本公開涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲器及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、存儲器因具有體積小、集成化程度高及傳輸速度快等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備中。為了提高存儲器的存儲容量，通常需要將多個芯片單元疊加在一起。

2、目前，主要通過熱壓(thermal?compression?bond，tcb)技術(shù)對芯片單元進(jìn)行堆疊，但隨著芯片單元層數(shù)的增多，在進(jìn)行熱壓的過程中芯片單元之間易發(fā)生焊接不良，產(chǎn)品良率較低。

3、需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲器及其形成方法，可減小焊接過程中不同區(qū)域的溫差，改善焊接缺陷。

2、根據(jù)本公開的一個方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

3、基底，所述基底具有第一面；所述第一面上具有第一連接區(qū)域和第二連接區(qū)域；

4、電連接結(jié)構(gòu)，包括第一連接結(jié)構(gòu)，所述第一連接結(jié)構(gòu)位于所述第一連接區(qū)域上，且凸出于所述第一面；

5、支撐結(jié)構(gòu)，包括第一支撐結(jié)構(gòu)，所述第一支撐結(jié)構(gòu)位于所述第二連接區(qū)域上，且凸出于所述第一面；

6、其中，在垂直于所述第一面的方向上，所述第一連接結(jié)構(gòu)的高度小于所述第一支撐結(jié)構(gòu)的高度，且所述第一支撐結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率不小于所述第一連接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率。

7、在本公開的一種示例性實施例中，所述電連接結(jié)構(gòu)還包括第一粘合結(jié)構(gòu)，所述第一粘合結(jié)構(gòu)位于所述第一連接結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面；所述支撐結(jié)構(gòu)還包括第二粘合結(jié)構(gòu)，所述第二粘合結(jié)構(gòu)位于所述第一支撐結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面；在垂直于所述第一面的方向上，所述第一粘合結(jié)構(gòu)的高度大于所述第二粘合結(jié)構(gòu)的高度，且所述第一粘合結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面與所述第二粘合結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面齊平。

8、在本公開的一種示例性實施例中，所述第一連接結(jié)構(gòu)和所述第一支撐結(jié)構(gòu)的材料不同。

9、在本公開的一種示例性實施例中，在平行于所述第一面的方向上，所述第一支撐結(jié)構(gòu)的橫截面的面積小于所述第一連接結(jié)構(gòu)的橫截面的面積。

10、在本公開的一種示例性實施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個，各所述支撐結(jié)構(gòu)中至少部分所述支撐結(jié)構(gòu)的所述第一支撐結(jié)構(gòu)的高度不同。

11、在本公開的一種示例性實施例中，各所述支撐結(jié)構(gòu)中至少部分所述支撐結(jié)構(gòu)的所述第一支撐結(jié)構(gòu)的材料不同。

12、在本公開的一種示例性實施例中，所述基底還包括第二面，所述第二面與所述第一面相對分布，所述電連接結(jié)構(gòu)還包括第二連接結(jié)構(gòu)和第三連接結(jié)構(gòu)，所述第二連接結(jié)構(gòu)設(shè)于所述第二面上，且所述第二連接結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影與所述第一連接結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影至少部分重合；所述第三連接結(jié)構(gòu)貫穿所述基底，且其一端與所述第一連接結(jié)構(gòu)電連接，另一端與所述第二連接結(jié)構(gòu)電連接；所述支撐結(jié)構(gòu)還包括第二支撐結(jié)構(gòu)，所述第二支撐結(jié)構(gòu)設(shè)于所述第二面上，且所述第二支撐結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影與所述第一支撐結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影至少部分重合。

13、在本公開的一種示例性實施例中，所述第二支撐結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面與所述第二連接結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面齊平。

14、根據(jù)本公開的一個方面，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

15、提供基底，所述基底具有第一面；所述第一面上具有第一連接區(qū)域和第二連接區(qū)域；

16、形成電連接結(jié)構(gòu)，所述電連接結(jié)構(gòu)包括第一連接結(jié)構(gòu)，所述第一連接結(jié)構(gòu)位于所述第一連接區(qū)域上，且凸出于所述第一面；

17、形成支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)包括第一支撐結(jié)構(gòu)，所述第一支撐結(jié)構(gòu)位于所述第二連接區(qū)域上，且凸出于所述第一面；

18、其中，在垂直于所述第一面的方向上，所述第一連接結(jié)構(gòu)的高度小于所述第一支撐結(jié)構(gòu)的高度，且所述第一支撐結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率不小于所述第一連接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率。

19、在本公開的一種示例性實施例中，所述形成方法還包括：

20、在所述第一連接結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面形成第一粘合結(jié)構(gòu)；

21、在所述第一支撐結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面形成第二粘合結(jié)構(gòu)，在垂直于所述第一面的方向上，所述第一粘合結(jié)構(gòu)的高度大于所述第二粘合結(jié)構(gòu)的高度，且所述第一粘合結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面與所述第二粘合結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面齊平。

22、在本公開的一種示例性實施例中，所述基底還包括第二面，所述第二面與所述第一面相對分布，所述形成方法還包括：

23、形成貫穿所述基底的第三連接結(jié)構(gòu)；

24、在所述第二面上形成第二連接結(jié)構(gòu)，所述第二連接結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影與所述第一連接結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影至少部分重合；所述第三連接結(jié)構(gòu)的一端與所述第一連接結(jié)構(gòu)電連接，另一端與所述第二連接結(jié)構(gòu)電連接；

25、在所述第二面上形成第二支撐結(jié)構(gòu)，所述第二支撐結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影與所述第一支撐結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影至少部分重合。

26、在本公開的一種示例性實施例中，所述第二支撐結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面與所述第二連接結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面齊平。

27、根據(jù)本公開的一個方面，提供一種存儲器，包括多個如上述任意一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，各所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿垂直于所述基底的方向依次堆疊分布。

28、根據(jù)本公開的一個方面，提供一種存儲器的形成方法，包括將上述任意一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿垂直于所述基底的方向依次層疊接合。

29、在本公開的一種示例性實施例中，所述形成方法還包括：

30、形成填充各所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間的間隙的絕緣介質(zhì)層。

31、本公開的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲器及其形成方法，可通過熱壓(thermalcompression?bond，tcb)工藝將多個基底沿豎直方向堆疊焊接。在熱壓工藝過程中，可將熱壓頭置于距離電連接結(jié)構(gòu)較近的區(qū)域，相對于電連接結(jié)構(gòu)而言，支撐結(jié)構(gòu)與熱壓頭的距離相對較遠(yuǎn)，由于支撐結(jié)構(gòu)的第一支撐結(jié)構(gòu)的高度大于第一連接結(jié)構(gòu)的高度，且第一支撐結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率不小于第一連接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率，可通過第一支撐結(jié)構(gòu)快速散熱，進(jìn)而將熱量傳遞至第二連接區(qū)域，以減小基底中不同區(qū)域的表面的焊接溫度差異，減小因基底表面不同區(qū)域焊接溫度不同而出現(xiàn)焊接不良的概率，提高產(chǎn)品良率。

32、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電連接結(jié)構(gòu)還包括第一粘合結(jié)構(gòu)，所述第一粘合結(jié)構(gòu)位于所述第一連接結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一面的表面；所述支撐結(jié)構(gòu)還包括第二粘合結(jié)構(gòu)，所述第二粘合結(jié)構(gòu)位于所述第一支

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連接結(jié)構(gòu)和所述第一支撐結(jié)構(gòu)的材料不同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在平行于所述第一面的方向上，所述第一支撐結(jié)構(gòu)的橫截面的面積小于所述第一連接結(jié)構(gòu)的橫截面的面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)的數(shù)量為多個，各所述支撐結(jié)構(gòu)中至少部分所述支撐結(jié)構(gòu)的所述第一支撐結(jié)構(gòu)的高度不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述支撐結(jié)構(gòu)中至少部分所述支撐結(jié)構(gòu)的所述第一支撐結(jié)構(gòu)的材料不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括第二面，所述第二面與所述第一面相對分布，所述電連接結(jié)構(gòu)還包括第二連接結(jié)構(gòu)和第三連接結(jié)構(gòu)，所述第二連接結(jié)構(gòu)設(shè)于所述第二面上，且所述第二連接結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影與所述第一連接結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影至少部分重合；所述第三連接結(jié)構(gòu)貫穿所述基底，且其一端與所述第一連接結(jié)構(gòu)電連接，另一端與所述第二連接結(jié)構(gòu)電連接；所述支撐結(jié)構(gòu)還包括第二支撐結(jié)構(gòu)，所述第二支撐結(jié)構(gòu)設(shè)于所述第二面上，且所述第二支撐結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影與所述第一支撐結(jié)構(gòu)在所述第一面上的正投影至少部分重合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二支撐結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面與所述第二連接結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面齊平。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述基底還包括第二面，所述第二面與所述第一面相對分布，所述形成方法還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第二支撐結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面與所述第二連接結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第二面的表面齊平。

13.一種存儲器，其特征在于，包括多個如權(quán)利要求1-8任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，各所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿垂直于所述基底的方向依次堆疊分布。

14.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括將權(quán)利要求1-8任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿垂直于所述基底的方向依次層疊接合。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述存儲器的形成方法還包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開是關(guān)于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成、存儲器及其形成方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底、電連接結(jié)構(gòu)及支撐結(jié)構(gòu)，其中：基底具有第一面；第一面上具有第一連接區(qū)域和第二連接區(qū)域；電連接結(jié)構(gòu)包括第一連接結(jié)構(gòu)，第一連接結(jié)構(gòu)位于第一連接區(qū)域上，且凸出于第一面；支撐結(jié)構(gòu)包括第一支撐結(jié)構(gòu)，第一支撐結(jié)構(gòu)位于第二連接區(qū)域上，且凸出于第一面；其中，在垂直于第一面的方向上，第一連接結(jié)構(gòu)的高度小于第一支撐結(jié)構(gòu)的高度，且第一支撐結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率不小于第一連接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱率。本公開的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可減小焊接過程中不同區(qū)域的溫差，改善焊接缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員：呂開敏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長鑫存儲技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2