一種半導(dǎo)體器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，所述方法包括：在半導(dǎo)體襯底上依次形成低k介電層和第一低k介電硬掩膜層；在所述第一低k介電硬掩膜層上形成金屬硬掩膜層；圖案化所述金屬硬掩膜層和所述第一低k介電硬掩膜層以形成開口；執(zhí)行紫外光固化處理，以擴大所述第一低k介電硬掩膜層的開口尺寸；刻蝕處理所述低k介電層以形成溝槽結(jié)構(gòu)；移除所述金屬掩膜層；在所述溝槽結(jié)構(gòu)中沉積形成銅金屬層。根據(jù)本發(fā)明的制造工藝可以有效避免在頂部沉積的銅晶種層影響采用電化學(xué)電鍍方法對溝槽結(jié)構(gòu)進行的銅填充。
【專利說明】一種半導(dǎo)體器件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種銅間隙填充的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)越來越精密，集成電路也發(fā)生著重大的變革，集成在同一芯片上的元器件數(shù)量已從最初的幾十、幾百個增加到現(xiàn)在的數(shù)以百萬個。為了達到復(fù)雜度和電路密度的要求，半導(dǎo)體集成電路芯片的制作工藝利用批量處理技術(shù)，在襯底上形成各種類型的復(fù)雜器件，并將其互相連接以具有完整的電子功能，目前大多采用在導(dǎo)線之間以介電層作為隔離各金屬內(nèi)連線的介電材料，互連結(jié)構(gòu)用于提供在IC芯片上的器件和整個封裝之間的布線。金屬鋁是芯片中電路互連的主要材料，然而相對于元件的微型化和集成度的增加，電路中導(dǎo)體連線數(shù)目不斷的增多，使得導(dǎo)體連線架構(gòu)中的電阻及電容所產(chǎn)生的寄生效應(yīng)，造成了嚴重的傳輸延遲(Re Delay)，在90納米及更先進的技術(shù)中成為電路中信號傳輸速度受限的主要因素。
[0003]在降低互連線的RC延遲、改善電遷移等方面，由于金屬銅具有低電阻系數(shù)，高熔點和優(yōu)良的電遷移耐力，因此，銅互連(Cu-base interconnects)已被廣泛地應(yīng)用于前沿的集成電路制造工藝中。但是，金屬銅的應(yīng)用又給工藝集成帶來了新的挑戰(zhàn)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中公開了一種銅間隙填充(gap-fill)的方法，如圖1所示。如圖1A，在提供的半導(dǎo)體襯底(未示出)上形成刻蝕停止層100，其材料可以是含碳的氮化硅(NDC)，在刻蝕停止層100上形成低k介電層101，在低k介電層101上形成低k介電硬掩膜(HM lowk)層102，在低k介電硬掩膜層102上形成氧化物硬掩膜層103，其材料可以是正硅酸乙酯(TE0S)，在氧化物硬掩膜層103上形成金屬硬掩膜層104，其材料可以是TiN，屏蔽氧化層(Screen oxide) 105，在屏蔽氧化層105上形成具有圖案的光刻膠(PR) 106。
[0005]如圖1B中所示，根據(jù)圖案化的光刻膠106，刻蝕金屬硬掩膜層104和屏蔽氧化層(Screen oxide) 105形成開口結(jié)構(gòu)107，暴露出氧化物硬掩膜層103，然后去除光刻膠106和屏蔽氧化層105。
[0006]如圖1C所示，通過開口結(jié)構(gòu)107刻蝕氧化物硬掩膜層103、低k介電硬掩膜層102、低k介電層101和刻蝕停止層100，形成溝槽結(jié)構(gòu)108，其中刻蝕方法采用干法刻蝕，刻蝕后經(jīng)濕法清洗工藝去除溝槽結(jié)構(gòu)108表面的殘留物。
[0007]如圖1D所示，為使填充的銅金屬與溝槽結(jié)構(gòu)108側(cè)壁粘附性良好，并防止銅金屬向介電層內(nèi)擴散，在填充金屬前先沉積一層擴散阻擋層109，接著在擴散阻擋層上形成銅晶種層(Cu seed layer)，利用電化學(xué)電鍍(ECP)的方法在溝槽結(jié)構(gòu)108內(nèi)填充金屬銅，以形成銅層110。
[0008]然而，在溝槽結(jié)構(gòu)開口頂部沉積的銅晶種層將影響采用ECP方法對溝槽結(jié)構(gòu)的填充。由于氧化物硬掩膜層103的突出，會造成溝槽結(jié)構(gòu)的開口變小，在采用ECP方法填充溝槽結(jié)構(gòu)時，銅從溝槽的頂部和側(cè)壁入口沉積，會先在已沉積了銅晶種層的互連結(jié)構(gòu)開口的頂部上沉積形成銅層，縮小了互連結(jié)構(gòu)開口的尺寸，從而在銅互連結(jié)構(gòu)中形成空洞(Void)，進而影響互連結(jié)構(gòu)中部或底部的銅填充甚至關(guān)閉至互連結(jié)構(gòu)深處的通路，尤其在小尺寸的互連結(jié)構(gòu)或具有高深比的互連結(jié)構(gòu)中，使銅沉積沒有充分和均勻的填充到互連結(jié)構(gòu)中，從而降低銅互連結(jié)構(gòu)的電連接特性和機械特性，從而降低銅互連的壽命和良品率。
[0009]因此，目前急需一種銅間隙填充制作半導(dǎo)體器件的方法，以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。
[0011]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括下列步驟，在半導(dǎo)體襯底上依次形成低k介電層和第一低k介電硬掩膜層；在所述第一低k介電硬掩膜層上形成金屬硬掩膜層；圖案化所述金屬硬掩膜層和所述第一低k介電硬掩膜層以形成開口 ；執(zhí)行紫外光固化處理，以擴大所述第一低k介電硬掩膜層的開口尺寸；刻蝕處理所述低k介電層以形成溝槽結(jié)構(gòu)；移除所述金屬硬掩膜層；在所述溝槽結(jié)構(gòu)中沉積形成銅金屬層。
[0012]優(yōu)選地，所述第一低k介電硬掩膜層材料為沒有經(jīng)過紫外線處理的低k介電材料。
[0013]優(yōu)選地，所述低k介電材料包含致孔劑。
[0014]優(yōu)選地，所述低k介電層和所述第一低k介電硬掩膜層之間還形成有第二低k介
電硬掩膜層。
[0015]優(yōu)選地，所述第二低k介電硬掩膜層材料為黑鉆石。
[0016]優(yōu)選地，所述圖案化步驟包括，在所述金屬硬掩膜層上形成圖案化的光刻膠，刻蝕所述金屬硬掩膜層和所述第一低k介電硬掩膜層，然后去除所述圖案化的光刻膠。
[0017]優(yōu)選地，在進行所述紫外光固化步驟的同時施加含有氧氣或者臭氧的等離子體氣體。
[0018]優(yōu)選地，在所述紫外光固化步驟之后還包括濕法清洗的步驟。
[0019]優(yōu)選地，采用電化學(xué)電鍍的方法沉積所述銅金屬層。
[0020]優(yōu)選地，在沉積所述銅金屬層之前還包括在所述溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積擴散阻擋層和銅晶種層的步驟。
[0021]優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體襯底和所述低k介電層之間還形成有刻蝕停止層。
[0022]優(yōu)選地，所述刻蝕停止層材料為含碳的氮化硅。
[0023]本發(fā)明還提出了一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括:半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成的低k介電層和第一低k介電硬掩膜層,在所述低k介電層和所述第一低k介電硬掩膜層中形成的溝槽結(jié)構(gòu)；在所述溝槽結(jié)構(gòu)中沉積形成的銅金屬層。
[0024]優(yōu)選地，所述第一低k介電硬掩膜層包含致孔劑。
[0025]優(yōu)選地，所述低k介電層和所述第一低k介電硬掩膜層之間還形成有第二低k介
電硬掩膜層。
[0026]優(yōu)選地，所述第二低k介電硬掩膜層材料為黑鉆石
[0027]優(yōu)選地，所述銅金屬層與所述溝槽結(jié)構(gòu)之間還形成有擴散阻擋層和銅晶種層。
[0028]優(yōu)選地，在所述半導(dǎo)體襯底和所述低k介電層之間還形成有刻蝕停止層。[0029]優(yōu)選地，所述刻蝕停止層材料為含碳的氮化硅。
[0030]綜上所示，根據(jù)本發(fā)明的制造工藝可以有效避免在頂部沉積的銅晶種層影響使用ECP方法對溝槽結(jié)構(gòu)進行的銅填充。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
[0032]圖1A-圖1D為目前常見的制作銅間隙填充的各步驟所獲得的器件的剖視圖；
[0033]圖2A-圖2G為根據(jù)本發(fā)明一個實施方式制作銅間隙填充的各步驟所獲得的器件的剖視圖；
[0034]圖3為根據(jù)本發(fā)明一個實施方式制作銅間隙填充的工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0035]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0036]為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟，以便說明本發(fā)明是如何采用改進的銅間隙填充方法解決銅晶種層對ECP工藝的影響，以及其所引起的間隙填充不均勻和填充后的互連結(jié)構(gòu)具有缺陷的問題。顯然本發(fā)明的較佳實施例詳細的描述如下，然而去除這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0037]為了克服傳統(tǒng)的銅間隙填充時造成的問題，本發(fā)明提出了一種改進的銅間隙填充的方法。參照圖2A至圖2G，示出根據(jù)本發(fā)明一個方面的實施例的各個步驟的剖視圖。
[0038]如圖2A所示，提供半導(dǎo)體襯底(未示出)，在半導(dǎo)體襯底上沉積形成刻蝕停止層200，其材料為NDC，制備的方法可選用化學(xué)氣相沉積(CVD)。作為一個實例，在進行化學(xué)氣相沉積時，功率為200?400W，加熱使腔體內(nèi)的溫度至300?400°C，腔體內(nèi)的壓力為2?5Torr，采用的三甲基硅烷(3MS)或者四甲基硅烷(4MS)的氣體流量為100?200立方厘米/分鐘(sccm)，He的氣體流量為350?450立方厘米/分鐘(sccm)，NH3氣體流量為300?500立方厘米/分鐘(sccm)，沉積時間持續(xù)3s。然后，在刻蝕停止層200上沉積形成低k介電層201，其介電常數(shù)k小于2，通常采用甩膠技術(shù)或化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備。接著，在低k介電層201上沉積形成低k介電硬掩膜層202和低k介電硬掩膜層203，其中，低k介電硬掩膜層203為沒經(jīng)過紫外線處理的低k介電材料，并且該低k介電材料包含有致孔劑，致孔劑可以是任何合適產(chǎn)生孔的材料，致孔劑材料可以是碳氫化合物、含有抗蝕劑的丙烯酸鹽(丙烯酸脂)族的聚合物、氟化的聚合物等。優(yōu)選的分解溫度在350°C以上的、優(yōu)選400°C左右的材料?？梢栽谌蹱t中或者通過其他工藝對其實施固化，例如紫外線固化、快速熱固化、閃光燈固化、激光固化等。優(yōu)選的，采用加熱和紫外照射工藝將薄膜中的致孔劑分解產(chǎn)生孔或者將致孔劑轉(zhuǎn)化成薄膜的一部分。在進行加熱工藝之前，含有致孔劑的薄膜是稠密的并沒有孔。低k介電硬掩膜層202材料為BD (Black Diamond，黑鉆石)。然后在低k介電硬掩膜層203上形成金屬硬掩膜層204，采用物理氣相沉積(PVD)。作為一個實例，在進行物理氣相沉積工藝時，加熱使腔體內(nèi)的溫度至250?400°C之間，進行30?80s的反應(yīng)，使生成的金屬硬掩膜層204的厚度小于5nm。金屬硬掩膜層204材料優(yōu)選氮化鈦(TiN)材料。在金屬硬掩膜層204上形成屏蔽氧化層205和圖案化的光刻膠206。
[0039]如圖2B所示，通過圖案化的光刻膠206刻蝕屏蔽氧化層205、金屬硬掩膜層204和低k介電硬掩膜層203。可以采用干法刻蝕，例如等離子體刻蝕，刻蝕氣體包括氯化硼、氯氣，和一些添加氣體如氮氣、氬氣。所述氯化硼和氯氣的流量范圍可為O?150立方厘米/分鐘(sccm)和50?200立方厘米/分鐘(sccm),反應(yīng)室內(nèi)壓力可為5?20毫托(mTorr),如300mTorr?？涛g上述薄膜堆形成開口結(jié)構(gòu)207暴露出低k介電硬掩膜層202。刻蝕后，去除具有圖案的屏蔽氧化層205，并使用灰化工藝除去光刻膠206。
[0040]如圖2C所示，對低k介電硬掩膜層203進行加熱和紫外線照射工藝處理，得到開口結(jié)構(gòu)208。優(yōu)選地，在真空反應(yīng)室中進行紫外光固化工藝，保證真空反應(yīng)室的壓強為5毫托(mTorr)?19毫托(mTorr)，采用紫外光強度為20?300mW/cm2，照射溫度范圍為350?480°C，照射時間為4到7分鐘，同時施加一定的反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體的流量通常為100?100，000立方厘米分鐘(sccm)，所述反應(yīng)氣體可以是含有O2或者O3的等離子氣體。紫外光固化工藝分解了低k介電硬掩膜層203中的致孔劑，使暴露的低k介電硬掩膜層203的邊緣發(fā)生凹陷，在低k介電硬掩膜層203中形成凹陷結(jié)構(gòu)208’有助于擴大低k介電硬掩膜層的開口尺寸，經(jīng)紫外光固化工藝處理得到的具有凹陷結(jié)構(gòu)208’的低k介電硬掩膜層203相比沒有經(jīng)過紫外光固化處理的低k介電硬掩膜層203的開口尺寸具有2%?7%放大，同時使組織結(jié)構(gòu)更致密，降低其介電常數(shù)。
[0041 ] 如圖2D所示，紫外光固化處理之后進行濕法清洗工藝，得到開口結(jié)構(gòu)209。執(zhí)行濕法清洗工藝，使已發(fā)生凹陷的低k介電硬掩膜層203的邊緣更進一步地凹陷，在低k介電硬掩膜層203中形成凹陷結(jié)構(gòu)209’，從而進一步擴大低k介電硬掩膜層203的開口尺寸，經(jīng)濕法清洗后得到的具有凹陷結(jié)構(gòu)209’的低k介電硬掩膜層203相比具有凹陷結(jié)構(gòu)208’的低k介電硬掩膜層203的開口尺寸具有5%?15%放大，同時濕法清洗去除經(jīng)紫外光固化處理之后殘留在開口結(jié)構(gòu)209表面的殘余物。在此，清洗工藝可以使用稀釋氫氟酸(DHF)來執(zhí)行，優(yōu)選使用DHF執(zhí)行25?35s。
[0042]如圖2E所示，根據(jù)開口結(jié)構(gòu)209依次刻蝕低k介電硬掩膜層202、低k介電層201和刻蝕停止層200，形成溝槽結(jié)構(gòu)210。其中，刻蝕方法可以采用干法刻蝕，例如等離子體刻蝕，刻蝕氣體包括氯化硼、氯氣，和一些添加氣體如氮氣、氬氣。所述氯化硼和氯氣的流量范圍可為O?150立方厘米/分鐘(sccm)和50?200立方厘米/分鐘(sccm)，反應(yīng)室內(nèi)壓力可為5?2O毫托(mTorr),如ISmTorr。
[0043]如圖2F所示，在刻蝕形成溝槽結(jié)構(gòu)210之后，進行一干法蝕刻或濕法清洗工藝以移除金屬硬掩膜層204，得到溝槽結(jié)構(gòu)211。這里優(yōu)選使用濕法清洗的工藝，因為，含有氧化劑(如，雙氧水)的DHF溶液可以溶解移除金屬硬掩膜TiN層204。最終形成的溝槽結(jié)構(gòu)211頂部的開口相對于現(xiàn)有技術(shù)制備的溝槽結(jié)構(gòu)頂部開口變大，提高了采用ECP方法進行銅填充的能力。
[0044]如圖2G所示，在溝槽結(jié)構(gòu)211上沉積形成擴散阻擋層212，制備的方法可選用物理氣相沉積(PVD),阻擋層可于介于_40°C?400°C的溫度與約介于0.1毫托(mTorr)?100毫托(mTorr)的壓力下形成。擴散阻擋層通常為金屬或金屬化合物層的材質(zhì)，例如:鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、氮化鋯、氮化鈦鋯、鎢、氮化鎢、其合金或其組成物。此外，擴散阻擋層亦可能包括多個膜層。優(yōu)選在擴散阻擋層上先形成一層鈷(Co)增強層(enhancement layer)(未示出)然后再形成銅晶種層(未示出)。鈷增強層能夠提高銅互連的電遷移耐力，同時可以有效地加強在較小幾何溝槽/結(jié)構(gòu)中的銅填充能力。制備鈷層的方法可選用化學(xué)氣相沉積(CVD)，層厚度約為1.5nm。銅晶種層的制備方法可以選用物理氣相沉積(PVD)。在銅晶種層上使用電化學(xué)電鍍的方法對溝槽結(jié)構(gòu)211進行填充形成銅層213，通過對有機物和無機物水浴成分和補給的即時分析可以維持穩(wěn)定的電鍍工藝，其中優(yōu)選的銅電鍍化學(xué)添加劑和電流波形可以完成對0.07um?0.1um的間隙填充。
[0045]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式制作銅間隙填充的流程圖，用于簡要示出整個制造工藝的流程。
[0046]在步驟301中，在半導(dǎo)體襯底上依次形成刻蝕停止層200、低k介電層201、低k介電硬掩膜層202、低k介電硬掩膜層203、金屬硬掩膜層204、屏蔽氧化層205和圖案化的光刻膠206。在步驟302中，根據(jù)圖案化的光刻膠206刻蝕屏蔽氧化層205、金屬硬掩膜層204和低k介電硬掩膜層203，形成開口結(jié)構(gòu)207，暴露出低k介電硬掩膜層202，去除圖案化光刻膠206和屏蔽氧化層205，得到開口結(jié)構(gòu)208。在步驟303中，使用紫外光固化工藝處理硬掩膜層203，然后進行濕法清洗工藝，得到開口結(jié)構(gòu)209。在步驟304中，根據(jù)開口結(jié)構(gòu)209依次刻蝕低k介電硬掩膜層202、低k介電層201和刻蝕停止層200，刻蝕后進行濕法清洗移除金屬硬掩膜層204，形成溝槽結(jié)構(gòu)211。在步驟305中，在溝槽結(jié)構(gòu)211上沉積形成擴散阻擋層212和晶種層。在步驟306中，溝槽結(jié)構(gòu)211中沉積形成銅金屬層213。
[0047]綜上所示，本發(fā)明提出了一種改進的銅間隙填充的方法，根據(jù)本發(fā)明工藝形成的銅互連結(jié)構(gòu)具有良好的電學(xué)性能和較長的使用壽命，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的頂部沉積的銅晶種層影響使用ECP方法進行銅間隙填充的問題。
[0048]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括: 在半導(dǎo)體襯底上依次形成低k介電層和第一低k介電硬掩膜層； 在所述第一低k介電硬掩膜層上形成金屬硬掩膜層； 圖案化所述金屬硬掩膜層和所述第一低k介電硬掩膜層以形成開口； 執(zhí)行紫外光固化處理，以擴大所述第一低k介電硬掩膜層的開口尺寸； 刻蝕處理所述低k介電層以形成溝槽結(jié)構(gòu)； 移除所述金屬硬掩膜層； 在所述溝槽結(jié)構(gòu)中沉積形成銅金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一低k介電硬掩膜層材料為沒有經(jīng)過紫外線處理的低k介電材料。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述低k介電材料包含致孔劑。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k介電層和所述第一低k介電硬掩膜層之間還形成有第二低k介電硬掩膜層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二低k介電硬掩膜層材料為黑鉆石。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述圖案化步驟包括，在所述金屬硬掩膜層上形成圖案化的光刻膠，刻蝕所述金屬硬掩膜層和所述第一低k介電硬掩膜層，然后去除所述圖案化的光刻膠。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在進行所述紫外光固化步驟的同時施加含有氧氣或者臭氧的等離子體氣體。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述紫外光固化步驟之后還包括濕法清洗的步驟。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用電化學(xué)電鍍的方法沉積所述銅金屬層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在沉積所述銅金屬層之前還包括在所述溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)沉積擴散阻擋層和銅晶種層的步驟。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底和所述低k介電層之間還形成有刻蝕停止層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述刻蝕停止層材料為含碳的氮化硅。
13.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括: 半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成的低k介電層和第一低k介電硬掩膜層,在所述低k介電層和所述第一低k介電硬掩膜層中形成的溝槽結(jié)構(gòu)； 在所述溝槽結(jié)構(gòu)中沉積形成的銅金屬層。
14.如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一低k介電硬掩膜層包含致孔劑。
15.如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低k介電層和所述第一低k介電硬掩膜層之間還形成有第二低k介電硬掩膜層。
16.如權(quán)利要求15所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二低k介電硬掩膜層材料為黑鉆
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17.如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述銅金屬層與所述溝槽結(jié)構(gòu)之間還形成有擴散阻擋層和銅晶種層。
18.如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底和所述低k介電層之間還形成有刻蝕停止層。
19.如權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)， 其特征在于，所述刻蝕停止層材料為含碳的氮化硅。
【文檔編號】H01L23/522GK104037117SQ201310068026
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月4日
【發(fā)明者】周鳴 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司