大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其包括一氮化鋁基板，氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線連接電阻形成衰減電路，電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片成增大了電阻面積，使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，提高了衰減精度，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
【專利說明】大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板100ff-27dB 衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無法及時(shí)地做出判斷，并對(duì)設(shè)備沒有保護(hù)作用。
[0003]衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)，對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，對(duì)設(shè)備有保護(hù)作用，但目前國內(nèi)100W-27dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，市場對(duì)衰減精度的要求要，當(dāng)衰減精度達(dá)不到要求時(shí)或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。當(dāng)頻段高于2G時(shí)，國內(nèi)的衰減片，其衰減精度更將滿足不了要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種衰減精度高，能在3G頻段內(nèi)使用大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片，其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
[0007]優(yōu)選的，所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有雙層黑色保護(hù)膜。
[0008]優(yōu)選的，所述雙層保護(hù)膜之間印刷有一層介質(zhì)層。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片增大了電阻面積，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，介質(zhì)微調(diào)技術(shù)的應(yīng)該，提高了產(chǎn)品的回波損耗和衰減精度，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例正面的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有導(dǎo)體層，導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板I的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2，銀漿導(dǎo)線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來形成TT型結(jié)構(gòu)的衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護(hù)膜3，玻璃保護(hù)膜3用于保護(hù)電阻Rl、R2、R3、R4、R5。在整個(gè)電路即銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，黑色保護(hù)膜4可對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行包括，黑色保護(hù)膜4上印刷有一層介質(zhì)層6，介質(zhì)層6上，又印刷有一層黑色保護(hù)膜5，黑色保護(hù)膜5上還可印刷品牌和型號(hào)。
[0014]該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為50±1.5Ω，輸出端和接地端的阻值為50±1.5Ω。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過電阻Rl, R2, R5, R3, R4對(duì)功率的逐步吸收，使輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0015]該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片增大了電阻面積，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，介質(zhì)微調(diào)技術(shù)的應(yīng)該，提高了產(chǎn)品的回波損耗和衰減精度，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
[0016]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其特征在于:其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其特征在于:所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有雙層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其特征在于:所述雙層保護(hù)膜之間印刷有一層介質(zhì)層。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241763SQ201410231877
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠氏電子有限公司