專利名稱：一種光電耦合器引線框架及光電耦合器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及光電耦合器技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種光電耦合器弓丨線框架及光電耦合器。
背景技術(shù)：
光電耦合器是一種把紅外光發(fā)射器件和紅外光接受器件以及信號(hào)處理電路等封裝在同一管殼內(nèi)的器件。當(dāng)輸入電信號(hào)加到輸入端發(fā)光器件LED上,LED發(fā)光,光接收器件接收光信號(hào)并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，然后將電信號(hào)直接輸出，或者將電信號(hào)放大處理成標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電平輸出，這樣就實(shí)現(xiàn)了“電一光一電”的轉(zhuǎn)換及傳輸，光是傳輸?shù)拿浇?，因而輸入端與輸出端在電氣上是絕緣的，也稱為電隔離。 光耦的生產(chǎn)工藝現(xiàn)采用70年代國際通用工藝，(固晶一燒結(jié)一焊線一A芯片點(diǎn)硅膠一娃膠固化一A/B支架疊合一I號(hào)模封裝一去I號(hào)模殘膠一2號(hào)模封裝一去2號(hào)模殘膠—電鍍一成型一高壓測試一電性分BIN—打印一外觀檢查)。如圖1和圖2，現(xiàn)有的光電耦合器的引線框架都是由A引線框架和B引線框架疊合而成，其核心技術(shù)受控于國外，生產(chǎn)過程中需將A芯片(GaAs LED Chip)和B芯片(Photo Transistor chip)分別對應(yīng)粘結(jié)于A引線框架和B引線框架設(shè)有的A芯片粘結(jié)部11’(如圖1a)和B芯片粘結(jié)部12’(如圖1b)上，且必須準(zhǔn)確對A芯片粘結(jié)部11’和B芯片粘結(jié)部12’對準(zhǔn)、定位，保證該A芯片和B芯片上下平行，即兩芯片上下對射式地分別設(shè)于A引線框架和B引線框架上(如圖2)，并且固晶時(shí)必須在兩臺(tái)設(shè)備上完成，工藝繁鎖、流轉(zhuǎn)速度慢、能耗高、成本高、工藝過程控制難度大。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型提供了一種光電耦合器引線框架及光電耦合器，該光電耦合器通過采用該單片引線框架，結(jié)構(gòu)更簡單，生產(chǎn)效率高，節(jié)省電能消耗，減少框架材料，極大地降低了生產(chǎn)成本，同時(shí)降低工藝過程控制難度。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種光電耦合器引線框架，包括有多個(gè)矩陣排列的引線框架單元，每個(gè)所述引線框架單元包括分別用于安裝紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片的可折彎相對的第一芯片粘結(jié)部和第二芯片粘結(jié)部，以及第一固晶焊線部和第二固晶焊線部，且所述第一芯片粘結(jié)部和第一固晶焊線部分別與正極引腳和負(fù)極引腳連接，所述第二芯片粘結(jié)部和第二固晶焊線部分別與集電極引腳和發(fā)射極引腳連接。作為本實(shí)用新型一優(yōu)選方案，所述引線框架由金屬帶材經(jīng)沖制和電鍍制作而成。一種光電耦合器，包括有封裝一體的上述權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器引線框架的引線框架單元、紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片，所述引線框架單元的第一芯片粘結(jié)部和第二芯片粘結(jié)部折彎并平行相對，所述紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片分別設(shè)于所述第一芯片粘結(jié)部和第二芯片粘結(jié)部上，并通過導(dǎo)線與所述引線框架單元第一固晶焊線部和第二固晶焊線部連接。[0009]作為本實(shí)用新型一優(yōu)選方案，所述第一芯片粘結(jié)部和第二芯片粘結(jié)部垂直于所述引線框架單元。作為本實(shí)用新型一優(yōu)選方案，所述紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片左右對射式的設(shè)于所述引線框架單元上。作為本實(shí)用新型一優(yōu)選方案，所述所述紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片分別是GaAs LED芯片和光敏三極管，所述導(dǎo)線是金線。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型通過上述技術(shù)方案，在采用本單片引線框架加工成光電耦合器過程中，固晶時(shí)可同時(shí)用一臺(tái)設(shè)備完成紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片的粘結(jié)工作，加快產(chǎn)品流轉(zhuǎn)速度，節(jié)省電能消耗，減少框架材料，無需像傳統(tǒng)工藝那樣對兩片引線框架進(jìn)行對位、定位，降低工藝過程控制難度，光電耦合器的結(jié)構(gòu)更簡單，生產(chǎn)成本大大降低。

圖1是現(xiàn)有的光電耦合器引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖1a為A引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1b為B引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是由圖1現(xiàn)有的引線框架的光電耦合器剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型所述的光電耦合器引線框架實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是采用本實(shí)用新型所述的引線框架加工成光電耦合器的加工流程效果示意圖；其中圖4a為在每一引線框架單元的第一芯片粘結(jié)部和第二芯片粘結(jié)部上分別固定有紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片，并對紅外光發(fā)射芯片點(diǎn)膠固化后的結(jié)構(gòu)示意思圖；圖4b為將第一芯片粘結(jié)部和第二芯片粘結(jié)部折彎后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4c和圖4d分別為紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片依 次進(jìn)行封裝去殘膠、電鍍和成型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是采用本實(shí)用新型所述引線框架加工而成的光電耦合器實(shí)施例的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。如圖3至圖5中所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的一種光電耦合器引線框架，由金屬帶材經(jīng)沖制和電鍍制作而成，包括有多個(gè)矩陣排列的引線框架單元1，每個(gè)所述引線框架單元I包括可折彎相對的第一芯片粘結(jié)部11和第二芯片粘結(jié)部12，以及第一固晶焊線部13和第二固晶焊線部14，且所述第一芯片粘結(jié)部11和第一固晶焊線部13分別與正極引腳15和負(fù)極引腳16連接，所述第二芯片粘結(jié)部12和第二固晶焊線部14分別與集電極引腳17和發(fā)射極引腳18連接。采用本引線框架生產(chǎn)加工光電耦合器時(shí)，先將紅外光發(fā)射芯片2和紅外光接收芯片3經(jīng)過導(dǎo)電銀膠固晶、燒結(jié)分別固定在每一引線框架單元I的第一芯片粘結(jié)部11和第二芯片粘結(jié)部12上，并通過導(dǎo)線(金線)4分別與對應(yīng)的第一固晶焊線部13和第二固晶焊線部14連接，并對紅外光發(fā)射芯片2點(diǎn)膠(硅膠)固化(如圖4a);接著將第一芯片粘結(jié)部11和第二芯片粘結(jié)部12折彎，使其相互平行并垂直于本引線框架(引線框架單元I)(如圖4b);最后依次進(jìn)行封裝去殘膠、電鍍和成型，即可生產(chǎn)出光電耦合器(如圖4c和圖4d)。每一所述的光電耦合器(如圖5)，包括有通過由內(nèi)環(huán)氧樹脂層5和外環(huán)氧樹脂層6封裝一體的引線框架單元1、紅外光發(fā)射芯片2和紅外光接收芯片3，所述引線框架單元I的第一芯片粘結(jié)部11和第二芯片粘結(jié)部12折彎并平行相對，垂直于所述引線框架單元，所述紅外光發(fā)射芯片2和紅外光接收芯片3分別是GaAs LED芯片和光敏三極管，并左右對射式地分別設(shè)于第一芯片粘結(jié)部11和第二芯片粘結(jié)部12上，且通過導(dǎo)線4與引線框架單元I的第一固晶焊線部13和第二固晶焊線部14連接。這樣，在采用本單片引線框架加工成光電耦合器過程中，固晶時(shí)可同時(shí)用一臺(tái)設(shè)備完成紅外光發(fā)射芯片2和紅外光接收芯片3的粘結(jié)工作，加快產(chǎn)品流轉(zhuǎn)速度，節(jié)省電能消耗，減少框架材料，無需像傳統(tǒng)工藝那樣對兩片引線框架進(jìn)行對位、定位，降低工藝過程控制難度，光電稱合器的結(jié)構(gòu)更簡單，生產(chǎn)成本大大降低。例如傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)引線框架雙片的總長為212mmX 2=424臟，寬52臟，設(shè)計(jì)成品數(shù)量為10列、每列8PCS，雙片引線框架疊合后成品數(shù)量為80PCS，實(shí)際用料面積為212X52X2=22048mm ；
本實(shí)用新型引線框架的總長為207mm，寬52mm，設(shè)計(jì)成品數(shù)量為14列、每列8PCS，單片成品數(shù)量為112PCS，實(shí)際用料面積為207X52=10764mm;傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)每PCS引線框架材料使用面積為22048mm+80PCS=275. 6mm，本實(shí)用新型每PCS引線框架(引線框架單元I)材料使用面積為10764mm+112PCS=96. 107mm ;本實(shí)用新型每PCS引線框架材料使用面積為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)每PCS引線框架材料使用面積的34. 87%。傳統(tǒng)工藝每小時(shí)能耗總功耗約為91KW，每小時(shí)可生產(chǎn)成品22000只，按每天8小時(shí)，月生產(chǎn)22天計(jì)算。月用電量91X8X22=16016KW，月生產(chǎn)成品總量為22000 X 8 X 22=3872000 只。本實(shí)用新型工藝每小時(shí)能耗總功耗約為91KW，每小時(shí)可生產(chǎn)成品30800只，按每天8小時(shí)，月生產(chǎn)22天計(jì)算。月用電量91X8X22=16016KW，月生產(chǎn)成品總量為30800 X 8 X 22=5420800 只。根據(jù)上述數(shù)據(jù)計(jì)算得出本實(shí)用新型引線框架用料上與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)引線框架用料對比將節(jié)省65. 13%，生產(chǎn)效益將提高40%，節(jié)省能源28. 6%。以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種光電耦合器引線框架，其特征在于包括有多個(gè)矩陣排列的引線框架單元(1)，每個(gè)所述弓I線框架單元(I)包括分別用于安裝紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片的可折彎相對的第一芯片粘結(jié)部(11)和第二芯片粘結(jié)部(12)，以及第一固晶焊線部(13)和第二固晶焊線部(14)，且所述第一芯片粘結(jié)部(11)和第一固晶焊線部(13)分別與正極引腳(15)和負(fù)極引腳(16)連接，所述第二芯片粘結(jié)部(12)和第二固晶焊線部(14)分別與集電極引腳(17)和發(fā)射極引腳(18)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電耦合器引線框架，其特征在于所述引線框架由金屬帶材經(jīng)沖制和電鍍制作而成。
3.一種光電耦合器，其特征在于包括有封裝一體的上述權(quán)利要求1或2所述的光電耦合器引線框架的引線框架單元(I)、紅外光發(fā)射芯片(2)和紅外光接收芯片(3)，所述引線框架單元(I)的第一芯片粘結(jié)部(11)和第二芯片粘結(jié)部(12)折彎并平行相對，所述紅外光發(fā)射芯片(2)和紅外光接收芯片(3)分別設(shè)于所述第一芯片粘結(jié)部(11)和第二芯片粘結(jié)部(12)上，并通過導(dǎo)線(4)與所述引線框架單元(I)的第一固晶焊線部(13)和第二固晶焊線部(14)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電耦合器，其特征在于所述第一芯片粘結(jié)部(11)和第二芯片粘結(jié)部(12)垂直于所述引線框架單元(I)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電稱合器,其特征在于所述紅外光發(fā)射芯片(2)和紅外光接收芯片(3)左右對射式的設(shè)于所述引線框架單元(I)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任何一項(xiàng)所述的光電耦合器，其特征在于所述所述紅外光發(fā)射芯片(2)和紅外光接收芯片(3)分別是GaAs LED芯片和光敏三極管，所述導(dǎo)線(4)是金線。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種光電耦合器引線框架及光電耦合器，該引線框架包括有多個(gè)矩陣排列的引線框架單元，每個(gè)引線框架單元包括分別用于安裝紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片的可折彎相對的第一芯片粘結(jié)部和第二芯片粘結(jié)部，以及第一固晶焊線部和第二固晶焊線部，且第一芯片粘結(jié)部和第一固晶焊線部分別與正極引腳和負(fù)極引腳連接，第二芯片粘結(jié)部和第二固晶焊線部分別與集電極引腳和發(fā)射極引腳連接。這樣，在采用本單片引線框架加工成光電耦合器過程中，固晶時(shí)可同時(shí)用一臺(tái)設(shè)備完成紅外光發(fā)射芯片和紅外光接收芯片的粘結(jié)，生產(chǎn)效率高，節(jié)省能耗，減少引線框架材料，無需對引線框架對位、定位，工藝難度明顯降低，光電耦合器的結(jié)構(gòu)更簡單，生產(chǎn)成本更低。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202888163SQ201220317228
公開日2013年4月17日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者黃偉鵬 申請人:黃偉鵬