一種用于2.5d封裝的中間互聯(lián)層及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)的一種用于2.5D封裝的中間互聯(lián)層，包括基體，基體采用環(huán)氧樹(shù)脂制成，在基體內(nèi)設(shè)置有若干露出基體的銅柱或錫球，其制備方法包括如下步驟：(1)采用硅片或金屬框架制成一襯底；(2)在襯底的指定區(qū)域內(nèi)形成若干銅柱或錫球；(3)在襯底形成有銅柱或錫球這一面上采用涂覆或熱壓方法制備一層環(huán)氧樹(shù)脂層，環(huán)氧樹(shù)脂層淹沒(méi)掉所述銅柱或錫球；(4)研磨環(huán)氧樹(shù)脂層直至露出銅柱或錫球；(5)在環(huán)氧樹(shù)脂層的研磨面上布線；(6)去掉襯底制成的中間互聯(lián)層或者將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯(lián)層的一個(gè)面上再去掉襯底。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用環(huán)氧樹(shù)脂等有機(jī)材料作為中間互聯(lián)層，不需要TSV等復(fù)雜的工藝，加工工藝非常簡(jiǎn)單。
【專利說(shuō)明】—種用于2.5D封裝的中間互聯(lián)層及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種用于2.封裝的中間互聯(lián)層及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前用于2.封裝的中間互聯(lián)層主要有兩類技術(shù)，一類技術(shù)是采用PCB襯底作為中間互聯(lián)層，另一類技術(shù)是采用硅片作為中間互聯(lián)層。采用PCB襯底作為中間互聯(lián)層的工藝成熟，但其存在以下兩種缺點(diǎn):一種缺點(diǎn)是PCB的厚度很厚，與現(xiàn)代電器小型化和薄層化不相吻合；第二種缺點(diǎn)是PCB和環(huán)氧樹(shù)脂之間存在分層的風(fēng)險(xiǎn)，易出現(xiàn)可靠性問(wèn)題。采用硅片作為中間互聯(lián)層的技術(shù)需要采用粘片、剝離、TSV鉆孔和CVD/PVD/銅電鍍技術(shù)，工藝復(fù)雜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的之一是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述諸多問(wèn)題而提供一種用于2.5D封裝的中間互聯(lián)層，該中間互聯(lián)層采用環(huán)氧樹(shù)脂作為中間互聯(lián)層，工藝簡(jiǎn)單。
[0004]本發(fā)明的目的之二在于提供上述用于2.5D封裝的中間互聯(lián)層的加工工藝。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下:
[0006]一種用于2.封裝的中間互聯(lián)層，包括基體，所述基體采用環(huán)氧樹(shù)脂制成，在所述基體內(nèi)設(shè)置有若干露出所述基體上、下表面的銅柱或錫球。
[0007]上述用于2.5D封裝的中間互聯(lián)層的制備方法，包括如下步驟:
[0008](I)采用硅片或金屬框架制成一襯底；
[0009](2)在所述襯底的指定區(qū)域內(nèi)用電鍍的方法形成若干銅柱或采用植球的方法制作錫球；
[0010](3)在所述襯底形成有銅柱這一面上采用涂覆或熱壓方法制備一層環(huán)氧樹(shù)脂層，所述環(huán)氧樹(shù)脂層淹沒(méi)掉所述銅柱或錫球；
[0011](4)研磨所述環(huán)氧樹(shù)脂層直至露出銅柱或錫球；
[0012](5)在環(huán)氧樹(shù)脂層的研磨面上布線；
[0013](6)去掉所述襯底制成所述的中間互聯(lián)層或者將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯(lián)層的一個(gè)面上再去掉襯底。
[0014]封裝時(shí)，將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯(lián)層的一個(gè)面上，管芯焊接好以后也可以采用環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝，在中間互聯(lián)層的另一個(gè)面上植球即可。
[0015]由于采用了如上的技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用環(huán)氧樹(shù)脂等有機(jī)材料作為中間互聯(lián)層，不需要TSV等復(fù)雜的工藝，加工工藝非常簡(jiǎn)單。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本發(fā)明在襯底的指定區(qū)域內(nèi)用電鍍的方法形成若干銅柱的示意圖。
[0017]圖2為本發(fā)明在襯底形成有銅柱這一面上采用涂覆或熱壓方法制備一層環(huán)氧樹(shù)脂層并研磨環(huán)氧樹(shù)脂層直至露出銅柱的示意圖。
[0018]圖3為本發(fā)明在環(huán)氧樹(shù)脂研磨面上布線的示意圖。
[0019]圖4為本發(fā)明將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯(lián)層的一個(gè)面上的示意圖。
[0020]圖5為本發(fā)明去掉襯底后在中間互聯(lián)層的另一個(gè)面上植球的示意圖。
[0021]圖6為本發(fā)明在管芯上封裝環(huán)氧樹(shù)脂的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]參見(jiàn)附圖，圖中給出的用于2.5D封裝的中間互聯(lián)層的制備方法，包括如下步驟:
[0023](I)采用硅片或金屬框架制成一襯底10 ；
[0024](2)參見(jiàn)圖1，在襯底10的指定區(qū)域內(nèi)用電鍍的方法形成若干銅柱20 ；
[0025](3)參見(jiàn)圖2在襯底10形成有銅柱20這一面11上采用涂覆或熱壓方法制備一層環(huán)氧樹(shù)脂層30，環(huán)氧樹(shù)脂層30淹沒(méi)掉銅柱20 ；
[0026](4)參見(jiàn)圖2，研磨環(huán)氧樹(shù)脂層30直至露出銅柱20 ；
[0027](5)參見(jiàn)圖3，在環(huán)氧樹(shù)脂層30的研磨面31上布線40 ；
[0028](6)參見(jiàn)圖4，將需要倒裝焊的管芯50焊接在環(huán)氧樹(shù)脂層30的研磨面31上的布線40上；
[0029](7)參見(jiàn)圖5，去掉襯底10并在環(huán)氧樹(shù)脂層30另一個(gè)面32上植錫球60即可。
[0030]當(dāng)然，參見(jiàn)圖6，也可以在管芯50上封裝環(huán)氧樹(shù)脂70。
【權(quán)利要求】
1.一種用于2.ro封裝的中間互聯(lián)層，包括基體，所述基體采用環(huán)氧樹(shù)脂制成，在所述基體內(nèi)設(shè)置有若干露出所述基體上、下表面的銅柱或錫球。
2.權(quán)利要求1所述的用于2.5D封裝的中間互聯(lián)層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)采用硅片或金屬框架制成一襯底； (2)在所述襯底的指定區(qū)域內(nèi)用電鍍的方法形成若干銅柱或用植球的方法制造錫球； (3)在所述襯底形成有銅柱這一面上采用涂覆或熱壓方法制備一層環(huán)氧樹(shù)脂層，所述環(huán)氧樹(shù)脂層淹沒(méi)掉所述銅柱或錫球； (4)研磨所述環(huán)氧樹(shù)脂層直至露出銅柱或錫球； (5)在環(huán)氧樹(shù)脂層的研磨面上布線； (6)去掉所述襯底制成所述的中間互聯(lián)層或者將需要倒裝焊的管芯焊接在中間互聯(lián)層的一個(gè)面上再去掉襯底。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK104051369SQ201410311847
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月2日
【發(fā)明者】楊凡力 申請(qǐng)人:上海朕芯微電子科技有限公司