本發(fā)明屬于集成電路制造，具體涉及一種監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法。

背景技術(shù)：

1、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，其不需要刷新電路就能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，還具有容量大，讀取速度比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(dram)快等優(yōu)點(diǎn)。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器具有高速度、低功耗與標(biāo)準(zhǔn)工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于pc、個(gè)人通信、消費(fèi)電子產(chǎn)品(智能卡、數(shù)碼相機(jī)、多媒體播放器)等領(lǐng)域。

2、sram制作工藝中，在相鄰柵極之間的較窄的凹槽區(qū)域(如圖1黃圈內(nèi))，以及淺溝槽隔離和有源區(qū)的交界區(qū)域(如圖2黃圈內(nèi))均存在凹陷(豁口)。層間介質(zhì)層填充相鄰柵極之間的凹槽，以及填充并覆蓋淺溝槽隔離和有源區(qū)，填充后在對(duì)應(yīng)的凹陷位置容易出現(xiàn)空洞的風(fēng)險(xiǎn)。這個(gè)空洞離接觸孔的距離很近，如果接觸孔關(guān)鍵尺寸大一點(diǎn)或者有源區(qū)偏移一點(diǎn)，接觸孔內(nèi)的阻擋層和金屬插塞將填充不好，最終導(dǎo)致器件連接有問題。目前平臺(tái)沒有監(jiān)測(cè)sram區(qū)域這種復(fù)雜結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層填充效果，無(wú)法監(jiān)測(cè)到sram內(nèi)類似上述凹陷位置有沒有空洞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，本發(fā)明能夠監(jiān)測(cè)復(fù)雜的填充結(jié)構(gòu)，疊加相鄰偽柵極之間的溝槽深寬比和偽有源區(qū)與淺溝槽隔離二者交界處凹陷兩個(gè)因素，也能基于該結(jié)構(gòu)去驗(yàn)證不同層間介質(zhì)層的填充工藝窗口。

2、本發(fā)明提供一種監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，包括：

3、提供襯底，在所述襯底中形成偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)，所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)包括若干沿第一方向并行排布的偽有源區(qū)，相鄰的偽有源區(qū)之間通過淺溝槽隔離間隔；

4、在所述襯底上方形成偽柵極結(jié)構(gòu)，所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括若干沿第二方向并行排布的偽柵極；所述偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)和所述淺溝槽隔離；所述第一方向和第二方向垂直；

5、通過調(diào)整設(shè)置所述偽有源區(qū)寬度和/或相鄰所述偽有源區(qū)間距，以及所述偽柵極寬度和/或相鄰所述偽柵極間距，模擬出層間介質(zhì)層需填充的溝槽結(jié)構(gòu)。

6、進(jìn)一步的，所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)偽有源區(qū)組，每個(gè)所述偽有源區(qū)組包括多個(gè)所述偽有源區(qū)，每個(gè)所述偽有源區(qū)組內(nèi)相鄰所述偽有源區(qū)的間距相等，各個(gè)所述偽有源區(qū)組的所述偽有源區(qū)的寬度均相等，各個(gè)所述偽有源區(qū)組的相鄰所述偽有源區(qū)的間距逐漸減小或逐漸增大。

7、進(jìn)一步的，各個(gè)所述偽有源區(qū)組的相鄰所述偽有源區(qū)的間距變化范圍為：0.30μm～0.10μm。

8、進(jìn)一步的，所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)偽柵極組，每個(gè)所述偽柵極組包括多個(gè)所述偽柵極，每個(gè)所述偽柵極組內(nèi)相鄰所述偽柵極的間距相等，各個(gè)所述偽柵極組的所述偽柵極的寬度均相等，各個(gè)所述偽柵極組的相鄰所述偽柵極的間距逐漸減小或逐漸增大。

9、進(jìn)一步的，各個(gè)所述偽柵極組的相鄰所述偽柵極的間距變化范圍為：0.52μm～0.14μm。

10、進(jìn)一步的，所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)、所述偽柵極結(jié)構(gòu)以及所述淺溝槽隔離單獨(dú)制作在晶圓裸片上。

11、進(jìn)一步的，sram中的測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)、所述偽柵極結(jié)構(gòu)以及所述淺溝槽隔離，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)和sram的正式存儲(chǔ)單元制作在同一晶圓上。

12、進(jìn)一步的，在所述襯底的存儲(chǔ)區(qū)域制作所述存儲(chǔ)單元，在所述襯底的測(cè)試區(qū)域制作所述測(cè)試結(jié)構(gòu)；所述存儲(chǔ)單元包括真實(shí)用于存儲(chǔ)作用的柵極和有源區(qū)。

13、進(jìn)一步的，所述存儲(chǔ)區(qū)域的所述有源區(qū)和所述測(cè)試區(qū)域的所述偽有源區(qū)在同一離子注入工藝中形成，所述存儲(chǔ)區(qū)域的所述柵極和所述測(cè)試區(qū)域的所述偽柵極在同一多晶硅沉積工藝中形成。

14、進(jìn)一步的，所述偽有源區(qū)與所述淺溝槽隔離二者有高低落差，且所述二者交界的地方落差更大形成凹陷。

15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：

16、本發(fā)明提供一種監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，包括：提供襯底，在襯底中形成偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)，偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)包括若干沿第一方向并行排布的偽有源區(qū)，相鄰的偽有源區(qū)之間通過淺溝槽隔離間隔；在襯底上方形成偽柵極結(jié)構(gòu)，偽柵極結(jié)構(gòu)包括若干沿第二方向并行排布的偽柵極；偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)和淺溝槽隔離；第一方向和第二方向垂直；通過調(diào)整設(shè)置偽有源區(qū)寬度和/或相鄰偽有源區(qū)間距，以及偽柵極寬度和/或相鄰偽柵極間距，模擬出層間介質(zhì)層需填充的復(fù)雜溝槽結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠監(jiān)測(cè)復(fù)雜的填充結(jié)構(gòu)，疊加相鄰偽柵極之間的溝槽深寬比和偽有源區(qū)與淺溝槽隔離二者交界處凹陷兩個(gè)因素，也能基于該結(jié)構(gòu)去驗(yàn)證不同層間介質(zhì)層的填充工藝窗口，適用于多種工藝平臺(tái)。

技術(shù)特征：

1.一種監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)偽有源區(qū)組，每個(gè)所述偽有源區(qū)組包括多個(gè)所述偽有源區(qū)，每個(gè)所述偽有源區(qū)組內(nèi)相鄰的所述偽有源區(qū)的間距相等，各個(gè)所述偽有源區(qū)組的所述偽有源區(qū)的寬度均相等，各個(gè)所述偽有源區(qū)組的相鄰所述偽有源區(qū)的間距逐漸減小或逐漸增大。

3.如權(quán)利要求2所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，各個(gè)所述偽有源區(qū)組的相鄰所述偽有源區(qū)的間距變化范圍為：0.30μm～0.10μm。

4.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括多個(gè)偽柵極組，每個(gè)所述偽柵極組包括多個(gè)所述偽柵極，每個(gè)所述偽柵極組內(nèi)相鄰所述偽柵極的間距相等，各個(gè)所述偽柵極組的所述偽柵極的寬度均相等，各個(gè)所述偽柵極組的相鄰所述偽柵極的間距逐漸減小或逐漸增大。

5.如權(quán)利要求4所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，各個(gè)所述偽柵極組的相鄰所述偽柵極的間距變化范圍為：0.52μm～0.14μm。

6.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)、所述偽柵極結(jié)構(gòu)以及所述淺溝槽隔離單獨(dú)制作在晶圓裸片上。

7.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，sram中的測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：所述偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)、所述偽柵極結(jié)構(gòu)以及所述淺溝槽隔離，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)和sram正式的存儲(chǔ)單元制作在同一晶圓上。

8.如權(quán)利要求7所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，在所述襯底的存儲(chǔ)區(qū)域制作所述存儲(chǔ)單元，在所述襯底的測(cè)試區(qū)域制作所述測(cè)試結(jié)構(gòu)；所述存儲(chǔ)單元包括真實(shí)用于存儲(chǔ)作用的柵極和有源區(qū)。

9.如權(quán)利要求8所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)區(qū)域的所述有源區(qū)和所述測(cè)試區(qū)域的所述偽有源區(qū)在同一離子注入工藝中形成，所述存儲(chǔ)區(qū)域的所述柵極和所述測(cè)試區(qū)域的所述偽柵極在同一多晶硅沉積工藝中形成。

10.如權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)sram層間介質(zhì)層填充的方法，其特征在于，所述偽有源區(qū)與所述淺溝槽隔離二者有高低落差，且所述二者交界的地方落差更大形成凹陷。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種監(jiān)測(cè)SRAM層間介質(zhì)層填充的方法，包括：提供襯底，在襯底中形成偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)，偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)包括若干沿第一方向并行排布的偽有源區(qū)，相鄰的偽有源區(qū)之間通過淺溝槽隔離間隔；在襯底上方形成偽柵極結(jié)構(gòu)，偽柵極結(jié)構(gòu)包括若干沿第二方向并行排布的偽柵極；偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨偽有源區(qū)結(jié)構(gòu)和淺溝槽隔離；第一方向和第二方向垂直；通過調(diào)整設(shè)置偽有源區(qū)寬度和/或相鄰偽有源區(qū)間距，以及偽柵極寬度和/或相鄰偽柵極間距，模擬出層間介質(zhì)層需填充的復(fù)雜溝槽結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠監(jiān)測(cè)復(fù)雜的填充結(jié)構(gòu)，疊加相鄰偽柵極之間的溝槽深寬比和偽有源區(qū)與淺溝槽隔離二者交界處凹陷兩個(gè)因素，也能基于該結(jié)構(gòu)去驗(yàn)證不同層間介質(zhì)層的填充工藝窗口。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇步春,楊輝,車?yán)?李俊杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6