半導(dǎo)體器件和制造方法
【專利摘要】公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件，包括：在襯底(10)上的至少一個(gè)有源層(14，16)；以及至所述至少一個(gè)有源層的第一觸點(diǎn)(24、26、28)，所述第一觸點(diǎn)包括與所述至少一個(gè)有源層接觸的金屬以及金屬上的氮化鈦鎢TiW(N)層(30)。還公開(kāi)了一種制造這種半導(dǎo)體器件的方法。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體器件和制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括襯底上的諸如GaN層之類的至 少一個(gè)有源層以及至所述至少一個(gè)有源層的第一觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)包括與所述至少一個(gè) 有源層接觸的金屬。
[0002] 本發(fā)明還涉及一種制造這種半導(dǎo)體器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 近些年來(lái)，諸如GaN之類的III-V族氮化物由于允許用于高溫和高功率電子設(shè)備 的材料而吸引了許多注意。未來(lái)的高效功率轉(zhuǎn)換器需要能夠處理高電壓的快切換、低傳導(dǎo) 損耗的器件。GaN對(duì)于高達(dá)lkV的電壓來(lái)說(shuō)是良好的候選，在肖特基二極管和高電子遷移率 晶體管（HEMT)中表現(xiàn)出優(yōu)異的切換行為。由于GaN-on-Si外延的進(jìn)步，目前半導(dǎo)體工業(yè)主 動(dòng)將III-V族特定器件專業(yè)技術(shù)與低成本大體積的Si主流生產(chǎn)設(shè)施相結(jié)合。
[0004] 對(duì)于主流Si兼容性的關(guān)鍵考慮之一是對(duì)所使用的金屬的選擇，隨著技術(shù)的進(jìn)步， 對(duì)GaN基半導(dǎo)體器件的再現(xiàn)性、一致性、熱穩(wěn)定性和高溫操作將會(huì)有更加苛刻的要求。
[0005] GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)上的大多數(shù)歐姆觸點(diǎn)依賴于Ti/Al基金屬化方案。通過(guò)形成 TiN，鈦在下層GaN中產(chǎn)生氮空位，TiN使電子能夠隧穿到AlGaN下方的二維電子氣（2DEG)。 包含鋁以便與Ti反應(yīng)，從而防止Ti氧化。在A1上方，通常使用金作為體金屬，體金屬通常 被擴(kuò)散層隔離。通常的金屬化結(jié)構(gòu)包括Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au。
[0006] 然而金不僅昂貴而且與主流硅基半導(dǎo)體器件制造工藝不兼容。因此，為了能夠在 標(biāo)準(zhǔn)硅fab中處理GaN-on-Si襯底上的GaN/AlGaN HEMT，需要從工藝中去掉金并由主流硅 兼容金屬來(lái)代替。
[0007] 這種半導(dǎo)體器件還可以包括或備選地包括肖特基觸點(diǎn)，所述肖特基觸點(diǎn)可以包括 與半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)有源層接觸的鎳層。這也不是沒(méi)問(wèn)題的。例如，當(dāng)在后段中使用 鋁作為選擇的金屬時(shí)，鋁可以擴(kuò)散到鎳中，這對(duì)肖特基觸點(diǎn)的性質(zhì)造成負(fù)面影響。
[0008] EP2416364A2公開(kāi)了一種GaN基半導(dǎo)體器件，所述GaN基半導(dǎo)體器件具有肖特基 觸點(diǎn)，所述肖特基觸點(diǎn)包括第一金屬接觸層和布置在第一金屬接觸層上的第二肖特基金屬 接觸層。第二肖特基金屬接觸層具有比第一金屬接觸層低的功函數(shù)。第一金屬接觸層優(yōu)選 地包括鎳，第二肖特基金屬接觸層可以是從以下之中選擇的：Pd、TiW interlayer、Pt、Al、 Ti、Mo、Au或其組合。然而，已發(fā)現(xiàn)所推薦的第二肖特基金屬接觸層并不能令人滿意地解決 上述問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明意在提供一種半導(dǎo)體器件，包括：在襯底上的至少一個(gè)有源層（如，GaN 層）；以及至所述至少一個(gè)有源層的第一觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)包括與所述至少一個(gè)有源層 接觸的金屬，解決了前述問(wèn)題中的至少一些。
[0010] 本發(fā)明意在提供一種制造這種半導(dǎo)體器件的方法。 toon] 根據(jù)第一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：在襯底上的至少一個(gè)有源層；以及 至所述至少一個(gè)有源層的第一觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)包括與所述至少一個(gè)有源層接觸的金屬 以及金屬上的氮化鈦鎢（TiW(N))層。
[0012] 已發(fā)現(xiàn)，TiW(N)由于其熱性質(zhì)和勢(shì)壘性質(zhì)而可以改善這種半導(dǎo)體器件中歐姆觸點(diǎn) 和肖特基觸點(diǎn)兩者的特性。
[0013] 例如，對(duì)于作為歐姆觸點(diǎn)的第一觸點(diǎn)（在歐姆觸點(diǎn)中金屬包括Ti/Al夾層）， TiW(N)層防止在后續(xù)退火工藝中鋁層熔化，同時(shí)不影響Ti/Al歐姆觸點(diǎn)形成并且很好地粘 附到Ti/Al夾層結(jié)構(gòu)而不擴(kuò)散到該結(jié)構(gòu)中。此外，TiW(N)層在退火之后表現(xiàn)出低表面粗糙 性，這便于向該層形成可靠的（外部）觸點(diǎn)。
[0014] 對(duì)于作為肖特基觸點(diǎn)的第一觸點(diǎn)（肖特基觸點(diǎn)包括鎳作為金屬），TiW(N)層起到 有效的阻擋層的作用，所述阻擋層防止鋁金屬化擴(kuò)散到鎳中。此外，還發(fā)現(xiàn)TiW(N)層可以 防止鎳的分層，其中第一觸點(diǎn)由電絕緣材料（具體地，氮化硅（SiC)來(lái)劃界（delimited)。
[0015] 在實(shí)施例中，除了作為肖特基觸點(diǎn)的第一觸點(diǎn)之外，半導(dǎo)體器件還可以包括空間 上與第一觸點(diǎn)分離的另外（歐姆）觸點(diǎn)，所述另外觸點(diǎn)包括與所述至少一個(gè)有源層接觸的 Ti/Al夾層以及在Ti/Al夾層上的氮化鈦鎢（TiW(N))層。在該實(shí)施例中，將以上分別描述 的在肖特基觸點(diǎn)中包含TiW(N)層的優(yōu)點(diǎn)和在歐姆觸點(diǎn)中包含TiW(N)層的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合到了單 一半導(dǎo)體器件中。
[0016] 在實(shí)施例中,第一觸點(diǎn)是柵極觸點(diǎn)，另外觸點(diǎn)是源極觸點(diǎn)和漏極觸點(diǎn)之一。源極觸 點(diǎn)和漏極觸點(diǎn)兩者可以是相應(yīng)的另外觸點(diǎn)。
[0017] TiW(N)層包括子層的疊層，所述子層包括第一TiW子層、第二TiW子層以及夾在第 一 TiW子層與第二TiW子層之間的TiW(N)子層。該結(jié)構(gòu)是通過(guò)向例如濺射沉積工具的反 應(yīng)室中的反應(yīng)物逐步引入氮并從反應(yīng)物中去除氮而得到的，這確保了在反應(yīng)室中沒(méi)有氮污 染后續(xù)的濺射目標(biāo)，其中對(duì)于所述濺射目標(biāo)而言不希望包含氮。
[0018] TiW(N)子層的厚度優(yōu)選地超過(guò)了第一 TiW子層與第二TiW子層的組合厚度，使得 子層疊層的性質(zhì)由TiW(N)子層主導(dǎo)。
[0019] 盡管本發(fā)明可以應(yīng)用于任何合適的半導(dǎo)體器件，然而本發(fā)明具體適合于應(yīng)用在包 括氮化鎵（GaN)有源層的半導(dǎo)體器件中。AlGaN層可以使GaN層與半導(dǎo)體器件的一個(gè)或多 個(gè)觸點(diǎn)的金屬層分離。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：提供 襯底；在所述襯底上形成至少一個(gè)有源層；以及通過(guò)以下操作在所述有源層上形成第一觸 點(diǎn)：在所述至少一個(gè)有源層上沉積金屬，在所述金屬上沉積TiW(N)層，以及將金屬圖案化 以形成第一觸點(diǎn)。可以例如使用濺射沉積來(lái)沉積TiW(N)層。
[0021] 如果金屬是鎳，則優(yōu)選地在沉積TiW(N)層之后執(zhí)行圖案化觸點(diǎn)，因?yàn)轶@喜地發(fā)現(xiàn) 這有效地保護(hù)了鎳層免于在后續(xù)的工藝步驟中分層。
[0022] 在實(shí)施例中，襯底可以是硅襯底、SiC襯底或藍(lán)寶石襯底，所述至少一個(gè)有源層可 以包括GaN層和GaN層上的AlGaN層，其中形成第一觸點(diǎn)的步驟包括在AlGaN層上形成所 述第一觸點(diǎn)。
[0023] 在所述金屬上沉積TiW(N)層的步驟可以包括：在金屬上沉積第一 TiW子層；在第 一 TiW子層上沉積TiW (N)子層；以及在TiW (N)子層上沉積第二TiW子層。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024] 參考附圖，通過(guò)非限制性示例更詳細(xì)地描述了本發(fā)明的實(shí)施例，其中：
[0025] 圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的半導(dǎo)體器件；以及
[0026] 圖2是半導(dǎo)體器件的一方面的光學(xué)圖像。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 應(yīng)理解，附圖僅僅是示意性的，而不是按比例繪制的。還應(yīng)連接，貫穿附圖相同的 參考數(shù)字用于表示相同或相似的部分。
[0028] 本發(fā)明基于以下認(rèn)識(shí)：可以有利地在金屬觸點(diǎn)（具體地，Ti/Al和Ni觸點(diǎn)）頂部使 用氮化鈦鎢（TiW(N))，以在形成諸如二極管、晶體管等半導(dǎo)體器件時(shí)在后續(xù)的工藝步驟中 提高這些觸點(diǎn)的魯棒性。具體地，如以后將更詳細(xì)描述的，已發(fā)現(xiàn)，如果半導(dǎo)體器件的后續(xù) 制造步驟使金屬觸點(diǎn)暴露于高溫退火步驟，則在這樣的觸點(diǎn)上涂敷TiW(N)尤為有利。本發(fā) 明可以應(yīng)用于任何半導(dǎo)體技術(shù)，但是在應(yīng)用于氮化鎵（GaN)基半導(dǎo)體器件時(shí)尤為有利，GaN 基半導(dǎo)體器件的制造工藝中這種熱退火步驟是常見(jiàn)的。更具體地，本發(fā)明在應(yīng)用于需要主 流Si-fab兼容性的氮化鎵（GaN)基半導(dǎo)體器件（例如，用于電力應(yīng)用、射頻（RF)應(yīng)用和半 導(dǎo)體應(yīng)用的GaN半導(dǎo)體器件）時(shí)是尤為有利的。
[0029] 圖1示意性地示出了這種GaN基半導(dǎo)體器件（HEMT)的非限制性示例。半導(dǎo)體器件 包括襯底10,如，硅襯底，在襯底10上形成緩沖層12。緩沖層12可以例如包括GaN、AlGaN 或其組合。半導(dǎo)體器件包括有源層疊層，所述有源層疊層包括GaN層14和AlGaN層16。半 導(dǎo)體器件可以包括隔離區(qū)18以將晶片上的相鄰半導(dǎo)體器件電隔離。例如可以以任何合適 的方式形成隔離區(qū)18,例如，通過(guò)向有源層疊層中蝕刻臺(tái)面（mesa)，或者通過(guò)將諸如氬之 類的雜質(zhì)注入有源層疊層中，以局部打亂晶體結(jié)構(gòu)使得在該區(qū)域中不再形成二維電子氣。 應(yīng)理解，根據(jù)技術(shù)，可以使用其他類型的隔離區(qū)18,例如，使用任何合適的電絕緣材料，如， 氧化娃、富娃氧化娃（silicon-rich oxide)、氮化娃等等。
[0030] 在有源層疊層上形成無(wú)源層20,所述無(wú)源層20已被圖案化以向有源層疊層提供 接觸區(qū)。無(wú)源層20可以是任何合適的電介質(zhì)材料，如，氮化硅。在圖1中，僅以非限制性示 例的方式將半導(dǎo)體器件示為具有三個(gè)觸點(diǎn)，即，歐姆觸點(diǎn)24、26和肖特基觸點(diǎn)28。然而應(yīng)理 解，半導(dǎo)體器件可以具有任意合適數(shù)目的觸點(diǎn)，半導(dǎo)體器件不必須包括歐姆觸點(diǎn)和肖特基 觸點(diǎn)兩者。而是，半導(dǎo)體器件可以僅具有歐姆觸點(diǎn)或者僅具有肖特基觸點(diǎn)。觸點(diǎn)24、26和 28與AlGaN層16導(dǎo)電接觸，并且通過(guò)諸如氮化硅或任何其他合適材料等電介質(zhì)材料22彼 此電絕緣。在實(shí)施例中，觸點(diǎn)24、26和28與AlGaN層16物理接觸。在備選實(shí)施例中，通過(guò) 保護(hù)層（capping layer)使觸點(diǎn)24、26和28與AlGaN層16分離，以在使中間結(jié)構(gòu)暴露于 干蝕刻或濕蝕刻化學(xué)時(shí)（例如，在形成用于觸點(diǎn)24、26和28的開(kāi)口時(shí)），防止AlGaN層16 起反應(yīng)。這種保護(hù)層應(yīng)當(dāng)足夠薄以至于允許防止觸點(diǎn)24、26和28與絕緣層16導(dǎo)電耦合。 在實(shí)施例中，保護(hù)層是厚度小于l〇nm(例如，2-3nm)的GaN層。優(yōu)選地，無(wú)源層20和電介質(zhì) 材料22是相同的材料，如，氮化硅。
[0031] 第一歐姆觸點(diǎn)24限定了半導(dǎo)體器件的源極，第二歐姆觸點(diǎn)26可以限定半導(dǎo)體器 件的漏極，肖特基觸點(diǎn)28可以限定半導(dǎo)體器件的柵極。第一觸點(diǎn)24和第二觸點(diǎn)26分別均 典型地由金屬化疊層形成，所述金屬化疊層包括與AlGaN層16物理接觸的Ti層和與Ti層 物理接觸的A1層。在這些觸點(diǎn)的每一個(gè)中還可以存在其他層。為了在Ti層和AlGaN層16 之間獲得低歐姆觸點(diǎn)，典型地例如800°C左右的高溫退火步驟是必要的。然而，由于這些溫 度在鋁的熔點(diǎn)以上，所以在歐姆觸點(diǎn)上需要存在保護(hù)層以防止歐姆觸點(diǎn)中的A1層熔化。
[0032] 肖特基觸點(diǎn)30典型地包含鎳（Ni)作為與AlGaN層16物理接觸的金屬。Ni的使 用也不是直接的，尤其是在使用鋁來(lái)金屬化半導(dǎo)體器件時(shí)。為了避免模糊，術(shù)語(yǔ)金屬化用于 表示半導(dǎo)體器件頂部上尤其有利于將觸點(diǎn)24、28、28與其他電路元件相連或與外部相連的 金屬結(jié)構(gòu)。制造半導(dǎo)體器件的金屬化的工藝通常稱作后端工藝。
[0033] 為了在Ni層和AlGaN層16之間獲得良好的肖特基觸點(diǎn)，例如400_600°C的高溫退 火步驟典型地是必要的。然而在這些溫度下，鋁金屬化自由擴(kuò)散到鎳觸點(diǎn)中，使得有必要用 阻擋層來(lái)保護(hù)鎳不受鋁影響。
[0034] 將理解，希望提供提供單一的解決方案來(lái)解決與歐姆Ti/Al觸點(diǎn)24、26和肖特基 Ni觸點(diǎn)28相關(guān)聯(lián)的不同問(wèn)題，因?yàn)檫@最小化了所需的附加工藝步驟的數(shù)目，從而提供了節(jié) 約成本的解決方案。根據(jù)本發(fā)明的一方面，通過(guò)在歐姆觸點(diǎn)24、26和肖特基觸點(diǎn)28上添加 TiW(N)層30,提供了這種單一解決方案。在實(shí)施例中，基于TiW(N)層30的總原子組成， TiW(N)層30的氮含量在1-30的原子百分比范圍內(nèi)。在另一實(shí)施例中，基于TiW(N)層30 的總原子組成，TiW(N)層30的氮含量在2-20的原子百分比范圍內(nèi)?；赥iW(N)層30的 總原子組成，TiW(N)層30的氮含量在5-15的原子百分比范圍內(nèi)。
[0035] 已發(fā)現(xiàn)，對(duì)于歐姆觸點(diǎn)24、26, TiW(N)層30對(duì)Ti/Al歐姆觸點(diǎn)形成沒(méi)有負(fù)面影 響并且不擴(kuò)散到所形成的Ti/Al金屬間化物（intermetallic)中。在前述退火步驟之后， TiW(N)層30還表現(xiàn)出對(duì)這種Ti/Al金屬間化物的優(yōu)異粘附性以及低表面粗糙性，從而促進(jìn) 了 TiW(N)層30和金屬化（例如，鋁金屬化）之間的高質(zhì)量接觸。此外，TiW(N)層30還允 許到鎳的優(yōu)異粘附性，并且經(jīng)證實(shí)在前述退火步驟期間有效地防止了 A1擴(kuò)散到鎳中。
[0036] 需要指出，除了 TiW(N)層30之外，圖1的半導(dǎo)體器件本身是已知的，因此可以以 本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何合適方式來(lái)制造半導(dǎo)體器件。優(yōu)選地，在圖案化觸點(diǎn)24、26和 28之前將TiW(N)層30沉積到觸點(diǎn)金屬上。具體地，優(yōu)選地以單程的形式形成各個(gè)觸點(diǎn)24、 26和28的金屬疊層，以避免向空氣的任意外露，所述外露會(huì)導(dǎo)致氧化。進(jìn)一步優(yōu)選地，如以 下將更詳細(xì)描述的，在鎳肖特基觸點(diǎn)28上沉積TiW(N)層30時(shí)，剛好在該圖案化步驟之前 沉積TiW(N)層30。
[0037] 可以以任何合適的方式來(lái)沉積TiW(N)層30。一種尤為合適的方式是通過(guò)濺射沉 積。在實(shí)施例中，將TiW(N)層30沉積為單層。在尤為有利的實(shí)施例中，將TiW(N)層30沉 積為子層的疊層，其中TiW(N)子層夾在下面的TiW子層和上面的TiW子層之間。如上所述， 這凈化了殘余氮濺射設(shè)備的反應(yīng)室，使得后續(xù)的濺射目標(biāo)不被殘余氮污染?？梢允褂脼R射 沉積或任何其他合適的沉積技術(shù)來(lái)沉積這些子層中的每一個(gè)。然而應(yīng)理解，僅使用TiW(N) 層30 (即，沒(méi)有下面的TiW子層和上面的TiW子層）同樣可以解決本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn) 題。
[0038] 在實(shí)施例中，優(yōu)選地TiW (N)子層比每個(gè)TiW子層厚，優(yōu)選地比組合的TiW子層厚。 例如，在當(dāng)前的4"娃晶片工藝中，TiW子層厚度為10nm，TiW(N)子層厚度為80nm，以確保疊 層30的體行為（bulk behavior)由TiW(N)子層的性質(zhì)來(lái)主導(dǎo)。
[0039] 圖2是圓形肖特基勢(shì)壘二極管的光學(xué)顯微圖，示出了在與氮化硅的界面處Ni的分 層。利用箭頭指出了一個(gè)這種分層區(qū)域。不希望受理論上的束縛，相信Ni的分層主要是由 于氫擴(kuò)散通過(guò)Ni而引起。在氮化硅金屬間電介質(zhì)22的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD) 期間存在大量的原子氫，這會(huì)導(dǎo)致在Ni的界面處重新組合成氮化硅。此外，已知PECVD氮 化硅包含鍵合（bound)到氮的大量氫。在后續(xù)的退火步驟中，H-N鍵斷裂，再次導(dǎo)致氫擴(kuò)散 通過(guò)Ni肖特基觸點(diǎn)28。盡管前者的氫擴(kuò)散過(guò)程可能更具主導(dǎo)性，但是相信原子氫和后續(xù) H2的形成這兩個(gè)因素都是造成分層的驅(qū)動(dòng)力。
[0040] 如果在氮化硅氫源和Ni金屬層之間涂覆氫擴(kuò)散阻擋物，則防止了 Ni從氮化硅的 分層。驚喜地發(fā)現(xiàn)，經(jīng)證實(shí)，在圖案化肖特基柵極之前直接在肖特基觸點(diǎn)28的Ni上沉積的 TiW(N)阻擋層30非常有效地抑制了這種分層。
[0041] 應(yīng)注意，前述實(shí)施例示出而非限制本發(fā)明，在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的前提 下，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠設(shè)計(jì)出許多備選的實(shí)施例。在權(quán)利要求中，圓括號(hào)之間的任何參 考標(biāo)記都不應(yīng)解釋為限制權(quán)利要求。詞語(yǔ)"包括"不排出權(quán)利要求中所列元件或步驟之外 其他元件或步驟的存在。元件前面的詞語(yǔ)"一種"不排出存在多個(gè)這樣的元件?？梢岳?包括若干不同元件的硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。列舉了若干裝置的設(shè)備權(quán)利要求中，這些裝置中 的一些可以由同一個(gè)硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)。在互不相同的從屬權(quán)利要求中產(chǎn)生特定的措施并不表示 不能有利地使用這些措施的組合。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體器件，包括： 在襯底（10)上的至少一個(gè)有源層（14,16);以及 至所述至少一個(gè)有源層的第一觸點(diǎn)（24、26、28)，所述第一觸點(diǎn)包括與所述至少一個(gè)有 源層接觸的金屬以及金屬上的氮化鈦鎢TiW(N)層（30)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述至少一個(gè)有源層包括GaN層（14)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，通過(guò)AlGaN層（16)使GaN層（14)與所述 至少一個(gè)觸點(diǎn)（24、26、28)分離。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其中，金屬包括Ti/Al夾 層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其中，金屬是鎳。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一觸點(diǎn)（24、26、28)由電絕緣材料（22) 橫向劃界。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，電絕緣材料（22)是SiN。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其中，半導(dǎo)體器件包括與 第一觸點(diǎn)（28)空間上分離的另外觸點(diǎn)（24、26)，所述另外觸點(diǎn)包括與所述至少一個(gè)有源層 (14、16)接觸的Ti/Al夾層以及在Ti/Al夾層上的氮化鈦鎢TiW(N)層（30)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一觸點(diǎn)（28)是肖特基觸點(diǎn)，所述另 外觸點(diǎn)（24、26)是歐姆觸點(diǎn)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體器件，其中，第一觸點(diǎn)（28)是柵極觸點(diǎn)，所述另 外觸點(diǎn)（24、26)是源極觸點(diǎn)和漏極觸點(diǎn)之一。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其中，TiW(N)層（30)包 括子層的疊層，所述子層包括第一 TiW子層、第二TiW子層以及夾在第一 TiW子層與第二 TiW子層之間的TiW(N)子層，其中TiW(N)子層的厚度優(yōu)選地超過(guò)了第一 TiW子層與第二 TiW子層的組合厚度。
12. -種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括： 提供襯底（10); 在所述襯底上形成至少一個(gè)有源層（14、16);以及 通過(guò)以下操作在所述至少一個(gè)有源層上形成第一觸點(diǎn)（24、26、28): 在所述至少一個(gè)有源層上沉積金屬； 在所述金屬上沉積TiW (N)層（30);和 將金屬圖案化以形成第一觸點(diǎn)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，金屬是鎳，并且圖案化步驟是在沉積TiW(N)層 (30)之后執(zhí)行的。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中，襯底（10)是硅襯底、SiC襯底和藍(lán)寶石 襯底之一，所述至少一個(gè)有源層包括GaN層（14)和GaN層上的AlGaN層（16)，其中形成第 一觸點(diǎn)（24、26、28)的步驟包括在AlGaN層上形成所述第一觸點(diǎn)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12-14中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中，在所述金屬上沉積 TiW (N)層（30)的步驟包括： 在金屬上沉積第一 TiW子層； 在第一 TiW子層上沉積TiW (N)子層；以及 在TiW(N)子層上沉積第二TiW子層。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK104103684SQ201410147952
【公開(kāi)日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年4月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月15日
【發(fā)明者】約翰尼斯·唐克斯, 漢斯·布魯克曼, 斯蒂芬·海爾, 馬克·德克瑟, 西西勒·范德切爾 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司