本說明書涉及制造半導(dǎo)體器件。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以應(yīng)用于制造例如用于汽車應(yīng)用的集成電路(ic)半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、設(shè)置有所謂的四方扁平封裝(qfp)的半導(dǎo)體器件(例如，用于汽車或工業(yè)應(yīng)用)可具有相對較多數(shù)量的輸入/輸出(i/o)引腳(或引線)。

2、例如，在超高密度(shd)或超超高密度(sshd)器件的情況下，可能具有超過上百個(gè)引腳。

3、在此類基于引線框的封裝中，半導(dǎo)體芯片/管芯被布置在引線框的管芯焊盤上且電耦合到被設(shè)置在管芯焊盤周圍的多個(gè)引線。

4、導(dǎo)線通常用于在半導(dǎo)體管芯與引線之間提供期望的耦合。

5、還可使用導(dǎo)線來提供半導(dǎo)體管芯與管芯焊盤之間的電耦合，所述管芯焊盤時(shí)常用于為器件提供接地電平。

6、使用目前的處理技術(shù)(例如沖壓或蝕刻)，可以形成具有約150微米至180微米的最小節(jié)距的引線；由于相對較多的引線數(shù)量和減小的封裝尺寸，管芯焊盤和引線的近端之間的距離不能減小到超過最小值，從而導(dǎo)致將管芯耦合到引線的導(dǎo)線相對較長。

7、已觀察到更長的導(dǎo)線更易于出現(xiàn)與模制步驟相關(guān)的問題；事實(shí)上，半導(dǎo)體器件的當(dāng)前制造工藝包括模制步驟，其中將樹脂或環(huán)氧樹脂模制化合物(例如emc，環(huán)氧樹脂)模制到器件上以形成保護(hù)塑料體。在該過程中，模制槽腔中的樹脂流可導(dǎo)致導(dǎo)線“掃掠(sweep)”，即響應(yīng)于由流動(dòng)的模制化合物施加的粘滯曳力而變形。

8、導(dǎo)線掃掠可能超過規(guī)范，或者在最壞的情況下，導(dǎo)致兩個(gè)相鄰的導(dǎo)線接觸，從而形成不希望的短路。

9、此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的是，在器件的處理(或僅僅是處理，例如)期間，長導(dǎo)線往往更容易損壞(失效)。

10、損壞或短路的線可能導(dǎo)致器件在處理中的故障，并因此而被廢棄(rejection)，不利地影響制造產(chǎn)量，并導(dǎo)致制造工藝的相對低的時(shí)間和成本效率。

11、本領(lǐng)域需要克服上述缺點(diǎn)的實(shí)施例。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及一種方法。

2、一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及相應(yīng)的半導(dǎo)體器件。

3、本文所述的解決方案有助于減小用于將半導(dǎo)體管芯電耦合到引線或管芯焊盤的導(dǎo)線的長度。

4、在如本文所述的解決方案中，提供期望耦合的導(dǎo)電路徑的一部分經(jīng)由導(dǎo)電材料(例如，諸如銅的金屬)的沉積/生長而形成。

5、本文所述的解決方案可利用激光直接成型(lds)來形成所需電耦合的一部分。

技術(shù)特征：

1.一種方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述導(dǎo)電路徑段和所述引線接合封裝在第二電絕緣封裝件中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個(gè)導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中提供所述導(dǎo)電路徑段包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括將所述導(dǎo)電路徑段、所述另一導(dǎo)電路徑段、所述引線接合和所述另一引線接合封裝在第二電絕緣封裝件中。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個(gè)導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中提供所述另一導(dǎo)電路徑段包括：

11.一種器件，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，還包括封裝所述導(dǎo)電路徑段和所述引線接合的第二電絕緣封裝件。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個(gè)導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中所述導(dǎo)電路徑段包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，進(jìn)一步包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，還包括第二電絕緣封裝件，所述第二電絕緣封裝件封裝所述導(dǎo)電路徑段、所述另一導(dǎo)電路徑段、所述引線接合和所述另一引線接合。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其中所述管芯安裝位置相對于所述管芯安裝位置周圍的所述多個(gè)導(dǎo)電引線下移設(shè)置。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其中所述第一電絕緣封裝件包括激光直接成型lds模制化合物。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述另一導(dǎo)電路徑段包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及制造半導(dǎo)體器件的方法和對應(yīng)的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體管芯安裝在具有導(dǎo)電襯底部分的襯底上。導(dǎo)電襯底部分包括管芯安裝位置和圍繞管芯安裝位置的導(dǎo)電引線。半導(dǎo)體管芯安裝在管芯安裝位置的第一表面上。襯底和半導(dǎo)體管芯被封裝在具有與第一表面相對的表面的電絕緣封裝件中。提供導(dǎo)電路徑以將半導(dǎo)體管芯電耦合到導(dǎo)電襯底部分之一。所述電氣導(dǎo)電路徑包括：第一路徑段，其在所述導(dǎo)電襯底部分與所述電絕緣封裝件的表面處的中間點(diǎn)之間延伸穿過所述電絕緣封裝件和/或在所述電絕緣封裝件上方延伸；以及第二路徑段，其經(jīng)由導(dǎo)線接合提供且在所述半導(dǎo)體管芯與所述電絕緣封裝件的表面處的中間點(diǎn)之間延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：P·馬格尼,A·阿里戈尼,G·米薩格利亞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體國際公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9