專(zhuān)利名稱(chēng)：阻抗為50ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種阻抗為50 Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)：
氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率， 如果不能承受要求的功率，負(fù)載就會(huì)燒壞，可能導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備燒壞。目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率，要求基本的尺寸越來(lái)越小，而需要吸收的功率越來(lái)越大，產(chǎn)品的特性也就是VSWR(駐波比)要越小越好，市場(chǎng)基礎(chǔ)需要滿(mǎn)足1.25 1以?xún)?nèi).隨著頻段的增高，產(chǎn)品的VSWR也就會(huì)越高.目前國(guó)內(nèi)的負(fù)載片VSWR — 般都是在3G以?xún)?nèi)達(dá)到要求，有少數(shù)能達(dá)到3G，但是隨著通信網(wǎng)絡(luò)的不斷的發(fā)展，對(duì)頻段的要求越來(lái)越高，所以尺寸越小，能達(dá)到的頻段越高，是發(fā)展的方向.

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠承受 IOOff的功率，駐波比需要達(dá)到4G以及4G以?xún)?nèi)頻段都可以得到應(yīng)用的氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種阻抗為50 Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其包括一 6. 0*6. 0*1. Omm
的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該結(jié)構(gòu)在原有的設(shè)計(jì)方案基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化， 在更小的尺寸上實(shí)現(xiàn)的100瓦的功率要求，符合元器件領(lǐng)域的小型化發(fā)展趨勢(shì)，進(jìn)而擴(kuò)大了產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片具有良好的VSWR 性能，在6. 0*6. 0*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到100W，同時(shí)使其特性突破了 3G，達(dá)到了 4G，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該阻抗為50Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片包括一 6. 0*6. 0*1. Omm的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板1的正面印刷有電阻3及導(dǎo)線2，導(dǎo)線2連接電阻3形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過(guò)銀漿電連接，從而使負(fù)載電路接地導(dǎo)通。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻3由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4。導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50 Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在6. 0*6. 0*1. Omm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到100W，在更小的尺寸上實(shí)現(xiàn)的100瓦的功率要求，符合元器件領(lǐng)域的小型化發(fā)展趨勢(shì)，進(jìn)而擴(kuò)大了產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域同時(shí)使其特性突破了 3G，達(dá)到了 4G，使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。據(jù)檢測(cè)該氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片能承受的功率非常穩(wěn)定，能夠完全達(dá)到通信期間吸收所需要功率的要求，以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種阻抗為50 Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100 瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種阻抗為50Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一 6. 0*6. 0*1. Omm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗為50Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種阻抗為50Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片，其包括一6.0*6.0*1.0mm的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線，所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該結(jié)構(gòu)的阻抗為50Ω小尺寸氮化鋁陶瓷基板100瓦負(fù)載片具有良好的VSWR性能，在6.0*6.0*1.0mm的氮化鋁陶瓷基板上的功率達(dá)到100W，同時(shí)使其特性突破了3G，達(dá)到了4G使該尺寸的氮化鋁陶瓷基板使用范圍更廣，也更加能夠與設(shè)備進(jìn)行良好的匹配。
文檔編號(hào)H01P1/22GK202178368SQ20112032498
公開(kāi)日2012年3月28日 申請(qǐng)日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月1日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司