基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基板處理裝置，能夠減少成為污染和品質下降的原因的處理液向基板的再附著。該基板處理裝置包括：多個卡盤銷，分別設置有用于容納基板的周緣部的容納槽，通過將容納槽的內(nèi)表面推壓在基板的周緣部上，在把持位置將基板把持為水平姿勢；多個引導構件，分別配置在多個卡盤銷的上方，將從基板排出的處理液向基板的周圍引導。各引導構件包括：引導內(nèi)緣，配置在比容納槽更靠內(nèi)側且比容納槽更靠上方的位置；引導外緣，配置在比引導內(nèi)緣更靠下方的高度，且配置在比卡盤銷更靠外側的位置。
【專利說明】基板處理裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及利用處理液對基板進行處理的基板處理裝置。作為成為處理對象的基板，包括例如半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、FED (FieldEmiss1n Display:場發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、掩模用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

【背景技術】
[0002]在半導體裝置和液晶表示裝置等制造工序中，使用對基板一張一張進行處理的單張式(single substrate processing type)基板處理裝置或對多張基板一并進行處理的批式基板處理裝置。
[0003]US2004/226655A1記載的單張式的基板處理裝置具有:旋轉基座，保持基板；多個卡盤銷，設置在旋轉基座上；電動馬達，使旋轉基座旋轉；遮斷板，與旋轉基座相向設置；處理液噴嘴，從遮斷板的下表面中央部向基板的上表面中央部噴出處理液；杯，包圍保持在旋轉基座上的基板的周圍。
[0004]在前述的現(xiàn)有的基板處理裝置中，在多個卡盤銷將基板把持為水平姿勢的狀態(tài)下，電動馬達使旋轉基座旋轉。進而，在遮斷板的下表面接近基板的上表面的狀態(tài)下，從處理液噴嘴噴出的處理液通過遮斷板的下表面中央部供給到旋轉狀態(tài)的基板的上表面。供給到基板的上表面上的處理液因由基板的旋轉而產(chǎn)生的離心力在基板上向外側擴展。然后，到達基板的上表面周緣部的處理液被甩到基板的周圍，并由杯擋住。
[0005]供給到旋轉狀態(tài)的基板上的處理液沿著基板向外側擴展并移動到基板的周緣部。多個卡盤銷在周向上隔著間隔配置。在不存在卡盤銷的位置張，大部分的處理液從基板的周緣部大致沿水平方向排出。相對于此，在存在卡盤銷的位置上，有時發(fā)生到達卡盤銷的附近的處理液與從基板的上表面向上方突出的卡盤銷的上部碰撞，而變?yōu)橐旱位蜢F的情況。因此，應該排出到基板的周圍的處理液有時以液滴或霧的形態(tài)再次附著在基板上。另外，還存在到達卡盤銷的附近的處理液越過卡盤銷的上部而向斜上方并向外側飛散的情況。
[0006]飛散到基板的周圍的處理液與杯的內(nèi)表面碰撞而彈回到基板側。因杯和處理液之間的碰撞而產(chǎn)生的處理液的液滴或霧一邊向內(nèi)側移動，一邊追隨下降流(downflow)向下方移動。因此，在來自基板的周緣部的處理液的飛散方向為大致水平的情況下，處理液的液滴或霧移動到基板的下方。相對于此，來自基板的周緣部的處理液的飛散方向為斜上方的情況下，處理液的液滴或霧朝向基板的上表面，向斜下方并向內(nèi)側移動，所以導致處理液再次附著在基板上。因此，需要采用為了擴大基板和杯之間的徑向的間隔而使杯在徑向上大型化等防止再附著的對策。
[0007]在US2004/226655A1記載的現(xiàn)有的基板處理裝置中，由于在遮斷板的下表面與基板的上表面接近的狀態(tài)下向基板供給處理液，所以即使處理液從基板的周緣部向斜上方并向外側飛散，處理液也難以再次附著到基板上。但是，在該基板處理裝置中，由于基板的整個上表面被遮斷板覆蓋，所以無法使處理液相對于基板的上表面的著落位置在中央部和周緣部之間移動。另外，由于需要使遮斷板在基板的上方沿上下方向移動的空間，所以與沒有設置遮斷板的結構相比，導致基板處理裝置在上下方向上大型化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明是為解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種基板處理裝置，能夠減少成為污染和品質下降的原因的處理液向基板的再附著。
[0009]本發(fā)明的一實施方式提供一種基板處理裝置，
[0010]具有:
[0011]多個卡盤銷，分別設置有用于容納基板的周緣部的容納槽，通過將所述容納槽的內(nèi)表面推壓在所述基板的周緣部上，在把持位置將所述基板把持為水平姿勢，
[0012]噴嘴，向所述多個卡盤銷所把持的基板噴出處理液，
[0013]多個引導構件，分別配置在所述多個卡盤銷的上方，將從所述基板排出的處理液向所述基板的周圍引導，
[0014]旋轉馬達，使所述多個卡盤銷與所述多個引導構件一起圍繞通過所述基板的鉛垂的基板旋轉軸線旋轉，
[0015]筒狀的杯，以所述基板旋轉軸線為中心包圍所述多個卡盤銷以及引導構件，用于擋住從所述多個卡盤銷所把持的基板向外側排出的處理液；
[0016]所述多個引導構件各自具有:引導內(nèi)緣，配置在比所述容納槽更靠內(nèi)側且比所述容納槽更靠上方的位置；引導外緣，配置在與所述引導內(nèi)緣相等或比所述引導內(nèi)緣更靠下方的高度，且配置在比所述卡盤銷更靠外側的位置。
[0017]基板的周緣部是指，比基板的表面的平坦部以及基板的背面的平坦部靠外側的環(huán)狀的部分。因此，基板的周緣部包括位于基板的表面周緣部的傾斜部、位于基板的背面周緣部的傾斜部和基板的周端面。
[0018]若采用該結構，基板的周緣部容納在多個卡盤銷的容納槽內(nèi)。并且，各容納槽的內(nèi)表面被推壓在基板的周緣部上。由此，基板在把持位置上被把持為水平姿勢。多個引導構件分別配置在多個卡盤銷的上方。旋轉馬達使多個卡盤銷與多個引導構件一起圍繞基板旋轉軸線旋轉。從噴嘴噴出的處理液向多個卡盤銷所把持的旋轉狀態(tài)的基板供給。因此，供給到基板上的處理液沿著基板向外側擴展，并從基板的周緣部甩到外側。杯以基板旋轉軸線為中心包圍多個卡盤銷以及引導構件。因此，從基板排出的處理液由杯擋住。
[0019]各引導構件的引導內(nèi)緣配置在比卡盤銷的容納槽更靠內(nèi)側且比容納槽更靠上方的位置。如前述那樣，基板的周緣部容納在容納槽內(nèi)。因此，引導內(nèi)緣配置在比基板的上表面更靠上方且比基板的周端面更靠內(nèi)側的位置。因此，具有朝內(nèi)(基板旋轉軸線側)打開的縱向截面(用鉛垂面剖切的截面)的捕集槽由基板、卡盤銷以及引導構件形成。供給到旋轉狀態(tài)的基板的處理液受離心力的作用向外側擴展。到達卡盤銷的附近的處理液進入該捕集槽內(nèi)。
[0020]到達卡盤銷的附近的處理液進入由基板、卡盤銷以及引導構件形成的捕集槽內(nèi)，因此即使因處理液和卡盤銷的碰撞而產(chǎn)生液滴或霧，液滴或霧的擴散也被捕集槽的內(nèi)表面抑制。由此，能夠減少處理液向基板的再附著。進而，由于要越過卡盤銷的處理液被捕集到捕集槽內(nèi)，所以減少從基板的周緣部向斜上方飛散的處理液的量。因此，能夠減少因杯和處理液的碰撞而產(chǎn)生的處理液的液滴或霧附著在基板上的情況。
[0021]另外，進入到捕集槽的處理液沿著引導構件的下側的面被向引導外緣側引導。由于各引導外緣配置在與引導內(nèi)緣相等或比引導內(nèi)緣更靠下方的高度，所以流向外側的處理液被引導構件向水平方向或斜下方向引導。進而，由于引導外緣比卡盤銷更靠外側，所以處理液被引導構件可靠地引導至比卡盤銷更靠外側的位置。因此，能夠抑制處理液從卡盤銷向斜上方并向外側飛散的情況。由此，能夠減少成為污染或品質下降的原因的處理液的再附著。
[0022]在本發(fā)明的一個實施方式中，所述弓I導外緣可以比所述容納槽更靠下方。
[0023]根據(jù)該結構，由于引導外緣比容納基板的周緣部的卡盤銷的容納槽更靠下方，所以基板比引導外緣更靠上方。換言之，引導外緣比在把持位置把持的基板的下表面更靠下方。因此，處理液被引導構件引導至比基板更靠下方的位置，并從比基板更靠下方的位置向杯并向外側飛散。因此，能夠減少在比基板更靠上方的高度產(chǎn)生的液滴以及霧的量。由此，能夠進一步降低處理液的再附著。
[0024]在本發(fā)明的一個實施方式中，所述引導構件還可以包括以下傾斜面的上端比下傾斜面的下端更靠內(nèi)側的方式傾斜的朝下的下傾斜面。所述下傾斜面的至少一部分可以在與所述基板旋轉軸線垂直的方向即徑向上，配置在所述卡盤銷和所述引導外緣之間。所述下傾斜面既可以是相對于水平面傾斜的平面，也可以是向斜上方并向外側膨出的曲面。
[0025]根據(jù)該結構，在引導構件上設置有以上端比下端更靠內(nèi)側的方式傾斜的朝下的下傾斜面。由于下傾斜面相對于水平面傾斜，所以處理液被下傾斜面向斜下方并向外側引導。進而，由于下傾斜面的至少一部分在徑向上配置在卡盤銷和引導外緣之間，所以處理液在比卡盤銷更靠外側的位置被向斜下方引導。因此，能夠減少從基板的周緣部向斜上方飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0026]在本發(fā)明的一個實施方式中，所述引導構件還可以包括朝內(nèi)面，該朝內(nèi)面從所述引導內(nèi)緣向斜下方并向外側延伸，并比所述容納槽更靠上方。
[0027]根據(jù)該結構，以在徑向上與基板旋轉軸線相向的方式相對于水平面傾斜的朝內(nèi)面設置在引導構件上。朝內(nèi)面從引導內(nèi)緣向斜下方并向外側延伸，并比容納槽更靠上方。因此，到達卡盤銷的附近的處理液進入到由基板、卡盤銷以及引導構件形成的捕集槽內(nèi)，并且，被朝內(nèi)面向斜下方并向外側引導。因此，能夠進一步減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0028]在本發(fā)明的一個實施方式中，所述引導構件所述引導構件還可以包括從所述引導外緣向斜上方并向內(nèi)側延伸的朝外面。
[0029]根據(jù)該結構，以上端比下端更靠內(nèi)側的方式傾斜的朝外的朝外面設置在引導構件上。朝外面從引導外緣向斜上方并向內(nèi)側延伸。在朝外面以上端比下端更靠外側的方式傾斜的情況下，處理液被朝外面向斜上方并向外側引導。因此，向斜上方并向外側飛散的處理液的量增加。因而，通過朝外面以上端比下端更靠內(nèi)側的方式傾斜，能夠進一步減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0030]在本發(fā)明的一個實施方式中，所述卡盤銷可以包括配置在所述容納槽的上方的銷上表面。所述引導構件可以是與所述卡盤銷不同的構件。在該情況下，所述引導構件配置在所述銷上表面之上。
[0031]根據(jù)該結構，由于卡盤銷以及引導構件是不同的構件，所以能夠抑制卡盤銷的形狀的復雜化。同樣，能夠抑制引導構件的形狀的復雜化。進而，由于引導構件配置在銷上表面之上，所以引導構件能夠將要越過銷上表面向外側飛散的處理液可靠地向水平方向或斜下方向引導。因此，能夠進一步減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0032]在本發(fā)明的一個實施方式中，所述弓丨導構件可以在俯視下與整個所述銷上表面重疊。
[0033]根據(jù)該結構，引導構件配置在銷上表面的上方，引導構件和銷上表面在俯視下重疊。在俯視下的引導構件的面積大于在俯視下的銷上表面的面積，整個銷上表面被引導構件從其上方覆蓋。因此，相比銷上表面局部被引導構件覆蓋的情況，能夠減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0034]在本發(fā)明的一個實施方式中，從所述銷上表面至所述引導內(nèi)緣的高度可以大于從位于所述把持位置的基板的上表面至所述銷上表面的高度。
[0035]根據(jù)該結構，從銷上表面至引導內(nèi)緣的高度大于從位于把持位置的基板的上表面至銷上表面的高度。換言之，從基板的上表面至銷上表面的上下方向長度小。因此，從基板的上表面至引導內(nèi)緣的上下方向長度得以縮短，引導內(nèi)緣接近基板的上表面。因此，由基板、卡盤銷以及引導構件形成的捕集槽的上下方向長度得以縮短，使捕集槽的體積減少。由此，基板和引導構件之間的上下方向的間隙容易被處理液充滿。在捕集槽由處理液充滿的情況下，后續(xù)的處理液不與捕集槽的內(nèi)表面直接碰撞。因此，能夠減少因碰撞而產(chǎn)生的處理液的液滴或霧的量。由此，能夠減少處理液的再附著。
[0036]在本發(fā)明的一個實施方式中，在與所述基板旋轉軸線垂直的方向即徑向上，從所述引導內(nèi)緣至所述銷上表面的內(nèi)緣的距離可以大于從位于所述把持位置的基板的上表面至所述銷上表面的高度。
[0037]根據(jù)該結構，從引導內(nèi)緣至銷上表面的內(nèi)緣的徑向的距離大于從位于把持位置的基板的上表面至銷上表面的高度。換言之，引導構件的從銷上表面的內(nèi)緣向內(nèi)側的突出量大，從引導內(nèi)緣至基板的周端面的徑向的距離大。因此，能夠充分確保捕集槽的深度(從捕集槽的開口部至捕集槽的底的水平方向的長度)。因此，引導構件能夠可靠地捕獲要越過卡盤銷的處理液，并向水平方向或斜下方向引導。由此，能夠減少處理液的再附著。
[0038]在本發(fā)明的一個實施方式中，所述多個引導構件可以沿著圍繞所述基板旋轉軸線的方向即周向配置成環(huán)狀。在該情況下，所述引導構件在所述周向上的長度可以大于在所述周向上相鄰的兩個所述弓I導構件的間隔(周向的間隔)。
[0039]根據(jù)該結構，引導構件具有大于在周向上相鄰的兩個引導構件的間隔的周向長度，在周向上長。因此，由引導構件控制處理液的飛散方向的范圍在周向上長。因此，多個引導構件能夠進一步減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠減少處理液的再附著。而且，基板上的處理液被周向上長的多個引導構件留在多個引導構件的內(nèi)側，所以能夠減少在形成覆蓋基板的整個上表面的液膜時所需要的處理液的量。由此，能夠減少基板處理裝置的運行成本。
[0040]本發(fā)明的前述或其他的目的、特征以及效果通過參照附圖進行的對實施方式的說明會更加清楚。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041]圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的基板處理裝置所具有的腔室內(nèi)的結構的示意圖。
[0042]圖2是旋轉卡盤的示意性的俯視圖。
[0043]圖3是卡盤銷以及引導構件的示意性的俯視圖。
[0044]圖4A是表示卡盤銷位于關閉位置的狀態(tài)的示意性的俯視圖。
[0045]圖4B是表示卡盤銷位于打開位置的狀態(tài)的示意性的俯視圖。
[0046]圖5是卡盤銷以及引導構件的示意性的縱向剖視圖。
[0047]圖6是表示利用基板處理裝置進行的基板的處理的一個例子的工序圖。
[0048]圖7是用于對處理液從基板向其周圍飛散的移動路徑進行說明的示意圖。
[0049]圖8是本發(fā)明的其他實施方式的引導構件的示意性的縱向剖視圖。
[0050]圖9是本發(fā)明的又一實施方式的引導構件的示意性的縱向剖視圖。
[0051]圖10是本發(fā)明的又一實施方式的引導構件的示意性的俯視圖。

【具體實施方式】
[0052]圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的基板處理裝置I所具有的腔室4內(nèi)的結構的示意圖。圖2是旋轉卡盤5的示意性的俯視圖。圖3是卡盤銷12以及引導構件16的示意性的俯視圖。圖4A以及圖4B分別是表示卡盤銷12位于關閉位置的狀態(tài)和位于打開位置的狀態(tài)的示意性的俯視圖。圖5是卡盤銷12以及引導構件16的示意性的縱向剖視圖。如圖4A以及圖4B所示那樣，卡盤銷12能夠在關閉位置(圖4A的位置)和打開位置(圖4B的位置)之間移動。下面，只要沒有特別說明，對卡盤銷12位于關閉位置的狀態(tài)進行說明。
[0053]如圖1所示，基板處理裝置I是對半導體晶片等圓板狀的基板W逐張進行處理的單張式的裝置?；逄幚硌b置I包括:多個處理單元2，向基板W供給處理液；控制裝置3，對基板處理裝置I所具有的裝置的動作和閥的開閉進行控制。
[0054]如圖1所示，各處理單元2是對基板W —張一張進行處理的單張式的單元。各處理單元2包括:箱形的腔室4，具有內(nèi)部空間；旋轉卡盤5，在腔室4內(nèi)將一張基板W保持為水平姿勢，并使基板W圍繞通過基板W的中心的鉛垂的基板旋轉軸線Al旋轉；處理液供給裝置6，向保持在旋轉卡盤5上的基板W供給處理液；筒狀的杯7，以基板旋轉軸線Al為中心包圍旋轉卡盤5。
[0055]如圖1所示，腔室4包括:箱形的隔壁8，容納旋轉卡盤5等；作為送風單元的FFU9(風扇過濾單元(Fan Filter Unit)9)，從隔壁8的上部向隔壁8內(nèi)輸送潔凈空氣(由過濾器過濾后的空氣);排氣通道10，從杯7的下部排出腔室4內(nèi)的氣體。FFU9配置在隔壁8的上方。FFU9從隔壁8的頂壁向腔室4內(nèi)并向下輸送潔凈空氣。排氣通道10與杯7的底部相連接，向在設置有基板處理裝置I的工廠設置的排氣設備引導腔室4內(nèi)的氣體。因此，通過FFU9以及排氣通道10形成在腔室4內(nèi)向下方流動的下降流。在腔室4內(nèi)形成有下降流的狀態(tài)下進行基板W的處理。
[0056]如圖1所示，旋轉卡盤5包括:圓板狀的旋轉基座11，保持為水平姿勢；多個卡盤銷12，從旋轉基座11的上表面外周部向上方突出；卡盤開閉機構13，使多個卡盤銷12開閉。旋轉卡盤5還包括:旋轉軸14,從旋轉基座11的中央部向下方延伸；旋轉馬達15,通過使旋轉軸14旋轉，使旋轉基座11以及卡盤銷12圍繞基板旋轉軸線Al旋轉；多個引導構件16,將利用離心力從基板W排出的處理液向基板W的周圍引導。
[0057]如圖1所示，旋轉基座11的外徑大于基板W的直徑。旋轉基座11的中心線配置在基板旋轉軸線Al上。多個卡盤銷12在旋轉基座11的外周部保持在旋轉基座11上。多個卡盤銷12在周向Xl (圍繞基板旋轉軸線Al的方向)上隔開間隔配置。各卡盤銷12被推壓在基板W的周緣部上。由此，在基板W的下表面和旋轉基座11的上表面在上下方向分開的狀態(tài)下，基板W保持為水平。并且，在利用多個卡盤銷12夾持基板W的狀態(tài)下，通過旋轉馬達15使旋轉軸14旋轉時，基板W與旋轉基座11以及卡盤銷12 —起圍繞基板旋轉軸線Al進行旋轉。
[0058]如圖5所示，卡盤銷12包括被推壓在基板W的周端面上的把持部17和對基板W的下表面周緣部進行支撐的支撐部18。如圖3所示，卡盤銷12還包括基臺部19，該基臺部19與把持部17以及支撐部18 —起圍繞與基板旋轉軸線Al平行的銷旋轉軸線A2進行旋轉。
[0059]如圖5所示，把持部17、支撐部18以及基臺部19形成為一體。把持部17以及支撐部18支撐在基臺部19上。基臺部19由卡盤開閉機構13圍繞銷旋轉軸線A2驅動。把持部17以及支撐部18配置在旋轉基座11的上方。把持部17以及支撐部18配置在旋轉基座11的外周面的內(nèi)側(基板旋轉軸線Al側。在圖5為左側)。把持部17相比支撐部18更靠上方。如圖3所示，把持部17以及支撐部18配置在銷旋轉軸線A2的周圍，與銷旋轉軸線A2不交叉。
[0060]如圖5所示，把持部17包括形成容納槽20的兩個槽內(nèi)表面21、22，容納槽20具有朝向基板旋轉軸線Al側開放的V字狀的縱向截面(以鉛垂面剖切后的截面)。兩個槽內(nèi)表面21、22包括從容納槽20的底向斜上方并向內(nèi)側延伸的上側槽內(nèi)表面21和從容納槽20的底向斜下方并向內(nèi)側延伸的下側槽內(nèi)表面22。支撐部18包括從兩個槽內(nèi)表面21、22的下端(下側槽內(nèi)表面22的內(nèi)端)向基板旋轉軸線Al側并向斜下方延伸的支撐面23。
[0061]如圖5所示，支撐面23比容納槽20更靠下方。支撐面23配置在下側槽內(nèi)表面22的內(nèi)側，并與下側槽內(nèi)表面22相連續(xù)。上側槽內(nèi)表面21以及下側槽內(nèi)表面22以彼此相等的大小且向彼此相反的方向相對于水平面傾斜。支撐面23以比下側槽內(nèi)表面22相對于水平面的傾斜角度更小的角度相對于水平面傾斜。如圖3所示，支撐面23的周向長度(在圍繞基板旋轉軸線Al的方向上的長度)小于與把持部17的上表面相當?shù)匿N上表面12a的周向長度。容納槽20沿著基板W的周端面延伸。
[0062]如圖4A以及圖4B所示，各卡盤銷12能夠在把持部17被推壓在基板W的周端面上的關閉位置和把持部17從基板W的周端面離開的打開位置之間，相對于旋轉基座11圍繞銷旋轉軸線A2進行旋轉?？ūP開閉機構13在關閉位置和打開位置之間使各卡盤銷12圍繞銷旋轉軸線A2旋轉。關閉位置是指，基板W由多個卡盤銷12把持的位置，打開位置是指，解除多個卡盤銷12對基板W的把持的位置?？刂蒲b置3通過控制卡盤開閉機構13，在多個卡盤銷12把持基板W的關閉狀態(tài)和解除多個卡盤銷12對基板W的把持的打開狀態(tài)之間，對多個卡盤銷12的狀態(tài)進行切換。
[0063]在基板W被搬送到旋轉卡盤5上時，控制裝置3使各卡盤銷12退避到打開位置?？刂蒲b置3在該狀態(tài)下通過搬送機械手將基板W載置在多個卡盤銷12上。由此，如圖5中雙點劃線所示那樣，各支撐部18的支撐面23與基板W的下表面周緣部相接觸，基板W在比旋轉基座11的上表面更靠上方的支撐位置被支撐為水平姿勢。控制裝置3然后使各卡盤銷12從打開位置移動至關閉位置。由于支撐面23朝向容納槽20向斜上方延伸，所以在各卡盤銷12向關閉位置移動的過程中，基板W被多個支撐面23漸漸抬起。進而，在各卡盤銷12向關閉位置移動的過程中，把持部17接近基板W的周端面，基板W的周緣部進入容納槽20內(nèi)。由此，如在圖5中實線所示那樣，上側槽內(nèi)表面21以及下側槽內(nèi)表面22被推壓在基板W的周緣部上，基板W在比支持位置更靠上方的把持位置被把持為水平姿勢。
[0064]如圖5所示，多個引導構件16配置在多個卡盤銷12的上方。圖5示出利用厚度一定的板構成引導構件16的例子。卡盤銷12以及引導構件16是分別獨立的構件，彼此相連接。引導構件16從卡盤銷12的上方覆蓋對應的卡盤銷12。引導構件16配置在把持部17上。引導構件16從銷上表面12a向內(nèi)側突出，并且，從銷上表面12a向外側(從基板旋轉軸線Al離開的方向。在圖5中為右側)突出。引導構件16配置在位于把持位置的基板W的上方以及周圍。
[0065]如圖2所示，多個引導構件16在周向Xl上隔開間隔而配置。引導構件16的周向長度(具體地說，后述的上水平面28的周向長度)小于在周向Xl上相鄰的兩個引導構件16之間的間隔。如圖3所示，俯視下的引導構件16的面積大于俯視下的銷上表面12a的面積。在俯視下，引導構件16與整個銷上表面12a重疊。因此，整個銷上表面12a被引導構件16覆蓋。引導構件16從銷上表面12a向基板W的旋轉方向Dr上的上游側延伸。進而，引導構件16比銷旋轉軸線A2更靠基板W的旋轉方向Dr上的上游側。引導構件16比銷旋轉軸線A2更靠外側。
[0066]多個引導構件16分別固定在多個卡盤銷12上。因此，各引導構件16與對應的卡盤銷12 —起圍繞銷旋轉軸線A2轉動，并且，與旋轉基座11以及卡盤銷12 —起圍繞基板旋轉軸線Al旋轉。如圖4A以及圖4B所示，在卡盤銷12配置在打開位置的狀態(tài)下，引導構件16在俯視下不與基板W重疊，當卡盤銷12向關閉位置側移動時，引導構件16朝向基板W向內(nèi)側移動。
[0067]如圖5所示，引導構件16包括:引導內(nèi)緣24，配置在比容納槽20更靠內(nèi)側且比容納槽20更靠上方的位置；引導外緣25，配置在比引導內(nèi)緣24更靠下方的高度且配置在比卡盤銷12更靠外側的位置；上引導面26，沿著引導構件16的上側部分從引導內(nèi)緣24延伸到引導外緣25 ;下引導面27，沿著引導構件16的下側部分從引導內(nèi)緣24延伸到引導外緣25。
[0068]如圖3所示，引導內(nèi)緣24在周向Xl上延伸。同樣，引導外緣25在周向Xl上延伸。引導內(nèi)緣24既可以是如圖5所示那樣的水平延伸的曲線，也可以是鉛垂的曲面。引導外緣25也同樣。引導內(nèi)緣24比引導外緣25更靠內(nèi)側。引導內(nèi)緣24比銷上表面12a更靠內(nèi)側，引導外緣25比銷上表面12a更靠外側。如圖3所示，引導內(nèi)緣24以及引導外緣25各自的周向長度大于銷上表面12a的周向長度。引導內(nèi)緣24比位于把持位置的基板W的周端面更靠內(nèi)側，在俯視下與基板W重疊。相對于此，引導外緣25比位于把持位置的基板W的周端面更靠外側，在俯視下不與基板W重疊。
[0069]如圖5所示，引導內(nèi)緣24比兩個槽內(nèi)表面21、22更靠內(nèi)側。引導內(nèi)緣24比位于把持位置的基板W的上表面更靠上方。從位于把持位置的基板W的上表面至銷上表面12a的高度Hl小于從銷上表面12a至引導內(nèi)緣24的高度H2。因此，從基板W的上表面至引導構件16的高度小，引導構件16接近基板W的上表面。進而，高度Hl小于從引導內(nèi)緣24至銷上表面12a的內(nèi)緣的徑向Yl (與基板旋轉軸線Al垂直的方向)的距離D1。引導外緣25比容納槽20更靠下方。引導外緣25比位于把持位置的基板W的下表面更靠下方。引導外緣25比旋轉基座11的外周面更靠外側。
[0070]如圖5所示，上引導面26配置在下引導面27的上方。上引導面26是從上方觀察引導構件16時看得到的朝上的面，下引導面27是從上方觀察引導構件16時看不到的朝下的面。上引導面26以及下引導面27分別由一個以上平面構成。
[0071]如圖5所示，上引導面26包括從引導內(nèi)緣24水平地向外側延伸的上水平面28和從上水平面28的外緣向斜下方并向外側延伸的作為上傾斜面的朝外面29。
[0072]如圖3所示，上引導面26的上水平面28包括在周向Xl上延伸的內(nèi)緣以及外緣和從內(nèi)緣以及外緣中的一方向另一方延伸的兩個側緣28u、28d?？刂蒲b置3通過控制旋轉馬達15，使基板W向一定的旋轉方向Dr旋轉。在基板W的旋轉方向Dr上的下游側的側緣28d，在俯視下以側緣28d的內(nèi)端比側緣28d的外端更靠旋轉方向Dr上的下游側的方式，相對于徑向Yl傾斜。
[0073]如圖5所示，下引導面27包括:朝內(nèi)面30，從引導內(nèi)緣24向斜下方并向外側延伸；下水平面31，從朝內(nèi)面30的相當于下緣的外緣水平地向外側延伸；下傾斜面32，從下水平面31的外緣向斜下方并向外側延伸；朝下面33，從下傾斜面32的相當于下緣的外緣水平地向外側延伸。
[0074]如圖5所示，下引導面27的朝內(nèi)面30比銷上表面12a更靠內(nèi)側。下引導面27的朝內(nèi)面30以及下水平面31配置在上引導面26的上水平面28的下方。銷上表面12a比上水平面28、朝內(nèi)面30、以及下水平面31更靠下方。下引導面27的下傾斜面32配置在上引導面26的朝外面29的下方。朝外面29以及下傾斜面32彼此平行，并在上下方向上重疊。
[0075]如圖1所示，處理液供給裝置6包括:作為上表面噴嘴的藥液噴嘴34，向基板W的上表面噴出藥液；上藥液配管35，與藥液噴嘴34相連接；上藥液閥36，安裝在上藥液配管35上。當打開上藥液閥36時，從上藥液配管35供給至藥液噴嘴34的藥液從藥液噴嘴34向下方噴出，當關閉上藥液閥36時，停止從藥液噴嘴34噴出藥液。作為向藥液噴嘴34供給的藥液的一例，為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氨水、過氧化氫、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機堿(例如，TMAH:四甲基氫氧化銨等)、表面活性劑以及防腐劑中的至少一個的液體。
[0076]藥液噴嘴34是一邊以處理液相對于基板W的上表面的著落位置在中央部和周緣部之間移動的方式進行移動一邊噴出處理液的掃描噴嘴。如圖1所示，處理單元2包括藥液噴嘴移動裝置37，該藥液噴嘴移動裝置37通過使藥液噴嘴34移動，使藥液的著落位置在基板W的上表面內(nèi)移動。藥液噴嘴移動裝置37通過使藥液噴嘴34移動，使藥液的著落位置在基板W的上表面內(nèi)移動。進而，藥液噴嘴移動裝置37使藥液噴嘴34在從藥液噴嘴34噴出的藥液著落在基板W的上表面上的處理位置和藥液噴嘴34退避到旋轉卡盤5的周圍的退避位置之間移動。
[0077]如圖1所示，處理液供給裝置6包括:作為上表面噴嘴的沖洗液噴嘴38，向基板W的上表面噴出沖洗液；上沖洗液配管39，與沖洗液噴嘴38相連接；上沖洗液閥40，安裝在上沖洗液配管39上。當打開上沖洗液閥40時，從上沖洗液配管39供給到?jīng)_洗液噴嘴38的沖洗液從沖洗液噴嘴38向下方噴出；當關閉上沖洗液閥40時，停止從沖洗液噴嘴38噴出沖洗液。向沖洗液噴嘴38供給的沖洗液可以是純水(去離子水:De1nzied ater)。向沖洗液噴嘴38供給的沖洗液并不限于純水，也可以是碳酸水、電解離子水、含氫水、臭氧水、IPA(異丙醇)以及稀釋濃度(例如，10?10ppm左右)的鹽酸水中任一種。
[0078]沖洗液噴嘴38是掃描噴嘴。如圖1所示，處理單元2包括沖洗液噴嘴移動裝置41，該沖洗液噴嘴移動裝置41通過使沖洗液噴嘴38移動，使沖洗液的著落位置在基板W的上表面內(nèi)移動。沖洗液噴嘴移動裝置41通過使沖洗液噴嘴38移動，使沖洗液的著落位置在基板W的上表面內(nèi)移動。進而，沖洗液噴嘴移動裝置41使沖洗液噴嘴38在從沖洗液噴嘴38噴出的沖洗液著落在基板W的上表面上的處理位置和沖洗液噴嘴38退避到旋轉卡盤5的周圍的退避位置之間移動。
[0079]如圖1所示，處理液供給裝置6包括:下表面噴嘴42，向基板W的下表面中央部噴出處理液；下藥液配管43，與下表面噴嘴42相連接；下藥液閥44，安裝在下藥液配管43上；下沖洗液配管45，與下表面噴嘴42相連接；下沖洗液閥46，安裝在下沖洗液配管45上。下表面噴嘴42從旋轉基座11的上表面中央部向上方突出。在基板W在支持位置或把持位置保持在旋轉卡盤5上的狀態(tài)下，下表面噴嘴42的噴出口位于旋轉基座11的上表面和基板W的下表面之間，在上下方向上與基板W的下表面中央部相向。因此，在該狀態(tài)下，當打開下藥液閥44或下沖洗液閥46時，下從表面噴嘴42向上方噴出的藥液或沖洗液被供給到基板W的下表面中央部。
[0080]如圖1所示，杯7配置在比旋轉卡盤5所保持的基板W更靠外側(從基板旋轉軸線Al離開的方向)的位置。杯7包括:筒狀的外壁47，包圍旋轉卡盤5 ;多個處理液杯(第I處理液杯48、第2處理液杯49、第3處理液杯50)，配置在旋轉卡盤5和外壁47之間；多個擋板(第I擋板51、第2擋板52、第3擋板53、第4擋板54)，擋住向基板W的周圍飛散的處理液；擋板升降裝置55，使多個擋板(guard)各自獨立地升降。
[0081]如圖1所示，各處理液杯48?50在旋轉卡盤5和外壁47之間包圍旋轉卡盤5。從內(nèi)側起為第二個的第2處理液杯49配置在第I處理液杯48的外側，第3處理液杯50配置在第2處理液杯49的外側。第3處理液杯50與第2擋板52形成為一體，與第2擋板52一起升降。各處理液杯48?50形成向上方打開的環(huán)狀的槽。根據(jù)向基板W供給的處理液的種類等，通過擋板升降裝置55的控制來分別任意升降驅動各擋板51?54，而能夠將所使用的處理液導向與該種類等相應的任意的處理液杯48?50。導向至各處理液杯48?50的處理液通過該槽被輸送到未圖示的回收裝置或廢液裝置。
[0082]如圖1所示，各擋板51?54在旋轉卡盤5和外壁47之間包圍旋轉卡盤5。內(nèi)側的三個擋板51?53是被外側的三個擋板52?54中的至少一個包圍的內(nèi)擋板，外側的三個擋板52?54是包圍內(nèi)側的三個擋板51?53中的至少一個的外擋板。
[0083]如圖1所示，各擋板51?54包括:圓筒狀的傾斜部56，向斜上方并向內(nèi)側延伸；圓筒狀的引導部57,從傾斜部56的下端向下方延伸。各傾斜部56的上端部構成擋板51?54的上端部，并具有比基板W以及旋轉基座11大的直徑。四個傾斜部56上下重疊，四個引導部57同軸配置。除了最外側的引導部57之外的三個引導部57分別能夠在多個處理液杯48?50內(nèi)出入。S卩，杯I能夠折疊，擋板升降裝置55使四個擋板51?54中的至少一個升降，來進行杯7的展開以及折疊。
[0084]如圖1所示，擋板升降裝置55使各擋板51?54在擋板的上端位于基板W的上方的上位置和擋板的上端位于基板W的下方的下位置之間升降。擋板升降裝置55能夠在上位置和下位置之間的任意的位置保持各擋板51?54。向基板W供給處理液或干燥基板W在某一個擋板51?54與基板W的周端面相向的狀態(tài)下進行。例如，在使從內(nèi)側起為第三個的第3擋板53與基板W的周端面相向的情況下，第I擋板51以及第2擋板52配置在下位置，第3擋板53以及第4擋板54配置在上位置。另外，在使最外側的第4擋板54與基板W的周端面相向的情況下，第4擋板54配置在上位置，其他三個擋板51?53配置在下位置。
[0085]圖6是表示利用基板處理裝置I進行的基板W的處理的一例的工序圖。下面，參照圖1進行說明。也適當參照圖6進行說明。
[0086]在處理基板W時，進行向腔室4內(nèi)搬入基板W的搬入工序(圖6的步驟SI)。具體地說，控制裝置3在所有的噴嘴從旋轉卡盤5的上方退避，并且所有的擋板位于下位置的狀態(tài)下，通過搬送機械手將基板W搬入腔室4內(nèi)。并且，控制裝置3通過搬送機械手將基板W載置在多個卡盤銷12上。然后，控制裝置3使搬送機械手從腔室4內(nèi)退避。進而，控制裝置3控制卡盤開閉機構13，使多個卡盤銷12把持基板W。然后，控制裝置3通過控制旋轉馬達15，使旋轉基座11、卡盤銷12、以及引導構件16圍繞基板旋轉軸線Al旋轉。由此，基板W開始旋轉。
[0087]接著，進行向基板W供給藥液的藥液供給工序(圖6的步驟S2)。具體地說，控制裝置3通過控制藥液噴嘴移動裝置37，使藥液噴嘴34從退避位置移動到處理位置?？刂蒲b置3還使外側的兩個擋板(第3擋板53以及第4擋板54)位于上位置，并使內(nèi)側的兩個擋板(第I擋板51以及第2擋板52)位于下位置。由此，第3擋板53和第2擋板52之間打開，第3擋板53的內(nèi)周面與基板W的周端面相向。
[0088]控制裝置3在該狀態(tài)下打開上藥液閥36以及下藥液閥44，使藥液噴嘴34向旋轉狀態(tài)的基板W的上表面噴出藥液，并且使下表面噴嘴42向旋轉狀態(tài)的基板W的下表面中央部噴出藥液?？刂蒲b置3還通過控制藥液噴嘴移動裝置37，使藥液相對于基板W的上表面的著落位置在中央部和周緣部之間移動。并且，當從上藥液閥36以及下藥液閥44打開起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關閉上藥液閥36以及下藥液閥44，停止從藥液噴嘴34以及下表面噴嘴42噴出藥液。然后，控制裝置3通過藥液噴嘴移動裝置37，使藥液噴嘴34從旋轉卡盤5的上方退避。
[0089]從藥液噴嘴34噴出的藥液著落在基板W的上表面上之后，借助離心力沿著基板W的上表面流向外側。同樣，從下表面噴嘴42噴出的藥液在著落在基板W的下表面中央部上之后，借助離心力沿著基板W的下表面流向外側。由此，形成覆蓋基板W的整個上表面的藥液的液膜，向基板W的整個上表面供給藥液。因此，基板W的整個上表面被藥液處理。同樣，從下表面噴嘴42噴出的藥液供給到基板W的整個下表面，基板W的整個下表面被藥液處理。
[0090]進而，控制裝置3在基板W正旋轉的狀態(tài)下使藥液相對于基板W的上表面的著落位置在中央部和周緣部之間移動，所以藥液的著落位置通過基板W的整個上表面，基板W的整個上表面被掃描。因此，從藥液噴嘴34噴出的藥液直接噴到基板W的整個上表面，基板W的整個上表面被均勻處理。另外，到達基板W的上表面以及下表面的周緣部的藥液被離心力甩到基板W的周圍。因此，從基板W排出的藥液通過第3擋板53和第2擋板52之間并被導向杯7的內(nèi)部，由第I處理液杯48收集。
[0091 ] 接著，進行將作為沖洗液的一例的純水供給到基板W上的沖洗液供給工序(圖6的步驟S3)。具體地說，控制裝置3控制沖洗液噴嘴移動裝置41，使沖洗液噴嘴38從退避位置移動到處理位置。并且，控制裝置3在第3擋板53的內(nèi)周面與基板W的周端面相向的狀態(tài)下，打開上沖洗液閥40以及下沖洗液閥46，使沖洗液噴嘴38向旋轉狀態(tài)的基板W的上表面噴出純水，并且，使下表面噴嘴42向旋轉狀態(tài)的基板W的下表面中央部噴出純水。控制裝置3還通過控制沖洗液噴嘴移動裝置41，使純水相對于基板W的上表面的著落位置在中央部和周緣部之間移動。并且，當從打開上沖洗液閥40以及下沖洗液閥46起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3關閉上沖洗液閥40以及下沖洗液閥46，停止從沖洗液噴嘴38以及下表面噴嘴42噴出沖洗液。然后，控制裝置3通過控制沖洗液噴嘴移動裝置41，使沖洗液噴嘴38從旋轉卡盤5的上方退避。
[0092]從沖洗液噴嘴38噴出的純水在著落到基板W的上表面上之后，借助離心力沿著基板W的上表面流向外側。同樣，從下表面噴嘴42噴出的純水在著落到基板W的下表面中央部上之后，借助離心力沿著基板W的下表面流向外側。因此，基板W上的藥液被純水擠向外側，排出到基板W的周圍。由此，基板W上的藥液被純水沖洗掉，基板W上的藥液的液膜被置換為覆蓋基板W的整個上表面的純水的液膜。同樣，從下表面噴嘴42噴出的純水被供給到基板W的整個下表面，在基板W的下表面上附著的藥液被純水沖洗掉。
[0093]進而，控制裝置3在基板W正旋轉的狀態(tài)下使純水相對于基板W的上表面的著落位置在中央部和周緣部之間移動，所以純水的著落位置通過基板W的整個上表面，基板W的整個上表面全域被掃描。因此，從純水噴嘴噴出的純水被直接噴到基板W的整個上表面，基板W的整個上表面被均勻處理。另外，到達基板W的上表面以及下表面的周緣部的純水被離心力甩到基板W的周圍。因此，從基板W排出的純水通過第3擋板53和第2擋板52之間被導向杯7的內(nèi)部，并由第I處理液杯48收集。
[0094]接著，進行使基板W干燥的干燥工序(圖6的步驟S4)。具體地說，控制裝置3通過旋轉馬達15，使基板W的旋轉加速到高旋轉速度(例如數(shù)千rpm)。由此，基板W上的液體被甩到基板W的周圍，通過第2擋板52和第3擋板53之間并被導向杯7的內(nèi)部，由第I處理液杯48收集。這樣一來，水分被從基板W除去，使基板W干燥。當從基板W的高速旋轉開始起經(jīng)過規(guī)定時間時，控制裝置3通過控制旋轉卡盤5，使基板W停止旋轉。然后，控制裝置3使所有的擋板移動到下位置。在該狀態(tài)下，控制裝置3使搬送機械手進入腔室4內(nèi)，使搬送機械手搬出基板W (搬出工序。圖6的步驟S5)。
[0095]圖7是用于說明處理液從基板W向其周圍飛散的移動路徑的不意圖。
[0096]如圖7所示，各引導構件16的引導內(nèi)緣24配置在比卡盤銷12的容納槽20更靠內(nèi)側且比容納槽20更靠上方的位置。基板W的周緣部容納在容納槽20內(nèi)。因此，引導內(nèi)緣24配置在比基板W的上表面更靠上方且比基板W的周端面更靠內(nèi)側的位置。因此，具有向內(nèi)側(基板旋轉軸線Al側)開放的縱向截面的捕集槽58由基板W、卡盤銷12以及引導構件16形成。供給到旋轉狀態(tài)的基板W的處理液受離心力的作用向外側擴展。到達卡盤銷12的附近的處理液進入該捕集槽58內(nèi)。
[0097]如圖7所示，到達卡盤銷12的附近的處理液進入到由基板W、卡盤銷12以及引導構件16形成的捕集槽58內(nèi)，因此即使因處理液和卡盤銷12的碰撞而產(chǎn)生液滴或霧，液滴或霧的擴散也被捕集槽58的內(nèi)表面抑制。由此，降低處理液向基板W的再附著。進而，由于要越過卡盤銷12的處理液被捕集到捕集槽58內(nèi)，所以能夠降低從基板W的周緣部向斜上方飛散的處理液的量。因此，降低因杯7和處理液的碰撞而產(chǎn)生的處理液的液滴或霧附著在基板W上。
[0098]另外，如圖7所示，進入到捕集槽58內(nèi)的處理液沿著下弓丨導面27被向引導外緣25側引導。由于各引導外緣25配置在比引導內(nèi)緣24更靠下方的高度，所以流向外側的處理液被引導構件16向水平方向或斜下方向引導。進而，由于引導外緣25比卡盤銷12更靠外偵牝所以處理液被引導構件16可靠地引導至比卡盤銷12更靠外側的位置。因此，能夠抑制處理液從卡盤銷12向斜上方并向外側飛散。由此能夠降低成為污染或品質下降的原因的處理液的再附著。
[0099]如上所述，在本實施方式中，來自基板W的處理液的飛散方向被引導構件16控制，處理液向基板W的上方的飛散范圍變窄。因杯7和處理液的碰撞而產(chǎn)生的處理液的液滴或霧一邊向內(nèi)側移動一邊隨著下降流向下方移動。因此，通過使處理液向基板W的上方的飛散范圍變窄，能夠降低處理液向基板W的再附著。進而，由于使處理液的飛散范圍變窄，所以可以不為了擴大基板W和杯7的徑向Yl的間隔而使杯7在徑向Yl上大型化。S卩，能夠使杯7的進深(內(nèi)徑)比以往減小。由此，能夠減小在基板W和杯7之間設置的環(huán)狀的氣體流路的流路面積。因此，能夠一邊維持氣流的速度(下降流的速度)，一邊減小排氣設備的吸引力(排氣壓)。
[0100]另外，在本實施方式中，由于在比卡盤銷12的容納基板W的周緣部的容納槽20更靠下方的位置配置有引導外緣25，所以基板W比引導外緣25更靠上方。換言之，引導外緣25配置在比在把持位置把持的基板W的下表面更靠下方的位置。因此，處理液被引導構件16引導到比基板W更靠下方的位置，從比基板W更靠下方的位置朝向杯7向外側飛散。因此，能夠減少在比基板W更靠上方的高度產(chǎn)生的液滴以及霧的量。由此，能夠進一步降低處理液的再附著。
[0101]另外，在本實施方式中，以上端比下端更靠內(nèi)側的方式傾斜的朝下的下傾斜面32設置在引導構件16上。由于下傾斜面32相對于水平面傾斜，所以處理液被下傾斜面32向斜下方并向外側引導。進而，由于下傾斜面32的至少一部分在徑向Yl上配置在卡盤銷12和引導外緣25之間，所以處理液在比卡盤銷12更靠外側的位置被向斜下方引導。因此能夠減少從基板W的周緣部向斜上方飛散的處理液的量。由此，能夠進一步降低處理液的再附著。
[0102]另外，在本實施方式中，以在徑向Yl上與基板旋轉軸線Al相向的方式相對水平面傾斜的朝內(nèi)面30設置在引導構件16上。朝內(nèi)面30從引導內(nèi)緣24向斜下方并向外側延伸，比容納槽20更靠上方。因此，到達卡盤銷12的附近的處理液進入由基板W、卡盤銷12以及引導構件16形成的捕集槽58內(nèi)，并且，被朝內(nèi)面30向斜下方并向外側引導。因此，能夠進一步降低向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0103]另外，在本實施方式中，卡盤銷12以及引導構件16是各自獨立的構件，所以能夠抑制卡盤銷12的形狀的復雜化。同樣，能夠抑制引導構件16的形狀的復雜化。進而，由于引導構件16配置在銷上表面12a之上，所以引導構件16能夠將越過銷上表面12a并向外側飛散的處理液可靠地向水平方向或斜下方向引導。因此能夠進一步減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0104]另外，在本實施方式中，引導構件16配置在銷上表面12a的上方，引導構件16和銷上表面12a在俯視下重疊。俯視下的引導構件16的面積大于俯視下的銷上表面12a的面積，整個銷上表面12a被引導構件16從其上方覆蓋。因此，相比銷上表面12a局部被引導構件16覆蓋的情況，能夠減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0105]另外，在本實施方式中，從銷上表面12a至引導內(nèi)緣24的高度大于從位于把持位置的基板W的上表面至銷上表面12a的高度。換言之，從基板W的上表面至銷上表面12a的上下方向長度小。因此，從基板W的上表面至引導內(nèi)緣24的上下方向長度得以縮短，引導內(nèi)緣24接近基板W的上表面。因此，捕集槽58的上下方向長度得以縮短，使捕集槽58的體積減少。由此，基板W和引導構件16之間的上下方向的間隙(捕集槽58的內(nèi)部)容易由處理液充滿。在捕集槽58由處理液充滿的情況下，后續(xù)的處理液不會與捕集槽58的內(nèi)表面直接碰撞。因此，因碰撞而產(chǎn)生的處理液的液滴或霧的量減少。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0106]另外，在本實施方式中，從引導內(nèi)緣24至銷上表面12a的內(nèi)緣的在徑向Yl上的距離大于從位于把持位置的基板W的上表面至銷上表面12a的高度。換言之，從引導內(nèi)緣24至銷上表面12a的內(nèi)緣的在徑向Yl上距離大，從引導內(nèi)緣24至基板W的周端面的在徑向Yl上的距離大。因此，能夠充分確保捕集槽58的深度(從捕集槽58的開口部至捕集槽58的底的在水平方向上的長度)。因此，引導構件16能夠可靠地捕獲要越過卡盤銷12的處理液，并向水平方向或斜下方向引導。由此，能夠降低處理液的再附著。
[0107]對本發(fā)明的實施方式的說明如上，但是本發(fā)明并不限于前述的實施方式的內(nèi)容，在能夠進行各種變更。
[0108]例如，在前述的實施方式中，對引導外緣25配置在比引導內(nèi)緣24更靠下方的高度的情況進行了說明，但是，引導內(nèi)緣24以及引導外緣25可以配置在彼此相等的高度。
[0109]另外，在前述的實施方式中，對上引導面26以及下引導面27包含相對于水平面傾斜的平面的情況進行了說明。但是，如圖8所示，上引導面26以及下引導面27也可以包含向斜上方并向外側膨出的曲面。另外，也可以是上引導面26以及下引導面27中的一個包含相對于水平面傾斜的平面，上引導面26以及下引導面27中的另一個包含向斜上方并向外側膨出的曲面。
[0110]另外，在前述的實施方式中，對引導構件16為彎曲的構件的情況進行了說明，但是如圖9所示，引導構件16也可以沿著水平面延伸。圖9所示的引導構件16包含以上端比下端更靠內(nèi)側的方式傾斜的朝外面29。朝外面29從引導外緣25向斜上方并向內(nèi)側延伸。在朝外面29以上端比下端更靠外側的方式傾斜的情況下，處理液被朝外面29向斜上方并向外側引導。因此，導致向斜上方并向外側飛散的處理液的量增加。因而，通過以上端比下端更靠內(nèi)側的方式使朝外面29傾斜，能夠進一步減少向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠進一步減少處理液的再附著。
[0111]另外，在前述的實施方式中，對引導構件16在周向Xl上的長度小于在周向Xl上相鄰的兩個引導構件16的間隔的情況進行了說明。但是，如圖10所示，引導構件16可以具有比在周向Xl上相鄰的兩個引導構件16的間隔大的周向長度。
[0112]若采用該結構，則由于引導構件16在周向Xl上長，所以利用引導構件16控制處理液的飛散方向的范圍在周向Xl上長。因此，多個引導構件16能夠進一步降低向斜上方并向外側飛散的處理液的量。由此，能夠減少處理液的再附著。而且，基板W上的處理液因在周向Xl上長的多個引導構件16停留在多個引導構件16的內(nèi)側，所以能夠減少形成覆蓋基板W的整個上表面的液膜時所需要的處理液的量。由此，基板處理裝置I的運行成本。進而，由于在周向Xl上相鄰的兩個引導構件16的在周向Xl上的間隔小，所以在多個引導構件16圍繞基板旋轉軸線Al旋轉時，難以產(chǎn)生氣流的文紊亂。因此，能減少液滴或霧因紊流被卷起而附著在基板W上的情況。
[0113]另外，在前述的實施方式中，對引導構件16為安裝在卡盤銷12上的與卡盤銷12不同的構件的情況進行了說明，但是引導構件16也可與卡盤銷12為一體。
[0114]另外，在前述的實施方式中，對引導構件16在俯視下與整個銷上表面12a重疊，整個銷上表面12a被引導構件16覆蓋的情況進行了說明，但也可以是銷上表面12a局部被引導構件16覆蓋，銷上表面12a的一部分在俯視下從引導構件16露出。
[0115]另外，在前述的實施方式中，對引導內(nèi)緣24以及引導外緣25各自的周向長度大于銷上表面12a的周向長度的情況進行了說明，但是，引導內(nèi)緣24的周向長度既可以與銷上表面12a的周向長度相等，也可以小于銷上表面12a的周向長度。對引導外緣25的周向長度也同樣。
[0116]另外，在前述的實施方式中，對引導構件16為板狀的情況進行了說明，但是引導構件16的形狀可以不是板狀。即，引導構件16的上側的面和引導構件16的下側的面可以彼此不平行。
[0117]另外，在前述的實施方式中，對藥液噴嘴34以及沖洗液噴嘴38都為掃描噴嘴的情況進行了說明，但是藥液噴嘴34以及沖洗液噴嘴38中的一個或兩個為在噴出口靜止的狀態(tài)下向基板W的上表面中央部噴出處理液的固定噴嘴。
[0118]對本發(fā)明的實施方式進行了詳細說明，但這些只不過是用于了解本發(fā)明的技術內(nèi)容的具體例，本發(fā)明并不限定解釋為這些具體例，本發(fā)明的精神以及范圍僅由權利要求書來限定。
[0119]本申請對應于2013年3月15日向日本特許廳提交的特愿2013-52977號，該申請的全部內(nèi)容通過引用而編入本申請中。
【權利要求】
1.一種基板處理裝置，其特征在于， 具有: 多個卡盤銷，分別設置有用于容納基板的周緣部的容納槽，通過將所述容納槽的內(nèi)表面推壓在所述基板的周緣部上，在把持位置將所述基板把持為水平姿勢， 噴嘴，向所述多個卡盤銷所把持的基板噴出處理液， 多個引導構件，分別配置在所述多個卡盤銷的上方，將從所述基板排出的處理液向所述基板的周圍引導， 旋轉馬達，使所述多個卡盤銷與所述多個引導構件一起圍繞通過所述基板的鉛垂的基板旋轉軸線旋轉， 筒狀的杯，以所述基板旋轉軸線為中心包圍所述多個卡盤銷以及引導構件，用于擋住從所述多個卡盤銷所把持的基板向外側排出的處理液； 所述多個引導構件各自具有:引導內(nèi)緣，配置在比所述容納槽更靠內(nèi)側且比所述容納槽更靠上方的位置；引導外緣，配置在與所述引導內(nèi)緣相等或比所述引導內(nèi)緣更靠下方的高度，且配置在比所述卡盤銷更靠外側的位置。
2.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述引導外緣比所述容納槽更靠下方。
3.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述引導構件還包括朝下的下傾斜面，該下傾斜面的至少一部分在與所述基板旋轉軸線垂直的方向即徑向上配置在所述卡盤銷和所述弓I導外緣之間，并以上端比下端更靠內(nèi)側的方式傾斜。
4.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述引導構件還包括朝內(nèi)面，該朝內(nèi)面從所述引導內(nèi)緣向斜下方并向外側延伸，并比所述容納槽更靠上方。
5.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述引導構件還包括從所述引導外緣向斜上方并向內(nèi)側延伸的朝外面。
6.如權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述卡盤銷包括配置在所述容納槽的上方的銷上表面， 所述引導構件是與所述卡盤銷不同的構件，并配置在所述銷上表面之上。
7.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，所述引導構件在俯視下與整個所述銷上表面重疊。
8.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，從所述銷上表面至所述引導內(nèi)緣的高度大于從位于所述把持位置的基板的上表面至所述銷上表面的高度。
9.如權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，在與所述基板旋轉軸線垂直的方向即徑向上，從所述引導內(nèi)緣至所述銷上表面的內(nèi)緣的距離大于從位于所述把持位置的基板的上表面至所述銷上表面的高度。
10.如權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述多個引導構件沿著圍繞所述基板旋轉軸線的方向即周向配置成環(huán)狀， 所述引導構件在所述周向上的長度大于在所述周向上相鄰的兩個所述引導構件的間隔。
【文檔編號】H01L21/67GK104051305SQ201410098060
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權日:2013年3月15日
【發(fā)明者】山口貴大 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社