專(zhuān)利名稱(chēng)：用于堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式屬于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，并且更特別地，屬于用于堆疊晶片(die)封裝體(package)的多晶片構(gòu)造塊領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
當(dāng)今的消費(fèi)電子市場(chǎng)經(jīng)常會(huì)需要要求非常繁復(fù)的電路的復(fù)雜功能。隨著基本構(gòu)造塊的尺寸越來(lái)越小(例如晶體管)，每次改良換代都會(huì)使單個(gè)鏡片上能夠集成更為繁復(fù)的電 路。另一方面，雖然這種縮放通常被視為尺寸的減小，但從另一個(gè)角度來(lái)講，希望被包含在半導(dǎo)體封裝體中的半導(dǎo)體晶片的數(shù)量實(shí)際上可以不斷增大，從而在單個(gè)封裝體內(nèi)能夠包括多功能組件或增大的容量。C4焊球(solder ball)連接多年來(lái)被用于提供半導(dǎo)體器件和襯底之間的倒裝芯片互連。倒裝芯片或受控塌陷芯片連接(C4)是用于半導(dǎo)體器件的一種安裝類(lèi)型，所述半導(dǎo)體器件例如集成電路(IC)芯片、MEMS或利用焊錫塊來(lái)連接而不是引線(xiàn)接合(wire bonding)的組件。焊錫塊被熔敷在C4位于襯底封裝體的頂側(cè)上的焊盤(pán)上。為了將半導(dǎo)體器件安裝到襯底上，將其翻轉(zhuǎn)——使有源側(cè)朝向安裝區(qū)域。焊錫塊用于將半導(dǎo)體器件直接連接到襯底。然而，這種方法可能會(huì)受到安裝區(qū)域的尺寸的限制并且可能不易適用于堆疊晶片。另一方面，傳統(tǒng)的引線(xiàn)接合方法可能限制可以合理地包含在單個(gè)半導(dǎo)體封裝體中的半導(dǎo)體晶片的數(shù)量。此外，當(dāng)試圖將大量半導(dǎo)體晶片封裝到半導(dǎo)體封裝體中時(shí)，可能引起一般的結(jié)構(gòu)問(wèn)題。因此，還需要對(duì)半導(dǎo)體封裝體的演進(jìn)進(jìn)行額外改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊，該多晶片構(gòu)造塊包括具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)；第一晶片，其通過(guò)第一組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第一表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)；以及第二晶片，其通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第二表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)。本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝體，該半導(dǎo)體封裝體包括襯底；被堆疊的多個(gè)多晶片構(gòu)造塊，耦合到所述襯底的表面，其中每個(gè)多晶片構(gòu)造塊包括具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)；第一晶片，其通過(guò)第一組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第一表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)；第二晶片，其通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第二表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)；以及模塑件，其被置于所述襯底之上，并且包裹所述被堆疊的多個(gè)多晶片構(gòu)造塊。一種用于制造堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊的方法，該方法包括提供具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)；通過(guò)第一組多個(gè)互連將第一晶片耦合到所述彎曲條帶的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)；以及通過(guò)第二組多個(gè)互連將第二晶片耦合到所述彎曲條帶的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。


圖I說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于堆疊晶片封裝體的雙晶片構(gòu)造塊的剖面圖；圖2說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式包括一對(duì)雙晶片構(gòu)造塊的堆疊晶片封裝體的剖面圖；圖3說(shuō)明了表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式使用制造用于堆疊晶片封裝體的雙晶片構(gòu)造塊的方法來(lái)進(jìn)行操作的流程圖；圖4說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式用于堆疊晶片封裝體的四晶片構(gòu)造塊的剖面圖。·
具體實(shí)施例方式本文說(shuō)明用于堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊。在以下說(shuō)明中，提出了多個(gè)具體細(xì)節(jié)(例如具體尺寸)，以便提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的充分理解。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚本發(fā)明的實(shí)施方式可以在不具有這些具體細(xì)節(jié)的情況下被實(shí)施。在其他實(shí)例中，并沒(méi)有對(duì)公知的功能(例如具體的半導(dǎo)體晶片的功能等)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，以免使本發(fā)明的實(shí)施方式顯得不必要地模糊。此外，應(yīng)該理解到，附圖中所示的各實(shí)施方式是示例性表示并且不必按比例繪制。本文公開(kāi)的是用于堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊。在一個(gè)實(shí)施方式中，多晶片構(gòu)造塊包括具有第一表面和第二表面的彎曲條帶(flex tape)，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)(electrical trace)。第一晶片通過(guò)第一組多個(gè)互連稱(chēng)合到所述彎曲條帶的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。第二晶片通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施方式中，提出了一種用于制造堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊的方法，該方法包括提供具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，其中每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)。第一晶片通過(guò)第一組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。第二晶片通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，形成多晶片構(gòu)造塊以及隨后堆疊多晶片構(gòu)造塊使得堆疊晶片封裝體具有更大的靈活度。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，每一個(gè)多晶片構(gòu)造塊中均具有其自身的中央彎曲條帶，該中央彎曲條帶將所述晶片接合到一起。彎曲條帶和多晶片構(gòu)造塊的使用使得絕大多數(shù)甚至全部通常用于封裝這種晶片的引線(xiàn)接合能夠被替代。因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)將許多晶片一起堆疊到單個(gè)封裝體中時(shí)，消除了復(fù)雜的引線(xiàn)接合陣列的問(wèn)題。此外，在一個(gè)實(shí)施方式中，彎曲條帶和多晶片構(gòu)造塊的使用使得存儲(chǔ)器和邏輯晶片兩者能夠更簡(jiǎn)單的集成在一起。在另一個(gè)實(shí)施方式中，彎曲條帶和多晶片構(gòu)造塊的使用使得具有不同尺寸的晶片能夠更簡(jiǎn)單的集成。多晶片構(gòu)造塊可以被制造以用于半導(dǎo)體封裝體中。圖I說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于堆疊晶片封裝體的雙晶片構(gòu)造塊的剖面圖。參考圖1，用于堆疊晶片封裝體的雙晶片構(gòu)造塊100包括第一晶片104和第二晶片106。第一晶片104和第二晶片106中的每一個(gè)均包括位于其上的多個(gè)互連108。雙晶片構(gòu)造塊100還包括具有第一表面和第二表面的彎曲條帶110。每個(gè)表面均包括多個(gè)電跡線(xiàn)112。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，第一晶片104通過(guò)第一組多個(gè)互連108耦合到彎曲條帶110的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)112。此外，第二晶片106通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到彎曲條帶110的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施方式中，彎曲條帶110包括聚酰亞胺材料并且多個(gè)電跡線(xiàn)112由銅來(lái)構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，銅表面涂覆有鎳和金。在一個(gè)實(shí)施方式中，在第一晶片104和第二晶片106之間具有彎曲條帶110，其在第一晶片104和第二晶片106之間的厚度大約在15-75微米的范圍內(nèi)，在第一晶片104和第二晶片106之間還具有每一組所述多個(gè)電跡線(xiàn)112，其在第一晶片104和第二晶片106之間的厚度大約在10-20微米的范圍內(nèi)。多個(gè)電跡線(xiàn)112的實(shí)際布局可以基于特定應(yīng)用而不同。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，每一組所述多個(gè)電跡線(xiàn)112均包括連續(xù)的導(dǎo)電線(xiàn)路，該導(dǎo)電線(xiàn)路按圖I中所示沿與剖面中顯示的多個(gè)互連中的每個(gè)互連的方向平行的方向延伸。在另一個(gè)實(shí)施方式中，每一組所述多個(gè)電跡線(xiàn)112均包括連續(xù)的導(dǎo)電線(xiàn)路，該導(dǎo)電線(xiàn)路按圖2中所示沿與剖面中顯示的多個(gè)互連中的每個(gè)互連的方向垂直的方向延伸(見(jiàn)例如下述圖2中的元件212)。
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根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，如圖I所示，每一組所述多個(gè)互連108均由金屬凸塊陣列構(gòu)成，并且導(dǎo)電粘合劑130散布在每個(gè)金屬凸塊之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)金屬凸塊陣列中的每個(gè)金屬凸塊由金屬(例如，但不限于，銅、金或鎳)構(gòu)成。導(dǎo)電粘合劑130可以是適于凸塊與跡線(xiàn)粘合的材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電粘合劑130由各向異性導(dǎo)電粘合劑構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電粘合劑130包括的材料可以是例如，但不限于，各向異性導(dǎo)電環(huán)氧丙烯酸酯料劑(paste)或薄膜。第一晶片104和第二晶片106可以是在電子工業(yè)中使用的任何適當(dāng)?shù)莫?dú)立半導(dǎo)體芯片，并且不必在形式或功能上相同。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一芯片104或第二芯片106是形成在一片單晶硅上的存儲(chǔ)單元陣列或微處理器。在另一個(gè)實(shí)施方式中，第一晶片104或第二晶片106是形成在III-V材料片上的二極管。第一晶片104或第二晶片106可以具有表面，該表面具有形成于其上的微電子集成電路。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一晶片104或第二晶片106的表面可以包括與多個(gè)互連108位于晶片的同一側(cè)上的CMOS晶體管陣列。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一晶片104或第二晶片106的厚度約在350-800微米范圍內(nèi)。在半導(dǎo)體封裝體中可以包括多個(gè)多晶片構(gòu)造塊。圖2說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式包括一對(duì)雙晶片構(gòu)造塊的堆疊晶片封裝體的剖面圖。參考圖2，半導(dǎo)體封裝體200包括襯底220。堆疊的多個(gè)雙晶片構(gòu)造塊(如圖2所示，例如雙晶片構(gòu)造塊202A+雙晶片構(gòu)造塊202B)耦合到襯底220的表面。雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)均包括具有第一表面和第二表面的彎曲條帶210，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)212。第一晶片204通過(guò)第一組多個(gè)互連208耦合到彎曲條帶210的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)212。第二晶片206通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到彎曲條帶210的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。模塑件(molding) 218被置于襯底220之上并且包裹堆疊的多個(gè)雙晶片構(gòu)造塊202A+202B。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的彎曲條帶110的端部通過(guò)導(dǎo)電粘合劑214耦合到襯底220的表面。導(dǎo)電粘合劑214可以是適于跡線(xiàn)與跡線(xiàn)粘合的材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電粘合劑214包括的材料可以是例如，但不限于，各向異性導(dǎo)電環(huán)氧丙烯酸酯料劑或薄膜。在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體封裝體200進(jìn)一步在襯底220的相反的第二表面上包括焊錫塊222陣列。因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體封裝體200是球柵陣列(BGA)封裝體，如圖2所示。然而，應(yīng)理解本發(fā)明的實(shí)施方式不限于BGA半導(dǎo)體封裝體。根據(jù)具體應(yīng)用的不同，襯底220可以是柔性襯底或剛性襯底。在一個(gè)實(shí)施方式中，襯底220具有置于其中的多個(gè)電跡線(xiàn)，所述多個(gè)電跡線(xiàn)用于經(jīng)由導(dǎo)電粘合劑214與每個(gè)彎曲條帶210電耦合。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的彎曲條帶110由聚酰亞胺材料構(gòu)成，并且雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的多個(gè)電跡線(xiàn)212由銅構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，銅表面涂覆有鎳和金。在一個(gè)實(shí)施方式中，在雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的第一晶片204和第二晶片206之間存在雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的彎曲條帶210，其在雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的第一晶片204和第二晶片206之間的厚度大約在15-75微米的范圍內(nèi)。在該實(shí)施方式中，在雙晶片構(gòu)造塊 202A或202B中的每一個(gè)的第一晶片204和第二晶片206之間存在雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的多組所述多個(gè)電跡線(xiàn)212中的每一組，其在雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的第一晶片204和第二晶片206之間的厚度大約在10-20微米的范圍內(nèi)。多個(gè)電跡線(xiàn)212的實(shí)際布局可以基于特定應(yīng)用而不同。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，每一組所述多個(gè)電跡線(xiàn)112均包括連續(xù)的導(dǎo)電線(xiàn)路，該導(dǎo)電線(xiàn)路按圖2中所示沿與剖面中顯示的多個(gè)互連中的每個(gè)互連的方向垂直的方向延伸。在另一個(gè)實(shí)施方式中，每一組所述多個(gè)電跡線(xiàn)212均包括連續(xù)的導(dǎo)電線(xiàn)路，該導(dǎo)電線(xiàn)路按圖I中所示沿與剖面中顯示的多個(gè)互連中的每個(gè)互連的方向平行的方向延伸(見(jiàn)例如上述圖I中的元件112)。在一個(gè)實(shí)施方式中，如圖2所示，雙晶片構(gòu)造塊202A或202B中的每一個(gè)的多組多個(gè)互連208中的每一組均由金屬凸塊陣列構(gòu)成，并且導(dǎo)電粘合劑230散布在每個(gè)金屬凸塊之間，如圖2所不。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)金屬凸塊陣列中每個(gè)陣列中的每個(gè)金屬凸塊由金屬(例如，但不限于，銅、金或鎳)構(gòu)成。導(dǎo)電粘合劑230可以是適于凸塊與跡線(xiàn)粘合的材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電粘合劑230由各向異性導(dǎo)電粘合劑構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電粘合劑230包括的材料可以是例如，但不限于，各向異性導(dǎo)電環(huán)氧丙烯酸酯料劑或薄膜。第一晶片204和第二晶片206可以是例如結(jié)合圖I中的第一晶片104和第二晶片106進(jìn)行描述的半導(dǎo)體晶片。每個(gè)雙晶片構(gòu)造塊(例如202A和202B)可以在堆置晶片的后表面相互接合，如圖2所示。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，雙晶片構(gòu)造塊202A和202B在界面216堆疊并耦合。在一個(gè)實(shí)施方式中，絕緣晶片接合料劑或薄膜(例如環(huán)氧樹(shù)脂)被用于在界面216上耦合雙晶片構(gòu)造塊202A和202B。還可以用類(lèi)似的材料將雙晶片構(gòu)造塊202B粘附到襯底220的頂表面。模塑件218還可以由絕緣材料構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，構(gòu)成模塑件218的材料可以是例如，但不限于，由硅橡膠填充劑構(gòu)成的環(huán)氧樹(shù)脂。應(yīng)理解在本發(fā)明的各實(shí)施方式的精神和范圍內(nèi)的半導(dǎo)體封裝體不限于結(jié)合圖2進(jìn)行描述的特定配置。例如，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，多于兩個(gè)的雙晶片構(gòu)造塊彼此互相堆疊以便被封裝在單個(gè)半導(dǎo)體封裝體中。在一個(gè)實(shí)施方式中，雙晶片構(gòu)造塊的一些堆疊被彼此大致鄰近地置于單個(gè)襯底上以便被封裝在單個(gè)半導(dǎo)體封裝體中。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，來(lái)自雙晶片構(gòu)造塊中的至少一個(gè)構(gòu)造塊的彎曲條帶的一部分延伸在半導(dǎo)體封裝體的外部以用于外部連接。可以通過(guò)耦合工藝來(lái)制造多晶片構(gòu)造塊，以便在半導(dǎo)體封裝體中使用。圖3說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于表示在制造堆疊晶片封裝體的雙晶片構(gòu)造塊的方法中使用的操作的流程圖300。參考流程圖300的操作302，用于制造堆疊的晶片封裝體的雙晶片構(gòu)造塊的方法包括提供具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供彎曲條帶包括提供包含多個(gè)銅電跡線(xiàn)的聚酰亞胺材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，銅表面涂覆有鎳和金。在一個(gè)實(shí)施方式中，彎曲條帶具有厚度約在15-75微米范圍內(nèi)的區(qū)域，所述區(qū)域是半導(dǎo)體晶片將被附連到該彎曲條帶的位置。在該實(shí)施方式中，在所述區(qū)域中，每一組所述多個(gè)電跡線(xiàn)均具有約10-20微米范圍內(nèi)的厚度。參考流程圖300的操作304，通過(guò)第一組多個(gè)互連，第一晶片耦合到彎曲條帶的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，第一組多個(gè)互連包括金屬凸塊陣列，并且導(dǎo)電粘合劑散布在每個(gè)金屬凸塊之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，金屬凸塊陣列中的每個(gè)金屬凸塊 由金屬(例如但不限于銅、金或鎳)構(gòu)成。參考流程圖300的操作306，通過(guò)第二組多個(gè)互連，第二晶片耦合到彎曲條帶的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二組多個(gè)互連包括金屬凸塊陣列，并且導(dǎo)電粘合劑散布在每個(gè)金屬凸塊之間。在一個(gè)實(shí)施方式中，金屬凸塊陣列中的每個(gè)金屬凸塊由金屬(例如但不限于銅、金或鎳)構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，將第一晶片和第二晶片耦合到彎曲條帶的多個(gè)電跡線(xiàn)包括在約I-IOMPa范圍內(nèi)的壓力下持續(xù)約5-20秒加熱到約150-200攝氏度范圍內(nèi)的溫度。在一個(gè)實(shí)施方式中，在第一和第二晶片已耦合到彎曲條帶后，加熱操作執(zhí)行一次。在可替換的實(shí)施方式中，加熱操作被執(zhí)行兩次，先是在第一晶片被耦合到彎曲條帶后，然后在第二晶片被耦合到彎曲條帶后。同樣，操作304和306可以按不同的次序執(zhí)行或者大致同時(shí)執(zhí)行。在一個(gè)實(shí)施方式中，在根據(jù)操作302、304和306形成雙晶片構(gòu)造塊后，雙晶片構(gòu)造塊被稱(chēng)合到襯底的表面。在一個(gè)實(shí)施方式中，模塑件隨后被形成在襯底之上以包裹雙晶片構(gòu)造塊。在特定實(shí)施方式中，在形成模塑件之前，一個(gè)或多個(gè)額外的雙晶片構(gòu)造塊被堆疊在所述雙晶片構(gòu)造塊之上，并且模塑件包裹全部堆疊的雙晶片構(gòu)造塊。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)雙晶片構(gòu)造塊的彎曲條帶的端部通過(guò)導(dǎo)電粘合劑耦合到襯底的表面。在另一個(gè)實(shí)施方式中，焊錫塊的陣列形成在襯底的第二表面上，并且所述半導(dǎo)體封裝體是BGA封裝體。本發(fā)明的實(shí)施方式不限于用于半導(dǎo)體封裝體中的雙晶片構(gòu)造塊。例如，圖4說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于堆疊晶片封裝體的四晶片構(gòu)造塊的剖面圖。參考圖4，用于堆疊晶片封裝體的四晶片構(gòu)造塊400包括一對(duì)第一晶片404和第二晶片406以及一對(duì)第三晶片405和第四晶片407。四晶片構(gòu)造塊400包括用于耦合第一晶片404、第二晶片406、第三晶片405和第四晶片407的彎曲條帶410。因此，公開(kāi)了用于堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，雙晶片構(gòu)造塊包括具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)。第一晶片通過(guò)第一組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。第二晶片通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。在一個(gè)實(shí)施方式中，彎曲條帶由聚酰亞胺材料構(gòu)成并且所述多個(gè)電跡線(xiàn)由銅構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施方式中，多組所述多個(gè) 互連中的每一組包括金屬凸塊陣列并且導(dǎo)電粘合劑散布在每個(gè)金屬凸塊之間。
權(quán)利要求
1.一種用于堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊，該多晶片構(gòu)造塊包括 具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)； 第一晶片，該第一晶片通過(guò)第一組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第一表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)；以及 第二晶片，該第二晶片通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第二表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶片構(gòu)造塊，其中所述彎曲條帶包括聚酰亞胺材料并且所述多個(gè)電跡線(xiàn)包括銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶片構(gòu)造塊，其中在所述第一晶片和所述第二晶片之間具有所述彎曲條帶，所述彎曲條帶在所述第一晶片和所述第二晶片之間的厚度約在15-75微米的范圍內(nèi)，并且其中在所述第一晶片和所述第二晶片之間具有多組所述多個(gè)電跡線(xiàn)中的每一組，該多組所述多個(gè)電跡線(xiàn)中的每一組在所述第一晶片和所述第二晶片之間的厚度約在10-20微米的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶片構(gòu)造塊，其中多組所述多個(gè)互連中的每一組包括金屬凸塊陣列，并且導(dǎo)電粘合劑散布在所述陣列中的至少一些所述金屬凸塊之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶片構(gòu)造塊，其中所述導(dǎo)電粘合劑包括各向異性導(dǎo)電粘合劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶片構(gòu)造塊，其中至少一些所述金屬凸塊包括從包含銅、金和鎳的組中選擇的金屬。
7.一種用于制造堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊的方法，該方法包括 提供具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)； 通過(guò)第一組多個(gè)互連將第一晶片耦合到所述彎曲條帶的第一表面的多個(gè)電跡線(xiàn)；以及 通過(guò)第二組多個(gè)互連將第二晶片耦合到所述彎曲條帶的第二表面的多個(gè)電跡線(xiàn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，該方法還包括 將所述多晶片構(gòu)造塊耦合到襯底的表面；以及 在所述襯底之上形成模塑件以包裹所述多晶片構(gòu)造塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，該方法還包括 在形成所述模塑件前，將一個(gè)或多個(gè)額外的多晶片構(gòu)造塊堆疊在所述多晶片構(gòu)造塊之上，其中所述模塑件包裹所有堆疊的多晶片構(gòu)造塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中將所述第一晶片和所述第二晶片耦合到所述彎曲條帶的多組所述多個(gè)電跡線(xiàn)包括在約I-IOMPa范圍內(nèi)的壓力下，在約5-20秒的持續(xù)時(shí)間內(nèi)，加熱到約150-200攝氏度范圍內(nèi)的溫度。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中提供所述彎曲條帶包括提供包含銅電跡線(xiàn)的聚酰亞胺材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述第一晶片和所述第二晶片之間具有所述彎曲條帶，該彎曲條帶在所述第一晶片和所述第二晶片之間的厚度約在15-75微米的范圍內(nèi)，并且其中在所述第一晶片和所述第二晶片之間具有至少一些所述銅電跡線(xiàn)，該至少一些所述銅電跡線(xiàn)在所述第一晶片和所述第二晶片之間的厚度約在10-20微米的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中多組所述多個(gè)互連中的每一組包括金屬凸塊陣列，并且導(dǎo)電粘合劑散布在所述陣列中的至少一些所述金屬凸塊之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述導(dǎo)電粘合劑包括各向異性導(dǎo)電粘合劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中至少一些所述金屬凸塊包括從包含銅、金和鎳的組中選擇的金屬。
全文摘要
說(shuō)明了用于堆疊晶片封裝體的多晶片構(gòu)造塊及其制造方法。該多晶片構(gòu)造塊包括具有第一表面和第二表面的彎曲條帶，每個(gè)表面包括多個(gè)電跡線(xiàn)。第一晶片，其通過(guò)第一組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第一表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)。第二晶片，其通過(guò)第二組多個(gè)互連耦合到所述彎曲條帶的所述第二表面的所述多個(gè)電跡線(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L25/16GK102891138SQ20121015023
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者R·阿迪穆拉, 任明鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:R·阿迪穆拉, 任明鎮(zhèn)