一種新型薄膜電阻的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種新型薄膜電阻，包括散熱金屬底座層、設(shè)置于散熱金屬底座層上的絕緣基板層，絕緣基板層的上表面形成有一弧形槽，弧形槽內(nèi)設(shè)有電阻膜層并且電阻膜層的頂面為平面，電阻膜層的頂面邊緣及兩側(cè)形成有一對(duì)電極，電極包括：頂部電極和引出電極，頂部電極的上表面及裸露的電阻膜層上表面均覆蓋有絕緣保護(hù)層。有益之處在于：本發(fā)明的薄膜電阻在絕緣基板層下方設(shè)置了散熱金屬底座層，大大優(yōu)化了電阻的散熱性能，使得薄膜電阻的熱穩(wěn)定性更好，即電阻的電學(xué)特性隨溫度變化不明顯；此外，絕緣基板層的上表面形成一個(gè)弧形槽，將電阻膜層蒸鍍于弧形槽內(nèi)，在不增加電阻體積的基礎(chǔ)上提高了電阻的耐受功率，優(yōu)化了產(chǎn)品的性能。
【專利說(shuō)明】—種新型薄膜電阻
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電阻，具體涉及一種具有良好的熱穩(wěn)定性的薄膜電阻，屬于電子元器件領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜電阻具有比表面積大、能承受大功率等眾多優(yōu)點(diǎn)，隨著新興電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，薄膜電阻的需求缺口越來(lái)越大，而且對(duì)質(zhì)量和性能的要求也越來(lái)越高，由于薄膜電阻在使用時(shí)不可避免地產(chǎn)生熱量，而熱量的堆積對(duì)于電阻的性能、壽命都有很大的影響，所以，迫切需要一種散熱性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)的薄膜電阻，以滿足高端市場(chǎng)的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種散熱性能佳、熱穩(wěn)定性好的薄膜電阻。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
一種新型薄膜電阻，包括散熱金屬底座層、設(shè)置于散熱金屬底座層上的絕緣基板層，所述絕緣基板層的上表面形成有一弧形槽，所述弧形槽內(nèi)設(shè)有電阻膜層并且電阻膜層的頂面為平面，所述電阻膜層的頂面邊緣及兩側(cè)形成有一對(duì)電極，所述電極包括:頂部電極和引出電極，所述頂部電極的上表面及裸露的電阻膜層上表面均覆蓋有絕緣保護(hù)層。
[0005]前述散熱金屬底座層由銅或鋁制成，所述絕緣基板層由陶瓷制成。
[0006]前述電阻膜層由氮化鉭或鎳鉻合金蒸鍍至絕緣基板層表面。
[0007]前述電極的材料為鉭或鎳或銅。
[0008]前述絕緣保護(hù)層為二氧化硅。
[0009]前述電阻膜層最厚處的厚度不超過(guò)最薄處的厚度的兩倍。
[0010]前述電阻膜層最薄處的厚度為5-10微米。
[0011]前述弧形槽的深度大于絕緣基板層厚度的一半。
[0012]前述散熱金屬底座層的長(zhǎng)度大于絕緣基板層的長(zhǎng)度。
[0013]本發(fā)明的有益之處在于:本發(fā)明的薄膜電阻在絕緣基板層下方設(shè)置了散熱金屬底座層，大大優(yōu)化了電阻的散熱性能，使得薄膜電阻的熱穩(wěn)定性更好，即電阻的電學(xué)特性隨溫度變化不明顯；此外，絕緣基板層的上表面形成一個(gè)弧形槽，將電阻膜層蒸鍍于弧形槽內(nèi)，在不增加電阻體積的基礎(chǔ)上提高了電阻的耐受功率，優(yōu)化了產(chǎn)品的性能。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是本發(fā)明的一種新型薄膜電阻的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖中附圖標(biāo)記的含義:1、散熱金屬底座層，2、絕緣基板層，21、弧形槽，3、電阻膜層，4、電極，41、頂部電極，42、引出電極，5、絕緣保護(hù)層?！揪唧w實(shí)施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作具體的介紹。
[0017]參見(jiàn)圖1，本發(fā)明的一種新型薄膜電阻，包括散熱金屬底座層1、設(shè)置于散熱金屬底座層I上的絕緣基板層2，散熱金屬底座層I的長(zhǎng)度大于絕緣基板層2的長(zhǎng)度，優(yōu)選地，散熱金屬底座層I由銅或鋁制成，絕緣基板層2由陶瓷制成。本發(fā)明的一大創(chuàng)新之處在于絕緣基板層2的上表面形成有一弧形槽21，電阻膜層3蒸鍍于弧形槽21內(nèi)并且其頂面為平面，也就是說(shuō)，電阻膜層3的底面為弧形面，頂面為平面。這樣一來(lái)，在不增加電阻本身體積的前提下，相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的薄膜電阻，所能耐受的最大功率提高了近50%，優(yōu)選的電阻膜層3材料為氮化鉭或鎳鉻合金。
[0018]同時(shí)，在電阻膜層3的頂面邊緣及兩側(cè)形成有一對(duì)電極4，電極4也可以是采用蒸鍍的方法制成的，優(yōu)選的電極4材料為鉭或鎳或銅，具體包括:頂部電極41和引出電極42。最后，在頂部電極41的上表面及裸露的電阻膜層3上表面均覆蓋有絕緣保護(hù)層5，優(yōu)選的保護(hù)層材料為二氧化硅。
[0019]作為一種優(yōu)選，電阻膜層3最厚處的厚度Hl不超過(guò)最薄處的厚度H2的兩倍，而且最薄處的厚度為5-10微米。進(jìn)一步地，弧形槽21的深度Dl大于絕緣基板層2厚度D2的一半。
[0020]本實(shí)施例的新型薄膜電阻，結(jié)構(gòu)新穎，對(duì)各層材料進(jìn)行選擇和合理配制，同時(shí)優(yōu)化了電阻膜層3、絕緣基板層2的結(jié)構(gòu)和厚度，使得電阻的散熱性能卓越，隨著使用時(shí)間的增力口，電阻的阻值波動(dòng)幅度很小，即電阻的熱穩(wěn)定性很好。
[0021]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，上述實(shí)施例不以任何形式限制本發(fā)明，凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新型薄膜電阻，其特征在于:包括散熱金屬底座層、設(shè)置于散熱金屬底座層上的絕緣基板層，所述絕緣基板層的上表面形成有一弧形槽，所述弧形槽內(nèi)設(shè)有電阻膜層并且電阻膜層的頂面為平面，所述電阻膜層的頂面邊緣及兩側(cè)形成有一對(duì)電極，所述電極包括:頂部電極和引出電極，所述頂部電極的上表面及裸露的電阻膜層上表面均覆蓋有絕緣保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述散熱金屬底座層由銅或鋁制成，所述絕緣基板層由陶瓷制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述電阻膜層由氮化鉭或鎳鉻合金蒸鍍至絕緣基板層表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述電極的材料為鉭或鎳或銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述絕緣保護(hù)層為二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述電阻膜層最厚處的厚度不超過(guò)最薄處的厚度的兩倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述電阻膜層最薄處的厚度為5-10微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述弧形槽的深度大于絕緣基板層厚度的一半。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型薄膜電阻，其特征在于:所述散熱金屬底座層的長(zhǎng)度大于絕緣基板層的長(zhǎng)度。
【文檔編號(hào)】H01C1/084GK103971868SQ201410233208
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】李文武 申請(qǐng)人:昆山福燁電子有限公司