用于處理芯片的方法
【專(zhuān)利摘要】提供了用于處理芯片的方法。該方法可包括：提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片；以及通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，所述孔形成取向標(biāo)記。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于處理芯片的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各種實(shí)施例涉及用于處理芯片的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在芯片的各種制造過(guò)程期間，取向標(biāo)記可能例如對(duì)使用用于在載體上進(jìn)行定位的取向標(biāo)記將單塊化芯片放置在載體上是關(guān)鍵的。特別是，對(duì)于在任何處理步驟期間只有芯片的裸背側(cè)是可見(jiàn)的情況，背側(cè)具有取向標(biāo)記對(duì)于隨后的處理步驟可能是必要的。
[0003]非常小的芯片規(guī)模封裝(CSP)的取向標(biāo)記一般對(duì)于例如在具有小于1 mm2的產(chǎn)品尺寸的硅封裝中的二極管和/或晶體管可能是有挑戰(zhàn)性的，因?yàn)樵谶@樣的產(chǎn)品尺寸的情況下，單個(gè)晶片一般包含多于50，000和甚至高達(dá)600，000個(gè)單元。芯片規(guī)模封裝(CSP)有或沒(méi)有焊料隆起焊盤(pán)，其中到應(yīng)用的互連由有或沒(méi)有焊料沉積物的扁平焊料焊盤(pán)制造。目前，通常在各種制造過(guò)程期間通過(guò)兩種公知的方法——激光背側(cè)標(biāo)記和背側(cè)結(jié)構(gòu)化——來(lái)提供芯片的取向標(biāo)記。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]提供了用于處理芯片的方法。該方法可包括:提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片；以及通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，孔形成取向標(biāo)記。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0005]在附圖中，相同的參考符號(hào)通常指的是遍及不同的視圖的相同的部件。附圖不一定是按比例的，相反通常將重點(diǎn)放在說(shuō)明本發(fā)明的原理上。在下面的描述中，參考下面的附圖描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，其中:
圖1圖示根據(jù)各種實(shí)施例的方法；
圖2圖示根據(jù)各種實(shí)施例的方法；
圖3圖示根據(jù)各種實(shí)施例的方法；
圖4圖示根據(jù)各種實(shí)施例的方法；
圖5圖示根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的實(shí)施例的底視圖；
圖6圖示根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的在圖5中所示的實(shí)施例的橫截面視圖；
圖7圖示根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的實(shí)施例的底視圖；
圖8圖示根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的實(shí)施例的底視圖；
圖9圖示根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的各種實(shí)施例的頂視圖；
圖10圖示根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的實(shí)施例的頂視圖；以及圖11圖示根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置的實(shí)施例的底視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0006]下面的詳細(xì)描述指的是通過(guò)例證示出可實(shí)踐本發(fā)明的特定細(xì)節(jié)和實(shí)施例的附圖。
[0007]詞“示例性”在本文用來(lái)意指“用作示例、實(shí)例或例證”。在本文被描述為“示例性”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)不一定被理解為超過(guò)其它實(shí)施例或設(shè)計(jì)的優(yōu)選的或有利的。
[0008]關(guān)于“在”側(cè)面或表面“之上”形成的沉積的材料所使用的詞“在…之上”在本文可用來(lái)意指沉積的材料可“直接在”暗指的側(cè)面或表面上形成，例如與暗指的側(cè)面或表面直接接觸。關(guān)于“在”側(cè)面或表面“之上”形成的沉積的材料所使用的詞“在…之上”在本文可用來(lái)意指沉積的材料可“間接地在”暗指的側(cè)面或表面上形成，其中一個(gè)或多個(gè)附加的層被布置在暗指的側(cè)面或表面和沉積的材料之間。
[0009]各種實(shí)施例例證地組合蝕刻和/或等離子體蝕刻(也被稱(chēng)為等離子體切割)的工藝(以便通過(guò)例如蝕刻在單元之間的切縫來(lái)分離整個(gè)晶片的單元)以及在芯片區(qū)域內(nèi)的蝕刻區(qū)域的附加的蝕刻和/或等離子體蝕刻工藝(以便在一個(gè)公共工藝中得到在每一個(gè)單元上的至少一個(gè)取向標(biāo)記)。換句話說(shuō)，可在一個(gè)公共工藝中執(zhí)行芯片的切割和標(biāo)記。
[0010]通過(guò)舉例，可指示產(chǎn)品取向以在各種隨后的工藝(例如粘膠帶工藝)期間防止產(chǎn)品(例如單個(gè)芯片)的錯(cuò)誤取向，以確保產(chǎn)品以正確的取向被放置到帶式載體中。通常在芯片規(guī)模封裝(CSP)的粘膠帶工藝期間，封裝必須被放置到具有將被制造有如所指的標(biāo)準(zhǔn)拾取和放置裝備的面向下的焊盤(pán)側(cè)的帶式載體中，且因此一旦產(chǎn)品在常規(guī)工藝中被放置到帶式載體中，就沒(méi)有可見(jiàn)的產(chǎn)品取向標(biāo)記。
[0011]圖1示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于處理芯片的方法100。用于處理芯片的方法100可包括在102中提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片以及在104中通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中孔可形成取向標(biāo)記。
[0012]方法100還可包括:通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中孔可形成取向標(biāo)記，且其中從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中可包括從芯片的前側(cè)開(kāi)始將孔形成到芯片中。
[0013]芯片可以是裸芯片，其中芯片或裸芯片也可分別被稱(chēng)為管芯或裸管芯。在本文中，術(shù)語(yǔ)“裸芯片”或“裸管芯”分別指定可能還沒(méi)有被封裝的芯片和管芯。換句話說(shuō)，裸芯片或裸管芯可以在本文中所公開(kāi)的方法的處理期間被解除封裝，其中這樣的組裝也可被稱(chēng)為芯片規(guī)模封裝(CSP)。
[0014]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)從芯片的前側(cè)將一個(gè)或多個(gè)孔形成到芯片中來(lái)在(裸)芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中一個(gè)或多個(gè)孔可形成取向標(biāo)記。通過(guò)舉例，可通過(guò)從芯片的前側(cè)將一個(gè)或多個(gè)孔(例如多個(gè)孔)形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上來(lái)形成取向標(biāo)記，其中一個(gè)或多個(gè)孔(例如多個(gè)孔)可形成取向標(biāo)記。
[0015]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)從芯片的前側(cè)將一個(gè)或多個(gè)孔形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記，其中一個(gè)或多個(gè)孔可形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)從芯片的前側(cè)將一個(gè)或多個(gè)孔形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記(例如多個(gè)取向標(biāo)記)，其中一個(gè)或多個(gè)孔可形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記(例如多個(gè)取向標(biāo)記)。
[0016]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)從一個(gè)或多個(gè)芯片的前側(cè)將一個(gè)或多個(gè)孔形成到一個(gè)或多個(gè)芯片中來(lái)在一個(gè)或多個(gè)芯片的背側(cè)上形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記，其中一個(gè)或多個(gè)孔可形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)從多個(gè)芯片中的一個(gè)或多個(gè)芯片的前側(cè)將一個(gè)或多個(gè)孔形成到多個(gè)芯片中的一個(gè)或多個(gè)芯片中(例如多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片中)來(lái)在多個(gè)芯片中的一個(gè)或多個(gè)芯片的背側(cè)上(例如在多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)上)形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記(例如多個(gè)取向標(biāo)記)，其中一個(gè)或多個(gè)孔可形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記(例如多個(gè)取向標(biāo)記)。
[0017]至少一個(gè)芯片可具有前側(cè)、背側(cè)和一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁，其中至少一個(gè)芯片的前側(cè)面向第一方向，而至少一個(gè)芯片的背側(cè)面向與第一方向相反的第二方向。至少一個(gè)芯片的前側(cè)也可被稱(chēng)為芯片的頂側(cè)或第一側(cè)。前側(cè)可以是至少一個(gè)芯片的一側(cè)，一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)元件可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)前面的工藝和/或可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)隨后的工藝在該側(cè)上形成。至少一個(gè)芯片的背側(cè)也可被稱(chēng)為底側(cè)或第二側(cè)。背側(cè)可以是可基本上沒(méi)有一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)或電子部件和/或結(jié)構(gòu)元件的至少一個(gè)芯片的一側(cè)。
[0018]至少一個(gè)芯片可具有覆蓋區(qū)，其可以是幾何形狀的組中的至少一個(gè)，其中該組可包括正方形、矩形、圓形、三角形、六邊形、多邊形等，或可由其組成。
[0019]至少一個(gè)芯片可具有覆蓋區(qū)，其中覆蓋區(qū)可以是至少一個(gè)芯片的前側(cè)和/或背側(cè)的覆蓋區(qū)，并可在從大約0.2 mm2到大約20 mm2的范圍內(nèi)，或可以在從大約0.01 mm2到大約10 mm2的范圍內(nèi)，或可以在從大約0.1 mm2到大約1 mm2的范圍內(nèi)，或可以在從大約0.1mm2到大約0.2 mm2的范圍內(nèi)，或可以在從大約0.01 mm2到大約0.1 mm2的范圍內(nèi)。
[0020]至少一個(gè)芯片的前側(cè)可以是一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)工藝，例如通過(guò)一個(gè)或多個(gè)前段制程(FE0L)工藝(例如層沉積、圖案化、摻雜或熱處理等)形成的那側(cè)。至少一個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件可以是或包括電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件的組中的至少一個(gè)，其中該組可包括二極管、晶體管、雙極結(jié)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電阻器、電容器、電感器、晶閘管、功率晶體管、功率金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管、功率雙極晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管、功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、M0S控制的晶閘管、硅控整流器、功率肖特基二極管、碳化硅二極管、氮化鎵器件、ASIC、驅(qū)動(dòng)器、控制器、低噪聲放大器和/或傳感器，或可由其組成。
[0021]至少一個(gè)芯片可包括晶片、晶片的一部分、襯底、襯底的一部分、載體、載體的一部分等中的至少一個(gè)。至少一個(gè)芯片還可包括經(jīng)處理的晶片、經(jīng)處理的襯底、經(jīng)處理的載體等中的至少一個(gè)。
[0022]至少一個(gè)芯片的背側(cè)至少可由一層或多層襯底材料形成，其中襯底材料可以是半導(dǎo)體襯底材料中的一種或多種半導(dǎo)體襯底材料，如將在下面描述的。在各種實(shí)施例中，背側(cè)和前側(cè)可由襯底材料形成，其中襯底材料可以是半導(dǎo)體材料中的一種或多種半導(dǎo)體材料，如將在下面描述的。此外，整個(gè)芯片可由襯底材料形成，其中襯底材料可以是半導(dǎo)體材料中的一種或多種半導(dǎo)體材料，如將在下面描述的。
[0023]至少一個(gè)芯片可由一個(gè)或多個(gè)襯底形成，其中一個(gè)或多個(gè)襯底可由一種或多種半導(dǎo)體襯底材料形成。至少一種半導(dǎo)體襯底材料可以是半導(dǎo)體材料的組中的至少一個(gè)，其中半導(dǎo)體材料的組可包括硅(Si )、碳化硅(SiC)、硅鍺(SiGe )、鍺(Ge )、α -錫(a -Sn)、硼(B)、硒(Se)、碲(Te)、硫(S)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化銦(InSb)、砷化銦(InAs)、銻化鎵(GaSb)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(A1N)、氮化銦(InN)、砷化鋁鎵(AlxGai_xAs)和/或氮化銦鎵(InxGai_xN)，或可由其組成。而且，一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體襯底的一種或多種材料可以是來(lái)自周期性系統(tǒng)的下列族的化合物半導(dǎo)體的組的一個(gè)或多個(gè)化合物半導(dǎo)體Il-v、I1-V1、1-VI1、IV-VI 和 / 或 V-VI。
[0024]至少一個(gè)芯片可具有厚度，其中該厚度可從芯片的前側(cè)延伸到背側(cè)。換句話說(shuō)，至少一個(gè)芯片的厚度可在頂側(cè)和底側(cè)之間延伸。
[0025]可通過(guò)從至少一個(gè)芯片的前側(cè)將至少一個(gè)孔蝕刻到芯片中來(lái)形成至少一個(gè)孔。
[0026]此外，可通過(guò)蝕刻和/或通過(guò)等離子體蝕刻來(lái)形成至少一個(gè)孔，其中可從至少一個(gè)芯片的前側(cè)施加蝕刻和/或等離子體蝕刻。除了芯片內(nèi)的至少一個(gè)孔以外，還可以在芯片的邊緣處形成圖案，如將在下面進(jìn)一步更詳細(xì)描述的。
[0027]至少一個(gè)孔可從至少一個(gè)芯片的背側(cè)至少部分地延伸到前側(cè)，并可至少基本上沒(méi)有至少芯片材料和/或一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件。
[0028]至少一個(gè)孔可具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀，其中該組可包括:長(zhǎng)方體、圓柱體、立方體、棱柱體、拋物體等，或可由其組成。
[0029]形成至少一個(gè)取向標(biāo)記的至少一個(gè)孔的覆蓋區(qū)可被形成為具有幾何形狀的組中的至少一個(gè)，其可通過(guò)從至少一個(gè)芯片的前側(cè)將至少一個(gè)孔形成到至少一個(gè)芯片中來(lái)在至少一個(gè)芯片的底側(cè)上形成，其中該組可包括:圓形形狀、三角形形狀、四邊形形狀、矩形形狀、多邊形形狀、字母形狀、符號(hào)形狀、數(shù)字形狀等，或可由其組成。
[0030]至少一個(gè)孔可具有覆蓋區(qū)。這個(gè)覆蓋區(qū)可具有在從大約10 41112到大約10，000μ m2的范圍內(nèi)或例如在從大約20 μ m2到大約1，000 μ m2的范圍內(nèi)的面積。
[0031]至少一個(gè)孔可具有圓形覆蓋區(qū)，其可具有例如在從大約2 μ m到大約100 μ m的范圍內(nèi)的直徑。
[0032]形成至少一個(gè)取向標(biāo)記的至少一個(gè)孔可位于至少一個(gè)芯片的前側(cè)和/或背側(cè)上的位置處，其可基本上沒(méi)有一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件，所述一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件可由于一個(gè)或多個(gè)前面的工藝(例如一個(gè)或多個(gè)FE0L工藝)而存在，或可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)隨后的處理步驟(例如通過(guò)一個(gè)或多個(gè)后段制程(BE0L)工藝)而形成到至少一個(gè)芯片上。舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)從至少一個(gè)芯片的前側(cè)將至少一個(gè)孔形成到至少一個(gè)芯片中來(lái)在至少一個(gè)芯片的背側(cè)上形成的至少一個(gè)取向標(biāo)記可在至少一個(gè)芯片的一個(gè)或多個(gè)邊緣或邊緣區(qū)域處形成到一個(gè)或多個(gè)角落或角落部分內(nèi)，或形狀可在至少一個(gè)芯片的邊緣或至少一個(gè)芯片的前側(cè)和/或背側(cè)上的任何其它期望和/或合適的位置處被蝕刻。
[0033]圖2示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于處理芯片的方法200。用于處理芯片的方法200可包括在202中提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片以及在204中通過(guò)將至少?gòu)男酒那皞?cè)延伸到芯片的背側(cè)的凹槽形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中凹槽可形成取向標(biāo)記。
[0034]用于處理芯片的方法200還可包括:通過(guò)將至少?gòu)男酒那皞?cè)延伸到芯片的背側(cè)的凹槽形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，并且其中凹槽可從芯片的前側(cè)到芯片的背側(cè)延伸到芯片中，且其中凹槽可沿著芯片的至少一個(gè)邊緣從芯片的前側(cè)形成到芯片中。
[0035]可通過(guò)蝕刻形成至少?gòu)男酒那皞?cè)延伸到芯片的背側(cè)的凹槽。可從芯片的前側(cè)施加蝕刻。
[0036]此外，凹槽可至少?gòu)男酒那皞?cè)延伸到芯片的背側(cè)，并可通過(guò)蝕刻和/或等離子體蝕刻來(lái)形成。可從芯片的前側(cè)施加蝕刻和/或等離子體蝕刻。
[0037]凹槽可基本上沒(méi)有芯片材料，并可位于可基本上沒(méi)有至少一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件的芯片的前側(cè)和/或背側(cè)上的位置處，或形狀可在至少一個(gè)芯片的邊緣處被蝕刻。
[0038]至少一個(gè)芯片可以是關(guān)于制造、成分、所使用的材料、數(shù)量、尺寸(例如長(zhǎng)度、寬度、厚度或高度)、體積和表面大小、覆蓋區(qū)的形狀和主體形狀具有與根據(jù)上面討論的方法100的至少一個(gè)芯片相似的性質(zhì)的芯片。
[0039]至少一個(gè)取向標(biāo)記可以是關(guān)于制造、數(shù)量、尺寸、體積和表面大小、覆蓋區(qū)的形狀、主體形狀、取向和在至少一個(gè)芯片的至少前側(cè)和/或背側(cè)上的位置具有與根據(jù)上面討論的方法100的至少一個(gè)取向標(biāo)記相似的性質(zhì)的取向標(biāo)記。
[0040]根據(jù)各種實(shí)施例，一個(gè)或多個(gè)凹槽可以至少基本上沒(méi)有至少芯片材料，并可位于可基本上沒(méi)有一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件的一個(gè)或多個(gè)芯片的前側(cè)上和/或背側(cè)上的位置處。
[0041]至少一個(gè)凹槽可被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀，其中該組可包括:長(zhǎng)方體、圓柱體、立方體、棱柱體、拋物體等，或可由其組成。
[0042]至少一個(gè)凹槽的覆蓋區(qū)可被形成為具有幾何形狀的組中的至少一個(gè)，其中該組可包括:圓形形狀、三角形形狀、四邊形形狀、矩形形狀、六邊形形狀、多邊形形狀、字母形狀、符號(hào)形狀、數(shù)字形狀等，或可由其組成。
[0043]至少一個(gè)凹槽可具有覆蓋區(qū)，其中例如這個(gè)覆蓋區(qū)可以在從大約10 ym2到大約10，000 μ m2的范圍內(nèi)或例如可在從大約20 μ m2到大約1，000 μ m2的范圍內(nèi)。
[0044]至少一個(gè)凹槽可具有圓形覆蓋區(qū)，其中這個(gè)圓形覆蓋區(qū)可具有直徑。這個(gè)直徑可在從大約2 μ m到大約100 μ m的范圍內(nèi)。
[0045]至少一個(gè)凹槽可位于可基本上沒(méi)有一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件的至少一個(gè)芯片的前側(cè)和/或至少一個(gè)芯片的背側(cè)上的位置處，所述一個(gè)或多個(gè)電子結(jié)構(gòu)和/或結(jié)構(gòu)元件可由于一個(gè)或多個(gè)前面的工藝(例如一個(gè)或多個(gè)FE0L工藝)而存在，或可通過(guò)任何隨后的處理步驟(例如通過(guò)一個(gè)或多個(gè)后段制程(BE0L)工藝)在至少一個(gè)芯片上形成。舉例來(lái)說(shuō)，可在一個(gè)或多個(gè)邊緣或邊緣區(qū)域處或在至少一個(gè)芯片的前側(cè)和/或背側(cè)上的任何其它期望和/或合適的位置處形成在一個(gè)或多個(gè)角落或角落部分中的至少一個(gè)取向標(biāo)記。
[0046]圖3示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于處理多個(gè)芯片的方法300。用于處理多個(gè)芯片的方法300可包括:
提供布置在公共載體上的多個(gè)芯片(在310中)；以及
通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中孔形成取向標(biāo)記(在320中)。
[0047]用于處理多個(gè)芯片的方法300還包括:使多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片與多個(gè)芯片中的其它芯片分離。
[0048]此外，可通過(guò)蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行至少一個(gè)芯片的分離。
[0049]而且，可從多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片的前側(cè)施加蝕刻工藝。
[0050]此外，可通過(guò)蝕刻工藝和/或等離子蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行至少一個(gè)芯片的分離?？稍谝粋€(gè)公共蝕刻工藝中執(zhí)行該分離?？蓮闹辽僖粋€(gè)芯片的前側(cè)執(zhí)行該分離。
[0051]多個(gè)芯片可被提供在公共載體上，其中多個(gè)芯片可具有與上面描述的至少一個(gè)芯片相似的性質(zhì)。
[0052]在320中形成的至少一個(gè)孔以及至少一個(gè)取向標(biāo)記可以是具有與上面描述的至少一個(gè)取向標(biāo)記相似的性質(zhì)的孔和取向標(biāo)記。
[0053]根據(jù)各種實(shí)施例，可通過(guò)從每一個(gè)芯片的前側(cè)將至少一個(gè)孔形成到多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片中來(lái)在多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片上的背側(cè)上形成至少一個(gè)取向標(biāo)記。
[0054]根據(jù)各種實(shí)施例，也可通過(guò)至少一個(gè)凹槽(例如如上所述的凹槽)來(lái)形成至少一個(gè)取向標(biāo)記。
[0055]在310中的(公共)載體可具有至少前側(cè)和背側(cè)，其中載體的前側(cè)面向第一方向，而載體的背側(cè)面向與第一方向相反的第二方向。載體的前側(cè)也可被稱(chēng)為載體的頂側(cè)或第一偵牝且可以是芯片可被布置于其上的一側(cè)。載體的背側(cè)也可被稱(chēng)為載體的底側(cè)或第二側(cè)，其中背側(cè)可以是基本上沒(méi)有芯片的一側(cè)。
[0056]在310中的載體可由例如可由根據(jù)方法100的上面討論的半導(dǎo)體材料、箔和/或板等中的一個(gè)或多個(gè)所形成的晶片、經(jīng)處理的晶片、襯底、經(jīng)處理的襯底、半導(dǎo)體襯底或經(jīng)處理的半導(dǎo)體襯底形成。
[0057]載體可由材料的組中的至少一個(gè)形成，其中該組可包括下列項(xiàng)或由下列項(xiàng)組成:如上面已根據(jù)方法100討論的半導(dǎo)體材料中的一種或多種半導(dǎo)體材料、陶瓷材料、玻璃(例如塊狀玻璃載體晶片)、聚合物、有機(jī)聚合物、金屬、金屬合金等。
[0058]載體可被形成為具有形狀的組中的至少一個(gè)形狀，其中該組可包括:圓形、三角形、正方形、矩形、五邊形、六邊形、多邊形等，或可由其組成。
[0059]載體在圓形覆蓋區(qū)的情況下可具有直徑，其可在從大約10 mm到600 mm的范圍內(nèi)，或可在從大約50 mm到大約450 mm的范圍內(nèi)，或可在從大約75 mm到大約300 mm的范圍內(nèi)，或可在從大約0.5 mm到大約20 mm的范圍內(nèi)。
[0060]載體可具有在載體的前側(cè)和載體的背側(cè)之間延伸的厚度，其可在從大約10 μ m到大約1 mm的范圍內(nèi)。
[0061]舉例來(lái)說(shuō)，布置在公共載體上的多個(gè)芯片可被布置在載體上的陣列結(jié)構(gòu)中，例如在矩陣狀布置中的行和列中。
[0062]圖4示出根據(jù)各種實(shí)施例的用于處理多個(gè)芯片的方法400。用于處理多個(gè)芯片的方法400可包括:
提供布置在公共載體上的多個(gè)芯片(在410中)；以及
通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中孔在步驟(在420中)形成取向標(biāo)記；以及
使多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片與多個(gè)芯片中的其它芯片分離(在430中)；
其中該分離和孔的形成在一個(gè)公共蝕刻工藝中被執(zhí)行(在440中)。
[0063]此外，用于處理多個(gè)芯片的方法400可被執(zhí)行，使得多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片的分離和孔的形成可在一個(gè)公共蝕刻工藝中和/或在一個(gè)公共等離子體蝕刻工藝中被執(zhí)行。
[0064]可從多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片的前側(cè)施加公共蝕刻工藝和/或公共等離子體蝕刻工藝。
[0065]布置在公共載體上的多個(gè)芯片可被布置在載體上，該載體可以是如上面關(guān)于前面的圖描述的載體。
[0066]布置在公共載體上的多個(gè)芯片可以是多個(gè)芯片，其中多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片具有與如上所述的至少一個(gè)芯片相似的性質(zhì)。至少一個(gè)取向標(biāo)記可以是具有與如上所述的至少一個(gè)取向標(biāo)記相似的性質(zhì)的取向標(biāo)記。此外，至少一個(gè)孔可以是具有與如上所述的至少一個(gè)孔相似的性質(zhì)的孔。
[0067]根據(jù)各種實(shí)施例，可通過(guò)根據(jù)上面討論的方法100從多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的前側(cè)將至少一個(gè)孔形成到多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片中和/或通過(guò)根據(jù)上面討論的方法200將從多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的前側(cè)延伸到多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)的至少一個(gè)凹槽形成到多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片中來(lái)形成至少一個(gè)取向標(biāo)記，其中至少一個(gè)孔和/或至少一個(gè)凹槽形成至少一個(gè)取向標(biāo)記。
[0068]用于處理多個(gè)芯片的方法400還可包括使用至少一個(gè)取向標(biāo)記將單片化的芯片放置在另外的載體上。
[0069]方法400還可包括使用至少一個(gè)取向標(biāo)記將至少一個(gè)單片化的芯片放置在另外的載體上，該取向標(biāo)記可通過(guò)從多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的前側(cè)將至少一個(gè)孔形成到芯片中和/或通過(guò)將從多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的前側(cè)延伸到多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)的至少一個(gè)凹槽形成到多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片中來(lái)在多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)上形成。
[0070]至少一個(gè)單片化的芯片可使用至少一個(gè)取向標(biāo)記來(lái)被放置在另外的載體上，其中另外的載體可由例如可由根據(jù)方法100的上面討論的半導(dǎo)體材料、箔和/或板中的一個(gè)或多個(gè)所形成的晶片、經(jīng)處理的晶片、襯底、經(jīng)處理的襯底、半導(dǎo)體襯底或經(jīng)處理的半導(dǎo)體襯底形成。
[0071]另外的載體可由材料的組中的至少一個(gè)形成，其中該組可包括下列項(xiàng)或由下列項(xiàng)組成:如上面已根據(jù)方法100討論的半導(dǎo)體材料中的一種或多種半導(dǎo)體材料、陶瓷材料、聚合物、有機(jī)聚合物、金屬、金屬合金等。
[0072]另外的載體可被形成為具有幾何形狀，其可以是幾何形狀的組中的至少一個(gè)，其中該組可包括:圓形、矩形、正方形、三角形、五邊形、六邊形、任意多邊形等，或可由其組成。
[0073]圖5示出將通過(guò)上面根據(jù)各種實(shí)施例的討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)處理的示例性芯片500的底視圖。芯片500可具有形成至少一個(gè)取向標(biāo)記510的至少一個(gè)孔，該取向標(biāo)記510可通過(guò)從芯片500的前側(cè)(其與背側(cè)520相對(duì))將至少一個(gè)孔形成到芯片500中來(lái)在芯片500的背側(cè)520上形成，其中至少一個(gè)孔可形成至少一個(gè)取向標(biāo)記510。
[0074]示例性芯片500和至少一個(gè)取向標(biāo)記510可具有與根據(jù)上面討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)的至少一個(gè)芯片相似的性質(zhì)。
[0075]此外，至少一個(gè)孔可以是具有與如上所述的至少一個(gè)孔相似的性質(zhì)的孔。
[0076]將理解的是，雖然在圖5中只示出單個(gè)示例性芯片500，但實(shí)施例不限于單個(gè)芯片500，而是也可包括多個(gè)芯片。
[0077]此外，雖然在圖5中只示出一個(gè)單個(gè)取向標(biāo)記510，但實(shí)施例不限于正好一個(gè)取向標(biāo)記510,而是也可包括多個(gè)取向標(biāo)記510。
[0078]圖6示出根據(jù)各種實(shí)施例的如圖5所示的芯片500的橫截面視圖。芯片500可具有形成至少一個(gè)取向標(biāo)記510的至少一個(gè)孔510，所述取向標(biāo)記510可通過(guò)從芯片500的前側(cè)530將至少一個(gè)孔形成到芯片500中來(lái)在芯片500的背側(cè)520上形成。
[0079]芯片500的前側(cè)530可面向第一方向，而芯片500的背側(cè)520可面向也可被稱(chēng)為第二方向的相反方向。
[0080]此外，至少一個(gè)孔510的形狀(或取向)可以不限于90°直線。而且，至少一個(gè)孔510的側(cè)壁角可被形成有傾斜角度，其中該角度可以在從大約85°到大約95°的范圍內(nèi)，例如在從大約87°到大約93°的范圍內(nèi)，例如在從大約75°到大約105°的范圍內(nèi)。此外，至少一個(gè)孔510的側(cè)壁也可具有可由如上面討論的孔形成工藝之一(諸如蝕刻和/或等離子體蝕刻)引起的外形(例如圖案)。
[0081]芯片500可具有可從芯片500的前側(cè)530延伸到背側(cè)520的厚度t。
[0082]圖7示出根據(jù)各種實(shí)施例的示例性芯片布置700的底視圖，其中示例性芯片布置被描繪為示例性CSP。芯片布置700具有各種示例性取向標(biāo)記510，其可根據(jù)上面討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)通過(guò)從芯片500的前側(cè)530 (未示出)將至少一個(gè)孔形成到芯片500中來(lái)在芯片500的背側(cè)520上形成。
[0083]此外，芯片布置700可包括一個(gè)或多個(gè)芯片500。芯片布置700可具有多個(gè)取向標(biāo)記510，其可根據(jù)上面討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)通過(guò)從具有覆蓋區(qū)的芯片500的前側(cè)將至少一個(gè)孔510形成到芯片500中來(lái)在芯片500的背側(cè)520上形成，所述覆蓋區(qū)可以是例如圓形形狀(例如在圖7中的第一取向標(biāo)記702)、二角形形狀(例如在圖7中的第二取向標(biāo)記704)、四邊形形狀(例如在圖7中的第三取向標(biāo)記706)、L形狀(例如在圖7中的第四取向標(biāo)記708)或十字形狀(例如在圖7中的第五取向標(biāo)記710)。
[0084]雖然圖7圖示可以是圓形形狀、三角形形狀、四邊形形狀、L形狀或十字形狀、字母形狀、符號(hào)形狀、數(shù)字形狀的各種取向標(biāo)記510的示例性覆蓋區(qū)，但它們不限于這些形狀。也可提供取向標(biāo)記的任何其它多邊形形狀的覆蓋區(qū)。
[0085]圖8不出根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置800的底視圖，其中芯片布置800被不出為具有多個(gè)取向標(biāo)記的示例性CSP，所述取向標(biāo)記可通過(guò)將至少?gòu)男酒?00的前側(cè)延伸到背側(cè)的至少一個(gè)凹槽形成到芯片500中來(lái)在芯片500的邊緣上或在芯片500的背側(cè)520上形成。
[0086]可根據(jù)上面討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)來(lái)形成一個(gè)或多個(gè)取向標(biāo)記810。
[0087]多個(gè)取向標(biāo)記810可具有各種覆蓋區(qū)，其可以是例如三角形形狀(例如在圖8中的第一取向標(biāo)記802和第二取向標(biāo)記804)或四邊形形狀(例如在圖8中的第三取向標(biāo)記806)。
[0088]至少一個(gè)孔(其在其它實(shí)施例中可以是凹槽)可被形成為基本上沒(méi)有芯片布置800的至少一個(gè)芯片500的芯片材料。
[0089]此外，芯片布置800可包括一個(gè)或多個(gè)芯片500。芯片布置800的至少一個(gè)芯片500可以是具有與如上所述的至少一個(gè)芯片相似的性質(zhì)的芯片。
[0090]雖然圖8圖示可以是三角形形狀或四邊形形狀的不同的取向標(biāo)記802、804、806的各種覆蓋區(qū)，將理解的是，在各種實(shí)施例中也可提供任何其它多邊形形狀的取向標(biāo)記的覆蓋區(qū)。
[0091]可通過(guò)將至少?gòu)男酒?00的前側(cè)延伸到芯片500的背側(cè)520的孔(或凹槽)形成到芯片500中來(lái)在芯片500的背側(cè)520上形成取向標(biāo)記802、804、806，其中孔或凹槽可沿著芯片500的至少一個(gè)邊緣形成。
[0092]圖9示出根據(jù)各種實(shí)施例的各種示例性芯片布置900的頂視圖，其中芯片布置900根據(jù)各種實(shí)施例被示出為具有對(duì)角焊盤(pán)角落的CSP。而且，如圖9所示，對(duì)角焊盤(pán)角落可以至少基本上沒(méi)有可布置在芯片500的前側(cè)530的頂部上的至少一個(gè)電子結(jié)構(gòu)950和/或任何結(jié)構(gòu)元件950中的任一個(gè)。
[0093]芯片布置900可包括一個(gè)或多個(gè)芯片500。芯片布置900的芯片500可以是具有與如上所述的至少一個(gè)芯片相似的性質(zhì)的芯片。
[0094]至少一個(gè)取向標(biāo)記510可以是具有與如上所述的至少一個(gè)取向標(biāo)記相似的性質(zhì)的取向標(biāo)記。
[0095]至少一個(gè)孔和/或凹槽可以是關(guān)于制造、數(shù)量、尺寸、體積和表面大小、覆蓋區(qū)的形狀、主體形狀、取向和在至少一個(gè)芯片的至少前側(cè)和/或背側(cè)上的位置具有與根據(jù)上面討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)的至少一個(gè)孔和/或凹槽相似的性質(zhì)的孔和
/或凹槽。
[0096]可根據(jù)上面討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)通過(guò)從示例性芯片布置900的示例性芯片500的前側(cè)530將至少一個(gè)孔形成到示例性芯片500中和/或通過(guò)從示例性芯片布置900的示例性芯片500的前側(cè)530到示例性芯片布置900的示例性芯片500的背側(cè)將至少一個(gè)凹槽形成到示例性芯片布置900的示例性芯片500中來(lái)在示例性芯片500的背側(cè)上形成示例性芯片布置900的示例性取向標(biāo)記510。
[0097]圖9所示的芯片布置900可具有在對(duì)角焊盤(pán)角落中的取向標(biāo)記510的不同形狀的區(qū)域，其可基本上沒(méi)有至少一個(gè)電子結(jié)構(gòu)950和/或至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件950。舉例來(lái)說(shuō)，各種取向標(biāo)記510可具有覆蓋區(qū)，其可以是例如不同大小的圓形形狀(例如第一取向標(biāo)記902、904、906，其可具有不同的直徑)、例如三角形形狀(例如第二取向標(biāo)記908)、例如帶有圓角的矩形形狀(例如第三取向標(biāo)記910)、例如五邊形形狀(例如第四取向標(biāo)記912)、例如六邊形形狀(例如第五取向標(biāo)記914)、例如類(lèi)十字形形狀(例如第六取向標(biāo)記916)、例如類(lèi)T形形狀(例如第七取向標(biāo)記918)等。
[0098]雖然在圖9中圖示各種形狀的取向標(biāo)記902、904、906、908、910、912、914、916、918，但將理解的是，也可通過(guò)從芯片布置900的芯片500的前側(cè)530將至少一個(gè)孔形成到芯片布置900的芯片500中和/或通過(guò)將至少?gòu)男酒?00的前側(cè)530延伸到芯片500的背側(cè)的至少一個(gè)凹槽形成到芯片布置900的芯片500中來(lái)在芯片布置900的示例性芯片500的背側(cè)上形成任何其它多邊形形狀的示例性取向標(biāo)記902、904、906、908、910、912、914、916、918的覆蓋區(qū)。
[0099]圖10示出根據(jù)各種實(shí)施例的芯片布置1000的頂視圖，其中芯片布置1000被示出為具有兩個(gè)不同的取向標(biāo)記1002、1004、帶有一個(gè)對(duì)角焊盤(pán)角落的示例性CSP。而且，如圖10所示，對(duì)角焊盤(pán)角落可基本上沒(méi)有在芯片布置1000的芯片500的前側(cè)530的頂部上的至少一個(gè)電子結(jié)構(gòu)950和/或至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件950。
[0100]雖然圖10所示的兩個(gè)取向標(biāo)記1002、1004被示出為根據(jù)上面提到的方法100、200、300或400中的一個(gè)通過(guò)從芯片布置1000的芯片500的前側(cè)將至少一個(gè)孔形成到芯片布置1000的芯片500中來(lái)在芯片布置1000的芯片500的背側(cè)上形成，將理解的是，取向標(biāo)記也可通過(guò)將至少?gòu)男酒贾玫男酒?00的前側(cè)530延伸到芯片布置的芯片500的背側(cè)的至少一個(gè)凹槽形成到這樣的芯片布置的芯片500中來(lái)在這樣的芯片布置的芯片的背側(cè)上形成。
[0101]芯片布置1000的至少一個(gè)芯片500可以是具有與如上所述的至少一個(gè)芯片相似的性質(zhì)的芯片500。形成到芯片布置1000的芯片500中的至少一個(gè)取向標(biāo)記可以是具有與如上所述的至少一個(gè)取向標(biāo)記相似的性質(zhì)的取向標(biāo)記。形成到芯片布置1000的芯片500中的至少一個(gè)孔可以是具有與如上所述的至少一個(gè)孔或凹槽相似的性質(zhì)的孔或凹槽。
[0102]圖10所示的芯片布置1000可具有不同形狀的取向標(biāo)記510的區(qū)域，例如，如在圖10中的示例性芯片布置1000的右上角中例如在可基本上沒(méi)有至少一個(gè)電子結(jié)構(gòu)950和/或至少一個(gè)結(jié)構(gòu)元件950的右上對(duì)角焊盤(pán)角落中所示的取向標(biāo)記510的區(qū)域，和在焊盤(pán)結(jié)構(gòu)950中的兩個(gè)焊盤(pán)結(jié)構(gòu)之間的在圖10中的芯片布置1000的中下部中所示的其它取向標(biāo)記510的區(qū)域。舉例來(lái)說(shuō)，在對(duì)角焊盤(pán)角落中的取向標(biāo)記510可被形成為圓形形狀取向標(biāo)記510，且在兩個(gè)焊盤(pán)結(jié)構(gòu)之間的另一取向標(biāo)記可被形成為A形形狀取向標(biāo)記510?？筛鶕?jù)上面討論的方法100、200、300或400中的至少一個(gè)形成這兩種取向標(biāo)記510。
[0103]雖然在圖10中圖示取向標(biāo)記510的兩個(gè)覆蓋區(qū)形狀，但將理解的是，示例性取向標(biāo)記510的任何其它多邊形形狀的覆蓋區(qū)可在示例性芯片布置1000的示例性芯片500的背側(cè)上形成。
[0104]圖11示出根據(jù)各種實(shí)施例的圖10的芯片布置1000的底視圖。
[0105]在各種實(shí)施例中，用于處理芯片的方法可包括:提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片；以及通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中孔形成取向
己 ο
[0106]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)蝕刻來(lái)形成孔。
[0107]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)等離子體蝕刻來(lái)形成孔。
[0108]在各種實(shí)施例中，從芯片的如側(cè)將孔形成到芯片中可包括從芯片的如側(cè)開(kāi)始將孔形成到芯片中。
[0109]在各種實(shí)施例中，至少一個(gè)孔可被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀，該組由長(zhǎng)方體、圓柱體、立方體、棱柱體和拋物體組成。
[0110]在各種實(shí)施例中，從芯片的前側(cè)形成到芯片中的至少一個(gè)孔的覆蓋區(qū)可以在從大約20 μ m2到大約10，000 μ m2的范圍內(nèi)。
[0111]在各種實(shí)施例中，用于處理芯片的方法可包括:提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片；以及通過(guò)將至少?gòu)男酒那皞?cè)延伸到芯片的背側(cè)的凹槽形成到芯片中來(lái)在芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中凹槽形成取向標(biāo)記。
[0112]在各種實(shí)施例中，沿著芯片的至少一個(gè)邊緣形成凹槽。
[0113]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)蝕刻(例如通過(guò)等離子體蝕刻)來(lái)形成凹槽。
[0114]在各種實(shí)施例中，至少一個(gè)凹槽可被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀,該組由長(zhǎng)方體、圓柱體、立方體、棱柱體和拋物體組成。
[0115]在各種實(shí)施例中，從芯片的前側(cè)形成到芯片中的至少一個(gè)凹槽的覆蓋區(qū)可以在從大約20 μ m2到大約10，000 μ m2的范圍內(nèi)。
[0116]在各種實(shí)施例中，從芯片的前側(cè)形成到芯片中的至少一個(gè)孔的覆蓋區(qū)可以在從大約20 μ m2到大約10，000 μ m2的范圍內(nèi)。
[0117]在各種實(shí)施例中，用于處理多個(gè)芯片的方法可包括:提供布置在公共載體上的多個(gè)芯片；以及通過(guò)從芯片的前側(cè)將孔形成到芯片中來(lái)在多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，其中孔形成取向標(biāo)記。
[0118]在各種實(shí)施例中，該方法還可包括:使多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片與多個(gè)芯片中的其它芯片分離。
[0119]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行至少一個(gè)芯片的分離，其中可從芯片的前側(cè)施加蝕刻工藝。
[0120]在各種實(shí)施例中，可通過(guò)蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行至少一個(gè)芯片的分離，其中蝕刻工藝可以是等離子體蝕刻工藝。
[0121]在各種實(shí)施例中，可在一個(gè)公共蝕刻工藝步驟中執(zhí)行該分離和孔的形成。
[0122]在各種實(shí)施例中，該方法還可包括:使用取向標(biāo)記將單片化的芯片放置在另外的載體上。
[0123]在各種實(shí)施例中，至少一個(gè)孔被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀,該組由長(zhǎng)方體、圓柱體、立方體、棱柱體和拋物體組成。
[0124]在各種實(shí)施例中，從芯片的前側(cè)形成到芯片中的至少一個(gè)孔的覆蓋區(qū)可以在從大約20 μ m2到大約10，000 μ m2的范圍內(nèi)。
[0125]雖然已經(jīng)參考特定的實(shí)施例特別示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)理解的是，而不脫離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在形式和細(xì)節(jié)上的各種改變可在其中做出。本發(fā)明的范圍因此由所附權(quán)利要求指示，且因此意在包括出現(xiàn)在權(quán)利要求的等同形式的意義和范圍內(nèi)的所有改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于處理芯片的方法，該方法包括: 提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片； 通過(guò)從所述芯片的所述前側(cè)將孔形成到所述芯片中來(lái)在所述芯片的所述背側(cè)上形成取向標(biāo)記，所述孔形成所述取向標(biāo)記。
2.權(quán)利要求1所述的方法， 其中通過(guò)蝕刻來(lái)形成所述孔。
3.權(quán)利要求2所述的方法， 其中通過(guò)等離子體蝕刻來(lái)形成所述孔。
4.權(quán)利要求1所述的方法， 其中從所述芯片的所述前側(cè)將所述孔形成到所述芯片中包括從所述芯片的所述前側(cè)開(kāi)始將所述孔形成到所述芯片中。
5.權(quán)利要求1所述的方法， 其中所述至少一個(gè)孔被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀，所述組由下列項(xiàng)組成: 長(zhǎng)方體； 圓柱體； 立方體； 棱柱體；以及 拋物體。
6.權(quán)利要求1所述的方法， 其中從所述芯片的所述前側(cè)形成到所述芯片中的所述至少一個(gè)孔的覆蓋區(qū)在從大約20 9 III2到大約10，000 9 02的范圍內(nèi)。
7.一種用于處理芯片的方法，所述方法包括: 提供具有前側(cè)和背側(cè)的芯片； 通過(guò)將至少?gòu)乃鲂酒那皞?cè)延伸到所述芯片的所述背側(cè)的凹槽形成到所述芯片中來(lái)在所述芯片的所述背側(cè)上形成取向標(biāo)記，所述凹槽形成所述取向標(biāo)記。
8.權(quán)利要求7所述的方法， 其中所述凹槽沿著所述芯片的至少一個(gè)邊緣從所述前側(cè)被形成到所述芯片中。
9.權(quán)利要求7所述的方法， 其中通過(guò)蝕刻來(lái)形成所述凹槽。
10.權(quán)利要求9所述的方法， 其中通過(guò)等離子體蝕刻來(lái)形成所述凹槽。
11.權(quán)利要求7所述的方法， 其中所述至少一個(gè)凹槽被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀，所述組由下列項(xiàng)組成: 長(zhǎng)方體； 圓柱體； 立方體； 棱柱體；以及 拋物體。
12.權(quán)利要求7所述的方法， 其中從所述芯片的所述前側(cè)形成到所述芯片中的至少一個(gè)凹槽的覆蓋區(qū)在從大約20μ m2到大約10，000 μ m2的范圍內(nèi)。
13.一種用于處理多個(gè)芯片的方法，所述方法包括: 提供布置在公共載體上的所述多個(gè)芯片；以及 通過(guò)從所述芯片的前側(cè)將孔形成到所述芯片中來(lái)在所述多個(gè)芯片中的每一個(gè)芯片的背側(cè)上形成取向標(biāo)記，所述孔形成所述取向標(biāo)記。
14.權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 使所述多個(gè)芯片中的至少一個(gè)芯片與所述多個(gè)芯片中的其它芯片分離。
15.權(quán)利要求14所述的方法， 其中通過(guò)蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行所述至少一個(gè)芯片的分離。
16.權(quán)利要求15所述的方法， 其中從所述芯片的所述前側(cè)施加所述蝕刻工藝。
17.權(quán)利要求15所述的方法， 其中蝕刻工藝是等離子體蝕刻工藝。
18.權(quán)利要求15所述的方法， 其中在一個(gè)公共蝕刻工藝步驟中執(zhí)行所述分離和所述孔的形成。
19.權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 使用所述取向標(biāo)記將單片化的芯片放置在另外的載體上。
20.權(quán)利要求14所述的方法， 其中所述至少一個(gè)孔被形成為具有幾何主體形狀的組中的至少一個(gè)的幾何主體形狀，所述組由下列項(xiàng)組成: 長(zhǎng)方體； 圓柱體； 立方體； 棱柱體；以及 拋物體。
21.權(quán)利要求14所述的方法， 其中從所述芯片的所述前側(cè)形成到所述芯片中的所述至少一個(gè)孔的覆蓋區(qū)在從大約.20 μ m2到大約10，000 μ m2的范圍內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104465317SQ201410480558
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月20日
【發(fā)明者】S.馬滕斯, R.派希爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司