晶體管的制造方法及晶體管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)半導(dǎo)體與電極之間的接觸電阻降低且生產(chǎn)性良好的晶體管的制造方法。本發(fā)明是一種晶體管的制造方法，特征在于：形成載持無電解鍍敷用觸媒的基底膜；對(duì)基底膜載持無電解鍍敷用觸媒進(jìn)行第1無電解鍍敷；于通過第1無電解鍍敷所形成的電極的表面進(jìn)行第2無電解鍍敷，形成源極、漏極電極；及，形成與源極、漏極電極相對(duì)的面接觸的半導(dǎo)體層；且，第2無電解鍍敷中使用的材料的功函數(shù)、與半導(dǎo)體層的材料中的用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于第1無電解鍍敷中使用的材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差。
【專利說明】晶體管的制造方法及晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種晶體管的制造方法及晶體管。
[0002]本申請(qǐng)案基于2011年8月15日申請(qǐng)的日本專利特愿2011-177424號(hào)而主張優(yōu)先權(quán)，且將其內(nèi)容沿用于本文中。
【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)晶體管可在比先前的無機(jī)硅薄膜的晶體管低的溫度下制作，且具有以下等優(yōu)點(diǎn):通過形成于使用樹脂材料的可撓性基板上，可成為具可撓性的有機(jī)晶體管；廉價(jià)且能由適于大型化的溶液工藝形成。因此，作為新一代的可撓性電子學(xué)的核心而得到廣泛研究。
[0004]有機(jī)薄膜晶體管的構(gòu)造可大致分為底部接觸型及頂部接觸型。其中，底部接觸型有機(jī)薄膜晶體管是在預(yù)先形成有電路圖案的基板上形成有機(jī)半導(dǎo)體層，因此，具有不會(huì)因隨電極形成所產(chǎn)生的物理、化學(xué)性應(yīng)力(stress)而使有機(jī)半導(dǎo)體層劣化的優(yōu)點(diǎn)。
[0005]另一方面，于底部接觸型有機(jī)薄膜晶體管中，會(huì)因構(gòu)成電極的金屬材料的功函數(shù)、與有機(jī)半導(dǎo)體的HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital:最高占有軌道)(或LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital:最低非占有軌道))位準(zhǔn)的差，而使有機(jī)半導(dǎo)體與金屬配線之間產(chǎn)生接觸電阻(肖特基電阻)，因此存在特性比頂部接觸型有機(jī)薄膜晶體管更加劣化的問題。
[0006] 當(dāng)利用蒸鍍或?yàn)R射等來將金配線形成于絕緣層上時(shí)，作為密合層需要鈦層或鉻層，但因鈦或鉻的功函數(shù)小，故而存在對(duì)于稠五苯等有機(jī)半導(dǎo)體的電荷注入性降低的問題。為了解決該問題，在非專利文獻(xiàn)I中，提出如下構(gòu)成:于源極、漏極電極，采用對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體的電荷注入性良好的金屬氧化物的層與金屬層的積層構(gòu)造，以降低電極層一有機(jī)半導(dǎo)體層間的電荷注入障壁。
[0007]而且,在非專利文獻(xiàn)2中，揭示有以下TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管):利用十一烷硫醇(DT)、全氟十一烷硫醇(PFDT)、全氟己烷硫醇(PFHT)等SAMs (自組化單分子膜)來對(duì)Au(金)電極進(jìn)行處理而改變功函數(shù)，從而改善了來自電極的電荷注入。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]非專利文獻(xiàn)
[0010]非專利文獻(xiàn)I:D.Kumak1.Appl.Phys.Lett.，92，013301 (2008)。
[0011]非專利文獻(xiàn)2:Ρ.Marmont 等人，Organic Electronics (2008), do1:10.1016/j.0rgel.2008.01.004。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明欲解決的課題
[0013]然而，上述的方法中，于形成金屬氧化物的層時(shí)使用真空工藝、或使用高價(jià)的SAMs材料，因此，不適合基板的大型化或晶體管的量產(chǎn)化。
[0014]本發(fā)明的態(tài)樣的目的之一在于提供一種降低了有機(jī)半導(dǎo)體與電極之間的接觸電阻、且生產(chǎn)性良好的晶體管的制造方法。而且，其又一目的在于提供一種降低了有機(jī)半導(dǎo)體與電極之間的接觸電阻、且生產(chǎn)性良好的晶體管。
[0015]用以解決課題的手段
[0016]本發(fā)明的態(tài)樣的晶體管的制造方法的特征在于，具有以下步驟:形成載持無電解鍍敷用觸媒的基底膜；于上述基底膜上形成具有與源極電極及漏極電極對(duì)應(yīng)的開口部的光阻層；于上述開口部?jī)?nèi)的上述基底膜上載持上述無電解鍍敷用觸媒，進(jìn)行第I無電解鍍敷；除去上述光阻層；于通過上述第I無電解鍍敷所形成的電極的表面上進(jìn)行第2無電解鍍敷，形成源極電極及漏極電極；及，形成接觸于上述源極電極與漏極電極相對(duì)的面的半導(dǎo)體層；且上述第2無電解鍍敷中使用的金屬材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第I無電解鍍敷中使用的金屬材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差。
[0017]此處，所謂“半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)”，當(dāng)半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體時(shí)為HOMO的能量位準(zhǔn)，當(dāng)半導(dǎo)體層為η型半導(dǎo)體時(shí)為L(zhǎng)UMO的能量位準(zhǔn)。
[0018]而且，本發(fā)明的態(tài)樣的晶體管的特征在于，具備:
[0019]源極電極及漏極電極、柵極電極，其對(duì)應(yīng)于上述源極電極及上述漏極電極之間的通道而設(shè)置；及
[0020]半導(dǎo)體層，其設(shè)置成接觸于上述源極電極及上述漏極電極相對(duì)的面；且
[0021]上述源極電極具有第I電極與設(shè)置于上述第I電極表面的至少一部分的第2電極，
[0022]上述漏極電極具有第3電極與設(shè)置于上述第3電極表面的至少一部分的第4電極，上述第2電極的形成材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第I電極的形成材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差，上述第4電極的形成材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第3電極的形成材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差。
[0023]發(fā)明的效果
[0024]根據(jù)本發(fā)明的態(tài)樣，可提供一種降低了有機(jī)半導(dǎo)體與電極之間的接觸電阻、且生產(chǎn)性良好的有機(jī)晶體管的制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為表示利用本實(shí)施形態(tài)的制造方法所制造的有機(jī)晶體管的概略剖面圖。
[0026]圖2Α為表示利用本實(shí)施形態(tài)的制造方法所制造的有機(jī)晶體管的驅(qū)動(dòng)狀況的圖。
[0027]圖2Β為表示利用本實(shí)施形態(tài)的制造方法所制造的有機(jī)晶體管的驅(qū)動(dòng)狀況的圖。
[0028]圖3Α為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0029]圖3Β為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0030]圖4Α為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0031]圖4Β為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0032]圖4C為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。[0033]圖4D為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0034]圖4E為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0035]圖5A為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0036]圖5B為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0037]圖5C為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0038]圖6A為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0039]圖6B為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0040]圖6C為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0041]圖6D為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0042]圖7A為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0043]圖7B為表示本實(shí)施形態(tài)的制造方法的步驟圖。
[0044]圖8為表示實(shí)施例的結(jié)果的照片。
[0045]圖9A為表示實(shí)施例的結(jié)果的照片。
[0046]圖9B為表示實(shí)施例的結(jié)果的照片。
[0047]圖1OA為表示實(shí)施例的結(jié)果的照片。
[0048]圖1OB為表示實(shí)施例的結(jié)果的照片。
[0049]圖11為表示實(shí)施例的結(jié)果的照片。
[0050]圖12為表示實(shí)施例的結(jié)果的照片。
[0051]圖13為表示實(shí)施例的結(jié)果的圖表。
[0052]符號(hào)說明:
[0053]l、lx:有機(jī)晶體管
[0054]2:基板
[0055]6:柵極電極
[0056]13:母鍍敷層(基底膜)
[0057]14:光阻層
[0058]14a:開口部
[0059]15:無電解鍍敷用觸媒
[0060]16:源極電極
[0061]16a、17a:側(cè)面(對(duì)向的面)
[0062]17:漏極電極
[0063]20:有機(jī)半導(dǎo)體層
【具體實(shí)施方式】
[0064]以下，參照?qǐng)D1?圖7B，對(duì)于本實(shí)施形態(tài)的有機(jī)晶體管的制造方法進(jìn)行說明。再者，以下的所有圖式中，為了便于看清圖式，適當(dāng)?shù)馗淖兏鳂?gòu)成要素的尺寸或比率等。
[0065]圖1為表示利用本實(shí)施形態(tài)的有機(jī)晶體管的制造方法所制造的有機(jī)晶體管I的概略剖面圖。有機(jī)晶體管I為所謂底部接觸型有機(jī)薄膜晶體管。
[0066]有機(jī)晶體管I包括基板2、母鍍敷層3、13、無電解鍍敷用觸媒5、15、柵極電極6、源極電極16、漏極電極17、及有機(jī)半導(dǎo)體層20。母鍍敷層(基底膜)13作為使柵極電極6與源極電極16或漏極電極17絕緣的絕緣層而發(fā)揮功能。
[0067]基板2可使用具透光性者及不具透光性者中的任一種?？墒褂美?，玻璃、石英玻璃、氮化硅等無機(jī)物，或丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)或PBT (聚對(duì)苯二甲酸丁二酯)等聚酯樹脂等有機(jī)高分子(樹脂)等。
[0068]該等基板2的材料不會(huì)與經(jīng)過無電解鍍敷之后所形成的金屬制的鍍敷皮膜形成金屬鍵。因此，在本實(shí)施形態(tài)中，將該等材料作為難以直接形成鍍敷皮膜、且容易剝離已形成的鍍敷皮膜的難鍍型性材料進(jìn)行處理。因同樣的理由，只要為容易剝離鍍敷皮膜的材料，例如上述材料的復(fù)合材料等亦可同樣用作基板2的形成材料。
[0069]母鍍敷層3覆蓋于基板2的一主面的整個(gè)面而形成。母鍍敷層3具有平均粒徑例如為約 100nm、90nm、80nm、70nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、或 IOnm 以下的氧化招粒子。作為氧化鋁粒子，只要平均粒徑為約IOOnm以下，則可采用粒狀、棒狀、羽毛狀等形狀。此處，所謂“平均粒徑”是指，可將動(dòng)態(tài)光散射法等公知的方法作為測(cè)定原理，且采用體積平均粒徑、面積平均粒徑、累積中位徑(Median徑)等而求出的值。而且，當(dāng)氧化鋁粒子具有棒狀或羽毛狀等特異的形狀時(shí)，一粒子中的最大徑(長(zhǎng)方向上的大小)為上述平均粒徑，一粒子中的短方向上的大小表現(xiàn)出小于上述平均粒徑的值。
[0070]而且，母鍍敷層3具有使上述氧化鋁粒子分散的粘合劑(基材)。作為粘合劑材料，可使用光硬化性樹脂，尤其適宜使用紫外線硬化性樹脂。作為此種樹脂材料，可列舉環(huán)氧樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸氨基甲酸酯樹脂、苯酚樹脂、烯-硫醇樹脂、聚硅氧烷等。以下的說明中，對(duì)于使用紫外線硬化性樹脂作為母鍍敷層3的粘合劑的情況進(jìn)行說明。
[0071]觸媒(無電解鍍敷用觸媒)5選擇性地設(shè)置于母鍍敷層3的表面的一部分。觸媒5將無電解鍍敷用鍍敷液中所含的金屬離子還原的觸媒，可較佳地列舉金屬鈀。
[0072]柵極電極6形成于觸媒5的表面上的金屬配線，如下文所述的由經(jīng)過無電解鍍敷而析出于觸媒5的表面上的金屬而形成。作為柵極電極6的材料，可列舉鎳一磷(NiP)、或銅(Cu)。
[0073]母鍍敷層13覆蓋于柵極電極6，且選擇性地設(shè)置于母鍍敷層3的表面上。作為絕緣層而發(fā)揮功能的母鍍敷層13以例如幾百nm程度的厚度形成。作為母鍍敷層13的形成材料，可使用與上述母鍍敷層3相同者。母鍍敷層3與母鍍敷層13中所含的氧化鋁粒子或粘合劑的種類可相同，亦可不同。于以下的說明中，對(duì)于母鍍敷層3、13僅厚度不同，包含相同的氧化鋁粒子，且使用紫外線硬化性樹脂作為粘合劑的情況進(jìn)行說明。
[0074]觸媒(無電解鍍敷用觸媒)15選擇性地設(shè)置于母鍍敷層13的表面的一部分。作為觸媒15的形成材料，可使用與上述觸媒5相同者。
[0075]源極電極16及漏極電極17形成于觸媒15的表面上的金屬配線。源極電極16包括第I電極161、及覆蓋于第I電極的表面上的第2電極162。同樣，漏極電極17包括第3電極171、及覆蓋于第3電極的表面上的第4電極172。
[0076]與上述柵極電極6同樣，第I電極161及第3電極171是通過無電解鍍敷而形成的金屬配線。作為第I電極161、第3電極171的材料，可列舉鎳一磷(NiP)、或銅(Cu)。本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)于使用鎳一磷(功函數(shù):5.5eV)作為第I電極161、第3電極171的形成材料的情況進(jìn)行說明。
[0077]第2電極162及第4電極172覆蓋于第I電極161、第3電極171的未接觸于觸媒15的整個(gè)表面而形成的金屬鍍敷層。亦即，于源極電極16及漏極電極17上，第2電極162、第4電極172以分別覆蓋于相對(duì)的側(cè)面16a、17a(對(duì)向的面)的方式而設(shè)置。
[0078]作為第2電極162及第4電極172的形成材料，考慮到后述的有機(jī)半導(dǎo)體層20的形成材料的HOMO / LUMO位準(zhǔn)的關(guān)系，使用具有電子移動(dòng)(或電洞移動(dòng))較容易的功函數(shù)的金屬材料。本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)于使用金(功函數(shù):5.4eV)作為第2電極162、第4電極172的形成材料的情況進(jìn)行說明。
[0079]有機(jī)半導(dǎo)體層20于源極電極16及漏極電極17之間設(shè)在母鍍敷層13的表面上，且以接觸于源極電極16及漏極電極17的方式形成。詳細(xì)而言，有機(jī)半導(dǎo)體層20設(shè)置成接觸于源極電極16的側(cè)面16a、及漏極電極17的側(cè)面17a，且與第2電極162、第4電極172接觸。
[0080]作為有機(jī)半導(dǎo)體層20的形成材料，可使用通常知悉的有機(jī)半導(dǎo)體材料。例如，酞菁銅(CuPc)、稠五苯(pentacene)、紅螢烯(rubrene)、稠四苯(tetracene)、P3HT (poly (3-hexylthiophene_2, 5-diyl)，聚(3_ 己基噻吩-2, 5_ 二基))等 p 型半導(dǎo)體，或如 C60 的富勒烯類、PTCDI_C8H(N, N，dioctyl-3,4,9,10-perylene tetracarboxylicdiimide,N,N’_ 二辛基-3,4,9,10-花四羧二酰亞胺)等花衍生物等的η型半導(dǎo)體。其中，TIPS 稠五苯(6,13-Bis (tri isopropyl si Iy Iethyny I) pentacene, 6,13-雙(三異丙基硅烷基乙炔基)稠五苯)等可溶性稠五苯、或P3HT等有機(jī)半導(dǎo)體聚合物可溶于甲苯等有機(jī)溶劑，且可于濕式步驟中形成有機(jī)半導(dǎo)體層20，故而較佳。本實(shí)施形態(tài)中，對(duì)于使用TIPS稠五苯(HOMO位準(zhǔn):5.2eV)作為有機(jī)半導(dǎo)體層20的形成材料的情況進(jìn)行說明。
[0081]于此種有機(jī)晶體管I中，在源極電極16及漏極電極17的表面上形成有第2電極162、第4電極172，因此當(dāng) 驅(qū)動(dòng)時(shí)有機(jī)半導(dǎo)體層20與源極電極16 (或有機(jī)半導(dǎo)體層20與漏極電極17)之間容易流通電流，從而可良好地驅(qū)動(dòng)。
[0082]圖2A、圖2B為表不有機(jī)晶體管的驅(qū)動(dòng)狀況的|旲式圖，圖2A為表不除了不具有第2電極以外、其他構(gòu)成均與有機(jī)晶體管I相同的有機(jī)晶體管Ix的圖，圖2B表7]^利用本實(shí)施形態(tài)的制造方法制造的有機(jī)晶體管I的圖。
[0083]首先，如圖2A所示的有機(jī)晶體管lx，若構(gòu)成為不具有第2電極，則有機(jī)半導(dǎo)體層20的Η0Μ0與第I電極161的功函數(shù)之間的帶隙(能量位準(zhǔn)差)較大，因此，會(huì)產(chǎn)生肖特基電阻，難有電流流動(dòng)。因此，容易形成例如圖中由箭頭A表示的、在高電阻的有機(jī)半導(dǎo)體層20上流通的電流的流動(dòng)，從而難以確保良好的導(dǎo)通。
[0084]對(duì)此,如圖2B所示,有機(jī)晶體管I上,若施加未圖示的柵極電極,則于有機(jī)半導(dǎo)體層20上的與母鍍敷層13的界面附近，形成厚度為幾nm的通道區(qū)域AR，從而可使源極電極16與未圖不的漏極電極之間導(dǎo)通。此時(shí)，于源極電極16的表面,使用具有與第I電極161相比其與有機(jī)半導(dǎo)體層20的形成材料之間更容易進(jìn)行電子移動(dòng)(與有機(jī)半導(dǎo)體層20的Η0Μ0的能量位準(zhǔn)差小)的功函數(shù)的金屬材料而形成有第2電極162，使肖特基電阻降低，因此，電流可經(jīng)由第I電極161及第2電極162而良好地流入通道區(qū)域AR。圖中，使用箭頭B表示電流的流動(dòng)。因此，可實(shí)現(xiàn)高性能的有機(jī)晶體管I。
[0085]利用本實(shí)施形態(tài)的制造方法所制造的有機(jī)晶體管I成為以上構(gòu)成。
[0086]以下，使用圖3A~圖7B對(duì)上述有機(jī)晶體管I的制造方法進(jìn)行說明。
[0087]首先，如圖3A所示，將使上述氧化鋁離子均勻地分散于上述透明樹脂的前驅(qū)物中的涂布液，涂布于基板2的表面上，形成涂膜3A。作為涂布的方法，可列舉旋轉(zhuǎn)涂布、浸潰涂布、噴涂、棍涂、刷毛涂布、快干印刷(flexographic printing)或網(wǎng)版印刷等印刷法等普遍知曉的方法。
[0088]作為涂布液的溶劑，適宜使用極性溶劑。作為可使用的溶劑，可列舉例如:甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(isopropyl alcohol、I PA)等醇類；丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)等醚類；甲苯等芳香族碳水化合物；乙腈等腈類；乙酸酯等酯類。
[0089]當(dāng)選擇紫外線硬化性樹脂作為透明樹脂時(shí)，亦可于涂布液中添加少量的光聚合起始劑。
[0090]接著，如圖3B所示，可通過進(jìn)行加熱或光(紫外線)照射中的一者或兩者而使前驅(qū)物硬化，從而形成母鍍敷層3。
[0091]若涂布液中所含的氧化鋁粒子的粒徑為IOOnm以下，則因小于可見光區(qū)域的光的波長(zhǎng)，而幾乎未發(fā)現(xiàn)因氧化鋁粒子引起的可見光的散射，母鍍敷層3表現(xiàn)出高透光率。因此，當(dāng)使用采用具透光性的材料的基板2時(shí)，通過將涂布液涂布于基板2的整個(gè)面上而形成母鍍敷層3，可維持基板2的透光率。
[0092]而且，當(dāng)氧化鋁粒子的粒徑更小時(shí)(例如20nm左右)，可將氧化鋁粒子相對(duì)于粘合劑的濃度(氧化鋁含量)抑制在5體積％左右，藉此，可降低母鍍敷層3的表面粗糙度，作成平滑的母鍍敷層3。從而，可使覆蓋于形成在母鍍敷層3的上部的柵極電極的絕緣層薄壁化，從而可制造出具有高特性的晶體管。
[0093]若使用紫外線硬化性樹脂作為使氧化鋁粒子分散的粘合劑，則可于常溫下進(jìn)行前驅(qū)物的硬化的步驟，因此不容易包含殘留應(yīng)力。因此，例如于使用彈性率較低的材料作為基板2的情況下、或使用能卷成輥狀的較薄者的情況下，能抑制因殘留應(yīng)力而產(chǎn)生變形的不良狀況，故而較佳。
[0094]再者，當(dāng)使用紫外線硬化性樹脂時(shí)，亦可于紫外線照射的硬化反應(yīng)后進(jìn)行固定時(shí)間的加熱，使反應(yīng)完結(jié)(所謂后烘烤)。此時(shí)，因前驅(qū)物的大部分于后烘烤之前已硬化，故而，不容易產(chǎn)生殘留應(yīng)力，可享受使用紫外線硬化性樹脂的優(yōu)點(diǎn)。
[0095]接著，如圖4A所示，于母鍍敷層3上涂布光阻材料，對(duì)其進(jìn)行預(yù)烘烤而形成未圖案化的光阻層4A。作為光阻材料，此時(shí)使用正型光阻劑。
[0096]之后，經(jīng)由掩膜Ml而對(duì)光阻層4A照射紫外線L，藉此使光阻層4A曝光，該掩膜Ml于與金屬配線的形成區(qū)域?qū)?yīng)的位置上設(shè)有開口部Ma、而于未形成金屬配線的區(qū)域設(shè)有遮光部Mb。
[0097]接著，如圖4B所示，利用溶解經(jīng)紫外線照射的光阻層的顯影液進(jìn)行顯影，藉此形成設(shè)有開口部4a的光阻層4。
[0098]接著，如圖4C所示，向露出于光阻層4上所形成的開口部4a的母鍍敷層3，賦予無電解鍍敷中使用的觸媒5。具體而言，涂布2價(jià)鈀鹽與2價(jià)錫(Sn)鹽的膠體溶液，之后浸潰于被稱作促進(jìn)劑的酸或堿性溶液中，將鈀還原為O價(jià)，藉此賦予由金屬鈀構(gòu)成的觸媒5。
[0099]此時(shí)，母鍍敷層3包含具有極微細(xì)的凹凸的氧化鋁粒子，因此認(rèn)為，該極微細(xì)的凹凸上附著有作為鍍敷的觸媒的金屬鈀。藉此，認(rèn)為母鍍敷層3與觸媒5的界面的結(jié)合變得牢固。
[0100]接著，如圖4D所示，通過浸潰于無電解鍍敷液中，可于觸媒5的表面使溶解于無電解鍍敷液中的金屬離子還原且析出，從而于開口部4a內(nèi)選擇性地形成柵極配線6。
[0101]接著，如圖4E所示，于殘留的光阻層的整個(gè)面上曝光紫外線之后，利用通常知曉的顯影液除去光阻層。如此，形成柵極配線6。
[0102]接著，如圖5A所示，將使上述氧化鋁粒子均勻地分散于上述透明樹脂的前驅(qū)物中的涂布液，覆蓋于柵極配線6上而涂布于母鍍敷層3的表面上。作為涂布的方法，可使用上述方法。
[0103]作為涂布液的溶劑，適宜使用與上述涂膜3A的涂布液相同的極性溶劑。而且，于涂布液中，通過改變濃度或溶劑的種類，可調(diào)整涂布液整體的粘度，控制涂布液的涂膜13A的膜厚。亦即，通過適當(dāng)?shù)剡x擇涂布液的濃度或溶劑的種類，可控制由涂膜13A形成的母鍍
敷層的層厚。
[0104]例如，若涂布液中所含的氧化鋁粒子的濃度增高，則涂布液的粘度會(huì)上升，因此，可較厚地涂布涂布液。
[0105]而且，作為涂布液的溶劑，若自多種溶劑之中選擇粘度相對(duì)較高者，則可作為適于厚涂的涂布液，因此，容易使涂膜13A變厚；若選擇粘度相對(duì)較低者，則可作為適于薄涂的涂布液，因此，容易使涂膜13A變薄。
[0106]進(jìn)而，若著眼于涂布液的溶劑的沸點(diǎn)，則沸點(diǎn)低的溶劑的粘度多比較低，而沸點(diǎn)高的溶劑的粘度多比較高，因此，亦可著眼于沸點(diǎn)而選擇溶劑。
[0107]另外，于使用有低沸點(diǎn)溶劑的涂布液中，涂布后立即干燥硬化，則涂膜13A的表面上有產(chǎn)生涂布不均或涂布條紋的情況。因此，最好根據(jù)涂布涂布液的作業(yè)環(huán)境而選擇沸點(diǎn)適當(dāng)?shù)娜軇悦猱a(chǎn)生涂布不均或涂布條紋。另一方面，較佳為，在當(dāng)涂布涂布液之后容易除去溶劑的程度下沸點(diǎn)較低的溶劑。
[0108]該等溶劑可單獨(dú)使用，亦可適當(dāng)?shù)鼗旌?種以上進(jìn)行使用。例如，于作為高沸點(diǎn)、高粘度的溶劑的PGMEA中適當(dāng)?shù)鼗旌献鳛榈头悬c(diǎn)、低粘度的溶劑的甲醇進(jìn)行使用，藉此，可調(diào)整涂布液的粘度與沸點(diǎn)的平衡。進(jìn)而，亦可根據(jù)需要而反復(fù)涂布，使涂膜變厚。
[0109]于圖5A所示的步驟中，使用由涂膜13A形成的母鍍敷層作為柵極配線6的絕緣層，因此，能以使涂膜13A達(dá)到幾百nm程度的厚度的方式進(jìn)行厚涂。
[0110]接著，如圖5B所示，經(jīng)由對(duì)應(yīng)于母鍍敷層13的形成區(qū)域而設(shè)有開口部的掩膜M2，對(duì)涂膜13A照射紫外線L而使粘合劑硬化，從而形成母鍍敷層13。
[0111]接著，如圖5C所示，利用溶解涂膜的溶劑S進(jìn)行顯影，藉此，除去未硬化的涂膜，從而形成未圖案化的母鍍敷層13。
[0112]接著，如圖6A所示，覆蓋母鍍敷層13而于母鍍敷層3的上表面涂布光阻材料，對(duì)其進(jìn)行預(yù)烘烤，藉此形成未圖案化的光阻層14A。作為光阻材料，使用正型光阻劑。
[0113]之后，經(jīng)由對(duì)應(yīng)于源極電極及漏極電極的形成區(qū)域而設(shè)有開口部的掩膜M3，對(duì)光阻層14A照射紫外線L，使光阻層14A曝光。
[0114]接著，如圖6B所示，利用溶解經(jīng)紫外線照射的光阻層的顯影液進(jìn)行顯影，藉此形成設(shè)有開口部14a的光阻層14。
[0115]接著，如圖6C所示，向露出于開口部14a的母鍍敷層13，賦予無電解鍍敷中使用的觸媒15之后，浸潰于無電解鍍敷液中，藉此，于觸媒15的表面使溶解于無電解鍍敷液中的金屬離子還原且析出，從而于開口部14a內(nèi)選擇性地形成第I電極161、第3電極171。[0116]接著，如圖6D所示，于殘留的光阻層的整個(gè)面上曝光紫外線之后，利用通常知悉的顯影液除去光阻層。從而，形成第I電極161、第3電極171。
[0117]接著，如圖7A所示，將整體浸潰于取代鍍金浴中，藉此，于第I電極161、第3電極171的表面取代且析出金，進(jìn)而，通過浸潰于還原鍍金浴中，而于第I電極161、第3電極171的表面形成以金作為形成材料的第2電極162、第4電極172。從而，形成源極電極16及漏極電極17。
[0118]接著，如圖7B所示，將已溶解有TIPS稠五苯等可溶于有機(jī)溶劑的有機(jī)半導(dǎo)體的溶液SI，涂布于源極電極16及漏極電極17之間，使其干燥，藉此形成有機(jī)半導(dǎo)體層20。再者，此處，已通過濕式法形成有機(jī)半導(dǎo)體層20，但亦可使用升華法、轉(zhuǎn)印法等方法。
[0119]通過以上方式，可制造有機(jī)晶體管I。
[0120]根據(jù)具有以上構(gòu)成的有機(jī)晶體管的制造方法，于形成第2電極162、第4電極172之前預(yù)先除去光阻層14，因此，于源極電極16的側(cè)面16a、及漏極電極17的側(cè)面17a亦可確實(shí)地形成第2電極162、第4電極172。因此，能容易地制造已降低了有機(jī)半導(dǎo)體層20與源極電極16、漏極電極17之間的接觸電阻降低的高性能的有機(jī)晶體管I。進(jìn)而，本實(shí)施形態(tài)的制造方法是使用濕式工藝來形成電極，因此無需真空工藝，而且，亦不使用高價(jià)的SAMs材料，故而，對(duì)于基板的大型化或晶體管的量產(chǎn)化而言較為有效。
[0121]再者，本實(shí)施形態(tài)中，已對(duì)于柵極電極比源極、漏極電極更靠近基板側(cè)而配置的底部柵極型有機(jī)晶體管進(jìn)行了說明，但并不限于此，亦可適用于頂部柵極型有機(jī)晶體管。
[0122]以上，已參照隨附圖式對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的示例進(jìn)行了說明，當(dāng)然，本發(fā)明并不限于所述示例。上述示例中所示的各構(gòu)成構(gòu)件的各形狀或組合等均為一例，可于不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)根據(jù)設(shè)計(jì)要求等進(jìn)行多種變更。
[0123]例如，使用PET基板作為基板，準(zhǔn)備多個(gè)于該基板上形成有母鍍敷層的鍍敷用構(gòu)件，一方面搬送多個(gè)鍍敷用部材一方面于搬送過程中使用上述的制造方法而制造有機(jī)晶體管，藉此，可于PET基板上形成高性能的有機(jī)晶體管。
[0124]進(jìn)而，可于所謂輥對(duì)輥(roll to roll)步驟中在PET膜上形成有機(jī)晶體管，該輥對(duì)輥步驟是指:使用長(zhǎng)形PET膜作為基板，將該膜上形成有母鍍敷層的鍍敷用部材卷成輥狀，卷出該鍍敷用部材同時(shí)進(jìn)行搬送，使用上述的制造方法連續(xù)地形成有機(jī)晶體管之后，將所制造的有機(jī)晶體管卷成輥狀。
[0125]當(dāng)采用此種工藝制造有機(jī)晶體管時(shí)，上述的制造方法中，因母鍍敷層中所含的氧化鋁粒子較小，為IOOnm以下，故鍍敷用部材表現(xiàn)出高透明性，并且，當(dāng)將膜卷成輥狀時(shí)，母鍍敷層表現(xiàn)出高追隨性，母鍍敷層不易產(chǎn)生龜裂或剝離。因此，能以高生產(chǎn)性制造高品質(zhì)的有機(jī)晶體管。
[0126][實(shí)施例]
[0127]以下，利用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限于該等實(shí)施例。
[0128][柵極電極的作成]
[0129]首先，使用膠體氧化鋁粒子(Aldrich公司制造)作為氧化鋁粒子，使用紫外線硬化型丙烯酸系樹脂(ArtResin UN — 3220HA，根上工業(yè)股份有限公司制造)作為粘合劑，調(diào)整甲醇分散液(以下稱為涂布液)。
[0130]圖8為本實(shí)施例中所使用的膠體氧化鋁粒子的TEM像，另外使用將動(dòng)態(tài)光散射法作為測(cè)定原理的測(cè)定器，確認(rèn)其為體積平均粒徑為20nm左右的粒狀納米粒子。
[0131]涂布液中氧化鋁相對(duì)于粘合劑的濃度由體積比規(guī)定(體積％ )，且可考慮到氧化鋁及粘合劑的密度而進(jìn)行調(diào)整。本實(shí)施例中，氧化鋁的密度使用3.97g/cm3，粘合劑的密度使用1.19g / cm3，根據(jù)該等值進(jìn)行重量換算，使氧化鋁的2質(zhì)量％甲醇分散液與粘合劑的2質(zhì)量％甲醇溶液混合，藉此調(diào)整涂布液。而且，于涂布液中，對(duì)于粘合劑添加3質(zhì)量％的聚合起始劑(irgacurell73, Ciba Specialty Chemicals公司制造)而進(jìn)行使用。
[0132]本實(shí)施例中，調(diào)整氧化鋁對(duì)于粘合劑的濃度為5體積％的涂布液，用于形成母鍍敷層。亦即，于50mmX50mm見方的PET基板(型號(hào):Α_4100(未涂布)，東洋紡織股份有限公司制造)上涂布上述涂布液且使其干燥之后，通過照射紫外線而使其硬化，從而形成母鍍敷層。
[0133]詳細(xì)而言，于基板上利用旋轉(zhuǎn)涂布法(3000rpmX30秒)涂布涂布液且使其干燥之后，使用紫外線照射裝置(Mult1-Light，USHIO電極股份有限公司制造)，以放射照度:37mff / cm2、照射時(shí)間:40秒(照射量:1480mj / cm2)的條件照射365nm的紫外線。之后，以120°C加熱30分鐘而形成母鍍敷層。
[0134]接著，對(duì)于基板的形成有母鍍敷層的面，旋轉(zhuǎn)涂布光阻材料(SUMIRESISTPF1-34A6，住友化學(xué)株式會(huì)公司制造)，以90°C進(jìn)行30分鐘加熱(預(yù)烘烤)，藉此形成光阻層。旋轉(zhuǎn)涂布的條件是于IOOOrpm下30秒，從而形成厚度約為I μ m的光阻層。
[0135]接著，經(jīng)由掩膜，使強(qiáng)度為37mW / cm2的紫外線曝光2.8秒，且于110°C下加熱(后烘烤)30分鐘之后，浸潰于2.38% TMAH溶液中2分鐘，藉此，于光阻層對(duì)掩膜圖案進(jìn)行顯影而形成開口部。
[0136]接著，對(duì)于形成有光阻層開口部的基板，于室溫下進(jìn)行超音波水洗30秒之后，于室溫下浸潰于無電解鍍敷用觸媒膠體溶液(Melplate activator7331, Meltex公司制造)中300秒，使觸媒附著在露出于光阻層的開口部的母鍍敷層。
[0137]接著，對(duì)表面進(jìn)行水洗之后，于室溫下浸潰于無電解鍍敷的觸媒活化劑(MelplatePA-7340，Meltex公司制造)中180秒，使附著于光阻層的開口部的觸媒活化。
[0138]接著，對(duì)表面進(jìn)行水洗之后，于73°C下浸潰于無電解鍍敷液(Melplate N1-867，Meltex公司制造)中60秒，使附著于光阻層的開口部的觸媒上析出鎳一磷而進(jìn)行鍍鎳一磷。
[0139]接著，對(duì)表面進(jìn)行水洗后使其干燥，于包含殘留的光阻層的整個(gè)面上，使強(qiáng)度為37mff / cm2的紫外線曝光I分鐘之后，浸潰于濃度為50g / L的NaOH水溶液中2分鐘，藉此除去光阻層，作成柵極電極。
[0140]圖9A表示已作成的柵極電極的照片，圖9B為柵極電極的放大照片?？芍纬捎邪纪股俚钠教沟臇艠O電極。
[0141][絕緣層的作成]
[0142]于PET基板的形成有柵極電極之側(cè)的整個(gè)面上，利用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布使用乙醇與水的混合溶劑將硅烷偶合劑(KBE903，Shin-Etsu Silicone公司制造)稀釋成0.05質(zhì)量％所得的溶液。
[0143]接著，以120°C加熱5分鐘之后，利用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布后來的涂布液。旋轉(zhuǎn)涂布的條件為800rpm30秒。[0144]涂布液是使用粘合劑的10質(zhì)量％甲醇溶液、與粘合劑的10質(zhì)量％ PGMEA溶液的I: I混合溶液，將膠體氧化鋁(Aldrich公司制造)的10質(zhì)量％甲醇分散液稀釋而進(jìn)行調(diào)整。氧化鋁對(duì)于粘合劑的含有率是成為5體積％。粘合劑是使用紫外線硬化型丙烯酸系樹脂(ArtResin UN-3220HA，根上工業(yè)股份有限公司制造)，且添加上述聚合起始劑3質(zhì)量％。
[0145]涂布上述涂布液且使其干燥之后，經(jīng)由掩膜，以放射照度:37mW / cm2、照射時(shí)間:40秒的條件照射365nm的紫外線。接著，以120°C加熱2分鐘之后，一方面將整個(gè)基板浸潰于丙酮中一方面進(jìn)行10秒超音波處理而進(jìn)行顯影，進(jìn)而，以120°C加熱30分鐘，藉此形成作為絕緣層發(fā)揮功能的母鍍敷層。
[0146]圖1OA為已作成絕緣層的基板的照片，圖1OB為圖1OA中的由虛線包圍的區(qū)域內(nèi)的絕緣層的放大照片。經(jīng)過觀察可確認(rèn)，絕緣層中填料充分分散，未發(fā)現(xiàn)凝結(jié)體等。而且，利用階差測(cè)量?jī)x來測(cè)定選擇性母鍍敷層的厚度，可知膜厚為350nm左右。
[0147][源極、漏極電極的作成]
[0148]接著，于PET基板的形成有絕緣層之側(cè)的整個(gè)面上，利用上述方法作成光阻層且進(jìn)行無電解鍍敷，藉此，于絕緣層上形成經(jīng)圖案化的NiP電極。NiP電極與實(shí)施形態(tài)中所說明的第I電極對(duì)應(yīng)。
[0149]另外，進(jìn)而，于剝離光阻劑后，浸潰于取代鍍金浴中2分鐘，進(jìn)而浸潰于還原鍍敷浴中3分鐘，藉此進(jìn)行無電解鍍金，利用金來覆蓋NiP電極的表面，從而作成源極電極及漏極電極。
[0150]圖11為按上述順序所制作的多層配線構(gòu)造的剖面SEM像。根據(jù)剖面SEM像，可觀察到，源極、漏極電極由兩層構(gòu)成，且NiP電極的表面完全被金被覆的狀況。
[0151]而且，利用測(cè)量?jī)x來計(jì)量柵極電極與源極、漏極電極之間的導(dǎo)通時(shí)，未發(fā)現(xiàn)泄漏電流。因此，可確認(rèn)，本實(shí)施例中的母鍍敷層亦可用作絕緣層。
[0152][有機(jī)半導(dǎo)體層的作成]
[0153]在氮環(huán)境下，于源極電極及漏極電極之間，滴加TIPS稠五苯(Sigma-Aldrich制造)的甲苯溶液，使其自然干燥，藉此形成有機(jī)半導(dǎo)體層，從而作成有機(jī)晶體管。使用的TIPS稠五苯/甲苯溶液的調(diào)整亦在氮環(huán)境下進(jìn)行。
[0154]圖12表示表面形成有有機(jī)半導(dǎo)體層的源極電極及漏極電極的放大照片?？捎^察至IJ，于源極電極及漏極電極之間形成有TIPS稠五苯的結(jié)晶。
[0155][有機(jī)晶體管的評(píng)估]
[0156]所作成的有機(jī)晶體管的晶體管特性使用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀(型號(hào):4145B，橫河惠普(YHP)公司制造)進(jìn)行評(píng)估。
[0157]圖13表示使用上述方法以濕式工藝所制作的有機(jī)晶體管的晶體管特性的圖表。
[0158]對(duì)于所得的有機(jī)薄膜晶體管的柵極電極施加OV?40V的柵極電壓，對(duì)于源極一漏極之間施加OV?50V的電壓，而流通有電流。結(jié)果，如圖所示，所制作的有機(jī)晶體管作為P型晶體管動(dòng)作。
[0159]根據(jù)以上結(jié)果可知，可利用全濕式工藝來作成有機(jī)晶體管。而且，可使用無電解鍍敷法，利用具有與有機(jī)半導(dǎo)體層的形成材料的HOMO之間的能量帶隙較小的功函數(shù)的金屬材料來被覆源極、漏極電極的整個(gè)面，因此，可提供有機(jī)半導(dǎo)體層與源極、漏極電極的電性接觸電阻較小的有機(jī)晶體管。[0160]根據(jù)以上結(jié)果，可確認(rèn)本發(fā)明的有用性。
[0161]本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)中，晶體管的制造方法的特征在于，具有以下步驟:形成載持無電解鍍敷用觸媒的基底膜；于上述基底膜上形成具有與源極電極及漏極電極對(duì)應(yīng)的開口部的光阻層；于上述開口部?jī)?nèi)的上述基底膜載持上述無電解鍍敷用觸媒，進(jìn)行第I無電解鍍敷；除去上述光阻層；于通過上述第I無電解鍍敷所形成的電極的表面上進(jìn)行第2無電解鍍敷，形成源極電極及漏極電極；及形成接觸于上述源極電極與漏極電極相對(duì)的面的半導(dǎo)體層；且上述第2無電解鍍敷中使用的金屬材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第I無電解鍍敷中使用的金屬材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差。
[0162]上述實(shí)施形態(tài)中，例如，上述半導(dǎo)體層可由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0163]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，可配置已溶解有上述半導(dǎo)體形成材料的溶液而形成上述半導(dǎo)體層。
[0164]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，上述基底膜可包含由光硬化性樹脂構(gòu)成的基材、及平均粒徑為IOOnm以下的氧化鋁粒子，且可配置包含上述基材前驅(qū)物及上述氧化鋁粒子的溶液，選擇性地進(jìn)行光照射，藉此選擇性地形成上述基底膜。
[0165]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，上述光硬化性樹脂可為紫外線硬化性樹脂。
[0166]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，可將上述晶體管形成于由非金屬材料構(gòu)成的基板上。
[0167]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，可將上述晶體管形成于由樹脂材料構(gòu)成的基板上。
[0168]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，上述基板可具可撓性。
[0169]本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)中，晶體管的特征在于，具備:源極電極及漏極電極、
[0170]柵極電極，其對(duì)應(yīng)于上述源極電極及上述漏極電極之間的通道而設(shè)置；及
[0171]半導(dǎo)體層，其設(shè)置成接觸于上述源極電極及上述漏極電極相對(duì)的面；且上述源極電極具有第I電極與設(shè)置于上述第I電極表面的至少一部分的第2電極，上述漏極電極具有第3電極與設(shè)置于上述第3電極表面的至少一部分的第4電極，上述第2電極的形成材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第I電極的形成材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差，且上述第4電極的形成材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第3電極的形成材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差。
[0172]上述實(shí)施形態(tài)中，例如，上述第I電極與上述第3電極可由相同材料構(gòu)成。
[0173]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，上述第2電極與上述第4電極可由相同材料構(gòu)成。
[0174]而且，上述實(shí)施形態(tài)中，例如，上述半導(dǎo)體層可由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成。
【權(quán)利要求】
1.一種晶體管的制造方法，其具有以下步驟: 形成載持無電解鍍敷用觸媒的基底膜； 于上述基底膜上形成具有與源極電極及漏極電極對(duì)應(yīng)的開口部的光阻層； 于上述開口部?jī)?nèi)的上述基底膜載持上述無電解鍍敷用觸媒，進(jìn)行第I無電解鍍敷； 除去上述光阻層； 于通過上述第I無電解鍍敷所形成的電極的表面進(jìn)行第2無電解鍍敷，形成源極電極及漏極電極；及 形成接觸于上述源極電極與漏極電極相對(duì)的面的半導(dǎo)體層；且上述第2無電解鍍敷中使用的金屬材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第I無電解鍍敷中使用的金屬材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其中，上述半導(dǎo)體層由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的晶體管的制造方法，其中，配置已溶解有上述有機(jī)半導(dǎo)體形成材料的溶液以形成上述半導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的晶體管的制造方法，其中，上述基底膜包含由光硬化性樹脂構(gòu)成的基材與平均粒徑IOOnm以下的氧化鋁粒子； 配置包含上述基材的前驅(qū)物及上述氧化鋁粒子的溶液，選擇性地進(jìn)行光照射，藉此選擇性地形成上述基底膜。`
5.如權(quán)利要求4所述的晶體管的制造方法，其中，上述光硬化性樹脂為紫外線硬化性樹脂。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的晶體管的制造方法，其中，將上述晶體管形成于由非金屬材料構(gòu)成的基板上。
7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的晶體管的制造方法，其中，將上述晶體管形成于由樹脂材料構(gòu)成的基板上。
8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的制造方法，其中，上述基板具可撓性。
9.一種晶體管，其具備: 源極電極及漏極電極； 柵極電極，其對(duì)應(yīng)于上述源極電極及上述漏極電極之間的通道而設(shè)置；及 半導(dǎo)體層，其設(shè)置成接觸于上述源極電極與上述漏極電極相對(duì)的面；且 上述源極電極具有第I電極與設(shè)置于上述第I電極表面的至少一部分的第2電極； 上述漏極電極具有第3電極與設(shè)置于上述第3電極表面的至少一部分的第4電極； 上述第2電極的形成材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分 子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第I電極的形成材料的功函數(shù)、與上述分子軌道 的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差； 上述第4電極的形成材料的功函數(shù)、與上述半導(dǎo)體層的形成材料中用于電子移動(dòng)的分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差小于上述第3電極的形成材料的功函數(shù)、與上述分子軌道的能量位準(zhǔn)的能量位準(zhǔn)差。
10.如權(quán)利要求9所述的晶體管，其中，上述第I電極與上述第3電極由相同材料構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求9或10所述的晶體管，其中，上述第2電極與上述第4電極由相同材料構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求9至11中任 一項(xiàng)所述的晶體管，其中，上述半導(dǎo)體層由有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK103733319SQ201280037825
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月15日
【發(fā)明者】小泉翔平, 杉崎敬, 宮本健司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康