漬的方法(浸漬法)來(lái)說(shuō)，在半導(dǎo)體晶片10的二個(gè)表面上形成樹(shù)脂敷層15。
下一步，如圖4A所示，從半導(dǎo)體晶片10的形成突起部的表面的頂部研磨樹(shù)脂敷層15以減小其厚度直到露出部分突起部12a。
其次，如圖4B所示，焊接劑球12b轉(zhuǎn)變成與突起部12a連接。由突起部12a和焊接劑球12b構(gòu)成突起部12。
然后，如圖4C所示，沿由在半導(dǎo)體晶片10上形成的半導(dǎo)體芯片中的電路圖形之間的區(qū)域組成和給出半導(dǎo)體晶片10的切割邊界的切割線切割半導(dǎo)體晶片(切成小片的步驟)以致把半導(dǎo)體晶片10分割成各自具有分割的半導(dǎo)體芯片10a的CSP格式的半導(dǎo)體器件1和由半導(dǎo)體晶片10的外周邊部分組成的沒(méi)有完整電路圖形的無(wú)用部分3。
在分割半導(dǎo)體晶片10以后用上述的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件1可以按原狀安裝在母板上，而與使用基板(插入板)的一般半導(dǎo)體器件相比能使成本降低和交貨時(shí)間縮短。
然而，在上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中，難以在沿用作在半導(dǎo)體晶片上切割邊界的切割線的正確位置上精確地切割半導(dǎo)體晶片。這是因?yàn)榫途哂腥缋鐖D5所示的電路圖形和與圖形連接的突起部12以及在半導(dǎo)體晶片10中毗鄰圖形之間的區(qū)域成為切割線的半導(dǎo)體晶片10而論，如果形成樹(shù)脂敷層，則如圖5B所示，在半導(dǎo)體晶片10上的整個(gè)區(qū)域上方由毗鄰的電路圖形之間的區(qū)域形成的切割線最后將被覆蓋，所以在這樣的狀態(tài)下即使設(shè)法沿切割線x1到x6和y1到y(tǒng)6切割半導(dǎo)體晶片，也不再可能確認(rèn)切割線的位置。進(jìn)一步說(shuō)，切割位置是不是精確地沿著切割線也難以確認(rèn)，因此在半導(dǎo)體器件的制造工藝的優(yōu)質(zhì)控制中正確的操縱很難。
發(fā)明概述根據(jù)上述的問(wèn)題形成本發(fā)明。本發(fā)明以提供由在其表面上具有突起部同時(shí)用樹(shù)脂密封在形成突起部的表面上突起部之間空隙的半導(dǎo)體芯片組成的組件格式的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法為其目的，其中在生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的分割成小片的步驟中，對(duì)準(zhǔn)在半導(dǎo)體晶片上的切割邊界形成的切割線精確地切割半導(dǎo)體晶片是可以實(shí)現(xiàn)的。
為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法提供由在其表面上具有突起部同時(shí)用樹(shù)脂密封在形成突起部的表面上突起部之間空隙的半導(dǎo)體芯片組成的組件格式的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，包括在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域、形成有至少在第一區(qū)域上的半導(dǎo)體芯片的電路圖形和形成有穿過(guò)第一區(qū)域和第二區(qū)域在半導(dǎo)體芯片之間延伸的切割線的半導(dǎo)體芯片上至少在第一區(qū)域內(nèi)形成以便與半導(dǎo)體芯片的電路圖形連接的突起部的步驟、在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上為密封突起部之間空隙時(shí)的預(yù)定厚度和在第二區(qū)域內(nèi)的至少包含一部分切割線的區(qū)域上為能確認(rèn)部分切割線的位置的厚度的樹(shù)脂敷層的步驟以及沿著用在第二區(qū)域中包含部分切割線的區(qū)域上確認(rèn)的切割線作基準(zhǔn)位置的切割線切割半導(dǎo)體晶片的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域、形成有至少在第一區(qū)域上的半導(dǎo)體芯片的電路圖形和形成有穿過(guò)第一區(qū)域和第二區(qū)域在半導(dǎo)體芯片之間延伸的切割線的半導(dǎo)體晶片上至少在第一區(qū)域內(nèi)形成以便與半導(dǎo)體芯片的電路圖形連接的突起部。然后，在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上為密封突起部之間空隙時(shí)的預(yù)定厚度和在第二區(qū)域中的至少包含一部分切割線的區(qū)域上為能夠確認(rèn)部分切割線的位置的厚度的樹(shù)脂敷層。然后，沿著用在第二區(qū)域中包含部分切割線的區(qū)域上確認(rèn)的切割線作基準(zhǔn)位置的切割線切割半導(dǎo)體晶片。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，由于在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上為密封突起部之間空隙時(shí)的預(yù)定厚度和在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上為能夠確認(rèn)部分切割線的位置的厚度的樹(shù)脂敷層，所以當(dāng)在后續(xù)步驟中切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上確認(rèn)切割線的位置是可以實(shí)現(xiàn)的并且確定給出在半導(dǎo)體晶片上切割邊界的切割線的位置，精確地切割半導(dǎo)體晶片是可以實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法最好具有半導(dǎo)體晶片的中心區(qū)域組成的第一區(qū)域和具有半導(dǎo)體晶片的外周邊區(qū)域組成的第二區(qū)域。由于至少在部分第二區(qū)域上形成薄的樹(shù)脂敷層，所以該區(qū)域最后是不能用于半導(dǎo)體器件，但是由于在半導(dǎo)體晶片的外周邊上的區(qū)域原來(lái)就沒(méi)有完整的電路圖形而是無(wú)用的所以那樣的區(qū)域能用作第二區(qū)域。
本發(fā)明的上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法最好具有包括在第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成預(yù)定厚度的樹(shù)脂敷層的步驟以及在第二區(qū)域中至少包含部分切割線的區(qū)域上使樹(shù)脂敷層的厚度減小到能夠確認(rèn)部分切割線的位置的厚度的步驟的在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的工序。即使在第二區(qū)域上形成得較厚，但是減小厚度以致部分切割線的位置能被確認(rèn)也是可以行得通的。
本發(fā)明的上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法最好具有在第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成預(yù)定厚度的樹(shù)脂敷層的步驟中通過(guò)使半導(dǎo)體晶片在熔化的樹(shù)脂中浸漬形成的樹(shù)脂敷層。由此，在第一區(qū)域和第二區(qū)域上形成預(yù)定厚度的樹(shù)脂敷層是可以實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法最好具有在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的步驟中使用設(shè)計(jì)成能夠使在第一區(qū)域上具有預(yù)定的厚度和使在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上具有能夠確認(rèn)切割線部分位置的厚度的模具形成的樹(shù)脂敷層。由此，在第二區(qū)域上形成使部分切割線的位置能被確認(rèn)的薄膜是可以實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法最好具有在半導(dǎo)體晶片形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的步驟中形成的使在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上具有厚度不大于30微米的樹(shù)脂敷層。由此，給定使部分切割線的位置能被確認(rèn)的厚度是可以實(shí)現(xiàn)的。
本發(fā)明的上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法最好具有在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的步驟中形成的完全埋沒(méi)在第一區(qū)域中的突起部的厚度的樹(shù)脂敷層和在切割半導(dǎo)體晶片以前進(jìn)一步具有使樹(shù)脂敷層的厚度減小到在第一區(qū)域中露出至少部分突起部為止的步驟。由此，使部分突起部外露而當(dāng)安裝在母板上時(shí)能夠被電連接。
本發(fā)明的上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法最好具有在切割半導(dǎo)體晶片的步驟中為確認(rèn)切割線的位置在計(jì)算機(jī)上獲取并處理的半導(dǎo)體晶片的圖像。隨著增大半導(dǎo)體設(shè)計(jì)比例尺的換算從例如0.35微米到0.25微米或0.18微米，半導(dǎo)體芯片之間的切割線的寬度變得更小而難以用肉眼確認(rèn)。即使如此，通過(guò)在計(jì)算機(jī)上的圖像處理，準(zhǔn)確地確認(rèn)切割線的位置仍是可以實(shí)現(xiàn)的。
附圖的簡(jiǎn)略描述根據(jù)參考附圖給出的下面的最佳實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和其他的目的和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中圖1A到1B是說(shuō)明根據(jù)第一相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體器件和把上述的半導(dǎo)體器件安裝在母板上的方法的截面圖，其中圖1A說(shuō)明一直到把半導(dǎo)體器件安裝到母板上的步驟的狀態(tài)而圖1B說(shuō)明一直到軟熔步驟的狀態(tài)；圖2A到2B是說(shuō)明根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體器件和把上述的半導(dǎo)體器件安裝在母板上的方法的截面圖，其中圖2A說(shuō)明一直到把半導(dǎo)體器件安裝到母板上的步驟的狀態(tài)而圖2B說(shuō)明一直到軟熔步驟的狀態(tài)；圖3A到3B是根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中的步驟的截面圖，其中圖3A說(shuō)明一直到形成突起部的步驟的狀態(tài)而圖3B說(shuō)明一直到形成樹(shù)脂敷層的步驟的狀態(tài)；圖4A到4C是繼圖3A到3B后的步驟，其中圖4A說(shuō)明一直到減小樹(shù)脂敷層的厚度的步驟的狀態(tài)、圖4B說(shuō)明一直到焊接劑球成突起部的轉(zhuǎn)變步驟的狀態(tài)和圖4C說(shuō)明一直到沿切割線切割半導(dǎo)體晶片的步驟的狀態(tài)；圖5A到5B是在根據(jù)第二相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的步驟中半導(dǎo)體晶片的透視圖，其中圖5A說(shuō)明在形成突起部的步驟以后的狀態(tài)而圖5B說(shuō)明在形成樹(shù)脂敷層的步驟以后的狀態(tài)；圖6A到6B是說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件和把上述的半導(dǎo)體器件安裝在母板上的方法的截面圖，其中圖6A說(shuō)明一直到把半導(dǎo)體器件安裝在母板上的步驟的狀態(tài)而圖6B說(shuō)明一直到軟熔步驟的狀態(tài)；圖7A到7C是根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中的步驟的截面圖，其中圖7A說(shuō)明一直到形成突起部的步驟的狀態(tài)、圖7B說(shuō)明一直到形成樹(shù)脂敷層的步驟的狀態(tài)和圖7C說(shuō)明一直到減小在部分第二區(qū)域中的樹(shù)脂敷層厚度的步驟的狀態(tài)；圖8A到8C是繼圖7A到7C后的步驟，其中圖8A說(shuō)明一直到減小第一區(qū)部中的樹(shù)脂敷層的厚度的步驟的狀態(tài)、圖8B說(shuō)明一直到焊接劑球成突起部的轉(zhuǎn)變步驟的狀態(tài)和圖8C說(shuō)明一直到沿切割線切割半導(dǎo)體晶片的步驟的狀態(tài)；圖9是在根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的步驟中的形成突起物的步驟以后的半導(dǎo)體晶片的透視圖；圖10A到10B是在根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的步驟中的在部分第二區(qū)域內(nèi)形成薄的區(qū)域的步驟以后的半導(dǎo)體晶片的透視圖；圖11A到11C是根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中的步驟的截面圖，其中圖11A說(shuō)明一直到形成突起部的步驟的狀態(tài)、圖11B說(shuō)明一直到把半導(dǎo)體晶片放在模具上的步驟的狀態(tài)和圖11C說(shuō)明一直到形成樹(shù)脂敷層的步驟的狀態(tài)；以及圖12A到12C是繼圖11A到11C后的步驟，其中圖12A說(shuō)明一直到減小在第一區(qū)域中的樹(shù)脂敷層的厚度的步驟的狀態(tài)。圖12B說(shuō)明一直到焊接劑球成突起部的轉(zhuǎn)變步驟的狀態(tài)和圖12C說(shuō)明一直到沿切割線切割半導(dǎo)體晶片的步驟的狀態(tài)。
最佳實(shí)施例的描述在下文，通過(guò)參閱附圖將說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的實(shí)施例。第一實(shí)施例如圖6A的截面圖所示的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件裝有與半導(dǎo)體芯片10a中的沒(méi)有用圖說(shuō)明的電極焊接區(qū)連接的焊接劑或其他突起部12。用樹(shù)脂敷層15密封在突起部12之間空隙中的半導(dǎo)體芯片10a的表面。用樹(shù)脂敷層也可以覆蓋在與形成突起部的表面對(duì)向側(cè)上的半導(dǎo)體芯片10a表面。由此，形成CSP格式的半導(dǎo)體器件1。
如圖6A所示，用于安裝半導(dǎo)器件1的母板2是由在頂部形成臺(tái)階(電極)21的用玻璃環(huán)氧樹(shù)脂為基的材料制成的印刷板20和沒(méi)有用圖說(shuō)明的印刷電路組成。通過(guò)使半導(dǎo)體器件1的形成突起部的表面面向母板2的形成臺(tái)階的表面在使相應(yīng)的臺(tái)階21和突起部12對(duì)準(zhǔn)時(shí)把半導(dǎo)體器件1安裝在母板2上，并且如圖6B所示，通過(guò)使用使突起部軟熔等等的方法，經(jīng)由突起部12使半導(dǎo)體器件1和臺(tái)階21用機(jī)械的方法電連接。
下一步通過(guò)參閱附圖將作關(guān)于CSP格式的半導(dǎo)體器件1的生產(chǎn)方法的說(shuō)明。首先，如圖7A所示，在半導(dǎo)體晶片10上形成半導(dǎo)體芯片的電路圖形(沒(méi)有用圖說(shuō)明)和半導(dǎo)體芯片之間的切割線(沒(méi)有用圖說(shuō)明)。在這里，在半導(dǎo)體晶片10的中心上形成半導(dǎo)體芯片的完整電路圖形的區(qū)域定義為第一區(qū)域A，同時(shí)在半導(dǎo)體晶片10的外周邊上沒(méi)有形成完整電路圖形而無(wú)用的區(qū)域定義為第二區(qū)域B。使半導(dǎo)體芯片之間的切割線形成穿過(guò)第一區(qū)域A延伸到第二區(qū)域B。其次，用汽相沉積工藝或汽相輸送工藝等方法至少在第一區(qū)域A上形成焊接劑、金或其他的突起部12a，以便與半導(dǎo)體芯片中的電路圖形連接。
下一步，如圖7B所示，為密封在第一區(qū)域A中突起部12a之間的空隙把整個(gè)半導(dǎo)體晶片10浸漬在熔化的樹(shù)脂中而在第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中半導(dǎo)體晶片10的形成突起部12a的表面上形成完全埋沒(méi)突起部12a的厚度的樹(shù)脂敷層15。在這里，就在熔化樹(shù)脂中浸漬的方法(浸漬工藝)來(lái)說(shuō)，在半導(dǎo)體晶片10的二個(gè)表面上形成樹(shù)脂敷層15，但是未必總是需要形成與形成突起部12a的表面對(duì)向的背表面上的樹(shù)脂敷層。
其次，如圖7C所示，使在第二區(qū)域B中的樹(shù)脂敷層15在厚度上減小到在至少包含部分切割線的區(qū)域中能夠確認(rèn)部分切割線的位置的程序。在第二區(qū)域部分的薄膜區(qū)域16a中，樹(shù)脂敷層15的厚度例如為20到30微米。透過(guò)樹(shù)脂敷層能夠看到在樹(shù)脂敷層下面的圖形，所以能夠確認(rèn)部分切割線的位置。
下一步，如圖8A所示，研磨在第一區(qū)域A中的樹(shù)脂敷層15，使其在厚度上減小到至少露出部分突出部12a。
其次，如圖8B所示，在第一區(qū)域A中，使焊接劑球12b轉(zhuǎn)變成與突起部12a連接。由突起部12a和焊接劑球12b構(gòu)成突起部12。
然后，如圖8C所示，沿由在第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中的半導(dǎo)體晶片10上形成的半導(dǎo)體芯片中的電路圖形之間的區(qū)域組成并給出半導(dǎo)體晶片10的切割邊界的切割線切割半導(dǎo)體晶片10(切成小片的步驟)以把半導(dǎo)體晶片10分割成各自具有分割的半導(dǎo)體芯片10a的CSP格式的半導(dǎo)體器件1和由半導(dǎo)體晶片10的外周邊組成的沒(méi)有完整電路圖形的無(wú)用部分3。在這里，在沿切割線切割半導(dǎo)體晶片10中，根據(jù)透過(guò)薄的樹(shù)脂敷層15看到的在下面的圖形直觀地確認(rèn)切割線的位置或者用CCD攝像機(jī)或諸如此類的設(shè)備攝取半導(dǎo)體晶片10的圖像并且在計(jì)算機(jī)上處理獲得的圖像來(lái)確認(rèn)切割線的位置，然后就沿用確認(rèn)的切割線作基準(zhǔn)位置的切割線切割半導(dǎo)體晶片10。
在上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中，在具有如例如圖9所示的電路圖形和與圖形連接的突起部12以及毗鄰的電路圖形之間的區(qū)域成為切割線16的半導(dǎo)體晶片10上形成樹(shù)脂敷層15，然而如圖10A和圖10B所示，在半導(dǎo)體晶片10上沒(méi)有完整圖形而成為無(wú)用的區(qū)域(例如如圖10A和10B所示，從半導(dǎo)體晶片挑選四部分)內(nèi)通過(guò)使樹(shù)脂敷層15的厚度減少到能夠確認(rèn)在包含部分切割線的區(qū)域中的部分切割線的位置的厚度，能夠在薄膜區(qū)域16a中透過(guò)樹(shù)脂敷層看到樹(shù)脂敷層底下的圖形，因此可以確認(rèn)切割線的位置，并且在沿x1到x6和y1到y(tǒng)6的切割線切割半導(dǎo)體晶片10時(shí)確定給出在半導(dǎo)體晶片10上切割邊界的切割線16的位置，能夠精確地切割半導(dǎo)體晶片10。第二實(shí)施例根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件大體上和根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件一樣，所以將略去說(shuō)明。
通過(guò)參閱附圖將作關(guān)于根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法的說(shuō)明。首先，如圖11A所示，在半導(dǎo)體晶片10上形成半導(dǎo)體芯片的電路圖形(沒(méi)有用圖說(shuō)明)和半導(dǎo)體芯片之間的切割線(沒(méi)有用圖說(shuō)明)。在這里，在半導(dǎo)體晶片10的中心上形成半導(dǎo)體芯片的完整電路圖形的區(qū)域定義為第一區(qū)域A，同時(shí)在半導(dǎo)體晶片10的外周邊上沒(méi)有形成完整電路圖形而無(wú)用的區(qū)域定義為第二區(qū)域B。使半導(dǎo)體芯片之間的切割線形成延伸穿過(guò)從第一區(qū)域A到第二區(qū)域B的區(qū)域。其次，用汽相沉積工藝或汽相輸送工藝等方法至少在第一區(qū)域A上形成焊接劑、金或其他的突起部12a，以便與半導(dǎo)體芯片中的電路圖形連接。
下一步，如圖11B所示，把半導(dǎo)體晶片10放在第一模具30上，然后把樹(shù)脂片15a放在半導(dǎo)體晶片10上方。使第二模具31從上面朝著半導(dǎo)體晶片10壓，使片狀樹(shù)脂熔化，然后就在密封突起部12a之間空隙的同時(shí)在第一區(qū)域A內(nèi)進(jìn)行重新固化，由此在半導(dǎo)體晶片10的形成突起部12a的表面上形成樹(shù)脂敷層15。在這里，通過(guò)使用按照使在半導(dǎo)體晶片10的第一區(qū)域A中具有完全埋沒(méi)突起部12a的厚度和使在第二區(qū)域B中的至少包含部分切割線的區(qū)域上具有能夠確認(rèn)部分切割線的位置的厚度選擇的一對(duì)第一模具30和第二模具31，如圖11C所示。可以使部分第二區(qū)域B構(gòu)成的薄的區(qū)域16a中樹(shù)脂敷層15的厚度為20到30微米并且透過(guò)樹(shù)脂敷層可以看到樹(shù)脂敷層底下的圖形，所以能夠確認(rèn)切割線部分的位置。
然后，如圖12A所示，在第一區(qū)域A中，研磨樹(shù)脂敷層15，使厚度減小到至少露出部分突起部12a。
然后，如圖12B所示，在第一區(qū)域A中，使焊接劑球12b轉(zhuǎn)變成與突起部12a連接。由突起部12a和焊接劑球12b構(gòu)成突起部12。
其次，如圖12C所示，沿由在第一區(qū)域A和第二區(qū)域B中的半導(dǎo)體晶片10上形成的半導(dǎo)體芯片中的電路圖形之間的區(qū)域組成并給出半導(dǎo)體晶片10的切割邊界的切割線切割半導(dǎo)體晶片10(切成小片的步驟)以把半導(dǎo)體晶片10分割成各自具有分割的半導(dǎo)體芯片10a的CSP格式的半導(dǎo)體器件1和由半導(dǎo)體晶片10的外周邊組成的沒(méi)有完整電路圖形的無(wú)用部分3。在這里，在沿切割線切割半導(dǎo)體晶片10中，根據(jù)透過(guò)薄的樹(shù)脂敷層15看到的在下面的圖形直觀地確認(rèn)切割線的位置或者用CCD攝像機(jī)或諸如此類的設(shè)備攝取半導(dǎo)體晶片10的圖像并且在計(jì)算機(jī)上處理獲得的圖像來(lái)確認(rèn)切割線的位置，然后就沿用確認(rèn)的切割線作基準(zhǔn)位置的切割線切割半導(dǎo)體晶片10。
在上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中，與在第一實(shí)施例中一樣，能夠在薄膜區(qū)域16a中透過(guò)樹(shù)脂敷層看到樹(shù)脂敷層的底下圖形，因此可以確認(rèn)切割線的位置，并且在沿x1到x6和y1到y(tǒng)6的切割線切割半導(dǎo)體晶片10時(shí)給出在半導(dǎo)體晶片10上切割邊界的切割線16的位置，能夠精確地切割半導(dǎo)體晶片10。當(dāng)通過(guò)使用模具形成薄的區(qū)域時(shí)，能使用如圖10A或圖10B所示的圖形。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件可以應(yīng)用于MOS晶體管類型半導(dǎo)體器件、雙極半導(dǎo)體器件、BiCMOS半導(dǎo)體器件、帶邏輯和存儲(chǔ)的半導(dǎo)體器件以及一些其他的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件不局限于上述的實(shí)施例。例如，當(dāng)在第二區(qū)域中減小樹(shù)脂敷層的厚度以致能夠確認(rèn)切割線時(shí)，即使在薄的區(qū)域中最后完全去除樹(shù)脂敷層也是容許的。形成厚度使得部分突起部從底端就外露的樹(shù)脂敷層也是可能的。除此以外，在沒(méi)有超出本發(fā)明要點(diǎn)的范圍內(nèi)各種各樣的變換是可能的。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，由于在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成在第一區(qū)域上具有密封突起部之間空隙時(shí)的預(yù)定厚度和在第二區(qū)域內(nèi)的至少包含部分切割線的區(qū)域中具有能夠確認(rèn)部分切割線位置的厚度的樹(shù)脂敷層，所以在后續(xù)步驟中切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，在第二區(qū)域內(nèi)的至少包含部分切割線的區(qū)域中確認(rèn)切割線的位置是可以實(shí)現(xiàn)的并且確定給出在半導(dǎo)體晶片上切割邊界的切割線的位置，精確地切割半導(dǎo)體晶片是可以實(shí)現(xiàn)的。
參照為說(shuō)明而選擇的特殊的實(shí)施例描述本發(fā)明時(shí)，精通技術(shù)的人對(duì)此會(huì)在沒(méi)有脫離本發(fā)明的基本概念和范圍的情況下作各種各樣的變換，這應(yīng)該是顯而易見(jiàn)的。
權(quán)利要求
1.由在用樹(shù)脂密封在形成突起部的表面的突起部之間空隙的情況下在其表面上具有突起部的半導(dǎo)體芯片組成的組件格式的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法包括步驟在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域、至少在上述的第一區(qū)域上形成有上述的半導(dǎo)體芯片的電路圖形、以及形成有在半導(dǎo)體芯片之間穿過(guò)第一區(qū)域和第二區(qū)域延伸的切割線的半導(dǎo)體晶片上，至少在上述的第一區(qū)域上形成突起部以便與半導(dǎo)體芯片的電路圖形連接；在半導(dǎo)體晶片的形成上述的突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層，在上述的第一區(qū)域上以預(yù)定厚度密封突起部之間空隙而在第二區(qū)域中的包含至少一部分切割線的區(qū)域上其厚度能夠確認(rèn)部分切割線的位置；以及用在第二區(qū)域中的包含部分切割線的區(qū)域上確認(rèn)的切割線作基準(zhǔn)位置，沿上述的切割線切割上述的半導(dǎo)體晶片。
2.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其中上述的第一區(qū)域作成半導(dǎo)體晶片的中心區(qū)域和上述的第二區(qū)域作成半導(dǎo)體晶片的外周邊區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其中在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的步驟包括步驟在上述的第一區(qū)域和上述的第二區(qū)域上形成預(yù)定厚度的樹(shù)脂敷層，以及在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上使樹(shù)脂敷層的厚度減小到能夠確認(rèn)部分切割線的位置的厚度。
4.如權(quán)利要求3中所述的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法，其中，在按預(yù)定的厚度在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)形成樹(shù)脂敷層的步驟中，通過(guò)在熔化的樹(shù)脂中浸漬半導(dǎo)體晶片形成上述的樹(shù)脂敷層。
5.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其中，在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的步驟中，使用設(shè)計(jì)成給出在第一區(qū)域上預(yù)定厚度和給出第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上能夠確認(rèn)部分切割線的位置的厚度的模具來(lái)形成樹(shù)脂敷層。
6.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其中，在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的步驟中，在第二區(qū)域中的至少包含部分切割線的區(qū)域上形成具有不大于30微米的厚度的樹(shù)脂敷層。
7.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其中在半導(dǎo)體晶片的形成突起部的表面上形成樹(shù)脂敷層的步驟中，按完全埋沒(méi)第一區(qū)域中的突起部的厚度形成樹(shù)脂敷層，和在切割半導(dǎo)體晶片的步驟之前，還有使樹(shù)脂敷層的厚度減小直到使至少部分的突起部在第一區(qū)域上外露的步驟。
8.如權(quán)利要求1中所述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，其中在切割半導(dǎo)體晶片的步驟中，攝取半導(dǎo)體晶片的圖像并在計(jì)算機(jī)上處理以確認(rèn)切割線的位置。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法,能在劃片步驟中沿給出晶片上切割余量的切割線,精確定位地切割晶片。在半導(dǎo)體晶片10上第一區(qū)域內(nèi)形成芯片電路圖形,切割線16在半導(dǎo)體芯片之間穿過(guò)第一區(qū)域和第二區(qū)域,突起部用于芯片電路圖形連接,在晶片有突起部表面上樹(shù)脂敷層以預(yù)定厚度在第一區(qū)域內(nèi)密封突起部之間空隙在第二區(qū)域內(nèi)厚度至少能確認(rèn)部分切割線的位置,以及使用至少包含第二區(qū)域中的確認(rèn)切割線作基準(zhǔn)位置,沿切割線切割半導(dǎo)體晶片。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1250225SQ9912077
公開(kāi)日2000年4月12日 申請(qǐng)日期1999年9月28日 優(yōu)先權(quán)日1998年9月28日
發(fā)明者齋藤隆 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社