專(zhuān)利名稱(chēng)：一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
對(duì)通隔離擴(kuò)散工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)，尤其在可控硅等產(chǎn)品的實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)通隔離擴(kuò)散工藝質(zhì)量的好壞直接影響到產(chǎn)品的Vm電壓特性，主要原因?yàn)閷?duì)通隔離擴(kuò)散工藝過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)，溫度高，造成橫向擴(kuò)散寬度大，從而導(dǎo)致Vm電壓低或擊穿軟，為解決上述問(wèn)題，特提供一種新的技術(shù)方案。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)，包括抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽、正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)和背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)，所述正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)內(nèi)側(cè)設(shè)有抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽，所述抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽一側(cè)設(shè)有環(huán)形鈍化槽。所述背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬為120_160um，正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬為 60-100um，所述抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽寬度為20-60um，深度為30_40um。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是采用了抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽的方式，降低了對(duì)通隔離擴(kuò)散過(guò)程中形成的橫向擴(kuò)散寬度，有效降低了橫向擴(kuò)散寬度對(duì)Vm電壓特性的影響，提高了擊穿電壓及產(chǎn)品良率；同時(shí)采用正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬窄、背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬寬的結(jié)構(gòu)，提高了背對(duì)通隔離擴(kuò)散速度，擴(kuò)散時(shí)間比原來(lái)減少了 15_20h。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

圖1為本實(shí)用新型方式形成的產(chǎn)品正面橫向結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型方式形成的產(chǎn)品背面橫向結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型方式形成的產(chǎn)品縱向結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、環(huán)形玻璃鈍化槽，2、正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)，3、抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽，4、 背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)。
具體實(shí)施方式
如圖1-3所示，本實(shí)用新型的一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)，包括抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽3、正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)2和背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)4，正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)2內(nèi)側(cè)設(shè)有抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽3，抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽3 —側(cè)設(shè)有環(huán)形鈍化槽 1，抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽3寬度為20-60um，深度為30-40um，背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)4環(huán)寬為120-160um，正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬為60-100um，采用了抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽的方式，降低了對(duì)通隔離擴(kuò)散過(guò)程中形成的橫向擴(kuò)散寬度，有效降低了橫向擴(kuò)散寬度對(duì)Vkkm電壓特性的影響，提高了擊穿電壓及產(chǎn)品良率；同時(shí)采用正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬窄、背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬寬的結(jié)構(gòu)，提高了背對(duì)通隔離擴(kuò)散速度，擴(kuò)散時(shí)間比原來(lái)減少了 15_20h。
權(quán)利要求1.一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)，其特征在于包括抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽、正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)和背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)，所述正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)內(nèi)側(cè)設(shè)有抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽，所述抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽一側(cè)設(shè)有環(huán)形鈍化槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬為120-160um，正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬為60-100um，所述抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽寬度為20-60um，深度為30-40um。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種降低對(duì)通隔離擴(kuò)散橫向擴(kuò)散寬度的結(jié)構(gòu)，其特征在于包括抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽、正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)和背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)，所述正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)內(nèi)側(cè)設(shè)有抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽，所述抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽一側(cè)設(shè)有環(huán)形鈍化槽。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是采用了抑制橫向擴(kuò)散用環(huán)形槽的方式，降低了對(duì)通隔離擴(kuò)散過(guò)程中形成的橫向擴(kuò)散寬度，有效降低了橫向擴(kuò)散寬度對(duì)VRRM電壓特性的影響，提高了擊穿電壓及產(chǎn)品良率；同時(shí)采用正面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬窄、背面對(duì)通隔離擴(kuò)散區(qū)環(huán)寬寬的結(jié)構(gòu)，提高了背對(duì)通隔離擴(kuò)散速度，擴(kuò)散時(shí)間比原來(lái)減少了15-20h。
文檔編號(hào)H01L29/74GK202167493SQ201120270370
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月28日
發(fā)明者王成森, 黎重林 申請(qǐng)人:江蘇捷捷微電子股份有限公司