專利名稱：用于亞微米金屬刻蝕的低壓功率Cl的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及到半導(dǎo)體器件與電路的制造，更確切地說是涉及到一種采用氯(Cl2)和氯化氫(HCl)氣體在反應(yīng)離子刻蝕(RIE)中作亞微米金屬刻蝕的工藝。
傳統(tǒng)的RIE工藝采用相當(dāng)高的源功率(500W或更高的)的氯化硼(BCl3)與Cl2的化學(xué)過程。采用BCl3的歷史原因是這種氣體在反應(yīng)器中除了用作腐蝕劑之外，還用作氧(O2)的清除劑。在存在O2(即潮氣)的情況下，BCl3分解成B2O3和Cl2。BCl3的缺點(diǎn)是B2O3是反應(yīng)器中的顆粒源。
對(duì)于工作于15mT以下的現(xiàn)代高離子密度反應(yīng)器來說，不需要O2或潮氣清除劑，BCl3的這一性質(zhì)于是得不到利用。而且，采用這種方法的高功率工藝也有某些問題。問題之一是抗蝕劑腐蝕率高以及襯底電介質(zhì)(通常是二氧化硅(SiO2))的大量損失。而且，這種工藝更易于侵蝕，而以Al-Cu(Al中0.5％的Cu)橫向損耗為特征的所謂“鼠蝕”是不期望的。

圖1是“鼠蝕”的掃描電鏡(SEM)照片，圖2的SEM照片示出了侵蝕。侵蝕發(fā)生的原因是Cl2在存在H2O的情況下腐蝕被刻蝕的金屬線的側(cè)壁(SW)?！笆笪g”是由于缺乏SW鈍化而發(fā)生的侵蝕的一種形式。
在常規(guī)的金屬刻蝕中，離子密度被認(rèn)為控制側(cè)壁外形，而高的源功率(約為500W或更高)是一種獲得高離子密度的常用方法。授予Xiaobing等人的美國(guó)專利5,387,556公布了一種用含HCl、Cl的刻蝕劑和氮(N2)對(duì)鋁和鋁合金進(jìn)行刻蝕的工藝，它采用常規(guī)的電容耦合等離子工藝。在電容耦合的等離子體中，功率提供于反應(yīng)室的頂部或底部，且等離子體起電容器的作用。反應(yīng)室中較高的功率和較高的壓力導(dǎo)致較高的離子密度。不幸的是，較高的功率和壓力導(dǎo)致側(cè)壁的更大的腐蝕以及對(duì)電荷損傷與侵蝕更加敏感。此外，Xiaobing等人在刻蝕過程中使用磁場(chǎng)，因?yàn)檫@可能使片子上的半導(dǎo)體器件遭到電荷損傷，所以這是不好的。授予Harvilchuck等人的美國(guó)專利3,994,793也公布了鋁的RIE，它采用含鹵素具體是氯、溴、鹽酸和四氯化碳的刻蝕劑。Harvilchuck也指出了電容耦合等離子體的使用，并依賴于用氯或溴離子對(duì)被刻蝕層的“濺射”或“轟擊”。授予Kawai的美國(guó)專利5,223,085討論了用鹵化氫產(chǎn)生的等離子體對(duì)層的各向異性刻蝕。在Kawai等人的專利中，等離子體由電子回旋共振(ECR)源產(chǎn)生。其中高功率輸入被用來借助于共振匹配方式將能量轉(zhuǎn)移到等離子體中的電子。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種采用Cl2和HCl氣體的低功率和低壓RIE工藝，這種工藝在亞微米鋁和鋁合金刻蝕中產(chǎn)生更垂直的側(cè)壁輪廓并減輕了侵蝕。
本發(fā)明的另一目的是提供一種不采用磁場(chǎng)的刻蝕工藝，從而避免了對(duì)片子或其它襯底上的器件造成電荷損傷。
本發(fā)明的另一目的是提供一種三步工藝，它采用鈦基保護(hù)即”勢(shì)壘”層的物理濺射和體鋁或鋁合金層的化學(xué)腐蝕以實(shí)現(xiàn)多層金屬布線。
本發(fā)明的又一目的是提供一種用來控制RIE工藝中各反應(yīng)氣體比率的控制方式，使得可以制作極薄的側(cè)壁“鈍化”或”聚合物”或“淀積層”，可防止刻蝕工藝中的各向同性刻蝕，其本身很容易用側(cè)壁剝離方法清除以致爾后不會(huì)起侵蝕源的作用。
根據(jù)本發(fā)明，用低功率(＜350W)和低壓(＜15mT)RIE對(duì)鋁和鋁合金進(jìn)行各向異性刻蝕；從而避免了側(cè)壁腐蝕和其它與高功率RIE有關(guān)的問題，采用低功率工藝還導(dǎo)致RIE過程中用來對(duì)鋁或鋁合金進(jìn)行圖形化的疊加的圖形化光抗蝕劑的較小的紫外(UV)硬化，從而使它在抗蝕劑剝離過程中更容易清除。通常，用在集成電路中的布鋁有中間夾有一個(gè)體鋁或鋁合金層的頂部和底部勢(shì)壘層。頂層和底層通常包括鈦或鈦合金、其它金屬、金屬合金或金屬氮化物。這三層金屬化層根據(jù)本發(fā)明用三步工藝來圖形化，其中的反應(yīng)劑的比率被調(diào)整到在頂層和底層獲得熟知的濺射的物理型腐蝕，而在體鋁層獲得化學(xué)腐蝕。濺射穿通頂部勢(shì)壘層并在腐蝕穿底部勢(shì)疊層之后減小掏蝕。這一三步工藝簡(jiǎn)單地由勢(shì)壘層腐蝕過程中減少氯含量并在體鋁或鋁合金化學(xué)腐蝕過程中增加氯含量而實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明還提供了布鋁RIE各反應(yīng)氣體的最佳比率，從而諸如碳、鈦化合物和氧化合物之類的不作為氣態(tài)副產(chǎn)品被等離子室清除的腐蝕產(chǎn)物，在刻蝕過程中形成在金屬中的溝槽上產(chǎn)生一個(gè)很精細(xì)的側(cè)壁淀積層。反應(yīng)氣體包括氯、HCl和惰性氣體(例如氮、氬、氦等)。此側(cè)壁淀積約厚10-100埃，且能夠在RIE過程中防止或降低鋁或鋁合金的各向同性腐蝕，從而提供良好確定的側(cè)壁輪廓。用常規(guī)的側(cè)壁剝離操作(例如CF4、氧、H2O汽)，很容易清除這一精細(xì)的側(cè)壁淀積。由于厚的SW聚合物捕獲更多的腐蝕金屬線的Cl2，SW淀積厚得難以引起圖2所示的侵蝕，因而SW淀積的精細(xì)厚度是本發(fā)明的一個(gè)重要特征。對(duì)于隔離線和嵌套線，厚的SW鈍化也導(dǎo)致橫穿芯片線寬的變化(ACLV)。借助于調(diào)整側(cè)壁淀積的厚度，可減小ACLV。本工藝是無侵蝕的并產(chǎn)生一個(gè)不帶任何“鼠蝕”的刻蝕輪廓。由于侵蝕會(huì)導(dǎo)致器件成品率和可靠性下降，故本工藝提供了改進(jìn)的成品率和可靠性。
參照附圖，從本發(fā)明最佳實(shí)施例的下列詳細(xì)描述中，可更好地了解上述的和其它的目的、情況和優(yōu)點(diǎn)，在這些附圖中圖1是一個(gè)掃描電鏡(SEM)照片，示出了BCl3刻蝕中“鼠蝕”(侵蝕形式)的一個(gè)典型例子；圖2是一個(gè)SEM照片，示出了在現(xiàn)有工藝中產(chǎn)生的侵蝕的一個(gè)例子；圖3a示出了用于本工藝的三個(gè)步驟亦即清除頂部勢(shì)壘層的“穿通”步驟、腐蝕體鋁或鋁合金(例如AlCu)的“主腐蝕”步驟、和清除底部勢(shì)壘層的“過腐蝕”步驟的典型終點(diǎn)圖形。
圖3b、3c和3d是根據(jù)本發(fā)明被刻蝕的三部分金屬化層的順序剖面?zhèn)纫晥D；圖4是一個(gè)SEM圖，示出了由本發(fā)明的工藝產(chǎn)生的無侵蝕無鼠蝕的金屬線側(cè)壁；圖5是一個(gè)SEM圖，示出了刻蝕之后的Al-Cu線的側(cè)壁輪廓；圖6示出了在片子上金屬線電短路成品率方面，用本發(fā)明的工藝得到的結(jié)果好于用傳統(tǒng)工藝得到的結(jié)果；
圖7a和7b是比較圖，示出了以方塊電阻(電偏置)測(cè)得的臨界尺寸(CD)，表明根據(jù)本發(fā)明工藝用Cl2/HCl腐蝕的片子比傳統(tǒng)Cl2/BCl3工藝有更緊密的分布。
已發(fā)現(xiàn)當(dāng)采用變壓器耦合的等離子體(TCP)用氯和氯化氫進(jìn)行鋁和鋁合金刻蝕時(shí)，不需要高功率。在TCP中(常稱為“感應(yīng)耦合等離子體)，離化效率較好。在TCP中，用不同的功率源將功率加于刻蝕室的頂電極和底電極，而且電子在等離子體中的停留時(shí)間一般較長(zhǎng)，導(dǎo)致更多的碰撞并產(chǎn)生更多的離子，使離子密度增高。用在TCP中的電極可改變并可包括線圈之類。TCP在本技術(shù)中是眾所周知的，并使用TCP的設(shè)備，諸LAM9600，是市場(chǎng)有售的。但執(zhí)行TCP的設(shè)備的賣主由于過去有關(guān)電容耦合等離子體的經(jīng)驗(yàn)以及由于刻蝕鋁和鋁合金以外的襯底(例如聚酰亞胺和其它介質(zhì)等)所需的要求而推薦高功率腐蝕(＞500W)。于是，本發(fā)明就特別仔細(xì)考慮了低功率(＜350W)低壓(＜15mT)RIE刻蝕鋁和鋁合金的能力。
本工藝在Lam研究公司市售的LAM9600設(shè)備中開發(fā)得到，其所用的典型氣流速率和低功率列于下面的表1中表1
雖然表1提出刻蝕室的最佳壓力范圍為6-12，但應(yīng)該知道，根據(jù)本方法的RIE可以在小于15mT的任何壓力下進(jìn)行?！绊敳抗β省眳?shù)是加于位于被刻蝕襯底上方的頂部電極的功率，而“底部功率”參數(shù)是加于位于被刻蝕襯底下方的底部電極的功率。頂部和底部功率的數(shù)值調(diào)節(jié)著等離子體中的離子密度和襯底上的離子撞擊能量。應(yīng)該知道，在刻蝕過程中，底部功率偶然可超過頂部功率，而且刻蝕過程的目的是借助于延長(zhǎng)電子在等離子體中的停留時(shí)間而提高等離子體中的離子密度。氯離子的更長(zhǎng)的停留時(shí)間導(dǎo)致更多的碰撞，增加了離子的產(chǎn)生，故提高了離子密度?？衫庙敳亢偷撞抗β实淖兓瘉砀淖儽豢涛g的金屬化層的側(cè)壁外形角度；但在最佳實(shí)施例中，頂部和底部功率將在RIE過程中調(diào)節(jié)成在被層蝕的金屬化層中產(chǎn)生帶有垂直側(cè)壁的金屬線。
雖然表1提出了電極的溫度值和施加于被刻蝕的襯底的背面上的背面壓力值，但應(yīng)知道，根據(jù)應(yīng)用情況，這些數(shù)值可改變成超過所提出的范圍，而且不是實(shí)踐本發(fā)明所要求的。此電極溫度和背面壓力僅僅用來顯示本發(fā)明的RIE能夠在低溫和低壓下實(shí)行；因此，此工藝也是經(jīng)濟(jì)的。
表1提出了有助于本發(fā)明的RIE刻蝕工藝的各向異性本質(zhì)的Cl2、HCl和N2反應(yīng)劑的數(shù)值。雖然在表1中氮被用作惰性氣體，但顯然諸如氬或氦之類的其它惰性氣體也可以使用；但結(jié)果表明氮具有消除最終產(chǎn)品中的鼠蝕的優(yōu)點(diǎn)。反應(yīng)氣體和惰性氣體的范圍已被選成使刻蝕過程中形成的不被抽出反應(yīng)室的非氣態(tài)副產(chǎn)物淀積在形成于金屬化層中的溝槽的側(cè)壁上并在側(cè)壁上形成一個(gè)薄的保護(hù)層。
參照?qǐng)D3b、3c和3d可見，鋁或鋁合金金屬化層通常由一個(gè)底部勢(shì)壘層10、體鋁或鋁合金12以及上部勢(shì)壘層14組成。勢(shì)壘層10和14的厚度約為5-150nm，而體鋁或鋁合金12的厚度約為100-1500nm。最佳的鋁合金包括那些Cu和/或Si重量比濃度為0-5％的鋁合金。圖形化的光抗蝕劑16或其它圖形化掩模材料使區(qū)域18暴露。勢(shì)壘層通常由鈦或鈦合金制成，但可由諸如鉭(Ta)、鎢(W)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、釩(V)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、錸(Re)、鉿(Hf)以及金屬氮化物(MeN)或金屬硅氮化合物(Me-Si-N)之類的其它金屬或金屬合金(Me)制成。光抗蝕劑16可以是多種材料中的任何一種，而且在本發(fā)明實(shí)踐中，利用常規(guī)光刻圖形化了的深紫外(DUV)型或中紫外型光抗蝕劑由于刻蝕劑對(duì)Al-Cu金屬相對(duì)于光抗蝕劑的選擇性超過5而更為適用。可在市場(chǎng)上從Hoechst、Shipley、IBM、JSR和TOK以及AZ、Apex、JSR和TOK購(gòu)得適當(dāng)?shù)墓饪刮g劑。
當(dāng)金屬化層被刻蝕時(shí)，氯化鋁之類的某些副產(chǎn)物被抽出反應(yīng)室。但可能包括碳或氧或鈦或其它材料的非氣態(tài)副產(chǎn)物在溝槽形成時(shí)會(huì)在形成于區(qū)域18中的溝槽的側(cè)壁上形成一個(gè)薄的淀積膜或?qū)?0。這些副產(chǎn)物來自光抗蝕劑與刻蝕劑的反應(yīng)以及形成自勢(shì)壘層14的刻蝕產(chǎn)物。圖3c和3d示出了刻蝕穿過整個(gè)金屬化結(jié)合層(10、12和14)時(shí)淀積的層20。
本發(fā)明的一個(gè)特別優(yōu)點(diǎn)是在刻蝕過程中不需要或不采用磁場(chǎng)。由于不用磁場(chǎng)，就避免了引起片子或其它襯底上的器件遭受電荷損傷的危險(xiǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)特別情況是為了制作厚度約為10-100埃的極薄的側(cè)壁淀積層20。薄的側(cè)壁淀積層20的優(yōu)點(diǎn)是由于層20比體材料12或勢(shì)壘層10和14對(duì)反應(yīng)離子更加抗刻蝕，故使區(qū)域18中的刻蝕更加各向同性。但若淀積層20太厚，則形成在區(qū)域18中的溝槽的側(cè)壁由于較厚的側(cè)壁捕獲更多的引起侵蝕的氯而遭到侵蝕，而且較厚的側(cè)壁也會(huì)引起更大的ACLV。
列于表1的惰性氣體、氯和HCl的比率已通過經(jīng)驗(yàn)測(cè)試加以選擇，以便在表1所列的低壓條件下產(chǎn)生厚度為10-100埃的淀積層20。在本發(fā)明一種情況的實(shí)踐中，Cl2∶HCl∶惰性氣體的比率為25-150∶10-100∶0-30較好，而Cl2∶HCl∶惰性氣體的比率為50-100∶10-35∶10-20則最好。
本發(fā)明還仔細(xì)考慮了在刻蝕過程中用連接于刻蝕室的分光光度法或其它探測(cè)技術(shù)或者由刻蝕室引出的導(dǎo)管，可同時(shí)分析反應(yīng)副產(chǎn)物，而且探測(cè)到的反應(yīng)副產(chǎn)物可用于反饋控制回路以調(diào)節(jié)Cl2、HCl和惰性氣體的比率，使淀積的層20不致太厚或太薄(例如10-100埃最好)。
也可將氫(H2)加入到等離子體中，數(shù)量范圍最好是0-100sccm，這對(duì)于減少侵蝕是有用的。氫借助于與自由氯進(jìn)行反應(yīng)生成相對(duì)穩(wěn)定的產(chǎn)物HCl，而減小侵蝕。此外，H2還借助于使SiO2和Si可淀積在側(cè)壁上而提供更堅(jiān)固的側(cè)壁。
在刻蝕穿金屬化層之后，可用蒸汽處理(H2O氣)、氧等離子體或CF4處理之類的標(biāo)準(zhǔn)側(cè)壁剝離手續(xù)來清除淀積的層20。圖4和5分別示出了用本發(fā)明的刻蝕工藝刻蝕之后的無侵蝕且無鼠蝕的金屬線側(cè)壁和Al-Cu線側(cè)壁輪廓?？梢钥吹剑丝涛g工藝產(chǎn)生了帶有垂直側(cè)壁的亞微米線，其中很少有引起橫跨芯片線寬變化(ACLV)的鼠蝕或侵蝕。
圖3a-3d強(qiáng)調(diào)了本發(fā)明的另一種情況，其中由層10、12和14組成的金屬化層主要在三個(gè)步驟中被腐蝕。具體地說，頂部勢(shì)壘層14用離子轟擊的更為“物理”的濺射型刻蝕工藝來刻蝕。其實(shí)現(xiàn)方法是降低等離子體中的Cl2，使勢(shì)壘層14中的鈦和/或氮化鈦(Ti、TiN)主要由氯和HCl離子濺射作用來清除。例如，Cl2可降低到10-120sccm。根據(jù)勢(shì)壘層14的厚度，進(jìn)行短時(shí)間(例如5-25秒)但足以穿透勢(shì)壘層14同時(shí)使抗蝕劑16的腐蝕盡量小的濺射。然后用全部反應(yīng)氣體(例如25-150sccm的Cl2)選擇性地刻蝕體鋁或鋁合金12。鋁以氯化鋁和其它副產(chǎn)物的形式被清除，這更類似于化學(xué)腐蝕。用來刻蝕體鋁或鋁合金12的Cl2量最好大于刻蝕勢(shì)壘層14過程中所用的量。由于等離子體優(yōu)先于光抗蝕劑16而選擇鋁或鋁合金12；從而獲得選擇性腐蝕。在鋁或鋁合金12被刻蝕穿之后，用此刻蝕鋁或鋁合金層時(shí)所用的最好降低了的低的Cl2流速(例如0-120sccm)的更為物理型的濺射反應(yīng)或“離子轟擊”來刻蝕通常含有Ti/TiN的底部勢(shì)壘層10。這一刻蝕的最后一步不影響側(cè)壁輪廓，且低Cl2的使用導(dǎo)致刻蝕穿通之后的掏蝕盡可能小。
可使用探測(cè)氯化鋁和其它反應(yīng)副產(chǎn)物的探測(cè)器來控制刻蝕過程中Cl2流量的上升與下降?；蛘呖山?jīng)驗(yàn)確定流通高低Cl2量的時(shí)間，并根據(jù)各層的厚度以及用在RIE室中的壓力條件進(jìn)行變化。對(duì)于不同的冶金，可能要求某些工藝優(yōu)化。圖3a示出了從LAM TCP室標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)設(shè)備濾波二極管得到的一個(gè)典型的終點(diǎn)圖形，其中信道A示出了勢(shì)壘層10和14的刻蝕過程中的高的信號(hào)強(qiáng)度，而信道B示出了鋁或鋁合金的刻蝕過程中的高的信號(hào)強(qiáng)度。信道A和B被用來探測(cè)具有不同波長(zhǎng)的反應(yīng)副產(chǎn)物的發(fā)射(A濾波器＝703nm，表示Cl和Ti激發(fā)態(tài)，而B濾波器＝261nm，表示氯化鋁激發(fā)態(tài))。
圖6示出了片子上的鋁線用本發(fā)明的Cl2/HCl工藝腐蝕的情況下，幾個(gè)軌道的金屬“短路”產(chǎn)率。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)采用本發(fā)明的工藝時(shí)，得到了改進(jìn)了的結(jié)果。
圖7a和7b分別示出了用本發(fā)明的HCl/Cl2工藝以及Cl2/BCl3工藝刻蝕的鋁線的方塊電阻或“電偏置”(Ω)對(duì)線寬(μm)的關(guān)系。這些圖表明用HCl/Cl2工藝時(shí)達(dá)到了相當(dāng)緊密的分布。
雖然已用最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本技術(shù)領(lǐng)域熟練人員知道，本發(fā)明可在所附權(quán)利要求的構(gòu)思與范圍之內(nèi)作出修改而實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種用來對(duì)布鋁進(jìn)行圖形化的方法，它包含下列步驟將布鋁置于刻蝕室中；借助于分別向位于上述布鋁上方及下方的電極饋電而在上述刻蝕室中自Cl2、HCl和惰性氣體產(chǎn)生等離子體，其中每個(gè)上述電極被饋送的功率小于350W，且其中上述刻蝕室中的壓力小于15mT；以及用上述等離子體中形成的離子和原子團(tuán)刻蝕上述布鋁。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征是還包含下列步驟將一種圖形化材料加于上述布鋁的頂部表面；以及對(duì)上述圖形化材料進(jìn)行圖形化，使上述布鋁的一些區(qū)域暴露出來。
3.權(quán)利要求2的方法，其特征是上述圖形化材料是一種光抗蝕劑，并且上述圖形化步驟用光刻方法執(zhí)行。
4.權(quán)利要求1的方法，其特征是還包含從鋁和鋁合金中選擇上述布鋁的步驟。
5.權(quán)利要求4的方法，其特征是上述選擇步驟還包括使用至少在一個(gè)表面上涂覆有勢(shì)壘層的布鋁。
6.權(quán)利要求5的方法，其特征是還包含從金屬、金屬氮化物和金屬硅氮化合物中選擇上述勢(shì)壘層的步驟，其中的金屬選自Ta、Ti、Re、W、Mo、Cr、Nb、Hf、V和Zr。
7.權(quán)利要求5的方法，其特征是還包含在上述產(chǎn)生和刻蝕步驟中將上述等離子體中的上述Cl2的濃度在刻蝕上述布鋁時(shí)的相對(duì)較高的第一濃度和刻蝕上述勢(shì)壘層時(shí)的相對(duì)較低的第二濃度之間進(jìn)行調(diào)節(jié)的步驟。
8.權(quán)利要求4的方法，其特征是上述選擇步驟還包括使用其頂部和底部表面上涂覆有勢(shì)壘層的布鋁，而且還包含在上述產(chǎn)生和刻蝕步驟中將上述等離子體中的上述Cl2的濃度在刻蝕上述頂部表面上的上述勢(shì)壘層時(shí)的相對(duì)較低的第一濃度、刻蝕上述布鋁時(shí)的相對(duì)較高的第二濃度以及刻蝕上述底部表面上的上述勢(shì)壘層時(shí)的比上述相對(duì)較高的第二濃度更低的第三濃度之間進(jìn)行調(diào)節(jié)的步驟。
9.權(quán)利要求8的方法，其特征是上述相對(duì)較低的第一和第三濃度大致相同。
10.權(quán)利要求1的方法，其特征是還包含將位于上述布鋁上方的上述第一電極選擇成饋電50-350W，并將位于上述布鋁下方的上述第二電極選擇成饋電50-350W的步驟。
11.權(quán)利要求10的方法，其特征是還包含在上述產(chǎn)生和腐蝕過程中調(diào)整上述第一和第二電極的功率的步驟。
12.權(quán)利要求1的方法，其特征是還包含將上述惰性氣體選擇成N2的步驟。
13.權(quán)利要求12的方法，其特征是還包含將上述Cl2、HCl和上述N2的比率選擇成Cl2∶HCl∶N2＝25-150∶10-100∶0-30的步驟。
14.權(quán)利要求13的方法，其特征是上述Cl2、HCl和上述N2的上述比率為Cl2∶HCl∶N2＝50-100∶10-35∶10-20。
15.權(quán)利要求1的方法，其特征是還包含在上述產(chǎn)生步驟中將氫加入到上述刻蝕室中的步驟。
16.權(quán)利要求1的方法，其特征是上述產(chǎn)生和刻蝕步驟是在上述刻蝕室中不使用磁場(chǎng)的情況下執(zhí)行的。
17.權(quán)利要求1的方法，其特征是還包括下列步驟在上述刻蝕步驟中，在形成于上述布鋁中的溝槽上形成側(cè)壁層，上述側(cè)壁層是由上述刻蝕步驟中產(chǎn)生的刻蝕副產(chǎn)物所形成的；以及將上述側(cè)壁的厚度控制在10埃-100埃的厚度范圍內(nèi)。
全文摘要
向襯底上下方的電極饋送功率而產(chǎn)生變壓器耦合等離子體,用Cl
文檔編號(hào)H01L21/302GK1174898SQ97114078
公開日1998年3月4日 申請(qǐng)日期1997年7月4日 優(yōu)先權(quán)日1996年8月6日
發(fā)明者穆尼·D·納姆, 斯圖阿特·M·博恩, 羅瑟邁瑞·克里思蒂, 維林德·格里瓦爾, 瓦爾特·W·克科, 成田雅貴, 布魯諾·思普樂, 楊治華 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司, 株式會(huì)社東芝, 西門子公司