專利名稱：帶產(chǎn)生軸向磁場(chǎng)的單獨(dú)內(nèi)部組件的真空斷流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有軸向磁場(chǎng)的真空斷流器的構(gòu)造，特別是涉及這樣一種真空斷流器，它包括一個(gè)與一對(duì)接觸電極之一相關(guān)聯(lián)的，能產(chǎn)生磁場(chǎng)的單獨(dú)內(nèi)部組件。
真空斷流器用來(lái)切斷大約數(shù)千安培的強(qiáng)交流電流，它典型地包括位于一個(gè)真空外殼中的兩個(gè)可相對(duì)移動(dòng)的電極組件，或接觸式組件。在電流的傳導(dǎo)過(guò)程中，當(dāng)電極組件從一個(gè)普通的閉合回路狀態(tài)(此時(shí)每一個(gè)組件的一個(gè)接觸面與另一組件的接觸面貼合在一起)轉(zhuǎn)到一個(gè)開(kāi)式回路狀態(tài)(此時(shí)接觸面之間的觸點(diǎn)間隙一般小于1英寸)時(shí)，在電流消失之前，通常在接觸面之間的觸點(diǎn)間隙之間形成一電弧。在軸向磁場(chǎng)(AMF)真空斷流器中，在觸點(diǎn)間隙之間形成一個(gè)軸向磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)的作用是迫使最初的圓柱形高電流真空電弧迅速地?cái)U(kuò)散，并在觸點(diǎn)間隙內(nèi)連續(xù)地分布，故陽(yáng)極接觸僅是一種擴(kuò)散電流的無(wú)源集電極。這種產(chǎn)生高電流擴(kuò)散電弧的能力使該裝置具有優(yōu)異的斷流能力。
在一種AMF型真空斷流器中，做為每個(gè)電弧接點(diǎn)的部件而組裝的內(nèi)部裝置引導(dǎo)電流，以便產(chǎn)生AM(軸向)磁場(chǎng)B。B是產(chǎn)生AMF的電流I，軸向位置Z，接觸片間的距離d及組件的幾何形狀的函數(shù)。(為簡(jiǎn)化描述，我們不考慮B的徑向變化)。實(shí)際上，作為現(xiàn)有技術(shù)的帶AMF接觸器的工業(yè)用AMF真空斷流器，在兩個(gè)電極組件中，一般已使產(chǎn)生AMF的裝置具有同樣的幾何形狀，這樣在兩個(gè)接觸表面上施加的AMF也是一樣的，并且所施加的AMF對(duì)于觸點(diǎn)間隙的中心平面是對(duì)稱的。因此產(chǎn)生的B與瞬時(shí)電流I成比例。對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中AMF接觸器構(gòu)造的某些重要的工業(yè)實(shí)例，在美國(guó)專利No.4,260,864，4,367,382及4,620,074中有描述說(shuō)明。
用于構(gòu)成AMF真空斷流器的該現(xiàn)有技術(shù)有它不足的方面。因?yàn)樗鼈冇斜容^復(fù)雜的幾何形狀，所以與無(wú)AMF的接觸器相比，AMF接觸組件在某種程度上制造更困難并且成本更高。AMF接觸組件伴有附加的阻抗，這與要求真空斷流器有低的總阻抗的目的是對(duì)立的。在電流的傳導(dǎo)過(guò)程中，附加阻抗會(huì)在AMF接觸組件中引起額外的溫升，這與要求斷流器產(chǎn)生低熱的目的是對(duì)立的。溫升的原因部分是由渦流造成的，該渦流由真空斷流器內(nèi)導(dǎo)電部分中的正弦形AM磁場(chǎng)引起。由于這些渦流的作用減低了B的凈值，并增加了它對(duì)主電流的相滯后，故而也不希望有這些渦流。減少渦流的方法，例如在編號(hào)的共同申請(qǐng)中有所描述，往往會(huì)造成在接觸器或電極的幾何形狀方面有更大的復(fù)雜性。
因此，對(duì)于一種軸向磁場(chǎng)真空斷流器的要求是經(jīng)濟(jì)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，以及能有效地?cái)嚅_(kāi)強(qiáng)大的交流電流，并且沒(méi)有現(xiàn)有技術(shù)裝置的不足和缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種有軸向磁場(chǎng)的真空斷流器，它具有比現(xiàn)有技術(shù)的裝置低的阻抗。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有AM磁場(chǎng)的真空斷流器，它減少了在斷流器中產(chǎn)生的渦流熱，而且對(duì)接觸器及產(chǎn)生磁場(chǎng)的裝置而言不會(huì)增加其復(fù)雜性。
本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種有AM磁場(chǎng)的真空斷流器，它可產(chǎn)生斷開(kāi)電流所需的最小磁場(chǎng)。
根據(jù)本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)這些和其他目的，本發(fā)明提供了一種對(duì)峰值電流Im有最大斷流能力的真空斷流器，該斷流器包括第一及第二同軸定位的電極組件，它們可沿著由在開(kāi)路及閉路狀態(tài)間的共同軸線限定的縱向相對(duì)移動(dòng)，每一電極組件包括一個(gè)接觸面，它與另一電極組件的接觸表面相對(duì)。只有第一電極組件包括一個(gè)軸向磁場(chǎng)(AMF)組件，當(dāng)主電流I的一部分或全部流過(guò)它時(shí)，在接觸表面之間的觸點(diǎn)間隙中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)B。AMF組件是這樣構(gòu)成的，即當(dāng)瞬時(shí)電弧電流I(以千安(KA)計(jì))，處于它的峰值Im時(shí)，電極組件處在開(kāi)路狀態(tài)，B在軸向上的瞬時(shí)分量為Ba(以毫忒斯拉(mT)計(jì))，它作用在每個(gè)接觸表面的大部分上及其間，Ba的特征為5mTkAIm>Ba≥3.2mTkA(Im-9kA)---[1]]]>根據(jù)本發(fā)明的另一方面，AMF組件包括一普通的環(huán)形有效線圈，該線圈具有一平均半徑a，并包括N個(gè)周向有間隔的線圈段，每段有一軸向厚度的中點(diǎn)，它沿軸向距接觸表面的平均間距為Z0，線圈段限定了N個(gè)基本上相同的平行電流通路，進(jìn)入第一電極組件的接觸表面之前，有近于相等的斷流器電流I的支路電流I′流過(guò)它們，線圈段還限定了一低電流泄漏通路，在進(jìn)入第一電極組件的接觸表面之前，斷流器電流I的基本相等的支路電流aI′流過(guò)該通路，通過(guò)任何一線圈段的aI′小于I′，如此構(gòu)成的真空斷流器使a2[a2+(Z0+d)2]1.5≥5.09m-1(N+a)cosΦ[1-9kAIm]---[2]]]>式中d為處于開(kāi)路狀態(tài)的觸點(diǎn)間隙，Φ為由渦流引起的Ba對(duì)I的相移，a、Z0及d用米表示，Im用千安(kA)表示。
在本發(fā)明的一個(gè)典型實(shí)施例中，有效線圈段通常為圓形，一般每段是共面的，并且在圓周上間隔開(kāi)。在一個(gè)實(shí)施例中，真空斷流器的構(gòu)造參數(shù)是這樣的a大約為0.033米，Z0大約為0.0164米，N為2，Φ大約為37°，a大約為0.123，Im約為51千安，并且d小于或近似等于0.0128米。
在本發(fā)明的另一典型實(shí)施例中，線圈的構(gòu)造是這樣的，即線圈段限定了N個(gè)沿圓周隔開(kāi)的窄槽，每個(gè)窄槽與縱軸形成的傾角為θ，這樣每段重疊在相鄰段上，具有該結(jié)構(gòu)的真空斷流器使a2[a2+(Z0+d)2]1.5≥5.09m-1k(θ)·(N+a)cosΦ[1-9kAIm]---[3]]]>式中，k(θ)的范圍在1.0到1.2之間。在一個(gè)實(shí)施例中，d近似為0.008米，N＝6，而k(θ)近似為1.078。
本發(fā)明的上述目的及各方面情況可通過(guò)下述參照附圖所示典型實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明有更加全面的了解。
圖中所示為本發(fā)明的某些優(yōu)選典型實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，該發(fā)明不局限于作為例子而揭示的典型實(shí)施例，并且能在所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)進(jìn)行變化。


圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的真空斷流器的原理的局部軸向剖視圖；圖2為包含產(chǎn)生軸向磁場(chǎng)的一段線圈的電極組件的分解圖；圖3為圖2中沿3-3線的剖視圖。
圖4示出了裝有用以產(chǎn)生一軸向磁場(chǎng)的開(kāi)槽杯形設(shè)置的電極組件。
圖1示意地示出了按照本發(fā)明的有軸向磁場(chǎng)(AMF)的真空斷流器1的主要元件，該圖為不完整的部分剖視圖。其內(nèi)裝有普通的同軸定位的內(nèi)部元件的真空殼體3包括間隔開(kāi)的端蓋5及一個(gè)管狀絕緣殼體7，它們由金屬與絕緣的(metal-to-insulation)真空密封件9連接。在使用時(shí)，真空殼體內(nèi)一般被抽空到壓力大約為10-6乇(Torr)。在真空殼體內(nèi)放置第一電極組件11及第二電極組件13，在圖中它們處于開(kāi)路狀態(tài)。電極組件11、13分別與第一及第二電極柱15、17電耦合并由它們支承，這提供了與斷流器1之外的一個(gè)電路(未示出)的電連接。一個(gè)裝有柱15的可動(dòng)件的波紋管19可允許電極組件11，13在電極組件11，13彼此相互接觸的閉路狀態(tài)(未示出)和開(kāi)路狀態(tài)之間沿由電極組件11，13的共同軸線限定的縱向相對(duì)移動(dòng)。通常包圍在第一及第二電極組件11，13周圍，并在空間上與其隔開(kāi)的是一個(gè)為本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員所公知的、通常為圓柱形的金屬汽化冷凝屏蔽21。第一電極組件包括一個(gè)第一電極接觸片23，而第二電極組件13包括一個(gè)第二電極接觸片25，它們分別有接觸表面27、29，其中一個(gè)電極接觸片的接觸表面面對(duì)另一電極接觸片的接觸表面。兩個(gè)接觸表面27、29間的距離定義為觸點(diǎn)間隙，在處于開(kāi)路位置時(shí)其最大值為d，如圖1所示。
現(xiàn)有技術(shù)的典型AMF真空斷流器為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，每個(gè)電極包括一個(gè)由斷流器電流激磁的線圈式結(jié)構(gòu)，用于產(chǎn)生AMF。相反，真空斷流器1是非對(duì)稱式結(jié)構(gòu)，僅是第一電極組件11包含一個(gè)軸向磁場(chǎng)組件(AMF組件)31，它有磁場(chǎng)產(chǎn)生結(jié)構(gòu)，例如線圈33，當(dāng)由斷流器電流勵(lì)磁時(shí)，能產(chǎn)生軸向磁場(chǎng)(AMF)。第二電極組件13不包含AMF組件。這樣與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)中一般每個(gè)電極組件都含有產(chǎn)生AMF的結(jié)構(gòu)相比，降低了復(fù)雜性、成本、阻抗、溫升及渦流。可以理解，AMF組件能裝入可移動(dòng)電極組件或固定電極組件中的任一個(gè)。
真空斷流器一般由最大峰值斷流電流Im及一個(gè)最大回路電壓來(lái)標(biāo)定。在開(kāi)路狀態(tài)下，接觸表面27、29分開(kāi)時(shí)，最小容許的AMF做為用于確定AMF組件31的參數(shù)Im及d的依據(jù)。如果將額定電流規(guī)定為Irms，則Im=(2)Irms]]>。最好將AMF減少到其可容許的范圍內(nèi)，因?yàn)楫a(chǎn)生比所需軸向磁場(chǎng)大的接觸器設(shè)計(jì)將會(huì)導(dǎo)致其比所需的更加復(fù)雜，成本更高，阻抗、傳熱及渦流更大。
為了減少有害的陽(yáng)極活動(dòng)性，有一個(gè)臨界的或最小的AMF值。這個(gè)臨界的AMF值隨電弧電流線性地增加。當(dāng)觸點(diǎn)間隙在其最大給定值d時(shí)，在觸點(diǎn)間隙內(nèi)的最小可容許的AMF由斷流時(shí)的最大峰值電流Im來(lái)確定。
根據(jù)本發(fā)明，AMF組件31的構(gòu)成使得當(dāng)瞬時(shí)電弧電流為Im(千安)，并且觸點(diǎn)間隙完全按間距d分開(kāi)時(shí)，由AMF組件分別施加在接觸片23，25的接觸表面27，29上的大部分及其間的磁場(chǎng)B(毫忒斯拉)的瞬時(shí)軸向分量，符合下述關(guān)系5mTkAIm>Ba≥3.2mTkA(Im-9kA)---[4]]]>在產(chǎn)生AMF的結(jié)構(gòu)(即AMF組件31)位于第一電極組件11的接觸表面27的平面之后的情況下，電極組件11的幾何形狀可由Im，d及AMF組件31的幾何形狀的解析函數(shù)表示。在該情況下，在離開(kāi)AMF組件31及第一電極組件11的方向上，AMF的溫度隨沿觸點(diǎn)間隙的軸向距離單調(diào)地降低。那么，公式4中所述的特性變?yōu)?，?dāng)I＝Im′的一瞬間，在第二電極接觸片25的接觸表面29的軸向區(qū)域內(nèi)，由AMF組件施加的軸向磁場(chǎng)強(qiáng)度B由公式4求得，式中Im為千安(kA)。
在AMF組件31包括一帶有多個(gè)弧形段的有效線圈結(jié)構(gòu)的情況下，第一電極組件11的幾何形狀特性可由Im及d的解析函數(shù)表示。這包括以下情況，即例如有N個(gè)同樣的弧形線圈段，在電流進(jìn)入第一電極接觸片的接觸表面之前，通過(guò)它們流過(guò)相等部分的主電流。圖2及3示出了這種電極組件的實(shí)例，圖2為部件分解側(cè)視圖，而圖3為圖2的一個(gè)剖視圖。
電極組件100包括一個(gè)對(duì)接式電極接觸器102，以及在電極柱106及電極接觸器102之間耦合的AMF組件104。AMF組件104包括第一及第二線圈段108，110，每個(gè)線圈段沿圓周伸展近180度。一個(gè)通常為環(huán)形的基座112支承第一及第二線圈段108、110，并與電極柱106連接。在第一及第二線圈段108、110和電極接觸器102之間的電接觸分別由接線柱114及116來(lái)完成的。由圓柱形支架118提供用于接觸器102的附加支撐。接觸器102有一接觸表面120，它與無(wú)磁場(chǎng)的第二電極組件124的接觸表面112相對(duì)。
第一及第二線圈段108、110提供了兩個(gè)平行的支路電流通路。由支架118形成一條導(dǎo)電性低的通路，電流的一部分通過(guò)它分流到激勵(lì)線圈段108、110中，這部分電流比通過(guò)任何激勵(lì)線圈段的部分都小。雖然AMF組件104僅包括兩個(gè)激勵(lì)線圈段，可以認(rèn)為在AMF組件中可包括一個(gè)延伸約360度的單個(gè)環(huán)形激勵(lì)線圈，或多于兩個(gè)的激勵(lì)線圈。
現(xiàn)在回到在AMF組件中有N個(gè)激勵(lì)線圈段(例如第一及第二線圈段108、110)的一般情況，以及當(dāng)激勵(lì)線圈段相同時(shí)的特殊情況，設(shè)I′為通過(guò)一段的電流，并設(shè)aI′為通過(guò)泄漏通路(即支架118)的電流，此處0＜a＜1，那么總電流I＝(N+a)I′。設(shè)Z為從接觸表面120的平面到間隙126中的一個(gè)軸向位置測(cè)得的軸向距離，這樣0≤Z≤d。設(shè)Z0為從每段線圈的中心到接觸器102的接觸表面120的平面測(cè)得的距離并設(shè)a為線圈段的平均半徑。
假設(shè)由于渦流的影響，軸向磁場(chǎng)B滯后電流I一個(gè)相位移Φ，那么B=0.5a2μ0IcosΦ(N+a)[a2+(Z0+Z)2]1.5---[5]]]>式中B以忒斯拉為單位，μ0＝4π×10-7N/A2，I以安培為單位，參數(shù)(a，Z0及Z)的數(shù)量量綱為米。
當(dāng)I＝Im(千安)，Z＝d并且B的單位為毫忒斯拉時(shí)，公式〔5〕的詳細(xì)表示為B=a2μ0ImcosΦ(N+a)[a2+(Z0+d)2]1.5≥3.2mTkA[Im-9kA]---[6]]]>重新整理各項(xiàng)，這個(gè)改進(jìn)的接觸組件的量綱的詳細(xì)表達(dá)式為a2[a2+(Z0+d)2]1.5≥5.09m-1[1-9kAIm]---[7]]]>作為一個(gè)實(shí)例，設(shè)想有一種與圖2及3所示設(shè)計(jì)類似的，采用一種反向?qū)有徒佑|器的，直徑為3英寸的AMF接觸組件。在那種情況下，a＝0.033米，Z0＝0.0164米，N＝2并且a＝0.123。從有限元電磁場(chǎng)分析出發(fā)，我們可以認(rèn)定這種AMF接觸組件的相移Φ＝37°。我們也能認(rèn)定當(dāng)Im＝5.1×104安時(shí)，如果d≤0.0128米，這種構(gòu)造應(yīng)該滿足公式7。將這些參數(shù)值代入公式7，我們可得到12.75≥11.14，故對(duì)這樣的峰值電流及最大間隙來(lái)說(shuō)，這是一種成功的結(jié)構(gòu)組成。
當(dāng)AMF由一種杯形接觸器產(chǎn)生時(shí)，該接觸器具有一在接觸器配置的軸向上有沿相同方向傾斜的N個(gè)窄槽的空心圓柱形接觸載流器，AMF接觸組件的幾何形狀的特性也可由Im，d及AMF接觸組件的幾何形狀的解析函數(shù)表示。圖4示出了該種配置。一個(gè)第一電極組件200包括一個(gè)在電極接觸板204及電極棒206之間電耦合的呈開(kāi)槽杯形件202形式的AMF組件。槽208形成一用以產(chǎn)生磁場(chǎng)的一個(gè)軸向分量B的有效線圈段。設(shè)定a為開(kāi)槽區(qū)的平均半徑，并設(shè)定Z0為槽的平均高度加上接觸器204的厚度，此外，d為電極組件200與一相對(duì)的無(wú)軸向磁場(chǎng)的接觸組件210間的最大間隙。
大致上，開(kāi)槽的杯形配置可以設(shè)計(jì)成一種分段的激勵(lì)線圈，這與參考圖2及3在上述討論中分析的情況相似。為了優(yōu)化槽的傾角θ的范圍，由于傾斜狹槽的重疊將使實(shí)際的AMF值稍大于由公式5得出的值。設(shè)定適當(dāng)?shù)男拚禂?shù)為k(θ)，它一般為1.1左右。
采用將其結(jié)果用公式7表示的同樣的分析，我們得到用于該接觸組件的量綱的下述詳細(xì)表達(dá)式a2[a2+(Z0+d)2]1.5≥[Im-9)(N+a)m-1ImcosΦ---[8]]]>作為一個(gè)實(shí)例，設(shè)想在由美國(guó)專利No.4,620,074中所描述的帶有開(kāi)槽杯形接觸器配置的斷流器的情況下，它公開(kāi)了相對(duì)式的接觸器，每個(gè)接觸器有一開(kāi)槽杯形的產(chǎn)生AMF的結(jié)構(gòu)。對(duì)于在此描述的幾何形狀而言，a＝0.0415米，Z0＝0.0105米，d＝0.015米，N＝6及ζ＝75°。由于兩個(gè)AMF組件，在觸點(diǎn)間隙的中心的AMF總值為4.2μT/A，這比它們的最小可容許值3.5μT/A大。在對(duì)它們的分析中，a＝0，且相移Φ被認(rèn)為是無(wú)意義的。采用公式(5)的形式，如果k(ζ)是符合我們的估算值，即大約為1.078，就可得到它們確定的AM場(chǎng)強(qiáng)。
現(xiàn)在假設(shè)不是兩個(gè)AMF結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)都與一個(gè)電極組件相關(guān)聯(lián)，而是僅采用一個(gè)有上面引用的專利的幾何形狀的開(kāi)槽接觸器。如果最大的間隙d減至0.008米，保持k(ζ)＝1.078，并且假設(shè)Φ＝12.3°(即由圖2及3所示的兩段線圈產(chǎn)生的相移的1/3)，將它們代入公式(8)，這樣最大峰值電流為Im＝24,500安，可以預(yù)期消除在無(wú)軸向磁場(chǎng)的電極接觸器中與陽(yáng)極有關(guān)的問(wèn)題。這是在無(wú)AMF接觸器的表面上，B/I＝2μT/A時(shí)得到的，它比上述引用專利中所要求的值要低。
因此，采用在此所描述的本發(fā)明，能夠得到一種與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)相比，有顯著的斷流能力、簡(jiǎn)化的結(jié)構(gòu)及較低阻抗的真空斷流器。此外，與現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)計(jì)相比，該結(jié)果可以由一種每單位電流的較小的軸向磁場(chǎng)得到。
與上述的變化及實(shí)例、附加的變型相結(jié)合所揭示的本發(fā)明對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員而言現(xiàn)在已是顯而易見(jiàn)的了。本發(fā)明并不旨在局限于這里專門提到的變化，應(yīng)當(dāng)對(duì)所附權(quán)利要求提供相應(yīng)的參考資料，而不是對(duì)較佳實(shí)例的上述討論提供參考，從而了解其中要求了全部權(quán)利的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種具有峰值電流Im的最大斷流能力的真空斷流器(1)，包括第一及第二同軸定位的電極組件(11，13)，它們可沿著開(kāi)路狀態(tài)及閉路狀態(tài)之間的一條公共縱向軸線相對(duì)移動(dòng)，每一電極組件包括一接觸表面(27、29)，該接觸表面與另一電極組件的接觸表面(29、27)相對(duì)，僅有第一電極組件(11)包括AMF裝置(31)，它在電極組件(11，13)處于開(kāi)路狀態(tài)，并且瞬時(shí)電弧電流為Im(以千安計(jì))時(shí)，在接觸表面(27、29)之間的觸點(diǎn)間隙中產(chǎn)生一個(gè)基本上沿縱向的磁場(chǎng)B，B在軸向上的瞬時(shí)分量Ba，以毫忒斯拉計(jì)，作用在每個(gè)接觸表面(27、29)的大部分上，其值為5ImmT/kA≥Ba≥3.2(Im-9kA)mT/kA
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空斷流器(1)，其特征為，在開(kāi)路狀態(tài)時(shí)觸點(diǎn)間隙為d，并且AMF裝置(31)包括一通常為環(huán)形的有效線圈，該線圈的平均半徑為a并包括N個(gè)沿圓周隔開(kāi)的線圈段，每個(gè)線圈段有一從接觸表面(27)起沿縱向平均間距為Z0的中點(diǎn)，線圈段形成了N個(gè)實(shí)質(zhì)上是相等的平行電流通路，在進(jìn)入第一電極組件(11)的接觸表面(27)之前，經(jīng)過(guò)它們流過(guò)大致相等的斷流器I的支路電流I′；而且還有一低電流的泄漏通路，在進(jìn)入第一電極組件(11)的接觸表面(27)之前，通過(guò)該通路流過(guò)斷流器電流I的一支路電流aI′，aI′小于通過(guò)任一段線圈的I′，該真空斷流器的組成使得a2[a2+(Z0+d)2]1.5≥5.09m-1N+acosΦ[1-9kAIm]]]>式中，Φ是Ba與I的相移，a、Z0及d以米為單位計(jì)算，Im以千安為單位來(lái)計(jì)算。
3.由權(quán)利要求2所述的真空斷流器(1)，其特征為，線圈通常是圓形的，每個(gè)線圈段(108，110)通常是共面的，并且在圓周上是間隔開(kāi)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空斷流器(1)，其特征為，a為0.033米左右，Z0約為0.0164米，N為2，Φ為37°左右，a約為0.123，Im約為51千安，并且d小于或等于0.0128米左右。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空斷流器(1)，其特征為，線圈段限定了N個(gè)沿圓周間隔開(kāi)的槽(208)，每個(gè)槽相對(duì)于縱向軸線傾斜角θ，這樣每段重疊在相鄰一段上，該真空斷流器的構(gòu)成使得a2[a2+(Z0+d)2]1.5≥5.09m-1k(θ)(N+a)cosΦ[1-9kAIm]]]>式中，k(θ)的范圍近似地在1.0及1.2之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空斷流器(1)，其特征為，d約為0.008米，N＝6，而k(θ)約為1.078。
全文摘要
一種軸向磁場(chǎng)真空斷流器包括一個(gè)僅與兩個(gè)相對(duì)的電極組件之一相關(guān)聯(lián)的產(chǎn)生磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)。該產(chǎn)生磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)的特征在于當(dāng)瞬時(shí)電弧電流為I
文檔編號(hào)H01H33/18GK1144391SQ96102270
公開(kāi)日1997年3月5日 申請(qǐng)日期1996年6月6日 優(yōu)先權(quán)日1995年6月7日
發(fā)明者米歇爾·B·舒爾曼, 保羅·G·斯萊德 申請(qǐng)人:尹頓公司