本申請涉及半導體激光，特別是涉及一種半導體激光器。

背景技術：

1、半導體激光器的光場是發(fā)散的而且是不對稱的，在垂直pn結平面方向(快軸方向)，發(fā)散角較大，通常在20°～45°之間；在平行pn結平面方向(慢軸方向)，發(fā)散角較小，通常在6°～12°之間，由此，半導體二極管激光器的光場在空間分布呈橢圓形，針對某些應用時需要對激光斑進行整形勻化，而目前的半導體激光器無法用于其光斑傳輸及整形勻化。

技術實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N半導體激光器，旨在改善半導體激光器無法對光斑進行整形勻化的問題。

2、為實現(xiàn)上述技術效果，本申請采用的一個技術方案是：提供一種半導體激光器，包括：

3、熱沉，熱沉沿第一方向上的一端設有多個第一梯型臺階；

4、多個光源模塊，連接于第一梯型臺階，每一第一梯型臺階上設有至少一光源模塊；以及

5、波導模塊，波導模塊設有多個第二梯型臺階，多個第二梯型臺階分別對應設置于多個第一梯型臺階沿第一方向上的一側；

6、每一第二梯型臺階分別具有入光端面、鄰接于入光端面的第一反光面以及一出光端面，入光端面與第一反光面呈夾角設置，入光端面與對應第一梯型臺階上的光源模塊的出光端面相對設置，入光端面與對應第一梯型臺階上的光源模塊的出光方向相垂直設置。

7、在一些示例中，波導模塊還具有第二反光面，第二反光面設于入光端面和出光端面之間，第二反光面朝向第一反光面四周設置，用于和所述第一反光面形成反射腔對入射光進行反射傳導。

8、在一些示例中，第二反光面與入光端面相垂直設置。

9、在一些示例中，波導模塊還具有第三反光面，第三反光面設于第二反光面和出光端面之間，用于將第一反光面和第二反光面反射的光線向出光端面方向壓縮反射。

10、在一些示例中，入光端面的總面積大于出光端面的總面積。

11、在一些示例中，半導體激光器還包括殼體，熱沉、光源模塊以及波導模塊設于殼體。

12、在一些示例中，半導體激光器還包括連接于熱沉的散熱裝置，散熱裝置用于對熱沉進行散熱。

13、以上方案，通過在熱沉上設置多個第一梯型臺階，可以在每一梯型臺階上安裝至少一個光源模塊，進而可以便于將多個光源模塊形成光源陣列，從而提高單位面積的輸出功率；通過在波導模塊上設置多個與第一梯型臺階相對應的第二梯型臺階，使得每一第一梯型臺階上的光源模塊可以對應垂直入射至第二梯型臺階，通過波導模塊中進行反射勻化后輸出，以使輸出的光斑能量分布均勻。

技術特征：

1.一種半導體激光器，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述波導模塊還具有第二反光面，所述第二反光面設于所述入光端面和所述出光端面之間，所述第二反光面朝向所述第一反光面四周設置，用于和所述第一反光面形成反射腔對入射光進行反射傳導。

3.如權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述第二反光面與所述入光端面相垂直設置。

4.如權利要求3所述的半導體激光器，其特征在于，所述波導模塊還具有第三反光面，所述第三反光面設于所述第二反光面和所述出光端面之間，用于將所述第一反光面和第二反光面反射的光線向所述出光端面方向壓縮反射。

5.如權利要求1至4中的任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述入光端面的總面積大于所述出光端面的總面積。

6.如權利要求1至4中的任一項所述的半導體激光器，其特征在于，

7.如權利要求1至4中的任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器還包括連接于所述熱沉的散熱裝置，所述散熱裝置用于對所述熱沉進行散熱。

技術總結
本申請公開了一種半導體激光器，包括熱沉、波導模塊以及多個光源模塊；熱沉沿第一方向上的一端設有多個第一梯型臺階；多個光源模塊連接于第一梯型臺階，每一第一梯型臺階上設有至少一光源模塊；波導模塊設有多個第二梯型臺階，多個第二梯型臺階分別對應設置于多個第一梯型臺階沿第一方向上的一側；每一第二梯型臺階分別具有入光端面、鄰接于入光端面的第一反光面以及一出光端面，入光端面與第一反光面呈夾角設置，入光端面與對應第一梯型臺階上的光源模塊的出光端面相對設置，入光端面與對應第一梯型臺階上的光源模塊的出光方向相垂直。本申請示例通過使每一第一梯型臺階上的光源模塊可以對應垂直入射至第二梯型臺階，使輸出的光斑能量分布均勻。

技術研發(fā)人員：蔡萬紹,趙森,王先兆,賀永貴,宋華,張路
受保護的技術使用者：深圳活力激光技術有限公司
技術研發(fā)日：20231229
技術公布日：2025/1/9