本發(fā)明涉及一種電磁波控制元件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、近年來，在研究將具備基材及由導(dǎo)電性材料等構(gòu)成且設(shè)置于基材表面的圖案的電磁波控制元件適用于頻率0.1thz～10thz(波長為30μm～3000μm)的電磁波(以下，還記載為太赫茲頻段的電磁波。)用光學(xué)元件。

2、例如，在日本特開2021-114647號公報中，公開了一種電波反射裝置，其具備超材料和電介質(zhì)基材，該超材料具備超表面基材及設(shè)置于超表面基材表面的金屬膜的圖案。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、對超材料要求各種特性，能夠改變電磁波的透射率為其要求之一。在日本特開2021-114647號公報的電波反射裝置中，通過變更超材料與電介質(zhì)基材的距離，控制超材料中的電磁波透射率。

3、在上述電磁波的透射率的控制方法中，根據(jù)電磁波的波長區(qū)域，存在上述距離的變更量變大的傾向，電磁波的透射率控制的簡便性存在改善的余地。

4、本發(fā)明的實施方式所要解決的課題在于提供一種通過施加電壓而能夠容易地控制在電磁波的至少一部分波長處的透射率的電磁波控制元件及其制造方法。

5、用于解決技術(shù)課題的手段

6、用于解決課題的具體手段如下。

7、＜1＞一種電磁波控制元件，其具備第1圖案狀導(dǎo)電層、絕緣層及包含導(dǎo)電率隨電壓變化的材料的層。

8、＜2＞根據(jù)上述＜1＞所述的電磁波控制元件，其在上述包含導(dǎo)電率隨電壓變化的材料的層的與設(shè)置有所述絕緣層的一側(cè)相反的一側(cè)還具備第2圖案狀導(dǎo)電層。

9、＜3＞根據(jù)上述＜1＞或＜2＞所述的電磁波控制元件，其中，

10、上述第1圖案狀導(dǎo)電層對于0.2thz～0.4thz的電磁波的透射衰減率的最小值為-5.0db以上。

11、＜4＞根據(jù)上述＜1＞至＜3＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

12、上述第1圖案狀導(dǎo)電層包含2個以上的線狀結(jié)構(gòu)體或線狀開口部。

13、＜5＞根據(jù)上述＜4＞所述的電磁波控制元件，其中，

14、相鄰的上述線狀結(jié)構(gòu)體或上述線狀開口部的最短距離為1000μm以下。

15、＜6＞根據(jù)上述＜1＞至＜5＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

16、上述導(dǎo)電率隨電壓變化的材料包含二維材料。

17、＜7＞根據(jù)上述＜6＞所述的電磁波控制元件，其中，

18、上述二維材料具有碳。

19、＜8＞根據(jù)上述＜1＞至＜7＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

20、上述導(dǎo)電率隨電壓變化的材料包含石墨烯。

21、＜9＞根據(jù)上述＜1＞至＜8＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

22、上述導(dǎo)電率隨電壓變化的材料包含帶隙為3.0ev以上的材料。

23、＜10＞根據(jù)上述＜1＞至＜9＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

24、上述導(dǎo)電率隨電壓變化的材料包含氧化物半導(dǎo)體。

25、＜11＞根據(jù)上述＜10＞所述的電磁波控制元件，其中，

26、上述氧化物半導(dǎo)體具有in及zn中的至少一種。

27、＜12＞根據(jù)上述＜1＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

28、上述第1圖案狀導(dǎo)電層包含金屬。

29、＜13＞根據(jù)上述＜2＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

30、上述第2圖案狀導(dǎo)電層包含金屬。

31、＜14＞根據(jù)上述＜1＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

32、上述第1圖案狀導(dǎo)電層包含金屬配線。

33、＜15＞根據(jù)上述＜2＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

34、上述第2圖案狀導(dǎo)電層包含金屬配線。

35、＜16＞根據(jù)上述＜1＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

36、上述第1圖案狀導(dǎo)電層包含氧化物導(dǎo)電體。

37、＜17＞根據(jù)上述＜2＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

38、上述第2圖案狀導(dǎo)電層包含氧化物導(dǎo)電體。

39、＜18＞根據(jù)上述＜1＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

40、上述第1圖案狀導(dǎo)電層包含氧化物導(dǎo)電體配線。

41、＜19＞根據(jù)上述＜2＞至＜11＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

42、上述第2圖案狀導(dǎo)電層包含氧化物導(dǎo)電體配線。

43、＜20＞根據(jù)上述＜1＞至＜19＞中任一項所述的電磁波控制元件，其在上述第1圖案狀導(dǎo)電層的與設(shè)置有所述絕緣層的一側(cè)相反的一側(cè)還具備基材。

44、＜21＞根據(jù)上述＜20＞所述的電磁波控制元件，其中，

45、上述基材在頻率28ghz下的損耗角正切為0.05以下。

46、＜22＞根據(jù)上述＜20＞或＜21＞所述的電磁波控制元件，其中，

47、上述基材對于波長550nm的光的透光率為5％以上。

48、＜23＞根據(jù)上述＜20＞至＜22＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

49、上述基材包含無機化合物。

50、＜24＞根據(jù)上述＜23＞所述的電磁波控制元件，其中，

51、上述無機化合物為選自包括玻璃、陶瓷及硅的組中的1種以上的化合物。

52、＜25＞根據(jù)上述＜20＞至＜22＞中任一項所述的電磁波控制元件，其中，

53、上述基材包含樹脂。

54、＜26＞根據(jù)上述＜25＞所述的電磁波控制元件，其中，上述樹脂為選自包括環(huán)烯烴聚合物、聚酰亞胺、改性聚酰亞胺、液晶聚合物及氟聚合物的組中的1種以上的樹脂。

55、＜27＞一種電磁波控制元件的制造方法，其包括：

56、在基材上形成第1圖案狀導(dǎo)電層的工序；

57、在上述第1圖案狀導(dǎo)電層上形成絕緣層的工序；及

58、在上述絕緣層上形成包含導(dǎo)電率隨電壓變化的材料的層的工序。

59、發(fā)明效果

60、根據(jù)本發(fā)明的一實施方式，能夠提供一種通過施加電壓而能夠容易地控制在電磁波的至少一部分波長處的透射率的電磁波控制元件及其制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種電磁波控制元件，其具備第1圖案狀導(dǎo)電層、絕緣層及包含導(dǎo)電率隨電壓變化的材料的層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波控制元件，其中，在所述包含導(dǎo)電率隨電壓變化的材料的層的與設(shè)置有所述絕緣層的一側(cè)相反的一側(cè)還具備第2圖案狀導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁波控制元件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁波控制元件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電磁波控制元件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁波控制元件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁波控制元件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁波控制元件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁波控制元件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁波控制元件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電磁波控制元件，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波控制元件，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波控制元件，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波控制元件，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波控制元件，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波控制元件，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波控制元件，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波控制元件，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波控制元件，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁波控制元件，其中，

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電磁波控制元件，其中，

22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電磁波控制元件，其中，

23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電磁波控制元件，其中，

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電磁波控制元件，其中，

25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電磁波控制元件，其中，

26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的電磁波控制元件，其中，

27.一種電磁波控制元件的制造方法，其包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種具備第1圖案狀導(dǎo)電層、絕緣層及包含導(dǎo)電率隨電壓變化的材料的層的電磁波控制元件及電磁波控制元件的制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：小野雅司,安田英紀(jì)
受保護的技術(shù)使用者：富士膠片株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9