本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種功率模塊和電氣產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置是這樣形成的：功率半導(dǎo)體元件被安裝在電路基板上，功率半導(dǎo)體裝置，例如功率模塊，以大電流和高電壓運行。在電路基板上還設(shè)置有引腳等其他電子元件，通過焊接被連接于電路基板上，并澆注熱固性樹脂將電子元件密封在電路基板上。

2、在現(xiàn)有的上述結(jié)構(gòu)中，為了使被焊接在電路基板上的引腳更加穩(wěn)定地被固定在電路基板上，在引腳周圍設(shè)置有圓筒狀的引腳連接器。

3、應(yīng)該注意，上面對技術(shù)背景的介紹只是為了方便對本申請的技術(shù)方案進行清楚、完整的說明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的背景技術(shù)部分進行了闡述而認為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，雖然公開了具有一定厚度的呈圓筒狀的引腳連接器，但是，該筒狀引腳連接器用于插入引腳的孔的大小存在難以管理的問題，當該孔較窄時，會導(dǎo)致引腳難以插入，當該孔過大時，則無法有效固定引腳。

2、針對上述問題，在澆注熱固性樹脂進行密封時，可以在該筒狀引腳連接器的外壁設(shè)置作為防脫構(gòu)造的凹凸，但是在該凹凸中無法完全填充熱固性樹脂，導(dǎo)致該筒狀引腳連接器無法有效地固定引腳。

3、為了解決上述問題之一或其他類似問題，本申請實施例提供一種功率模塊和電氣產(chǎn)品。

4、根據(jù)本申請實施例的第一方面，提供一種功率模塊，所述功率模塊包括：

5、電路基板；

6、發(fā)熱元件，其設(shè)置于所述電路基板；

7、引腳，其一端設(shè)置于所述電路基板，另一端朝向遠離所述電路基板的方向延伸；以及，

8、引腳連接器，其以包圍所述引腳的方式設(shè)置于所述電路基板，所述引腳連接器具有第一表面、第二表面、以及連接所述第一表面和所述第二表面的側(cè)面，所述第一表面與所述電路基板抵接，所述第二表面與所述第一表面在所述引腳的延伸方向上對置；

9、所述發(fā)熱元件、所述引腳連接器的所述側(cè)面、以及所述電路基板的至少一部分通過傳遞模塑成型工藝被熱固性樹脂模塑覆蓋密封；

10、在上述實施例中，所述引腳連接器的所述側(cè)面的至少一部分為傾斜面，且所述傾斜面靠近所述發(fā)熱元件側(cè)且向所述電路基板的方向延伸。

11、根據(jù)本申請實施例的第二方面，所述引腳的所述另一端朝向遠離所述電路基板并與之垂直的方向延伸。

12、根據(jù)本申請實施例的第三方面，所述引腳連接器的所述傾斜面上設(shè)置有至少一個凸部。

13、根據(jù)本申請實施例的第四方面，所述引腳連接器的所述側(cè)面上設(shè)置有至少一個凸部。

14、根據(jù)本申請實施例的第五方面，所述引腳連接器的所述傾斜面形成為由所述引腳連接器的所述第二表面至所述第一表面的整個側(cè)面上；所述引腳連接器在垂直于所述電路基板的截面上呈梯形。

15、根據(jù)本申請實施例的第六方面，所述發(fā)熱元件為功率元件。

16、根據(jù)本申請實施例的第七方面，所述功率元件為絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgate?bipolar?transistor，igbt)、或碳化硅金氧半場效晶體管(sic?metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor,sic?mosfet)mosfet、或氮化鎵高電子遷移率晶體管晶體管(gan?high?electron?mobility?transistor,gan?hemt)。

17、根據(jù)本申請實施例的第八方面，所述引腳連接器以及所述熱固性樹脂模塑的材質(zhì)均為樹脂，在上述實施例中，所述熱固性樹脂模塑所采用的樹脂的最高熔點不高于所述引腳連接器所采用的樹脂的最低熔點；

18、在上述實施例中，所述引腳連接器通過樹脂與所述引腳的至少一部分一體成型。

19、根據(jù)本申請實施例的第九方面，所述引腳具有被所述引腳連接器包裹的第一直徑和突出于所述引腳連接器的第二直徑，其中，所述第一直徑大于所述第二直徑。

20、根據(jù)本申請實施例的第十方面，所述熱固性樹脂模塑的第二表面形成為與所述引腳連接器的第二表面一致，或，所述熱固性樹脂模塑的第二表面低于所述引腳連接器的第二表面。

21、根據(jù)本申請實施例的第十一方面，所述熱固性樹脂通過傳遞模塑工藝壓注成型。

22、根據(jù)本申請實施例的第十二方面，提供一種電氣產(chǎn)品，所述電氣產(chǎn)品包括上述第一方面至第十一方面中任意一項所述的功率模塊。

23、本申請的有益效果在于：在功率模塊中，通過將引腳連接器的側(cè)面的至少一部分設(shè)置為傾斜面，由此，在澆注熱固性樹脂將電路基板和電子元件進行密封后，由于功率模塊以大電流和高電壓運行過程中會產(chǎn)生熱量，該熱量使熱固性樹脂膨脹，進而產(chǎn)生施加于引腳連接器的上述傾斜面的壓力，由此使得引腳連接器能夠被緊固于電路基板上，且不會對引腳在引腳連接器中的插拔造成妨礙。

24、參照后文的說明和附圖，詳細公開了本申請的特定實施方式，指明了本申請的原理可以被采用的方式。應(yīng)該理解，本申請的實施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權(quán)利要求的精神和條款的范圍內(nèi)，本申請的實施方式包括許多改變、修改和等同。

25、針對一種實施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特征相組合，或替代其它實施方式中的特征。

26、應(yīng)該強調(diào)，術(shù)語“包括/包含”在本文使用時指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個或更多個其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。

技術(shù)特征：

1.一種功率模塊，其特征在于，所述功率模塊包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述引腳的所述另一端朝向遠離所述電路基板并與之垂直的方向延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述引腳連接器的所述傾斜面上設(shè)置有至少一個凸部。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述引腳連接器的所述側(cè)面上設(shè)置有至少一個凸部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述引腳連接器的所述傾斜面形成為由所述引腳連接器的所述第二表面至所述第一表面的整個側(cè)面上；所述引腳連接器在垂直于所述電路基板的截面上呈梯形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，所述發(fā)熱元件為功率元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率模塊，其特征在于，所述功率元件為絕緣柵雙極型晶體管(insulated?gate?bipolar?transistor，igbt)、或碳化硅金氧半場效晶體管(sic?metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor,sic?mosfet)mosfet、或氮化鎵高電子遷移率晶體管晶體管(gan?high?electron?mobility?transistor,gan?hemt)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率模塊，其特征在于，所述引腳具有被所述引腳連接器包裹的第一直徑和突出于所述引腳連接器的第二直徑，其中，所述第一直徑大于所述第二直徑。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率模塊，其特征在于，所述熱固性樹脂模塑的第二表面形成為與所述引腳連接器的第二表面一致，或，所述熱固性樹脂模塑的第二表面低于所述引腳連接器的第二表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項所述的功率模塊，其特征在于，所述熱固性樹脂通過傳遞模塑工藝壓注成型。

12.一種電氣產(chǎn)品，其特征在于，所述電氣產(chǎn)品包括權(quán)利要求1-11中任意一項所述的功率模塊。

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供一種功率模塊，所述功率模塊包括：電路基板；發(fā)熱元件，其設(shè)置于電路基板；引腳，其一端設(shè)置于電路基板，另一端朝向遠離電路基板的方向延伸；以及，引腳連接器，其以包圍引腳的方式設(shè)置于電路基板，該引腳連接器具有第一表面、第二表面、以及連接第一表面和第二表面的側(cè)面，第一表面與電路基板抵接，第二表面與第一表面在引腳的延伸方向上對置；發(fā)熱元件、引腳連接器的側(cè)面、以及電路基板的至少一部分通過傳遞模塑成型工藝被熱固性樹脂模塑覆蓋密封；其中，所腳連接器的側(cè)面的至少一部分為傾斜面，且該傾斜面靠近發(fā)熱元件側(cè)且向電路基板的方向延伸。由此，能夠在不妨礙引腳插入引腳連接器的情況下，實現(xiàn)對兩者的緊固。

技術(shù)研發(fā)人員：米田敏雄
受保護的技術(shù)使用者：尼得科株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9