專利名稱：小尺寸半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)，尤其是一種小尺寸的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)主要包括芯片及封裝外殼，封裝外殼封裝芯片，以保護(hù)芯片避免其收到機(jī)械損害和電氣侵?jǐn)_。另外，半導(dǎo)體封裝 結(jié)構(gòu)通常還包括電阻、電容、電桿等被動(dòng)元件，以配合芯片構(gòu)成完成的電子系統(tǒng)?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括芯片、被動(dòng)元件和基板，芯片及被動(dòng)元件設(shè)置于基板上并于基板電性連接，其中，芯片設(shè)置于基板中心處，被動(dòng)元件繞設(shè)與芯片周圍，造成的直接結(jié)果不利于半導(dǎo)體封裝機(jī)構(gòu)小型化，還對(duì)芯片布線的空間造成限制。因此，現(xiàn)有技術(shù)有待于改進(jìn)和提聞。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足之處，本實(shí)用新型的目的是提供一種可縮小尺寸的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種小尺寸半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、至少一被動(dòng)元件、絕緣填充材料、芯片和封裝層，所述的基板中心處開設(shè)有一凹槽，所述的凹槽底面設(shè)有多個(gè)第一焊盤將至少一被動(dòng)元件與基板電性連接；所述的絕緣填充材料填充于所述凹槽內(nèi)并覆蓋所述的至少一被動(dòng)元件，所述芯片設(shè)置于絕緣填充材料的上表面，所述芯片的上表面兩端分別設(shè)有第二焊盤與設(shè)置于基板兩端面的第二焊盤電性連接，所述芯片全部或部分收容于所述凹槽內(nèi)；所述基板的下表面設(shè)置多個(gè)第三焊盤；所述的封裝層包覆于所述芯片及引線上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是由于采用上述結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有凹槽收容所述的被動(dòng)元件，可提高所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的空間利用率，縮小所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的尺寸。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理，具有廣泛的市場(chǎng)價(jià)值和巨大的市場(chǎng)潛力。

附圖I為本實(shí)用新型小尺寸半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖。圖中各標(biāo)號(hào)分別是(I)基板，(2)被動(dòng)元件，(3)絕緣填充材料，(4)芯片，(5)封裝層，(6)凹槽，(7)第一焊盤，(8)第二焊盤，(9)第三焊盤。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明參看圖1，本實(shí)用新型一種小尺寸半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括基板I、至少一被動(dòng)元件2、絕緣填充材料3、芯片4和封裝層5，所述的基板I中心處開設(shè)有一凹槽6，所述的凹槽6底面設(shè)有多個(gè)第一焊盤7將至少一被動(dòng)元件2與基板I電性連接；所述的絕緣填充材料3填充于所述凹槽6內(nèi)并覆蓋所述的至少一被動(dòng)元件2，所述芯片4設(shè)置于絕緣填充材料3的上表面，所述芯片4的上表面兩端分別設(shè)有第二焊盤8與設(shè)置于基板I兩端面的第二焊盤8電性連接，所述芯片4全部或部分收容于所述凹槽6內(nèi)；所述基板I的下表面設(shè)置多個(gè)第三焊盤9 ;所述的封裝層5包覆于所述芯片4及導(dǎo)線上。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上 的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種小尺寸半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、至少一被動(dòng)元件、絕緣填充材料、芯片和封裝層，其特征在于所述的基板中心處開設(shè)有一凹槽，所述的凹槽底面設(shè)有多個(gè)第一焊盤將至少一被動(dòng)元件與基板電性連接；所述的絕緣填充材料填充于所述凹槽內(nèi)并覆蓋所述的至少一被動(dòng)元件，所述芯片設(shè)置于絕緣填充材料的上表面，所述芯片的上表面兩端分別設(shè)有第二焊盤與設(shè)置于基板兩端面的第二焊盤電性連接，所述芯片全部或部分收容于所述凹槽內(nèi)；所述基板的下表面設(shè)置多個(gè)第三焊盤；所述的封裝層包覆于所述芯片及引線上。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種小尺寸半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、至少一被動(dòng)元件、絕緣填充材料、芯片和封裝層，所述的基板中心處開設(shè)有一凹槽，所述的凹槽底面設(shè)有多個(gè)第一焊盤將至少一被動(dòng)元件與基板電性連接；所述的絕緣填充材料填充于所述凹槽內(nèi)并覆蓋所述的至少一被動(dòng)元件，所述芯片設(shè)置于絕緣填充材料的上表面，所述芯片的上表面兩端分別設(shè)有第二焊盤與設(shè)置于基板兩端面的第二焊盤電性連接，所述芯片全部或部分收容于所述凹槽內(nèi)；所述基板的下表面設(shè)置多個(gè)第三焊盤；所述的封裝層包覆于所述芯片及引線上。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)合理，具有廣泛的市場(chǎng)價(jià)值和巨大的市場(chǎng)潛力。
文檔編號(hào)H01L23/31GK202384314SQ20112048663
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月30日
發(fā)明者彭蘭蘭 申請(qǐng)人:彭蘭蘭