專利名稱：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域技術(shù)，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和封裝模組。
背景技術(shù)：
晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging,WLP)技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致。晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)徹底顛覆了傳統(tǒng)封裝如陶瓷無引線芯片載具(Ceramic Leadless Chip Carrier)以及有機(jī)無引線芯片載具(Organic LeadlessChip Carrier)等模式,順應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)微電子產(chǎn)品 日益輕、小、短、薄化和低價(jià)化要求?，F(xiàn)有的晶圓級(jí)封裝技術(shù)中，例如是感光芯片的封裝，其感光的感光區(qū)常受其上的透明基板的影響，使得光線的接收與發(fā)射不順利，從而影響芯片的整體性能。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的又一目的在于提供一種采用上述封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體模組。為實(shí)現(xiàn)上述一實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，其包括上表面以及與上表面相背的下表面，所述基板上包括感光區(qū)，以及與所述感光區(qū)電性連接的焊墊；孔洞，自所述基板的下表面朝上表面延伸，所述孔洞暴露出所述焊墊，所述孔洞的靠近所述下表面的開口的口徑大于所述孔洞的靠近所述上表面的開口的口徑；導(dǎo)電介質(zhì)，形成于所述孔洞內(nèi)，且電性連接至所述焊墊。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述孔洞的側(cè)壁與所述基板的表面之間的一夾角小于或等于90度。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述孔洞內(nèi)形成有絕緣層，所述絕緣層位于所述孔洞的側(cè)壁。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述導(dǎo)電介質(zhì)設(shè)置于所述孔洞內(nèi)的絕緣層及所述孔洞的底部上。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述絕緣層設(shè)置于所述基板的下表面上，所述導(dǎo)電介質(zhì)還設(shè)置于部分基板下表面的絕緣層上。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接的焊接凸點(diǎn)或觸點(diǎn)陣列。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括形成于所述基板第二表面上的防焊層。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述防焊層上開設(shè)有部分暴露所述導(dǎo)電介質(zhì)的開口，通過所述開口形成有與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接的焊接凸點(diǎn)或觸點(diǎn)陣列。[0017]為實(shí)現(xiàn)上述另ー實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體模組，所述半導(dǎo)體模組包括如上所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。作為本實(shí)用新型的進(jìn)ー步改進(jìn)，所述半導(dǎo)體模組與外接PCB間通過焊接凸點(diǎn)或觸點(diǎn)陣列連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型移除了感光區(qū)上的透明基板，使得光線的接收與發(fā)射順利，提高芯片的整體性能。

圖I是本實(shí)用新型第一實(shí)施方式封裝結(jié)構(gòu)的形成有收容空間的臨時(shí)基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是在圖I所示的臨時(shí)基板上設(shè)置粘合劑的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施方式封裝結(jié)構(gòu)的基板與臨時(shí)基板配合的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是在圖3所示的結(jié)構(gòu)中，自基板上制作暴露焊墊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是在圖4所示的結(jié)構(gòu)中，于孔洞內(nèi)制作絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是在圖5所示的結(jié)構(gòu)中，將孔洞底部的絕緣層去除以暴露出焊墊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是在圖6所示的結(jié)構(gòu)中，在孔洞內(nèi)制作與焊墊電性連接的導(dǎo)電介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是在圖7所示的結(jié)構(gòu)中，制作與外界PCB板連接的焊接凸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是本實(shí)用新型第一實(shí)施方式封裝結(jié)構(gòu)封裝完成的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝方法的流程圖；圖11是本實(shí)用新型第二實(shí)施方式封裝結(jié)構(gòu)的臨時(shí)基板上附著粘著膠的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12是在圖11所示的臨時(shí)基板光刻粘著膠形成阻隔墻的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是本實(shí)用新型第二實(shí)施方式封裝結(jié)構(gòu)的在阻隔墻上設(shè)置粘合劑的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本實(shí)用新型第二實(shí)施方式封裝結(jié)構(gòu)的基板與臨時(shí)基板配合的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15是在圖14所示的結(jié)構(gòu)中，自基板上制作暴露焊墊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16是在圖15所示的結(jié)構(gòu)中，于孔洞內(nèi)制作絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖17是在圖16所示的結(jié)構(gòu)中，將孔洞底部的絕緣層去除以暴露出焊墊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖18是在17所示的結(jié)構(gòu)中，在孔洞內(nèi)制作與焊墊電性連接的導(dǎo)電介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖19是在圖18所示的結(jié)構(gòu)中，制作與外接PCB板連接的焊接凸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖20是采用本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體模組ー實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖21是采用本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體模組又ー實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖22是本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖所示的具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。但這些實(shí)施方式并不限制本實(shí)用新型，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。此外，在不同實(shí)施方式中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰緦?shí)用新型，不代表所討論的不同實(shí)施方式及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。另外，本實(shí)用新型的各實(shí)施方式中提到的有關(guān)于步驟的標(biāo)號(hào)，僅僅是為了描述的方便，而沒有實(shí)質(zhì)上先后順序的聯(lián)系。各具體實(shí)施方式
中的不同步驟，可以進(jìn)行不同先后順序的組合，實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的實(shí)用新型目的。參圖I至圖9，顯示本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的封裝結(jié)構(gòu)的一系列制程剖面圖。以下首先介紹本實(shí)用新型半導(dǎo)體封裝方法制得的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的ー實(shí)施方式，該封裝結(jié)構(gòu)包括基板10、孔洞13以及形成于孔洞13內(nèi)的導(dǎo)電介質(zhì)15。 基板具有上表面IOOa以及與上表面IOOa相対的下表面100b，其上包括感光區(qū)12，以及與感光區(qū)12電性連接的焊墊11。應(yīng)當(dāng)理解的是，這里所說的感光區(qū)12和/或焊墊11可以是設(shè)置于基板10的ー側(cè)表面或者是部分/全部位于基板10內(nèi)部。并且，所說的上表面IOOa和下表面IOOb不具有三維位置上的含義，所說的感光區(qū)12和焊墊11通常制作在上表面上,或者基板內(nèi)相對(duì)靠近上表面IOOa處。焊墊11的材質(zhì)一般為金屬材料，例如是鋁、銅、金、或其相似物、或其任意兩種或多種的組合?？锥?3自基板10的下表面IOOb朝上表面IOOa延伸，并暴露出焊墊11。該孔洞
13的靠近下表面IOOb的開ロ的口徑大于其靠近上表面IOOa的開ロ的口徑。作為優(yōu)選的實(shí)施方式，這里所說的孔洞13的側(cè)壁與基板10的表面之間的ー夾角a小于或等于90度?？锥?3的開ロ可以具有各種形狀，例如是圓形、橢圓形、正方形或長(zhǎng)方形等。當(dāng)開ロ為圓形時(shí)，上述口徑即為圓形開ロ的直徑。導(dǎo)電介質(zhì)15形成于孔洞13內(nèi)，并與焊墊11電性連接。應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)用新型實(shí)施方式中提到的感光區(qū)12是ー個(gè)上位化的概念，其可以是在基板10上制作的功能電路，也可以包括晶片。這里所說的功能電路/晶片可以包括邏輯運(yùn)算電路/晶片，微機(jī)電系統(tǒng)電路/晶片、微流體系統(tǒng)電路/晶片、或利用熱、光線及壓カ等物理變化量來測(cè)量的物理感測(cè)電路/晶片、射頻電路/元件晶片等。在此實(shí)施方式中，該感光區(qū)12制作有感光電路，在此情形下，可選擇于該感光區(qū)12上設(shè)置光學(xué)透鏡(圖未標(biāo)示)。光學(xué)透鏡可包括透鏡陣列。這樣，可以大大減小透明基板對(duì)感光區(qū)12的影響，提升封裝結(jié)構(gòu)品質(zhì)。參照?qǐng)D20和圖21，為采用本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體模組的兩種實(shí)施方式，其都包括了一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)、一鏡頭組件，其中，所說的鏡頭組件包括鏡頭容器51，以及固定設(shè)置在鏡頭容器51內(nèi)的至少ー個(gè)鏡頭52。不同的是，圖20中通過BGA封裝，即通過錫球17實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體模組與PCB板40的連接；而圖21中通過LGA封裝，即通過觸點(diǎn)陣列18實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體模組與PCB板40的連接。配合參照?qǐng)D10，以下介紹本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法。Sll提供一基板10,其包括上表面IOOa以及與上表面IOOa相背的下表面100b?；?0的材質(zhì)可以包括半導(dǎo)體材料、陶瓷材料或高分子材料等。在一實(shí)施例中，基板10可以是硅基底。在另一實(shí)施例中，基板10可以是硅晶圓，并較佳以晶圓級(jí)封裝配合切割步驟，以同時(shí)形成出多個(gè)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，可節(jié)約制程成本與時(shí)間。其中，在本實(shí)施方式中，該基板米用娃晶圓。該基板上還包括感光區(qū)12以及與感光區(qū)12電性連接的焊墊11。S12提供一臨時(shí)基板20，該臨時(shí)基板20的材質(zhì)可以包括半導(dǎo)體材料、陶瓷材料或金屬材料等。并在該臨時(shí)基板20上通過光刻、蝕刻形成收容空間21，該收容空間21至少可容納感光區(qū)12。S13接著，在該臨時(shí)基板20形成有收容空間21的一面上設(shè)置粘合劑30，并將其貼合在基板10的上表面IOOa上。粘合劑30較佳選用可輕易移除的材質(zhì)，例如可通過能量的施加而使之?dāng)噫I，有助于臨時(shí)基板20自基板10上移除。在本實(shí)施方式中，可例如以加熱方式移除粘合劑30。
·[0058]并且，粘合劑較佳地采用透光材質(zhì)，這樣，在封裝完成后可以通過透明的粘合劑檢測(cè)圖案區(qū)域的好壞，節(jié)約成本。優(yōu)選的，在本實(shí)施方式中，粘合劑30僅僅設(shè)置在臨時(shí)基板20上收容空間21之外的位置(即收容空間21的側(cè)壁及底部上不設(shè)置有粘合劑30)。當(dāng)臨時(shí)基板20與基板10互相貼合時(shí)，基板10上的感光區(qū)12完全被容納進(jìn)收容空間21內(nèi)，基板上的感光區(qū)12與收容空間21的側(cè)壁及底部不接觸。S14隨后，自基板10的下表面IOOb移除部分的基板，以形成暴露出焊墊11的孔洞13，具體地，可以通過光刻，蝕刻等半導(dǎo)體工藝制得。在本實(shí)施方式中，孔洞13的靠近下表面IOOb的開口的口徑大于孔洞13靠近上表面IOOa的開口的口徑，而具有圓錐或角錐的輪廓，且具有陡峭側(cè)壁。在具體的工藝中，可調(diào)整蝕刻制程中的功率、壓力、蝕刻氣體/液體的濃度等制程參數(shù)以獲得上述的孔洞13結(jié)構(gòu)。S15在孔洞13形成之后，于孔洞13內(nèi)形成與焊墊11電性連接的導(dǎo)電介質(zhì)15。具體地首先在孔洞13的側(cè)壁及底部上形成絕緣層14。絕緣層14的材質(zhì)例如包括環(huán)氧樹脂、防焊材料或其它適合的絕緣物質(zhì)，例如無機(jī)材料的氧化硅層、氮化硅層、氮氧化硅層、金屬氧化物或前述的組合；或亦可為有機(jī)高分子材料的聚酰亞胺樹脂、苯環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯等。絕緣層14的形成方式可包含涂布方式，例如，旋轉(zhuǎn)涂布、噴涂，或其它適合的沉積方式，例如，物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積。接著，移除孔洞13底部上的絕緣層14以暴露出焊墊11。由于孔洞13的靠近下表面IOOb的開口的口徑大于孔洞13靠近上表面IOOa的開口的口徑，所以可以更加方便地移除孔洞13底部上的絕緣層14，進(jìn)一步降低工藝難度。然后，在孔洞13的側(cè)壁及底部上形成與焊墊11電性連接的導(dǎo)電介質(zhì)15。導(dǎo)電介質(zhì)15與焊墊11電性接觸，因此亦與感光區(qū)12電性連接。導(dǎo)電介質(zhì)15的材質(zhì)可以包括銅、鋁、金、鉬或其組合。導(dǎo)電介質(zhì)15可以通過電鍍、無電鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等常見的半導(dǎo)體制程工藝形成。為了使得到的封裝結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)與外接PCB板40的連接，本實(shí)施方式中，還需要進(jìn)行以下的步驟[0066]在基板10的下表面上也形成絕緣層14，并且在形成孔洞13內(nèi)的導(dǎo)電介質(zhì)15時(shí)，將該導(dǎo)電介質(zhì)15延伸至基板10下表面IOOb部分的絕緣層14上。在基板10的下表面IOOb的導(dǎo)電介質(zhì)15上形成防焊層16，該防焊層16實(shí)質(zhì)上也充斥在孔洞13內(nèi)。蝕刻該防焊層16形成部分暴露出導(dǎo)電介質(zhì)15的開ロ(圖未標(biāo)示)，并將錫料植入該開口內(nèi)，形成與導(dǎo)電介質(zhì)15電性連接的焊接凸點(diǎn)17 (BGA)或觸點(diǎn)陣列(LGA)，用于與外接PCB板40連接，優(yōu)選地，使用觸點(diǎn)陣列可優(yōu)化成像質(zhì)量。S16最后把基板和臨時(shí)基板(本實(shí)施方式中為娃晶圓，并且采用晶圓級(jí)封裝エ藝)進(jìn)行切割為多個(gè)芯片，即是得到互相分離的封裝結(jié)構(gòu)，并且，通過加熱粘合劑30分別將多個(gè)芯片上的基板與臨時(shí)基板20剝離，得到最終的芯片封裝結(jié)構(gòu)。配合參照?qǐng)D11至圖19，以及圖22，介紹本實(shí)用新型半導(dǎo)體封裝方法的第二實(shí)施方式。S21提供一基板10，其具有上表面IOOa以及與上表面IOOa相背的下表面100b，基板10上包括感光區(qū)12，以及與感光區(qū)12電性連接的焊墊11。S22提供ー臨時(shí)基板202，該臨時(shí)基板202上旋涂ー薄粘著膠201，并通過光刻エ藝形成一阻隔墻，該阻隔墻與臨時(shí)基板202之間形成ー收容空間21，該收容空間21至少可容納感光區(qū)12。S23在形成的阻隔墻表面附著一粘合剤，并將該臨時(shí)基板202貼合在基板10的上表面IOOa上。S24接著，自基板10的下表面IOOb形成暴露出焊墊11的孔洞13。S25在孔洞13內(nèi)形成與焊墊11電性連接的導(dǎo)電介質(zhì)15。S26把基板10和臨時(shí)基板(本實(shí)施方式中為硅晶圓，并且采用晶圓級(jí)封裝エ藝)進(jìn)行切割為多個(gè)芯片，即是得到互相分離的封裝結(jié)構(gòu)，并且，通過加熱粘合劑分別將多個(gè)芯片上的基板10和臨時(shí)基板202剝尚，得到最終的芯片封裝結(jié)構(gòu)。從上面可以看出這里介紹的本實(shí)用新型半導(dǎo)體封裝方法的第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的區(qū)別僅在于臨時(shí)基板上容納感光區(qū)的收容空間21的形成方式，所以在此，對(duì)其它相同或者類似的エ藝步驟不做贅述。本實(shí)用新型通過上述實(shí)施方式，具有以下有益效果通過在臨時(shí)基板上設(shè)置一可容納基板上感光區(qū)的收容空間，使粘合劑等不與感光區(qū)接觸，避免了后續(xù)移除臨時(shí)基板過程中可能對(duì)感光區(qū)造成的傷害，提升了封裝結(jié)構(gòu)性能，提高了封裝的良率。在移除臨時(shí)基板和粘合劑之前，先將基板進(jìn)行切割得到互相分離的封裝結(jié)構(gòu)，將對(duì)芯片體的外力影響降低，有利于進(jìn)ー步提高封裝結(jié)構(gòu)的性能。應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為ー個(gè)整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。上文所列出的一系列的詳細(xì)說明僅僅是針對(duì)本實(shí)用新型的可行性實(shí)施方式的具體說明，它們并非用以限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡未脫離本實(shí)用新型技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)包括 基板，其包括上表面以及與上表面相背的下表面，所述基板上包括感光區(qū)，以及與所述感光區(qū)電性連接的焊墊； 孔洞，自所述基板的下表面朝上表面延伸，所述孔洞暴露出所述焊墊，所述孔洞的靠近所述下表面的開口的口徑大于所述孔洞的靠近所述上表面的開口的口徑； 導(dǎo)電介質(zhì)，形成于所述孔洞內(nèi)，且電性連接至所述焊墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述孔洞的側(cè)壁與所述基板的表面之間的一夾角小于或等于90度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述孔洞內(nèi)形成有絕緣層，所述絕緣層位于所述孔洞的側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電介質(zhì)設(shè)置于所述孔洞內(nèi)的絕緣層及所述孔洞的底部上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層設(shè)置于所述基板的下表面上，所述導(dǎo)電介質(zhì)還設(shè)置于部分基板下表面的絕緣層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接的焊接凸點(diǎn)或觸點(diǎn)陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括形成于所述基板第二表面上的防焊層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述防焊層上開設(shè)有部分暴露所述導(dǎo)電介質(zhì)的開口，通過所述開口形成有與所述導(dǎo)電介質(zhì)電性連接的焊接凸點(diǎn)或觸點(diǎn)陣列。
9.一種半導(dǎo)體模組，其特征在于，所述半導(dǎo)體模組包括如權(quán)利要求I至8之任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體模組，其特征在于，所述半導(dǎo)體模組與外接PCB間通過焊接凸點(diǎn)或觸點(diǎn)陣列連接。
專利摘要本實(shí)用新型揭示了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)包括基板，其包括上表面以及與上表面相背的下表面，所述基板上包括感光區(qū)，以及與所述感光區(qū)電性連接的焊墊；孔洞，自所述基板的下表面朝上表面延伸，所述孔洞暴露出所述焊墊，所述孔洞的靠近所述下表面的開口的口徑大于所述孔洞的靠近所述上表面的開口的口徑；導(dǎo)電介質(zhì)，形成于所述孔洞內(nèi)，且電性連接至所述焊墊。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型移除了感光區(qū)其上的透明基板，使得光線的接收與發(fā)射順利，提高芯片的整體性能。
文檔編號(hào)H01L27/146GK202523711SQ201220092439
公開日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月13日
發(fā)明者俞國(guó)慶, 喻瓊, 李海峰, 王之奇, 王文龍, 王蔚 申請(qǐng)人:蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司