混合式等離子體處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種混合式等離子體處理系統(tǒng)及其制造和操作方法。所述混合式等離子體處理系統(tǒng)包括用于在處理期間支撐襯底的由RF供電的下部電極以及以隔開的關(guān)系被設(shè)置在所述下部電極上方的混合式上部電極。所述混合式上部電極可以受到熱控制并且包括由具有第一電阻率的第一材料形成的第一板、當中具有多個徑向槽并且被設(shè)置在所述第一板上方的接地導(dǎo)電板。所述導(dǎo)電板由具有不同于所述第一電阻率的第二電阻率的第二材料形成。所述混合式上部電極還包括被設(shè)置在所述接地導(dǎo)電板上方的由RF供電的電感線圈。
【專利說明】混合式等離子體處理系統(tǒng)

【背景技術(shù)】
[0001]等離子體處理系統(tǒng)長期以來一直被用于處理襯底(例如晶片或平板或LCD面板)以形成集成電路或其它電子產(chǎn)品。普遍的等離子體處理系統(tǒng)尤其可以包括電容耦合等離子體處理系統(tǒng)(CCP)或電感耦合等離子體處理系統(tǒng)(ICP)。
[0002]在純電容耦合等離子體處理系統(tǒng)中，可以使用RF能量對一個或多個電極進行供電以電容感應(yīng)等離子體，然后將所述等離子體用于處理襯底。在示例性CCP系統(tǒng)中，可以將襯底設(shè)置在一個電極的頂部上(所述電極還充當夾盤或工件夾持器)。然后可以使用一個或多個RF電源對襯底支撐電極進行供電。
[0003]另一個電極可以被設(shè)置在襯底上方并且可以是接地的。這兩個板之間相互作用會產(chǎn)生電容耦合等離子體以對襯底進行處理。
[0004]電感耦合等離子體處理系統(tǒng)傾向于在需要較高密度等離子體時被使用。電感耦合等離子體處理腔室通常使用電感線圈來電感激發(fā)并且維持用于處理的等離子體。ICP系統(tǒng)和CCP系統(tǒng)這兩者均是本領(lǐng)域公知的并且在這里將不進一步作詳細說明。
[0005]然而，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，與CCP系統(tǒng)相比，ICP系統(tǒng)提供不同范圍的等離子體密度、化學(xué)過程、解離特征、離子能控制等，并且存在不同的可維護性問題和優(yōu)點/缺點。本發(fā)明人在本發(fā)明中認識到，很多時候，期望在CCP腔室中具有與ICP系統(tǒng)有關(guān)的特征，反之亦然。這種混合式系統(tǒng)將提供這兩者中最好的，并且還將提供控制旋鈕和操作范圍以及可維護性優(yōu)點(諸如原位清潔)，這原先在單獨利用ICP技術(shù)或單獨利用CCP技術(shù)的腔室的情況下是不可能的。
[0006]本發(fā)明涉及用于建立和操作混合式等離子體處理系統(tǒng)的系統(tǒng)和方法，所述混合式等離子體處理系統(tǒng)組合了 ICP腔室和CCP腔室這兩者的特征和功能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]通過舉例的方式而非通過限制的方式在附圖的圖中圖解本發(fā)明，并且其中相似的附圖標記指代相似的元件，并且其中:
[0008]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的混合式上部電極的簡化剖視圖。
[0009]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的混合式上部電極的簡化俯視圖。
[0010]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的混合式等離子體處理系統(tǒng)。

【具體實施方式】
[0011]現(xiàn)在將參考如附圖中所圖解的本發(fā)明的幾個實施方式來詳細描述本發(fā)明。在以下描述中，闡述了許多具體細節(jié)以便提供對本發(fā)明的全面理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將顯而易見的是，可以在不存在這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實施本發(fā)明。在其它情況下，未對公知的工藝步驟和/或結(jié)構(gòu)進行詳細描述以免不必要地使本發(fā)明不清晰。
[0012]在下文描述了各種實施方式，包括方法和技術(shù)在內(nèi)。應(yīng)當記住的是，本發(fā)明還可能涵蓋包括上面存儲有用于執(zhí)行本發(fā)明技術(shù)的實施方式的計算機可讀指令的計算機可讀介質(zhì)的制品。計算機可讀介質(zhì)可以包括例如半導(dǎo)體、磁性、光磁性、光學(xué)或其它形式的用于存儲計算機可讀代碼的計算機可讀介質(zhì)。此外，本發(fā)明還可以涵蓋用于實施本發(fā)明的實施方式的裝置。這種裝置可以包括用以執(zhí)行與本發(fā)明的實施方式有關(guān)的任務(wù)的專用電路和/或可編程電路。這種裝置的示例包括通用計算機和/或被適當編程時的專用計算器件，并且可以包括被適配用于與本發(fā)明的實施方式有關(guān)的各種任務(wù)的計算機/計算器件和專用電路/可編程電路的組合。
[0013]本發(fā)明在一個或多個實施方式中涉及一種能夠以電容I禹合模式、電感I禹合模式或這兩者同時運行的混合式等離子體處理系統(tǒng)。在一個或多個實施方式中，所述混合式等離子體處理系統(tǒng)具有包括下部電極的腔室。該下部電極由在千赫或兆赫(包括數(shù)十或數(shù)百兆赫)范圍內(nèi)的一個或多個RF電源，使用一個或多個RF信號供電。襯底在等離子體處理期間被設(shè)置在下部電極上。
[0014]該混合式等離子體處理系統(tǒng)還包括混合式上部電極，該混合式上部電極至少包括由具有第一電阻率的材料形成的第一板。優(yōu)選地，該第一材料是例如高電阻率材料，諸如高電阻率(相對于低電阻率)Si或SiC。接地導(dǎo)電板在與第一板相比遠離(更進一步離開)下部電極的方向上被設(shè)置在第一板上方。
[0015]在接地導(dǎo)電板上方是至少一個電感線圈，該至少一個電感線圈被配置成電感耦合等離子體以對襯底進行處理。該電感線圈通常由RF電源供電，該RF電源可以在千赫或兆赫的范圍內(nèi)，該范圍包括數(shù)十或數(shù)百兆赫。在一個或多個實施方式中，該電感線圈被設(shè)置在形成于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)或?qū)щ姲逯械耐ǖ纼?nèi)部。電感線圈和/或封裝電感線圈的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與接地導(dǎo)電板相比被設(shè)置在相對于下部電極的更遠處。
[0016]在一個或多個實施方式中，在第一板和/或接地導(dǎo)電板中形成多個徑向槽。這些徑向槽被設(shè)定尺寸以允許B場穿過(與徑向槽相同的平面)，而在方位角方向上阻擋E場。此外，選擇槽的寬度和厚度以使得循環(huán)電流在一個或多個帶槽板中被減到最小。在一個或多個實施方式中，這些槽可以部分地或完全地穿過第一板和接地導(dǎo)電板中的一個或這兩者形成。為了改進機械剛性和/或減小可維護性負擔，可以將這些徑向槽用與腔室中的工藝相容的合適的介電材料(不是空氣)填充。在一個或多個實施方式中，石英可以是一種這樣的合適的介電材料。
[0017]在一個或多個實施方式中，提供加熱和電裝置以在處理之前、期間和/或之后對混合式上部電極組件的溫度進行熱控制。在一個或多個實施方式中，可以在第一板和接地導(dǎo)電板中的一個或這兩者中提供氣體通道以形成噴頭結(jié)構(gòu)。在一個或多個實施方式中，可以提供多個電感線圈以使得能夠?qū)﹄姼旭詈瞎β蔬M行區(qū)域控制(例如可以提供內(nèi)線圈和外線圈)。這些線圈可以用相同或不同的RF頻率來供電并且如果需要的話，可以被施加脈沖。
[0018]可以參考附圖和以下論述更好地了解本發(fā)明的實施方式的特征和優(yōu)點。
[0019]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的混合式上部電極102的簡化剖視圖，該混合式上部電極102包括第一板104，該第一板104通常由與所要進行的等離子體處理相容的諸如用于電介質(zhì)蝕刻器的Si或SiC等高電阻材料或類似合適的材料形成。
[0020]接地導(dǎo)電板106與第一板104相比被設(shè)置在相對于襯底承載電極(以隔開的關(guān)系被設(shè)置于第一板104下方并且未示于圖1中)的更遠處。換句話說，第一板104被設(shè)置在襯底承載電極與接地導(dǎo)電板106之間。在圖1的示例中，接地導(dǎo)電板106由諸如鋁之類的導(dǎo)電材料或另一種合適的導(dǎo)電材料形成。接地導(dǎo)電板106被粘結(jié)或以其它方式連接或固定至第一板104上。以這種方式，第一板104向等離子體暴露與等離子體處理相容的材料并且防護接地導(dǎo)電板106免受等離子體影響以降低/消除金屬污染風險。
[0021]示出了與接地導(dǎo)電板106和第一板104相比被設(shè)置在相對于襯底承載電極的更遠處的電感線圈120。在圖1的示例中，提供兩個獨立的電感線圈120和122以對等離子體密度提供更精細的控制，但是并非在每一種情況下都絕對地需要多個線圈。
[0022]而且在圖1的示例中，這些線圈被設(shè)置在形成于電絕緣板108中的通道中，所述電絕緣板108可以由例如氮化鋁(AlN)或另一種合適的材料形成。在一個或多個實施方式中，如果需要的話，可以將絕緣板108中的通道用合適的介電材料填充。替代地或另外地，這些線圈可以與電絕緣板108導(dǎo)熱粘結(jié)和/或進行導(dǎo)熱以便進行熱控制。
[0023]示出了周邊環(huán)110，該周邊環(huán)110可以由例如鋁形成，圍繞混合式上部電極并且更確切地說，在圖1的示例中，包圍電絕緣板108。周邊環(huán)為接地板106提供了電耦合、熱耦合以及RF耦合以至少提供返回RF電流通路(例如當腔室以電容模式運行時)。
[0024]在周邊環(huán)110上方是加熱板112，所述加熱板112與加熱元件(例如流體或電加熱機構(gòu))連接以對上部電極102提供熱控制。在一個或多個實施方式中，周邊環(huán)110可以是接地的。
[0025]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的混合式上部電極102的簡化俯視圖。示出了如先前所述被設(shè)置在形成于電絕緣層108中的通道內(nèi)部的線圈120和122。在絕緣層108下方是接地導(dǎo)電板106和第一板104，這兩者都設(shè)有徑向槽，這些徑向槽至少部分地或完全地穿過接地導(dǎo)電板106和第一板104中的至少一個、每一個或這兩者形成。
[0026]這些徑向槽(202、204、206等)優(yōu)選地對稱布置并且被配置或設(shè)定尺寸以允許磁場(B場)穿過，但橫截面足夠狹窄以在方位角方向上阻擋電場(E場)。這些槽從中心朝向邊緣徑向定向并且至少部分地(并且在一些情況下，完全地)從板的中心跨越到邊緣。此夕卜，選擇槽的寬度和厚度以使得循環(huán)電流在帶槽板中被減到最小。在一個或多個實施方式中，接地導(dǎo)電板中的這些槽可以與Si板中的槽完全或部分地對齊。以這種方式，當使用RF能量給線圈120和/或122供電時，促使由這些線圈與等離子體電感耦合。
[0027]在一個或多個實施方式中，用于將工藝氣體注入到上部電極與下部電極之間的等離子體產(chǎn)生區(qū)域中的氣體通道形成于第一板104和/或?qū)щ姲?06內(nèi)部，但是被防護以免受等離子體影響從而防止在充氣室內(nèi)部形成等離子體。在一個或多個實施方式中，充氣槽可以形成于導(dǎo)電頂部板與底部板之間。因此，來自等離子體或來自TCP線圈的場不能穿透圍繞充氣槽的導(dǎo)電材料內(nèi)部。以這種方式，防止在充氣槽內(nèi)部形成等離子體。
[0028]第一板104優(yōu)選地由高電阻率材料制成以便提高B場的穿透率。導(dǎo)電板(諸如導(dǎo)電Si板)可能會不合期望地阻擋來自線圈的B場穿透并且吸收較多的來自線圈的呈循環(huán)電流形式的RF功率，這還會導(dǎo)致發(fā)熱問題。使用高電阻率板(諸如高電阻率Si或SiC)，實現(xiàn)了處理相容性，同時提供了足夠大的RF透入深度以允許B場穿透它的厚度。使用高電阻率材料還減少了 RF與來自底部電極的電容RF功率耦合，這可以減少跨越電阻材料的離子能量，從而降低蝕刻速率。
[0029]在一個或多個實施方式中，由低電阻率材料(諸如低電阻率Si)制成的分段(扇區(qū)化)楔形件可以連接至接地導(dǎo)電板106。這些楔形件的接縫可以是聯(lián)結(jié)的，從而不存在等離子體朝向楔形件后面的接地導(dǎo)電板106的視線。為了避免Si扇區(qū)之間在接縫處出現(xiàn)任何拱起，可以使用絕緣填料(例如石英)。
[0030]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的混合式等離子體處理系統(tǒng)302，所述混合式等離子體處理系統(tǒng)302包括下部襯底承載電極304，所述下部襯底承載電極304被示為由RF電源306供電。在圖3的示例中，RF電源306提供3種不同的RF頻率(2MHz、27MHz以及60MHz)，但是并非在每一種情況下都絕對需要多種RF頻率。示出了被設(shè)置在襯底承載電極304上方的第一板104。在第一板104上方是接地導(dǎo)電板106。不出了被設(shè)置在形成于電絕緣板108中的對應(yīng)通道中的電感線圈120和122。在圖3的示例中，電感線圈120和122由RF電源328，經(jīng)由RF匹配330來供電。
[0031]提供氣體入口 340和342以將工藝氣體供應(yīng)至形成于第一板104和接地導(dǎo)電板106中的一個或這兩者中的氣體通道中以將工藝氣體注入到上部電極與下部電極之間的等離子體區(qū)域中。示出了圍繞電絕緣板108的周邊環(huán)110。
[0032]如可以在圖3中看到的那樣，返回RF電流310至少橫貫第一板104、接地導(dǎo)電板106、加熱板112、頂板322、以及腔室側(cè)壁324以返回至接地。上部電極組件或下部電極組件中的一個可以移動以便插入晶片并且在處理期間控制等離子體間隙。
[0033]提供當中具有多個冷卻通道348的冷卻板346以便對上部電極進行熱控制。在圖3的示例中，冷卻板346是接地的并且可以使用一個或多個熱扼流器350與加熱板112熱隔離。
[0034]在實踐中，可以以CCP模式(例如在給下部電極304供電并且關(guān)閉電感線圈的情況下)、ICP模式(例如在關(guān)閉下部電極304并且給電感線圈供電的情況下)、或混合模式(其中給下部電極304和電感線圈這兩者均供電)操作等離子體處理系統(tǒng)302。在一個或多個實施方式中，如果需要的話，還可以使用RF電源給上部電極供電，以使得在CCP模式或混合模式中給上部電極和下部電極這兩者均供電。
[0035]本發(fā)明的實施方式還涵蓋了制造根據(jù)本文中的教導(dǎo)內(nèi)容所建構(gòu)的混合式等離子體處理系統(tǒng)的方法。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當了解，可以提供部件并且將這些部件連接在一起以形成所公開的混合式等離子體處理系統(tǒng)或其變化形式。此外，本發(fā)明的實施方式還涵蓋了使用根據(jù)本文的教導(dǎo)內(nèi)容所建構(gòu)的混合式等離子體處理系統(tǒng)處理襯底的方法。鑒于本公開，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠以CCP模式、ICP模式、或混合模式操作所公開的混合式等離子體處理系統(tǒng)來處理襯底。
[0036]如可以從上述內(nèi)容所了解的那樣，本發(fā)明的實施方式涉及一種混合式等離子體處理系統(tǒng)，該混合式等離子體處理系統(tǒng)可以以CCP模式、ICP模式或混合CCP/ICP模式運行。以這種方式，多步驟程序不必需要將襯底在腔室之間移動就能夠使用CCP腔室和/或ICP腔室所特有的條件對該襯底進行處理。能夠以混合模式進行處理開辟了另外的工藝窗口，并且提供了原先在僅以CCP模式或僅以ICP模式運行的腔室的情況下不可實現(xiàn)的另外的工藝控制旋鈕和可維護性優(yōu)點(諸如原位腔室壁調(diào)整或腔室清潔)。
[0037]雖然已經(jīng)根據(jù)若干個優(yōu)選的實施方式描述了本發(fā)明，但是存在落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的改動方案、置換方案以及等同方案。雖然本文提供了各種示例，但是意圖是這些示例是說明性的而非限制本發(fā)明。而且，發(fā)明名稱和
【發(fā)明內(nèi)容】
是為了方便起見而提供于本文中并且不應(yīng)當被用于解釋本文權(quán)利要求書的范圍。此外，摘要是以高度縮略形式書寫的并且為了方便起見而提供于本文中，并且因此不應(yīng)當被用于解釋或限制表示于權(quán)利要求書中的總體發(fā)明。如果在本文使用術(shù)語“組”，那么這個術(shù)語旨在具有其通常理解的數(shù)學(xué)含義，包括零個、一個或多于一個構(gòu)件。還應(yīng)當指出的是，存在實施本發(fā)明的方法和裝置的多種替代性方式。因此，意圖是，隨后的所附權(quán)利要求書被解釋為包括落入本發(fā)明的真正精神和范圍內(nèi)的所有這些改動方案、置換方案以及等同方案。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理系統(tǒng)具有用于處理襯底的等離子體處理腔室，所述等離子體處理系統(tǒng)包括: 第一 RF電源； 第二 RF電源； 用于在所述處理期間支撐所述襯底的下部電極，所述下部電極由所述第一 RF電源供電； 混合式上部電極，所述混合式上部電極以隔開的關(guān)系被設(shè)置在所述下部電極上方并且包括 由具有第一電阻率的第一材料形成的第一板， 當中具有多個徑向槽的接地導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板與所述第一板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處，所述導(dǎo)電板由具有低于所述第一電阻率的第二電阻率的第二材料形成， 與所述接地導(dǎo)電板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處的電感線圈，所述電感線圈由所述第二 RF電源供電。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一板當中具有另外的多個徑向槽。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述另外的多個徑向槽填充有不同于空氣的介電材料。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一RF電源被配置成在所述處理期間向所述下部電極同時提供多種RF頻率。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理系統(tǒng)還包括當中設(shè)置有至少一個通道的電絕緣板，所述電感線圈被設(shè)置在所述至少一個通道內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述電絕緣板至少包含A1N。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理系統(tǒng)還包括與所述電感線圈相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處的加熱板。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理系統(tǒng)還包括與所述電感線圈相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處的冷卻板。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一材料包括高電阻率Si或SiC中的至少一種。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第二材料包括鋁。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述多個徑向槽至少部分地填充有不同于空氣的介電材料。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述混合式上部電極還包括與所述接地導(dǎo)電板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處的另一個電感線圈，所述另一個電感線圈與所述電感線圈相比被設(shè)置在所述下部電極的不同空間區(qū)域上方。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述多個徑向槽中的每一個的寬度被設(shè)定尺寸以允許B場穿透所述接地導(dǎo)電板，而在方位角方向上阻擋E場穿透。
14.一種具有用于處理襯底的等離子體處理腔室的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理系統(tǒng)包括: 第一 RF電源； 第二 RF電源； 用于在所述處理期間支撐所述襯底的下部電極，所述下部電極由所述第一 RF電源供電； 混合式上部電極，所述混合式上部電極以隔開的關(guān)系被設(shè)置在所述下部電極上方并且包括 由具有第一電阻率的第一材料形成的第一板， 當中具有第一多個徑向槽的接地導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板與所述第一板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處，所述導(dǎo)電板由具有不同于所述第一電阻率的第二電阻率的第二材料形成， 當中設(shè)置有至少一個通道的電絕緣板，所述電絕緣板與所述接地導(dǎo)電板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處， 被設(shè)置在所述電絕緣板的所述至少一個通道內(nèi)的電感線圈，所述電感線圈由所述第二RF電源供電。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一多個徑向槽填充有不同于空氣的介電材料。
16.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一RF電源被配置成在所述處理期間向所述下部電極同時提供多種RF頻率。
17.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述電絕緣板至少包含A1N。
18.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一材料包括高電阻率Si或SiC中的至少一種。
19.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述混合式上部電極還包括與所述接地導(dǎo)電板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處的另一個電感線圈，所述另一個電感線圈與所述電感線圈相比被設(shè)置在所述下部電極的不同空間區(qū)域上方。
20.所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述第一板包括具有接縫的多個楔形件，所述接縫被配置成阻擋從所述腔室中產(chǎn)生的等離子體到所述接地導(dǎo)電板的視線。
21.一種用于在等離子體處理系統(tǒng)中處理襯底的方法，所述等離子體處理系統(tǒng)具有用于處理襯底的等離子體處理腔室，所述方法包括: 提供第一 RF電源； 提供第二 RF電源； 提供用于在所述處理期間支撐所述襯底的下部電極，所述下部電極由所述第一 RF電源供電； 提供混合式上部電極，所述混合式上部電極以隔開的關(guān)系被設(shè)置在所述下部電極上方并且包括 由具有第一電阻率的第一材料形成的第一板，所述第一板當中具有第一多個徑向槽，當中具有第二多個徑向槽的接地導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板與所述第一板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處，所述導(dǎo)電板由具有低于所述第一電阻率的第二電阻率的第二材料形成， 當中設(shè)置有至少一個通道的電絕緣板，所述電絕緣板與所述接地導(dǎo)電板相比被設(shè)置在相對于所述下部電極的更遠處， 被設(shè)置在所述電絕緣板的所述至少一個通道內(nèi)的電感線圈，所述電感線圈由所述第二RF電源供電；以及 在分別使用所述第一RF電源和所述第二RF電源中的至少一個給所述下部電極和所述電感線圈中的至少一個供電時處理所述襯底。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一多個徑向槽和所述第二多個徑向槽填充有不同于空氣的介電材料。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一RF電源被配置成在所述處理期間向所述下部電極同時提供多種RF頻率。
24.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述電絕緣板至少包含A1N。
25.如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一材料包括高電阻率Si或SiC中的至少一種。
26.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在對所述襯底進行所述處理期間，使用所述第一RF電源和所述第二 RF電源給所述下部電極和所述電感線圈這兩者供電。
【文檔編號】H01L23/60GK104170084SQ201380011236
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月27日
【發(fā)明者】拉金德爾·迪恩賽 申請人:朗姆研究公司