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一種多集成三極管的制作方法

文檔序號:7067476閱讀:433來源:國知局
一種多集成三極管的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種多集成三極管,其包括:封裝膠殼(1),封裝在封裝膠殼內(nèi)的三極管芯片(2)和二極管芯片(3);三極管芯片的發(fā)射極層和基極層之間設(shè)有溝道電阻(R),二極管芯片連接在三極管的發(fā)射極和基極之間。本實用新型將三極管、二極管、電阻集成封裝在一起,節(jié)省了制備三件分立元件的材料,還可用小功率三極管替代大功率三極管,有利于降低元件成本,減小PCB板面積和電子產(chǎn)品體積。
【專利說明】一種多集成三極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及三極管,尤其涉及一種將普通三極管芯片中集成電阻后,再將該集成三極管芯片和二極管封裝在一起的新型多集成三極管。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市面上輸入電源電壓在200-240V的條件下,使用的電子鎮(zhèn)流器及熒光燈的電路中,有一種在DB3觸發(fā)管的半橋電路中,采用開關(guān)功率三極管作為開關(guān)元件,會在基極與發(fā)射極之間并接一個電阻的,該線路中還會在其基極與發(fā)射極之間反向并接二極管,在現(xiàn)有技術(shù)大多采用分立的二極管和三極管組合、電阻與三極管分立使用,其缺陷是占用更多的PCB空間,不利于產(chǎn)品的小型化,且三個器件獨立封裝浪費更多的成本和材料。故此開發(fā)一種將三極管、二極管、電阻集成在一起的多集成三極管,是業(yè)內(nèi)亟需解決的技術(shù)問題。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型是要解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問題,提出將三極管、二極管、電阻集成在一起的多集成三極管。
[0004]為解決上述技術(shù)問題,本實用新型提出的技術(shù)方案是設(shè)計一種多集成三極管,其包括:封裝膠殼,封裝在封裝膠殼內(nèi)的三極管芯片和二極管芯片;所述三極管芯片包含發(fā)射極層、包在發(fā)射極層周邊和底面的基極層、包在基極層周邊和底面的高阻層、貼在高阻層底面的集電極層,所述發(fā)射極層、基極層、高阻層的頂面平齊并在其上設(shè)有絕緣層,位于基極層上方的絕緣層中設(shè)有通孔、該通孔內(nèi)設(shè)有用于連接基極層的基電極,發(fā)射極層中設(shè)有一個貫通的基區(qū)孔,該基區(qū)孔上方的絕緣層中設(shè)有通孔、該通孔和基區(qū)孔內(nèi)設(shè)有用于連接發(fā)射極層的發(fā)射電極,發(fā)射電極在基區(qū)孔的底端連接發(fā)射極層、在基電極和發(fā)射電極之間的基極層中形成一個溝道電阻,集電極層底部焊接第一焊接片;所述二極管芯片包含由上而下疊置的陽極和陰極,該陰極底部焊接第二焊接片,所述陽極通過導線連接所述發(fā)射電極,基電極通過導線與第二焊接片焊接,發(fā)射電極通過導線與第三焊接片焊接,第一、第二、第三焊接片分別連接一端伸出封裝膠殼之外的第一、第二、第三引腳。
[0005]所述第一焊接片和第一引腳為一整體,所述第二焊接片和第二引腳為一整體,所述第三焊接片和第三引腳為一整體。
[0006]所述第一焊接片、第二焊接片、第三焊接片處于同一平面。
[0007]所述第一、第二、第三焊接片之間留有間隙互不接觸,各導線之間留有間隙互不接觸。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型將三極管、二極管、電阻集成封裝在一起,節(jié)省了制備三件分立元件的材料,降低了元件成本;三極管的Ic電流能力提高,Tf明顯降低,減少開通損耗和開關(guān)時間,VCEO降低;可用小功率(小面積芯片)三極管替代大功率(大面積芯片)三極管,減小封裝體積,進一步降低成本;使用本集成三極管,有利于減小PCB板面積,減小電子產(chǎn)品體積;廣泛適用于電源電壓為200-240V的半橋電路小功率照明電器中?!緦@綀D】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型較佳實施例的橫截面示意圖;
[0010]圖2為本實用新型較佳實施例的電路原理圖;
[0011]圖3為本實用新型較佳實施例的內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)示意圖;
[0012]圖4為本實用新型較佳實施例外觀示意圖。
【具體實施方式】
[0013]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型作進一步詳細說明。應(yīng)當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
[0014]本實用新型揭示了一種多集成三極管,將已集成電阻的三極管和連接三極管基極與發(fā)射極的二極管封裝在一起。封裝后的效果如圖4所示,一個封裝膠殼I外露三條引腳
7、8、9。 [0015]參看圖1示出的本實用新型較佳實施例橫截面示意圖,其包括:封裝膠殼1,封裝在封裝膠殼內(nèi)的三極管芯片2和二極管芯片3 ;所述三極管芯片包含發(fā)射極層2e、包在發(fā)射極層周邊和底面的基極層2b、包在基極層周邊和底面的高阻層2n、貼在高阻層底面的集電極層2c,所述發(fā)射極層、基極層、高阻層的頂面平齊并在其上設(shè)有絕緣層2d,位于基極層上方的絕緣層中設(shè)有通孔、該通孔內(nèi)設(shè)有用于連接基極層的基電極2bl,發(fā)射極層中設(shè)有一個貫通的基區(qū)孔22,該基區(qū)孔上方的絕緣層中設(shè)有通孔、該通孔和基區(qū)孔內(nèi)設(shè)有用于連接發(fā)射極層的發(fā)射電極2el,發(fā)射電極在基區(qū)孔的底端連接發(fā)射極層、在基電極和發(fā)射電極之間的基極層中形成一個溝道電阻R,集電極層底部焊接第一焊接片4 ;所述二極管芯片包含由上而下疊置的陽極和陰極,該陰極底部焊接第二焊接片5,述陽極通過導線10連接所述發(fā)射電極,基電極2bl通過導線10與第二焊接片5焊接,發(fā)射電極通過導線10與第三焊接片6焊接,第一、第二、第三焊接片分別連接一端伸出封裝膠殼之外的第一、第二、第三引腳7、
8、9。
[0016]該技術(shù)從應(yīng)用角度分析,三極管基極和發(fā)射極并聯(lián)集成一個電阻,可以使VCBO與VCEO相等,可以使電子鎮(zhèn)流器及熒光燈的電路中的開關(guān)三極管采用VCEO電壓較低芯片替代VCEO高壓芯片,并可以使用面積小芯片替代大面積芯片,從成本上節(jié)約。
[0017]在較佳實施例中,發(fā)射極層2e采用N+,基極層2b采用P,高阻層2n采用N-,集電極層2c采用N+。這樣制成的集成三極管為NPN型三極管。絕緣層2d采用二氧化硅(S102),發(fā)射電極2el和基電極2bl采用鋁材。所述高阻層在位于基極層與集電極之間處的厚度為50微米。所述集電極采用電阻率為30 Ω ^cm至40 Ω.cm的單晶娃。
[0018]本實用新型的電路原理如圖2所示,三極管2的基極B和發(fā)射極E之間連接并聯(lián)的二極管和電阻,二極管陽極連接發(fā)射極E、陰極連接基極B。
[0019]在較佳實施例中,所述第一焊接片4和第一引腳7為一整體,所述第二焊接片5和第二引腳8為一整體,所述第三焊接片6和第三引腳9為一整體。圖3示出了較佳實施例的內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)。
[0020]為了方便加工制造,第一焊接片4、第二焊接片5、第三焊接片6處于同一平面。[0021]在較佳實施例中,第一、第二、第三焊接片之間留有間隙互不接觸,以保持彼此之間絕緣;各導線10之間留有間隙互不接觸,以保持彼此之間絕緣。
[0022]綜上所述,本實用新型在發(fā)射極層2e上留一個基區(qū)孔,使發(fā)射極層上方的發(fā)射電極2el與發(fā)射極層下方的基極層2b連接,由于基極層本身具有電阻,此結(jié)構(gòu)相當于在發(fā)射極和基極之間連接了一個電阻;同時通過第一引腳7與第一焊接片4作為三極管的集電極,第二引腳8與第二焊接片5作為三極管的基極,第三引腳9與第三焊接片6作為三極管的發(fā)射極,第二焊接片5通過導線10與基極連接,第二焊接片上還連接二極管陰極,二極管陽極通過導線10與三極管發(fā)射極連接(或與第三焊接片6連接),第三焊接片6通過導線10與三極管發(fā)射極連接。然后將三極管和二極管封裝在封裝膠殼I內(nèi)。以上實施例僅為舉例說明,非起限制作用。任何未脫離本申請精神與范疇,而對其進行的等效修改或變更,均應(yīng)包含于本申請的權(quán)利要求范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種多集成三極管,其特征在于包括:封裝膠殼(1),封裝在封裝膠殼內(nèi)的三極管芯片(2)和二極管芯片(3); 所述三極管芯片包含發(fā)射極層(2e)、包在發(fā)射極層周邊和底面的基極層(2b)、包在基極層周邊和底面的高阻層(2n)、貼在高阻層底面的集電極層(2c),所述發(fā)射極層、基極層、高阻層的頂面平齊并在其上設(shè)有絕緣層(2d),位于基極層上方的絕緣層中設(shè)有通孔、該通孔內(nèi)設(shè)有用于連接基極層的基電極(2bl),發(fā)射極層中設(shè)有一個貫通的基區(qū)孔(22),該基區(qū)孔上方的絕緣層中設(shè)有通孔、該通孔和基區(qū)孔內(nèi)設(shè)有用于連接發(fā)射極層的發(fā)射電極(2el),發(fā)射電極在基區(qū)孔的底端連接發(fā)射極層、在基電極和發(fā)射電極之間的基極層中形成一個溝道電阻(R),集電極層底部焊接第一焊接片(4); 所述二極管芯片包含由上而下疊置的陽極和陰極,該陰極底部焊接第二焊接片(5),所述陽極通過導線連接所述發(fā)射電極,基電極通過導線與第二焊接片焊接,發(fā)射電極通過導線與第三焊接片(6)焊接,第一、第二、第三焊接片分別連接一端伸出封裝膠殼之外的第一、第二、第三引腳(7、8、9)。
2.如權(quán)利要求1所述的多集成三極管,其特征在于:所述第一焊接片(4)和第一引腳(7)為一整體,所述第二焊接片(5)和第二引腳(8)為一整體,所述第三焊接片(6)和第三引腳(9)為一整體。
3.如權(quán)利要求2所述的多集成三極管,其特征在于:所述第一焊接片(4)、第二焊接片(5)、第三焊接片(6)處于同一平面。
4.如權(quán)利要求3所述的多集成三極管,其特征在于:所述第一、第二、第三焊接片之間留有間隙互不接觸,各導線之間留有間隙互不接觸。
【文檔編號】H01L25/00GK203707109SQ201420033139
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】黃佳, 葉文浩, 李建球, 楊曉智 申請人:深圳市鵬微科技有限公司
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